KR20200032780A - 전자 장치 - Google Patents

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KR20200032780A
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Abstract

본 발명에 따른 전자 장치는, 벤딩 영역에 배치된 유기층 및 유기층 상에 배치된 연결 배선을 포함한다. 연결 배선은 표시 유닛의 화소와 연결된 신호라인들에 연결될 수 있다. 벤딩 영역에 배치된 유기층 및 연결 배선을 입력 감지 유닛에 포함된 구성들과 동일 물질을 포함하도록 할 수 있다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 상세하게는 신뢰성이 향상된 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전기적 신호에 따라 활성화된다. 전자 장치는 영상을 표시하는 표시 유닛이나, 외부 입력을 감지하는 입력 감지 유닛과 같이 다양한 전자 부품들로 구성된 장치들을 포함할 수 있다. 전자 부품들은 다양하게 배열된 신호 라인들에 의해 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
신호 라인들은 전자 부품들의 수나 처리 환경에 따라 다양한 수로 제공될 수 있으며, 정해진 패널 영역 내에서 전기적 신호 간섭 방지를 위해 적정 공간에 벤딩되어 배열되도록 설계된다.
본 발명은 벤딩 영역에 배치된 유기층 및 신호 라인들을 입력 감지 유닛에 포함된 구성들과 동일 공정에서 형성되도록 함으로써, 공정 비용 및 시간을 감소 시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 일 방향을 따라 연장된 벤딩 축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역과 인접한 비 벤딩 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터와 복수의 절연층들을 포함하는 회로 소자층, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 유기발광소자를 포함하는 표시 소자층, 및 상기 표시 소자층을 커버하는 봉지층을 포함하고, 상기 절연층들 중 일부에 상기 벤딩 영역과 중첩하는 베이스 기판의 일부를 노출시키는 그루브가 정의된 표시 유닛, 상기 박막 봉지층 상에 배치되고, 제1 감지 절연층, 상기 제1 감지 절연층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치된 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극, 상기 제1 감지 절연층을 커버하는 제2 감지 절연층을 포함하는 입력 감지 유닛, 노출된 상기 베이스 기판의 일부 및 그루브를 커버하는 제1 유기막, 상기 제1 유기막 상에 배치되어 표시 유닛 및 상기 입력 감지 유닛 중 적어도 어느 하나에 연결되고, 상기 제1 및 제2 감지 전극들 중 적어도 어느 하나와 동일 물질을 포함하는 연결 배선, 및 상기 연결 배선을 커버하는 제2 유기막을 포함하고, 상기 제1 유기막 및 상기 연결 배선은 상기 벤딩 영역에서 서로 중첩한다.
상기 제1 유기막은 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 유기막은 상기 제2 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 유기막은 상기 절연층들 중 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장상기 제2 유기막은 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 유기막 및 상기 제2 유기막 사이에 배치되고 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 추가 유기막을 더 포함하고, 상기 제2 유기막은 상기 제2 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 연결 배선은, 상기 제1 유기막 및 상기 추가 유기막 사이에 배치된 제1 배선, 상기 추가 유기막 및 상기 제2 유기막 사이에 배치된 제2 배선을 포함하고, 상기 제2 배선은 상기 추가 유기막을 관통하여 정의된 컨택홀을 통해 상기 제1 배선과 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 연결 배선은, 상기 제1 유기막 및 상기 연결 배선 사이에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터는 반도체 패턴, 상기 반도체 패턴과 이격된 제어 전극, 상기 제어 전극과 이격된 상부 전극, 상기 반도체 패턴에 접속된 입력 전극, 및 상기 입력 전극과 동일 층 상에 배치되고 상기 반도체 패턴에 접속된 출력 전극을 포함하고, 상기 반도체 패턴은 산화물 반도체 패턴 및 실리콘 반도체 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 절연층들은, 상기 베이스 기판 및 상기 반도체 패턴 사이에 배치된 적어도 하나의 무기층, 상기 반도체 패턴을 커버하는 제1 절연층, 상기 제어 전극 및 상기 제1 절연층을 커버하는 제2 절연층, 상기 상기 상부 전극 및 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층,
상기 제3 절연층, 상기 입력 전극, 및 상기 출력 전극을 커버하는 제4 절연층을 포함하고, 상기 제1 유기막 상기 제4 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 절연층들 중 상기 벤딩 영역과 중첩하는 절연층들의 일부에 의해 노출된 패드를 포함하는 패드 영역을 포함하고, 상기 패드는 상기 연결 배선과 연결된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 패드에 접속되는 회로 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 일 방향을 따라 연장된 벤딩 축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역과 인접한 비 벤딩 영역을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광소자, 및 복수의 절연층들을 포함하는 화소를 포함하는 표시 유닛, 상기 화소 상에 배치되고, 제1 감지 절연층, 상기 제1 감지 절연층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치된 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극, 상기 제1 감지 절연층을 커버하는 제2 감지 절연층을 포함하는 입력 감지 유닛, 상기 절연층들 중 상기 벤딩 영역과 중첩하는 절연층들이 함몰되어 상기 베이스 기판의 일부를 노출시키며 정의되고, 상기 벤딩 축을 따라 연장된 그루브, 노출된 상기 베이스 기판의 일부 및 상기 그루브를 커버하는 제1 유기막, 상기 벤딩 영역을 경유하여 상기 화소에 연결되는 연결 배선, 및 상기 연결 배선을 커버하는 제2 유기막을 포함하고, 상기 제2 유기막은 상기 제2 감지 절연층과 동일 물질을 포함한다.
상기 연결 배선은 상기 제1 및 제2 감지 전극 중 적어도 어느 하나와 동일 물질인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 유기막은 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 연결 배선은 상기 제1 유기막 상에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 유기막은 상기 절연층들 중 적어도 어느 하나와 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 유기막 및 상기 제2 유기막 사이에 배치되고 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 추가 유기막을 더 포함하고, 상기 연결 배선은, 상기 제1 유기막 및 상기 추가 유기막 사이에 배치된 제1 배선, 상기 추가 유기막 및 상기 제2 유기막 사이에 배치된 제2 배선을 포함하고, 상기 제2 배선은 상기 추가 유기막을 관통하여 정의된 컨택홀을 통해 상기 제1 배선과 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 배선은 상기 제1 감지 전극과 동일 물질을 포함하고, 상기 제2 배선은 상기 제2 감지 전극과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 제조 방법은, 일 방향을 따라 연장된 벤딩 축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역과 인접한 비 벤딩 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 증착 공정을 통해 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 유기발광소자, 상기 유기발광소자를 커버하는 봉지층, 및 복수의 절연층들이 형성된 예비 표시 유닛 제공 단계, 상기 절연층들 중 상기 벤딩 영역과 중첩하는 베이스 기판의 일부를 노출시키도록 상기 절연층들 각각의 일부를 제거하여 그루브를 형성하는 단계, 상기 봉지층 상에 제1 도전층 형성한 후, 상기 제1 도전층을 패터닝하여 제1 감지 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 감지 전극, 노출된 상기 베이스 기판의 일부, 및 상기 그루브가 커버되도록 예비 유기막을 형성하는 단계,상기 예비 유기막을 패터닝하여 제1 감지 전극을 커버하는 제1 감지 절연층 및 노출된 상기 베이스 기판의 일부와 상기 그루브를 커버하는 제1 유기막을 형성하는 단계, 상기 제1 감지 절연층 및 상기 벤딩 영역 상에 제2 도전층 형성 후, 상기 제2 도전층을 패터닝하여 각각 제2 감지 전극 및 연결 배선을 형성하는 단계, 상기 제2 감지 전극 및 상기 연결 배선을 커버하는 제2 유기막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 벤딩 영역에 형성된 그루브에 배치되는 구성들을 입력 감지 유닛의 구성들과 동일한 물질을 포함하도록 함으로써, 동일 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 이점을 가진다. 이에 따라, 전자 장치 제조 공정 시 발생하는 비용 및 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 벤딩 영역에 유기물을 충전시키기 위한 마스크의 개수를 감소시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 결합 사시도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 유닛의 평면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지 유닛의 평면도이다.
도 3는 도 1a에 도시된 전자 장치의 단면도이다.
도 4는 도 1a에 도시된 전자 장치의 블록도이다.
도 5는 벤딩 영역 및 비벤딩 영역의 일부를 자른 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 부분의 단면도이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 부분의 단면도이다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 부분의 단면도이다.
도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 결합 사시도이다. 도 1b는 도 1a에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 유닛의 평면도이다. 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 유닛의 평면도이다. 도 3는 도 1a에 도시된 전자 장치의 단면도이다. 도 4는 도 1a에 도시된 전자 장치의 블록도이다. 이하, 도 1a 내지 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 전자 장치를 설명한다.
전자 장치(ED)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 전자 장치(ED)는 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(ED)는 태블릿, 노트북, 컴퓨터, 스마트 텔레비전 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 전자 장치(ED)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 영상(IM)이 표시되는 표시면은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 면에 평행하게 정의될 수 있다. 표시면은 액티브 영역(AA) 및 액티브 영역(AA)에 인접한 베젤 영역(BZA)을 포함한다.
액티브 영역(AA)은 영상(IM)을 표시한다. 도 1a에서 영상(IM)의 일 예로 인터넷 검색창이 도시되었다. 액티브 영역(AA)은 사각 형상일 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 액티브 영역(AA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
베젤 영역(BZA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 베젤 영역(BZA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 베젤 영역(BZA)은 액티브 영역(AA)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 생략될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 다양한 실시예들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
표시면의 법선 방향은 전자장치(ED)의 두께 방향(DR3, 이하, 제3 방향)과 대응될 수 있다. 본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 전면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향된다.
한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
전자 장치(ED)는 윈도우 부재(WM), 반사방지 부재(OP), 표시 모듈(DM), 보호 부재(PF), 전자 모듈(EM), 전원공급 모듈(PM), 및 외부 케이스(EDC)를 포함한다. 도 1a 및 도 1b에서 상기 구성들은 단순하게 도시되었다.
윈도우 부재(WM)는 베이스부재(BS) 및 베젤층(BZL)을 포함한다. 윈도우 부재(WM)는 전자 장치(ED)의 전면을 제공한다. 베젤층(BZL)이 배치된 영역은 베젤 영역(BZA)으로 정의된다. 본 실시예에서 액티브 영역(AA) 내에서 플랫한 형태의 윈도우 부재(WM)를 도시하였으나, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 윈도우 부재(WM)의 형태는 변형될 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재(WM)는 액티브 영역(AA) 내에서 적어도 하나의 곡면을 포함할 수도 있다.
베이스 부재(BS)는 유리 기판, 사파이어 기판, 플라스틱 필름 등으로 포함할 수 있다. 베이스 부재(BS)는 다층 또는 단층구조를 가질 수 있다. 예컨대, 베이스 부재(BS)는 접착제로 결합된 복수 개의 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 베이스 부재(BS)는 유리 기판 및 유리 기판과 접착제로 결합된 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.
베젤층(BZL)은 베이스 부재(BS)의 배면에 배치된다. 베젤층(BZL)은 단층 또는 다층구조를 가질 수 있다. 다층의 베젤층(BZL)은 접착력을 향상시키는 버퍼층, 소정의 무늬를 제공하는 패턴층, 및 무채색층을 포함할 수 있다. 베젤층은 증착, 프린트, 코팅 등의 방식으로 형성될 수 있다.
별도로 도시하지는 않았으나, 윈도우 부재(WM)는 베이스 부재(BS)의 전면에 배치된 기능성 코팅층을 더 포함할 수 있다. 기능성 코팅층은 지문 방지층, 반사 방지층, 및 하드 코팅층 등을 포함할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시된 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 부재(WM)에 있어서, 베젤층(BZL)은 생략될 수도 있다.
반사방지 부재(OP)는 편광필름 및/또는 위상지연필름을 포함할 수 있다. 편광필름과 위상지연필름은 통상의 연신형 필름일 수 있다. 이때, 반사방지 부재(OP)와 표시 모듈(DM) 사이에 배치된 점착 부재가 더 포함될 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(ED)에 있어서, 반사방지 부재(OP)는 생략될 수도 있다.
표시 모듈(DM)은 윈도우 부재(WM)에 이미지를 생성한다. 또한, 표시 모듈(DM)은 외부 입력(예컨대, 사용자 터치)을 감지할 수도 있다. 외부 입력은 전자 장치(EA)의 외부에서 제공되는 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다. 외부 입력은 외부에서 인가되는 입력은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 외부 입력은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 전자 장치(ED)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 외부 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 힘, 압력, 광 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 표시 모듈(DM)은 연성회로기판을 통해 전자 모듈(EM)과 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 모듈(DM)은 표시 유닛(DU), 입력 감지 유닛(SU), 구동 제어부(DCM)을 포함할 수 있다. 도 1b에는 펼쳐진 상태의 표시 모듈(DM)을 도시하였다.
도 2a는 설명의 편의를 위해 표시 모듈(DM)의 표시 유닛(DU)과 입력 감지 유닛(SU)를 분리하여 도시하였다.
표시 유닛(DU)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 유닛(DU)은 표시 영역(DA)에 영상(IM)을 생성하여 표시할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 표시 영역(DA)은 액티브 영역(AA)과 중첩될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)과 인접한 영역으로 베젤 영역(BZA)과 중첩될 수 있다.
표시 유닛(DU)은 전기적 신호를 인가받아 표시 영역(DA)에 영상(IM)을 표시한다. 표시 유닛(DU)은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 표시 유닛(DU)은 유기발광 표시 패널, 전기영동 표시 패널, 전기습윤 표시 패널, 액정 표시 패널을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 표시 유닛(DU)은 유기발광 표시 패널인 경우를 예시적으로 설명한다.
표시 유닛(DU)은 복수의 신호 라인들(GL, DL, PL), 화소(PX), 및 복수의 패드들(PD: 이하, 패드들)을 포함할 수 있다. 표시 유닛(DU)은 실질적으로 벤딩 영역(BR) 및 비벤딩 영역(NBR)을 포함한다. 표시 유닛(DU)은 벤딩 가능하도록 연성을 가질 수 있다.
신호 라인들(GL, DL, PL)은 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 및 전원 라인(PL)을 포함할 수 있다. 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 및 전원 라인(PL)은 각각 서로 상이한 전기적 신호를 전달할 수 있다.
게이트 라인(GL)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 게이트 라인(GL)은 복수로 제공되어 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되어 배열될 수 있으나, 용이한 설명을 위해 단일의 게이트 라인(GL)을 예시적으로 도시하였다.
한편, 도시되지 않았으나, 표시 유닛(DU)은 게이트 라인(GL)에 전기적 신호를 제공하는 게이트 구동 회로를 더 포함할 수 있다. 또는, 표시 유닛(DU)은 외부에 제공되는 게이트 구동 회로와 전기적으로 연결되기 위한 게이트 패드들을 더 포함할 수 있다.
데이터 라인(DL)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된다. 데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 전기적으로 절연될 수 있다. 데이터 라인(DL)은 복수로 제공되어 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배열될 수 있으나, 용이한 설명을 위해 단일의 데이터 라인(DL)을 예시적으로 도시하였다. 데이터 라인(DL)은 화소(PX)에 데이터 신호를 제공한다.
전원 라인(PL)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된다. 전원 라인(PL)은 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 전기적으로 절연될 수 있다. 전원 라인(PL)은 복수로 제공되어 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배열될 수 있으나, 용이한 설명을 위해 단일의 전원 라인(PL)을 예시적으로 도시하였다. 전원 라인(PL)은 화소(PX)에 전원 신호(이하, 제1 전원 신호)을 제공할 수 있다.
화소(PX)는 표시 영역(DA)에 배치된다. 화소(PX)는 복수로 제공되어 표시 영역(DA) 내에 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 매트릭스 형태로 배열될 수 있으나, 용이한 설명을 위해 단일의 화소(PX)를 예시적으로 도시하였다. 화소(PX)는 전기적 신호에 따라 광을 표시하여 영상(IM)을 구현한다.
화소(PX)는 제1 박막 트랜지스터(TR1), 제2 박막 트랜지스터(TR2), 커패시터(CP), 및 유기발광 소자(OL)를 포함할 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(TR1), 제2 박막 트랜지스터(TR2), 커패시터(CP), 및 유기발광 소자(OL)는 전기적으로 연결된다.
제1 박막 트랜지스터(TR1)는 화소(PX)의 턴-온 및 턴-오프를 제어하는 스위칭 소자일 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(TR1)는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 연결된다. 제1 박막 트랜지스터(TR1)는 게이트 라인(GL)을 통해 제공되는 게이트 신호에 의해 턴-온되어 데이터 라인(DL)을 통해 제공되는 데이터 신호를 커패시터(CP)에 제공한다.
커패시터(CP)는 전원 라인(PL)으로부터 제공되는 제1 전원 신호와 박막 트랜지스터(TR1)로부터 제공되는 신호 사이의 전위차에 대응되는 전압을 충전한다. 제2 박막 트랜지스터(TR2)는 커패시터(CP)에 충전된 전압에 대응하여 전원 라인(PL)으로부터 제공되는 제1 전원 신호를 유기발광 소자(OL)에 제공한다.
유기발광 소자(OL)는 전기적 신호에 따라 광을 발생시키거나 광량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 유기발광 소자(OL)는 유기발광소자, 양자점 발광소자, 전기 영동 소자, 또는 전기 습윤 소자를 포함할 수 있다.
유기발광 소자(OL)는 전원 단자와 연결되어 제1 전원 신호와 상이한 제2 전원 신호를 제공받는다. 유기발광 소자(OL)에는 제2 박막 트랜지스터(TR2)로부터 제공되는 전기적 신호와 제2 전원 신호 사이의 차이에 대응하는 구동 전류가 흐르게 되고, 유기발광 소자(OL)는 구동 전류에 대응하는 광을 생성할 수 있다.
한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 화소(PX)는 다양한 구성과 배열을 가진 전자 소자들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 패드(PD1) 및 제2 패드(PD2)는 비표시 영역(NDA)에 배치된다. 비표시 영역(NDA) 중 제1 패드(PD1) 및 제2 패드(PD2)가 배치된 영역은 패드 영역(PA)으로 정의될 수 있다. 패드 영역(PA)은 구동 제어부(DCM)의 일부가 결합되는 영역이다. 구동 제어부(DCM)는 패드 영역(PA)에 배치된 제1 패드(PD1)를 통해 표시 유닛(DU)과 전기적으로 연결되고, 제2 패드(PD2)를 통해 입력 감지 유닛(SU)과 전기적으로 연결된다. 제2 패드(PD2)와 입력 감지 유닛(SU)의 연결 관계는 후술하도록 한다.
제1 패드(PD1)는 데이터 패드 및 전원 패드를 포함할 수 있다. 데이터 패드는 데이터 라인(DL)에 연결된다. 데이터 라인(DL)은 표시 영역(DA)으로부터 연장되어 데이터 패드에 연결된다. 데이터 라인(DL)은 데이터 패드를 통해 외부로부터 데이터 신호를 제공받을 수 있다.
도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 입력 감지 유닛(SU)는 표시 유닛(DU) 상에 직접 배치될 수 있다. 입력 감지 유닛(SU)은 평면상에서 배치되는 제1 감지 전극(TE1), 제2 감지 전극(TE2), 제1 신호 라인(SL1), 제2 신호 라인(SL2)을 포함할 수 있다. 입력 감지 유닛(SU)은 외부 입력을 감지하는 감지 영역(SA) 및 감지 영역(SA)과 인접한 비감지 영역(NSA)를 포함한다. 감지 영역(SA)은 액티브 영역(AA)과 중첩될 수 있다. 비감지 영역(NSA)은 주변 영역(NAA)과 중첩될 수 있다.
제1 감지 전극(TE1)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된다. 제1 감지 전극(TE1)은 복수로 구비되어 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 감지 전극(TE1)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 복수의 제1 센서 패턴들(SP1) 및 제1 센서 패턴들(SP1) 사이에 배치되어 인접하는 제1 센서 패턴들(SP1)을 연결하는 제1 연결 패턴들(BP1)을 포함한다.
제2 감지 전극(TE2)은 제1 감지 전극(TE1)과 절연되도록 배치될 수 있다. 제2 감지 전극(TE2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 제2 감지 전극(TE2)은 복수로 구비되어 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제2 감지 전극(TE2)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 복수의 제2 센서 패턴들(SP2) 및 제2 센서 패턴들(SP2) 사이에 배치되어 인접하는 제2 센서 패턴들(SP2)을 연결하는 제2 연결 패턴들(BP2)을 포함한다.
입력 감지 유닛(SU)은 제1 감지 전극(TE1)과 제2 감지 전극(TE2) 사이의 상호 정전 용량의 변화를 감지하여 외부 입력를 감지하거나, 제1 감지 전극(TE1)과 제2 감지 전극(TE2) 각각의 자기 정전 용량의 변화를 감지하여 외부 입력를 감지할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지 유닛(SU)은 다양한 방식으로 외부 외부 입력을 감지할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 신호 라인(SL1)은 제1 감지 전극(TE1)에 연결된다. 제1 신호 라인(SL1)은 비감지 영역(NSA)에 배치되어 외부에서 시인되지 않을 수 있다. 제2 신호 라인(SL2)은 제2 감지 전극(TE2)에 연결된다. 제2 신호 라인(SL2)은 주변 영역(NAA)에 배치되어 외부에서 시인되지 않을 수 있다.
한편, 본 실시예에서, 하나의 제1 감지 전극(TE1)은 두 개의 제1 신호 라인들과 연결될 수 있다. 하나의 제1 감지 전극(TE1)의 일 단 및 타 단에 연결된 제1 신호 라인들(SL1)은 서로 불리되어 독립된 패드들에 각각 연결된 라인들일 수 있다. 이에 따라, 제2 감지 전극(TE2)에 비해 제1 감지 전극(TE1)이 상대적으로 긴 길이를 갖더라도 전 영역에 대해 전기적 신호가 균일하게 인가될 수 있다. 따라서, 입력 감지 유닛(SU)은 형상에 구애 받지 않고, 감지 영역(SA) 전체에 대해 고른 외부 입력감지 환경을 제공할 수 있다.
다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 감지 전극(TE2)도 두 개의 제2 신호 라인들과 연결될 수 있고, 제1 감지 전극(TE1) 및 제2 감지 전극(TE2) 각각이 하나의 신호 라인들에만 연결될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지 유닛(SU)은 다양한 방식으로 구동될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 신호 라인(SL1) 및 제2 신호 라인(SL2)은 패드 영역(PA)에 배치된 제2 패드(PD2)와 연결될 수 있다.
다시, 도 1b를 참조하면, 구동 제어부(DCM)은 메인 회로 기판(MCB), 및 메인 회로 기판(MCB: 이하, 제1 회로 기판)과 표시 유닛(DU)을 연결하는 연성 회로 기판(FCB: 이하, 제2 회로 기판)을 포함할 수 있다.
미 도시되었으나, 제1 회로 기판(MCB)은 제1 회로 기판(MCB)에 실장된 복수의 전자 부품들을 더 포함할 수 있다. 전자 부품들은 회로 배선들을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 회로 기판(MCB)은 제2 회로 기판(FCB), 표시 유닛(DU), 및 입력 감지 유닛(SU)에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 제1 회로 기판(MCB)은 전자 부품들을 커버하는 보호캡을 더 포함할 수 있다. 보호캔은 금속 재질의 보호 커버일 수 있고, 솔더링을 통해 제1 회로 기판(MCB)에 결합될 수 있다. 제1 회로 기판(MCB)은 커넥터(미 도시)를 통해서 전자모듈(EM, 도 1b 참조)의 마더보드와 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 회로 기판(FCB)은 연성 필름 및 연성 필름에 배치된 복수의 회로 배선들을 포함할 수 있다. 회로 배선들은 제1 회로 기판(MCB)과 표시 유닛(DU) 사이 및 제1 회로 기판(MCB)과 입력 감지 유닛(SU) 사이를 전기적으로 연결한다. 제2 회로 기판(FCB)의 일 측은 표시 유닛(DU)의 벤딩 영역(BR)에 배치된 패드 영역(PA)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제2 회로 기판(FCB)의 배면에 노출된 패드들(미 도시)은 패드들(PD1)과 대응되어 접속될 수 있다.
한편, 제2 회로 기판(FCB) 상에 배치된 구동 소자(미 도시)를 더 포함할 수 있다. 구동 소자는 제2 회로 기판(FCB)의 회로 배선들 중 적어도 일부와 연결되어 표시 유닛(DU)에 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 소자는 각종 구동 신호들을 표시 유닛(DU)에 송신하거나 표시 유닛(DU)로부터 수신할 수 있다. 구동 소자는 칩(chip) 형태로 제2 회로 기판(FCB) 상에 칩 온 필름(chip on film: COF) 형태로 실장될 수 있다. 구동 소자는 화소(PX)를 구동하기 위한 구동소자들을 포함할 수 있다.
보호 부재(PF)는 표시 모듈(DM)의 하부에 배치될 수 있다. 보호 부재(PF)는 표시 모듈(DM)의 구동을 보조하기 위해 필요한 기능층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보호 부재(PF)는 지지층, 충격 흡수층, 방열층, 광 차단층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 보호 부재(PF)는 표시 모듈(DM)이 벤딩되는 경우, 벤딩된 구성들을 지지하여 스트레스를 완화시킬 수 있다.
도 3에는 설명의 편의를 위해 전자 모듈(EM), 전원공급 모듈(PM), 및 외부 케이스(EDC)를 생략하여 도시하였다. 도 3에 도시된 것과 같이, 표시 유닛(DU)의 일부는 휘어진 상태로 조립될 수 있다. 표시 유닛(DU)은 벤딩 영역(BR)에서 벤딩 축(FX)를 기준으로 소정의 곡률 반경을 가지며 벤딩될 수 있다. 일 실시예에 따른 벤딩 축(FX)은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다.
본 발명에 따른 전자 장치(ED)는 윈도우 부재(WM)와 반사 방지 부재(OP)는 제1 접착층(AM1)에 의해 결합된다. 반사 방지 부재(OP)와 표시 모듈(DM)은 제2 접착층(AM2)에 의해 결합되고, 표시 모듈(DM)과 보호 부재(PF)는 제3 접착층(AM3)에 의해 결합된다. 벤딩된 구동 제어부(DCM) 및 표시 유닛(DU)의 배면은 보호 부재(PF)의 배면에 배치된 제4 접착층(AM4)에 결합된다. 접착층들(AM1, AM2, AM3, AM4)는 접착 물질을 포함한다. 예를 들어, 접착층은 감압 접착제(pressure sensitive adhesive, PSA), 광학 투명 접착제(optical clear adhesive, OCA), 또는 광학 투명 레진(optical clear resin, OCR)일 수 있다. 또한, 광경화 접착물질 또는 열경화 접착물질을 포함할 수 있으며, 그 재료는 특별히 제한되지 않는다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(ED)는 벤딩 영역(BR)에 배치되는 응력 완화 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 응력 완화 부재는 표시 유닛(DU) 중 너비가 줄어드는 벤딩 영역(BR)에 배치될 수 있다. 응력 완화 부재는 연성이 높은 유기 물질을 포함할 수 있다. 응력 완화 부재는 합성 수지를 포함한다. 예를 들어, 응력 완화 부재는 아크릴로나이트릴 부타디엔 스티렌 공중합체(Acrylonitrile butadiene styrene copolymer, ABS), 우레탄 아크릴레이트(Urethaneacrylate, UA) 폴리우레탄(Polyurethane, PU), 폴리에틸렌(Polyethylene, PE), 에틸렌 비닐 아세테이트(Ethylene Vinyl Acetate, EVA), 및 폴리염화비닐(Polyvinyl chloride, PVC) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 보호 부재(PF)는 제1 보호층(PF1, 이하 지지층), 제2 보호층(PF2, 이하 충격 흡수층), 및 지지층(PF1)과 충격 흡수층(PF2) 사이에 배치되는 제3 보호층(PF3, 이하 광 차단층)을 포함할 수 있다. 지지층(PF1), 충격 흡수층(PF2), 및 광 차단층(PF3) 중 적어도 어느 하나는 생략될 수 있다. 또는, 제3 방향(DR3)을 따라 배열되는 적층 순서는 변경될 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.
지지층(PF1)은 열가소성 수지, 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리에틸렌(PE, polyethyelene), 폴리비닐클로라이드(PVC, polyvinylchloride), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리아크릴로니트릴(PAN, polyacrylonitrile), 스틸렌-아크릴로니트릴 코폴리머(SAN, styrene-acrylonitrile copolymer), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌(ABS, acrylonitrile-butadiene-styrene), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 특히, 본 발명의 지지부층은 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate)을 이용함으로써, 피로강도, 전기적 특성 등이 우수하며, 내열성이 매우 우수하고, 온도와 습도의 영향을 덜 받을 수 있다.
충격 흡수층(PF2)은 합성수지 발포 폼(form)일 수 있다. 충격 흡수층은 복수의 공극들이 포함되어 있는 매트릭스 층으로 제공될 수 있다. 매트릭스 층은 합성 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 아크릴로나이트릴 부타디엔 스티렌 공중합체(Acrylonitrile butadiene styrene copolymer, ABS), 폴리우레탄(Polyurethane, PU), 폴리에틸렌(Polyethylene, PE), 에틸렌 비닐 아세테이트(Ethylene Vinyl Acetate, EVA), 및 폴리염화비닐(Polyvinyl chloride, PVC) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 복수의 공극들은 다공성 구조를 가짐에 따라 전자 장치(ED)에 인가되는 외부 충격을 용이하게 흡수할 수 있다.
광 차단층(PF3)은 액티브 영역(AA)을 통해 표시 모듈(DM)의 배면에 배치되는 구성들이 비치는 문제를 개선하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 표시 모듈(DM)으로부터 배면으로 방출되는 빛을 차광할 수 있다.
도시되지 않았으나, 보호 부재(PF)는 방열층을 더 포함할 수도 있다. 방열층은 표시 모듈(DM)에서 발생하는 열을 효과적으로 방열할 수 있다. 방열층은 방열 특성이 좋은 흑연(graphite), 구리(Cu), 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 방열층은 방열 특성을 향상시킬 뿐만 아니라, 전자파 차폐 또는 전자파흡수 특성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(ED)는 표시 모듈(DM) 하부에 배치된 보호 부재(PF)를 포함함으로써, 내 충격성 향상과 함께 광 차폐성 향상 효과를 가질 수 있다. 또한, 사용 과정에서 발생되는 외부 충격이나 응력에 대한 신뢰성과 함께 향상된 시인성을 전자 장치(ED)를 제공할 수 있다.
전자 모듈(EM)은 마더보드 및 마더보드에 실장되며, 전자 장치(ED)를 동작시키기 위한 다양한 기능성 모듈을 포함한다. 마더보드는 커넥터(미 도시)를 통해 표시 모듈(DM)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서 마더보드는 리지드 타입의 인쇄회로기판을 포함할 수 있다.
도 4에 도시된 것과 같이, 전자 모듈(EM)은 제어 모듈(10), 무선통신 모듈(20), 영상입력 모듈(30), 음향입력 모듈(40), 음향출력 모듈(50), 메모리(60), 외부 인터페이스(70), 발광 모듈(80), 수광 모듈(90), 및 카메라 모듈(100) 등을 포함할 수 있다. 상기 모듈들 중 일부는 마더보드에 실장되지 않고, 연성회로기판을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수 있다.
제어 모듈(10)은 전자 장치(ED)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어 모듈(10)은 마이크로프로세서일 수 있다. 예를 들어 제어 모듈(10)은 표시 유닛(DU)를 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 제어 모듈(10)은 표시 유닛(DU)으로부터 수신된 터치 신호에 근거하여 영상입력 모듈(30), 음향입력 모듈(40), 음향출력 모듈(50) 등을 제어할 수 있다.
무선통신 모듈(20)은 블루투스 또는 와이파이 회선을 이용하여 다른 단말기와 무선 신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(20)은 일반 통신회선을 이용하여 음성신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(20)은 송신할 신호를 변조하여 송신하는 송신부(22)와, 수신되는 신호를 복조하는 수신부(24)를 포함한다.
영상입력 모듈(30)은 영상 신호를 처리하여 표시장치(DD)에 표시 가능한 영상 데이터로 변환한다. 음향입력 모듈(40)은 녹음 모드, 음성인식 모드 등에서 마이크로폰(Microphone)에 의해 외부의 음향 신호를 입력받아 전기적인 음성 데이터로 변환한다. 음향출력 모듈(50)은 무선통신 모듈(20)로부터 수신된 음향 데이터 또는 메모리(60)에 저장된 음향 데이터를 변환하여 외부로 출력한다.
외부 인터페이스(70)는 외부 충전기, 유/무선 데이터 포트, 카드 소켓(예를 들어, 메모리 카드(Memory card), SIM/UIM card) 등에 연결되는 인터페이스 역할을 한다.
발광 모듈(80)은 광을 생성하여 출력한다. 발광 모듈(80)은 적외선을 출력할 수 있다. 발광 모듈(80)은 LED 소자를 포함할 수 있다. 수광 모듈(90)은 적외선을 감지할 수 있다. 수광 모듈(90)은 소정 레벨 이상의 적외선이 감지된 때 활성화될 수 있다. 수광 모듈(90)은 CMOS 센서를 포함할 수 있다. 발광 모듈(80)에서 생성된 적외광이 출력된 후, 외부 물체(예컨대 사용자 손가락 또는 얼굴)에 의해 반사되고, 반사된 적외광이 수광 모듈(90)에 입사될 수 있다. 카메라 모듈(100)은 외부의 이미지를 촬영한다.
전원공급 모듈(PM)은 전자 장치(ED)의 전반적인 동작에 필요한 전원을 공급한다. 전원공급 모듈(PM)은 통상적인 배터리 모듈을 포함할 수 있다.
외부 케이스(EDC)는 윈도우 부재(WM)에 결합될 수 있다. 외부 케이스(EDC)는 윈도우 부재(WM)와 함께 전자 장치(ED)의 외면을 제공한다. 하나의 바디로 이루어진 외부 케이스(EDC)를 예시적으로 도시하였으나, 외부 케이스(EDC)는 서로 조립되는 복수 개의 바디를 포함할 수 있다. 외부 케이스(EDC)는 글라스, 플라스틱, 메탈로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다.
도 5는 벤딩 영역 및 비벤딩 영역의 일부를 자른 단면도이다. 도 5에는 비벤딩 영역(NBR)과 벤딩 영역(BR)이 연결된 일부 영역이 도시되었으며, 설명의 편의를 위하여 벤딩 영역(BR)이 상대적으로 축소되어 도시되었다.
도 5는 용이한 설명을 위해 표시 유닛(DU)과 입력 감지 유닛(SU)이 결합된 상태의 전자 장치(ED)의 단면도를 도시하였으며, 일부 구성을 생략하였다. 도 1a 내지 도 2b에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.
표시 유닛(DU)은 베이스 기판(BL) 상에 배치된 회로 소자층(CL), 표시 소자층(EDL), 및 봉지층(ECL)을 포함한다. 표시 유닛(DU)의 벤딩 영역(BR)에는 그루브(GB), 연결 배선(TLB), 제1 유기막(SI), 제2 유기막(SO)이 배치된다.
베이스 기판(BL)은 표시 유닛(DU)의 구성들이 배치되는 기저층일 수 있다. 베이스 기판(BL)은 연성을 가질 수 있다. 합성수지 필름을 포함할 수 있다. 합성수지층은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 특히, 합성수지층은 폴리이미드계 수지층일 수 있고, 그 재료는 특별히 제한되지 않는다. 합성수지층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 그밖에 베이스 기판은 유리 기판, 금속 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다.
회로 소자층(CL)은 박막 트랜지스터들(TR1, TR2), 접속 패턴들(SL), 및 복수의 절연층들(BRL, BFL, IL1, IL2, IL3, IL4)을 포함한다. 표시 소자층(EDL)은 유기발광 소자(OL), 화소 정의막(PDL)을 포함한다.
회로 소자층(CL)은 베이스 기판(BL) 상에 배치된다. 회로 소자층(CL)은 구동 회로 및 복수의 절연층들을 포함한다. 구체적으로, 회로 소자층(CL)은 제1 박막 트랜지스터(생략), 제2 박막 트랜지스터(TR2), 배리어 층(BRL), 버퍼층(BFL), 및 제1 내지 제4 절연층들(IL1, IL2, IL3, IL4)을 포함할 수 있다.
배리어 층(BRL)은 베이스 기판(BL)의 상면을 커버한다. 배리어 층(BRL)은 베이스 기판(BL)을 통해 유입되는 이물질이 회로 소자층(CL) 및 표시 소자층(EDL)로 침투하는 것을 방지한다. 배리어 층(BRL)은 실리콘옥사이드(SiO2) 및 실리콘나이트라이드(SiNX) 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
버퍼층(BFL)은 배리어 층(BRL) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 베이스 기판(BL)과 도전성 패턴들 또는 반도체 패턴들의 결합력을 향상시킨다. 표시 패널(DP)은 버퍼층(BFL)을 더 포함함으로써, 베이스 기판(BL) 상면에 직접 형성될 때보다 안정적으로 형성되는 도전성 패턴들 및 반도체 패턴들을 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 무기물 및/또는 유기물 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드(SiO2) 및 실리콘나이트라이드(SiNX) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 본 실시예에서, 버퍼층(BFL)과 배리어 층(BRL) 중 적어도 어느 하나는 생략될 수도 있다.
제2 박막 트랜지스터(TR2)는 반도체층(AL), 제어 전극(CE), 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)을 포함한다. 반도체층(AL)은 반도체 물질을 포함한다.
반도체층(AL)은 버퍼층(BFL) 상에 배치된다. 반도체층(AL)은 결정질 반도체 물질, 산화물 반도체 물질, 및 비정질 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(AL)은 다결정 실리콘과 같은 다결정 반도체 물질을 포함할 수 있다. 반도체층(AL)은 불순물이 포함된 입력 영역, 출력 영역, 및 입력 영역과 출력 영역 사이에 배치되는 채널 영역으로 구분될 수 있다
제어 전극(CE)은 제2 절연층(IL2)과 제3 절연층(IL3)사이에 배치될 수 있다. 제어 전극(CE)은 제1 절연층(IL1) 상에 배치된 제2 절연층(IL2)을 사이에 두고 반도체층(AL)으로부터 이격된다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 제3 절연층(IL3) 상에 배치된 제4 절연층(IL4)과 제5 절연층(IL5) 사이에 배치될 수 있다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 제2 내지 제4 절연층들(IL2, IL3, IL4)을 관통하여 반도체층(AL)에 각각 접속될 수 있다.
본 발명에 따른 제4 절연층(IL4)은 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)를 커버하며 평탄면을 제공할 수 있다. 제4 절연층(IL4)은 유기물을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 표시 유닛(DU)은 제2 절연층(IL2)과 제3 절연층(IL3) 사이에 배치된 상부 전극(UE)을 더 포함할 수 있다. 상부 전극(UE)은 제2 절연층(IL2)을 사이에 두고 제어 전극(CE)과 이격된다. 상부 전극(UE)은 인가되는 전기적 신호에 따라 다양한 구성으로 기능할 수 있다. 예를 들어, 상부 전극(UE)은 제어 전극(CE)과 동일한 전기적 신호를 제공받을 수 있다.
이때, 제2 박막 트랜지스터(TR2)는 상부 전극(UE)과 제어 전극(CE)을 포함하는 이중 게이트 구조를 가질 수 있다. 또는, 예를 들어, 상부 전극(UE)은 제어 전극(CE)과 상이한 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 이때, 상부 전극(UE)과 제어 전극(CE)은 소정의 전계를 형성하는 커패시터로 기능할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상부 전극(UE)은 생략될 수도 있다.
본 실시예에서, 유기발광 소자(OL)는 회로 소자층(CL) 상에 배치된다. 유기발광 소자(OL)는 제1 전극(E1), 발광층(EL), 및 제2 전극(E2)을 포함한다. 제1 전극(E1)은 제2 박막 트랜지스터(TR2)에 연결되어 2박막 트랜지스터(TR2)로부터 전기적 신호를 제공받는다. 제2 전극(E2)은 미 도시된 전원 단자에 연결된다. 발광층(EL)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부에 의해 노출된다. 발광층(EL)은 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이의 전위차에 대응하여 발광한다.
봉지층(ECL)은 제1 무기층(IOL1), 제2 무기층(IOL2), 및 유기층(LL)을 포함할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 유기발광 소자(OL)를 커버한다. 유기층(LL)은 제1 무기층(IOL1)과 제2 무기층(IOL2) 사이에 배치된다. 유기층(LL)은 제2 무기층(IOL2)에 평탄한 상면을 제공한다. 제2 무기층(IOL2)은 유기층(LL)을 커버한다. 제1 무기층(IOL1) 중 적어도 일부는 유기층(LL)으로부터 노출되어 제2 무기층(IOL2)에 직접 접촉될 수 있다.
입력 감지 유닛(SU)은 봉지층(EC) 상에 직접 배치될 수 있다. 즉, 입력 감지 유닛(SU)은 봉지층(EC) 상면에 증착 또는 패터닝되어 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시된 것이고, 전자 장치(ED)는 입력 감지 유닛(SU)과 봉지층(EC) 사이에 개재된 컬러 필터나 버퍼층과 같은 미 도시된 부재를 더 포함할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 감지 패턴(SS)은 봉지층(ECL) 상에 배치될 수 있다. 감지 패턴(SS)은 제1 감지 패턴(TL1) 및 제2 감지 패턴(TL2)을 포함할 수 있다. 제1 감지 패턴(TL1)은 봉지층(ECL)과 제1 감지 절연층(TI) 사이에 배치된다. 제2 감지 패턴(TL2)은 제1 감지 절연층(TI) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 제1 감지 패턴(TL1)은 제2 감지, 패턴(TL2)과 연결된 브릿지 패턴인 경우를 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되지는 않는다.
본 발명에 따른 감지 패턴들(TL1, TL2)은 도 2b에 도시된 감지 전극들(TE1, TE2)이 이루는 메쉬선들의 일부일 수 있다.
감지 패턴들(TL1, TL2)은 금속, 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또는, 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxide: TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 투명 전도성 산화물(TCO), 인듐 주석 산화물(indium tin oxide: ITO), 및 인듐 아연 산화물(indium znc oxide IZO) 산화 아연(ZnO), CNT(carbonnanotube), 및 그래핀(graphene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 감지 절연층(TI) 및 제2 감지 절연층(TO)은 유기물을 포함한다.
본 발명에서, 표시 유닛(DU)에는 절연층들 중 일부에 그루브(GB)가 정의될 수 있다. 그루브(GB)는 절연층들 중 벤딩 영역(BR)과 중첩하는 절연층들 각각의 일부가 제거되어 형성되고, 베이스 기판(BL)의 일부를 노출시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 그루브(GB)는 배리어 층(BRL), 버퍼층(BFL), 및 제1 내지 제3 절연층들(IL1, IL2, IL3) 각각의 일부가 제거되어 노출된 면들을 포함할 수 있다.
벤딩 영역(BR)에는 제1 유기막(SI), 연결 배선(TLB), 및 제2 유기막(SO)이 배치될 수 있다. 연결 배선(TLB)은 제1 유기막(SI) 및 제2 유기막(SO) 사이에 배치될 수 있다.
제1 유기막(SI)은 노출된 베이스 기판(BL)의 일부 및 그루브(GB)를 커버한다. 제1 유기막(SI)은 유기물을 포함한다. 일 실시예에 따르면, 제1 유기막(SI)은 제1 감지 절연층(TI)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 벤딩 영역(BR)에 그루브(GB)를 형성하고 연성이 높은 제1 유기막(SI)을 충진함으로써, 벤딩 영역(BR)에 가해지는 벤딩 스트레스를 완화시킬 수 있고 전자 장치(ED)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에서, 접속 패턴들(SL)은 제1 절연층(IL1) 상에 배치될 수 있다. 접속 패턴들(SL)은 제1 패턴(SL-R) 제2 패턴(SL-S), 제3 패턴(SL-D) 및 제4 패턴(SL-O)을 포함한다.
접속 패턴들(SL)은 비벤딩 영역(NBR)에 배치된 신호라인들 및 연결 배선(TLB) 중 적어도 어나 하나에 연결될 수 있다.
예를 들어, 접속 패턴들(SL) 중 제1 패턴(SL-R)은 화소(PX)에 연결된 신호라인들 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 본 실시예에서, 브릿지 패턴(CNP)을 통해 다른 층 상에 배치된 신호 라인과도 연결될 수 있다.
제2 패턴(SL-S)은 비벤딩 영역(NBR)에 배치된 신호 라인들 중 입력 감지 유닛(SU)에 포함된 신호 라인들 중 적어도 어느 하나에서 분기된 입력 감지 배선(SL-T)과도 연결될 수 있다.
제3 패턴(SL-D)은 도시되지 않았으나, 도 2a에 도시된 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다.
접속 패턴들(SL) 중 적어도 어느 하나는 연결 배선(TLB)와 연결된다. 접속 패턴들(SL)은 연결 배선(TLB)을 통해 패드들(PD1, PD2: 도 2a 및 도 2b 참조)과 연결되어 전기적 신호를 수신할 수 있다.
본 실시예에서는 제3 패턴(SL-D)과 연결 배선(TLB)이 연결된 실시예를 도시하였다. 이에 따라, 데이터 라인(DL)은 연결 배선(TLB)와 연결된 패드(PD1)를 통해 구동 제어부(DCM: 도 2a 참조)와 연결될 수 있다. 따라서, 화소(PX)는 구동 제어부(DCM)에서 송신된 데이터 신호를 수신할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 연결 배선(TLB)은 제1 패턴(SL-R) 및 제2 패턴(SL-S)과도 연결될 수 있으며, 이를 통해 구동 제어부(DCM)으로부터 송신된 데이터 신호를 수신할 수 있다.
연결 배선(TLB)은 벤딩 영역(BR)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 배선(TLB)은 제1 유기막(SI) 상에 배치될 수 있다. 연결 배선(TLB)의 일 단은 비벤딩 영역(NBR)에 제3 라인(SL-D)과 연결되고 연결 배선(TLB)의 타 단은 벤딩 영역(BR)에 배치된 제4 라인(SL-O)과 연결된다. 제4 라인(SL-O)은 구동 제어부(DCM)가 접속되는 패드들(PD1, PD2: 도 2a 및 도 2b 참조)와 연결된다. 따라서, 표시 유닛(DU) 및 입력 감지 유닛(SU)은 벤딩 영역(BR)에 중첩하는 연결 배선(TLB)을 통해 구동 제어부(DCM)와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 연결 배선(TLB)은 제1 감지 패턴(TL1) 및 제2 감지 패턴(TL2)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제2 유기막(SO)은 연결 배선(TBL)을 커버한다. 제2 유기막(SO)은 제2 감지 절연층(TO)와 동일 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 도 5에는 설명의 편의를 위하여 벤딩 영역(BR)에는 제2 유기막(SO)으로, 비벤딩 영역(NBR)에는 제2 감지 절연층(SO)로 도시하였으나, 제2 유기막(SO)은 실질적으로 제2 감지 절연층(TO)이 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 별도의 구성으로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(ED)는 벤딩 영역(BR)에 형성된 그루브(BR)에 배치되는 구성들을 입력 감지 유닛(SU)의 구성들과 동일한 물질을 포함하도록 함으로써, 동일 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 이점을 가진다. 이에 따라, 전자 장치 제조 공정 시 발생하는 비용 및 시간을 단축시킬 수 있다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 부분의 단면도이다. 도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 부분의 단면도이다. 도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 부분의 단면도이다. 도 1a 내지 도 5와 동일한 구성에 대해 동일한 참조 부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 도 5의 제1 유기막(SI)과 달리, 제1 유기막(IL-A)은 회로 소자층(CL)에 포함된 절연층들(IL1, IL2, IL3, IL4) 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 유기막(IL-A)은 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)을 커버하는 제4 절연층(IL4)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
일 실예에 따르면, 제1 유기막(IL-A) 및 제2 유기막(SO-A) 사이에 배치되는 추가 유기막(SI-A)을 더 포함한다. 제2 유기막(SO-A)은 제2 감지 절연층(TO)과 동일 물질을 포함한다. 추가 유기막(SI-A)은 제1 감지 절연층(TI)과 동일 물질을 포함한다. 따라서, 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
연결 배선(TLB-A)은 제1 유기막(IL-A) 상에 배치된다. 연결 배선(TLB-A)은 제1 배선(TB1) 및 제2 배선(TB)을 포함한다.
제1 배선(TB1)은 제1 유기막(IL-A) 및 추가 유기막(SI-A)사이에 배치된다. 제2 배선(TB-2)은 추가 유기막(SI-A) 및 제2 유기막(SO-A) 사이에 배치된다. 제2 배선(TB2)은 추가 유기막(SI-A)을 관통하여 정의된 컨택홀(CH)을 통해 제1 배선(TB1)과 연결된다.
제1 배선(TB1)은 제1 감지 패턴(TL1)과 동일 공정에 의해 형성될 수 있으며, 제2 배선(TB2)은 제2 감지 패턴(TL2)과 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 벤딩 영역(BR)에 배치된 연결 배선(TLB)을 서로 다른 층 상에 배치되어 연결된 배선들(TB1, TB2)을 포함함으로써 연결 배선(TLB)과 전기적으로 연결된 구성 사이의 접촉 저항이 감소될 수 있고 전기적 연결의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 7을 참조하면, 도 6과 달리, 제1 유기막(IL-B) 상에 단일층의 연결 배선(TLB-B)이 배치될 수 있다. 연결 배선(TLB-B) 상에는 추가 유기막(SI-B)이 배치되며, 추가 유기막(SI-B) 상에는 제2 유기막(SO-B)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 연결 배선(TLB-B)은 제2 감지 패턴(TL2)과 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 입력 감지 유닛(SU)은 연결 배선(TLB-C)과 연결된다. 입력 감지 유닛(SU)은 입력 감지 배선(SL-T)을 통해 연결 배선(TLB-C)과 연결될 수 있다. 도 5에 도시된 입력 감지 배선(SL-T)과 달리 일 실시예에 따른 입력 감지 배선(SL-T)은 비벤딩 영역(NBR)으로 연장되여 연결 배선(TLB)과 일체의 형상을 이룰 수 있다.
입력 감지 유닛(SU)은 연결 배선(TLB-C)를 통해 제2 패드(PD2)와 연결된다. 제2 패드(PD2)는 구동 제어부(DCM)과 연결됨으로써, 하나의 패드 영역(PA)을 통해 구동 제어부(DCM)으로부터 표시 유닛(DU) 및 입력 감지 유닛(SU)을 제어할 수 있다.
이에 따라, 입력 감지 유닛(SU) 상에 패드를 만들기 위한 별도의 공간이 생략됨으로써, 센싱(sensing) 범위가 넓어지게 됨으로 센싱 기능이 향상된 입력 감지 유닛(SU)을 제공할 수 있다.
도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 도 1a 내지 도 5와 동일한 구성에 대해 동일한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다. 이하, 도 9a 내지 도 9e를 참조하여 본 발명에 따른 전자 장치 제조 방법을 설명한다.
도 9a를 참조하면, 전자 장치 제조 방법은 예비 표시 유닛 제공 단계를 포함한다. 예비 표시 유닛 제공 단계는, 베이스 기판(BL)의 비벤딩 영역(NBR) 상에 무기 물질을 증착, 코팅, 또는 프린팅하여 배리어층(BRL) 및/또는 버퍼층(BFL)을 형성한다. 이후, 버퍼층(BFL) 상에 반도체층(AL)을 형성한다. 이후, 반도체층(AL)을 커버하는 제1 절연층(IL1)을 증착, 코팅, 또는 프린팅하여 형성한다. 제1 절연층(IL1) 상에 배치되는 절연층들 역시 증착, 코팅, 또는 프린팅으로 형성될 수 있다.
이후, 제1 절연층(IL1) 상에 제어 전극(CE) 및 접속 패턴들(SL)을 형성한다. 제어 전극(CE) 및 접속 패턴들(SL)은 제1 절연층(IL1) 상에 도전층을 형성한 후 패터닝하여 형성한다. 이후, 제어 전극(CE)을 마스크로 하여 반도체층(AL)을 도핑할 수 있다. 반도체층(AL) 중 제어 전극(CE)과 중첩되는 반도체층(AL) 영역(채널영역)은 미도핑되고, 채널영역의 양측 영역들(입력영역 및 출력영역)이 도핑된다. 본 실시예에서 n 타입 도펀트, 즉 5가 원소를 이용하여 도핑할 수 있다. 이후, 제1 절연층(IL1)의 벤딩 영역(BR) 및 비벤딩 영역(NBR) 상에 제1 제어전극(GE1)을 커버하도록 제2 절연층(IL2)을 형성한다. 제2 절연층(IL2) 상에 상부전극(UE)을 형성한다. 이후, 제2 절연층(IL2)의 벤딩 영역(BR) 및 비벤딩 영역(NBR) 상에 상부전극(UE)을 커버하도록 제3 절연층(IL3)을 형성한다.
제3 절연층(IL3) 상에 입력 전극(IE), 출력 전극(OE), 및 브릿지 패턴(CNP)을 형성한다. 입력 전극(IE), 출력 전극(OE), 및 브릿지 패턴(CNP)은 제3 절연층(IL3) 상에 도전층을 형성한 후 패터닝하여 형성한다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 제1 내지 제3 절연층(IL1, IL2, IL3)을 관통하여 반도체층(AL)과 연결된다. 브릿지 패턴(CNP)은 제1 및 제2 절연층(IL1, IL2)을 관통하여 접속 패턴들(SL)과 연결된다. 이후, 입력 전극(IE), 출력 전극(OE), 및 브릿지 패턴(CNP)을 커버하는 제4 절연층(IL4)가 형성된다.
이후, 제4 절연층(IL4) 상에 유기발광 소자(OL)을 형성한다. 제4 절연층(IL4) 상에 제4 절연층(IL4)을 관통하여 출력 전극(OE)와 연결되는 제1 전극(E1)을 형성한다. 이후, 제4 절연층(IL4) 상에 제1 전극(E1)의 중심부분을 노출하는 화소 정의막(PDL)을 형성한다. 이후, 화소 정의막(PDL) 상에 정공 제어층(미 도시), 발광층(EML), 전자 제어층(미 도시), 및 제2 전극(E2)이 순차적으로 형성된다. 발광층(EML)은 화소 정의막(PDL)에 의해 노출된 제1 전극(E1)의 일부와 중첩하여 형성된다.
이후, 제2 전극(E2) 상에 봉지층(ECL)을 형성한다. 증착, 잉크젯 프린팅 공정 등에 의해 봉지 유기층(LL) 및/또는 봉지 무기층(IOL1, IOL2)을 형성한다. 봉지층(ECL)은 비벤딩 영역(NBR) 상에 형성되고, 벤딩 영역(BR)에는 형성되지 않는다.
이후, 도 9b를 참조하면, 그루브를 형성하는 단계를 포함한다. 그루브(GB)는 벤딩 영역(BR)과 중첩하는 베이스 기판(BL)의 일부를 노출시키도록 절연층들(BRL, BFL, IL1, IL2, IL3) 중 일부를 부분적으로 제거하여 형성될 수 있다. 그루브(GB)는 마스크와 식각 가스를 이용하거나 레이저빔을 이용하여 형성될 수 있다. 절연층들(BRL, BFL, IL1, IL2, IL3) 중 무기층들(BRL, BFL)과 이를 제외한 절연층들(IL1, IL2, IL3)은 공정 순서에 따라 단차가 형성될 수 있다. 따라서, 버퍼층(BFL)의 상면의 일부분이 절연층들(IL1, IL2, IL3)로부터 노출될 수 있다.
이후, 도 9c 및 9d를 참조하면, 제1 감지 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 제1 감지 패턴(TL1)은 봉지층(ECL) 상에 배치된다. 제1 감지 패턴(TL1)은 도 2b에 도시된 제1 감지 전극(TE1)의 제1 연결 패턴들(BP1)을 구성하는 메쉬선의 일부일 수 있다. 제1 감지 패턴(TL1)은 봉지층(ECL) 상에 도전층을 형성한 후 패터닝하여 형성한다.
이후, 예비 유기막(ATI)을 도포한다. 예비 유기막(ATI)은 비벤딩 영역(NBR)에 배치된 제1 감지 패턴(TL1)과 벤딩 영역(BR)의 노출된 베이스 기판(BL)의 일부 및 그루브(GB)를 커버한다. 예비 유기막(ATI)은 유기물을 포함한다.
이후, 도 9d를 참조하면, 예비 유기막(ATI)을 제거하여 봉지층(ECL) 상에 배치되는 제1 감지 절연층(TI) 및 노출된 베이스 기판(BL)의 일부 및 그루브(GB)를 커버하는 제1 유기막(SI)을 형성한다.
이후, 제2 감지 패턴(TL2) 및 연결 배선을 형성하는 단계를 포함한다. 제2 감지 패턴(TL2)은 도 2b에 도시된 제1 감지 전극(TE1)의 제1 센서 패턴들(SP1), 제2 감지 전극(TE2)의 제2 센서 패턴들(SP2) 및 제2 연결 패턴들(BP2)을 구성하는 메쉬선의 일부일 수 있다. 제2 감지 패턴(TL2)은 제1 감지 절연층(TI) 상에 도전층을 형성한 후 패터닝하여 형성한다. 연결 배선(TLB)은 제1 유기막(SI) 상에 도전층을 형성한 후 패터닝하여 형성한다.
이후, 도 9e를 참조하면, 제2 유기막을 형성하는 단계를 포함한다. 제2 유기막(SO)은 제2 감지 패턴(TL2) 및 연결 배선(TLB)을 커버할 수 있다. 제2 유기막(SO)은 유기물을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(ED)는 벤딩 영역(BR)에 형성된 그루브(BR)에 배치되는 구성들을 입력 감지 유닛(SU)의 구성들과 동일한 물질을 포함하도록 함으로써, 동일 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 이점을 가진다. 이에 따라, 전자 장치 제조 공정 시 발생하는 비용 및 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 벤딩 영역(BR)에 유기물을 충전시키기 위한 마스크의 개수를 감소시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
ED: 전자 장치 DM: 표시 모듈
DU: 표시 유닛 SU: 입력 감지 유닛
TLB: 연결 배선

Claims (20)

  1. 일 방향을 따라 연장된 벤딩 축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역과 인접한 비 벤딩 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터와 복수의 절연층들을 포함하는 회로 소자층, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 유기발광소자를 포함하는 표시 소자층, 및 상기 표시 소자층을 커버하는 봉지층을 포함하고, 상기 절연층들 중 일부에 상기 벤딩 영역과 중첩하는 베이스 기판의 일부를 노출시키는 그루브가 정의된 표시 유닛;
    상기 박막 봉지층 상에 배치되고, 제1 감지 절연층, 상기 제1 감지 절연층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치된 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극, 상기 제1 감지 절연층을 커버하는 제2 감지 절연층을 포함하는 입력 감지 유닛;
    노출된 상기 베이스 기판의 일부 및 그루브를 커버하는 제1 유기막;
    상기 제1 유기막 상에 배치되어 표시 유닛 및 상기 입력 감지 유닛 중 적어도 어느 하나에 연결되고, 상기 제1 및 제2 감지 전극들 중 적어도 어느 하나와 동일 물질을 포함하는 연결 배선; 및
    상기 연결 배선을 커버하는 제2 유기막을 포함하고,
    상기 제1 유기막 및 상기 연결 배선은 상기 벤딩 영역에서 서로 중첩하는 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 유기막은 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 유기막은 상기 제2 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 유기막은 상기 절연층들 중 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 유기막은 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 유기막 및 상기 제2 유기막 사이에 배치되고 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 추가 유기막을 더 포함하고,
    상기 제2 유기막은 상기 제2 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 연결 배선은,
    상기 제1 유기막 및 상기 추가 유기막 사이에 배치된 제1 배선, 상기 추가 유기막 및 상기 제2 유기막 사이에 배치된 제2 배선을 포함하고,
    상기 제2 배선은 상기 추가 유기막을 관통하여 정의된 컨택홀을 통해 상기 제1 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 연결 배선은,
    상기 제1 유기막 및 상기 연결 배선 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제4 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 반도체 패턴, 상기 반도체 패턴과 이격된 제어 전극, 상기 제어 전극과 이격된 상부 전극, 상기 반도체 패턴에 접속된 입력 전극, 및 상기 입력 전극과 동일 층 상에 배치되고 상기 반도체 패턴에 접속된 출력 전극을 포함하고,
    상기 반도체 패턴은 산화물 반도체 패턴 및 실리콘 반도체 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 절연층들은,
    상기 베이스 기판 및 상기 반도체 패턴 사이에 배치된 적어도 하나의 무기층,
    상기 반도체 패턴을 커버하는 제1 절연층,
    상기 제어 전극 및 상기 제1 절연층을 커버하는 제2 절연층,
    상기 상기 상부 전극 및 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층,
    상기 제3 절연층, 상기 입력 전극, 및 상기 출력 전극을 커버하는 제4 절연층을 포함하고,
    상기 제1 유기막 상기 제4 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 절연층들 중 상기 벤딩 영역과 중첩하는 절연층들의 일부에 의해 노출된 패드를 포함하는 패드 영역을 포함하고,
    상기 패드는 상기 연결 배선과 연결된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 패드에 접속되는 회로 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  13. 일 방향을 따라 연장된 벤딩 축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역과 인접한 비 벤딩 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광소자, 및 복수의 절연층들을 포함하는 화소를 포함하는 표시 유닛;
    상기 화소 상에 배치되고, 제1 감지 절연층, 상기 제1 감지 절연층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치된 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극, 상기 제1 감지 절연층을 커버하는 제2 감지 절연층을 포함하는 입력 감지 유닛;
    상기 절연층들 중 상기 벤딩 영역과 중첩하는 절연층들이 함몰되어 상기 베이스 기판의 일부를 노출시키며 정의되고, 상기 벤딩 축을 따라 연장된 그루브;
    노출된 상기 베이스 기판의 일부 및 상기 그루브를 커버하는 제1 유기막;
    상기 벤딩 영역을 경유하여 상기 화소에 연결되는 연결 배선; 및
    상기 연결 배선을 커버하는 제2 유기막을 포함하고,
    상기 제2 유기막은 상기 제2 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 전자 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 연결 배선은 상기 제1 및 제2 감지 전극 중 적어도 어느 하나와 동일 물질인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 유기막은 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 연결 배선은 상기 제1 유기막 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 유기막은 상기 절연층들 중 적어도 어느 하나와 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 유기막 및 상기 제2 유기막 사이에 배치되고 상기 제1 감지 절연층과 동일 물질을 포함하는 추가 유기막을 더 포함하고,
    상기 연결 배선은,
    상기 제1 유기막 및 상기 추가 유기막 사이에 배치된 제1 배선, 상기 추가 유기막 및 상기 제2 유기막 사이에 배치된 제2 배선을 포함하고,
    상기 제2 배선은 상기 추가 유기막을 관통하여 정의된 컨택홀을 통해 상기 제1 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 배선은 상기 제1 감지 전극과 동일 물질을 포함하고, 상기 제2 배선은 상기 제2 감지 전극과 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  20. 일 방향을 따라 연장된 벤딩 축을 중심으로 벤딩되는 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역과 인접한 비 벤딩 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 증착 공정을 통해 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 유기발광소자, 상기 유기발광소자를 커버하는 봉지층, 및 복수의 절연층들이 형성된 예비 표시 유닛 제공 단계;
    상기 절연층들 중 상기 벤딩 영역과 중첩하는 베이스 기판의 일부를 노출시키도록 상기 절연층들 각각의 일부를 제거하여 그루브를 형성하는 단계;
    상기 봉지층 상에 제1 도전층 형성한 후, 상기 제1 도전층을 패터닝하여 제1 감지 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 감지 전극, 노출된 상기 베이스 기판의 일부, 및 상기 그루브가 커버되도록 예비 유기막을 형성하는 단계;
    상기 예비 유기막을 패터닝하여 제1 감지 전극을 커버하는 제1 감지 절연층 및 노출된 상기 베이스 기판의 일부와 상기 그루브를 커버하는 제1 유기막을 형성하는 단계;
    상기 제1 감지 절연층 및 상기 벤딩 영역 상에 제2 도전층 형성 후, 상기 제2 도전층을 패터닝하여 각각 제2 감지 전극 및 연결 배선을 형성하는 단계;
    상기 제2 감지 전극 및 상기 연결 배선을 커버하는 제2 유기막을 형성하는 단계를 포함하는 전자 장치 제조 방법.
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