TW200821338A - Polymer electrolyte membrane, laminate thereof, and their production methods - Google Patents

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200821338 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於局分子電解質膜，更詳細而言係關於作 爲固體高分子型燃料電池的電解質膜使用之高分子電解質 膜。 【先前技術】 固體高分子型燃料電池係藉由氫與氧的化學反應而發 電之發電裝置’在電力機器產業或汽車產業等領域非常期 待其作爲次世代能源之一，取代自先前技術以來一直作爲 該固體高分子型燃料電池內的隔膜使用之Nafion(杜邦公 司的註冊商標）所代表的氟系高分子電解質，近年來耐熱 或阻氣性優異的烴系高分子電解質受到注目（特開平6_ 93 114號公報）。 爲了工業化地製造烴系高分子電解質膜，在保持高特 丨生且闻品質下連|賈製膜追一'點很重要，例如關於芳香族系 高分子電解質，藉由溶解於溶劑後流延塗佈後使其乾燥之 所謂溶液澆鑄法之製膜方法爲一般作法（特開2 0 0 3 - 0 3 1 2 3 2 公報、特開2004- 1 34225公報、特開2005 - 1 5 47 1 0公報、 特開 2005-216525 公報）。 【發明內容】 固體高分子型燃料電池用之高分子電解質膜的製膜過 程之相關的該溶液澆鑄法中，經由以溶液狀態塗佈於基材 -4- 200821338 上’進行溶劑乾燥，更藉由水中浸漬進行溶劑去除，進行 水乾燥之步驟，而製造膜；尋求在經由如此複雜的步驟製 造膜之過程中，以工業化連續地製造高分子電解質膜，因 此認爲所得到的高分子電質膜的操作性必須容易這一點很 重要，例如高分子電解質膜的兩面的性狀約相同，任一面 皆可同樣地使用這一點很重要。 此外，如上述作法所得到的高分子電解質膜的兩面上 附加電極而製造膜-電極接合體之步驟中，膜-電極界面之 接合性很重要，兩面皆具有與電極的親和性高的表面性狀 之高分子電解質膜很重要。 所以本發明鑑於工業化地製造固體高分子型燃料電池 用的高分子電解質膜，而提供連續步驟上操作容易，而且 膜-電極接合體的製造步驟中，使膜-電極界面之接合性提 高之高分子電解質膜。 爲了達成上述課題，本發明者等經過精心硏討的結 果’完成本發明。本發明係提供以下所記載之離子導電性 高分子電解質膜、含該高分子電解質膜之層合物、及此等 的製造方法。 首先，本發明提供下述[1]之層合物的製造方法。 [1 ] 一種層合物的製造方法，其係高分子電解質膜的 一側的面之對水的接觸角與另一側的面之對水的接觸角的 差爲3 (Γ以下之離子導電性高分子電解質膜，在該高分 子電解質膜的任一面與支持基材接合的狀態下，製造被層 合於該支持基材上之層合物之方法，其特微係包含以下各 -5- 200821338 步驟： 將含有主鏈及/或側鏈上具有芳香族基，而且具有直 接鏈結或者介由其他的原子或原子團間接地鍵結於該芳香 族基之離子交換基之離子導電性高分子之高分子電解質， 溶解於溶劑而調製高分子電解質溶液之步驟； 以及將該高分子電解質溶液流延塗佈於支持基材上， 於該支持基材上層合高分子電解質膜之步驟。 而且本發明提供該[1 ]相關的較佳實施形態之下述 [2] 、 [3]。 [2] 如[1]所記載之層合物的製造方法，其中該支持基 材之被流延塗佈的表面，由金屬或金屬氧化物所形成。 [3] 如[1]或[2]所記載之層合物的製造方法，其中該支 持基材爲連I賈支持基材，且表面含有金屬或金屬氧化物之 薄膜。 可藉由流延塗佈而輕易地使高分子電解質膜的兩面的 接觸角差變小之支持基材，被流延塗佈的表面爲用金屬或 金屬氧化物形成的支持基材較適合，由工業的利用觀點而 固’使用爲連繪支持基材，且表面含有金屬或金屬氧化物 之薄膜。 此外’本發明於上述任一製造方法中，提供下述 [4]〜[15]。 [4] 如[1]至[3]中任一項所記載之層合物的製造方法， 其中該離子導電性高分子，係主鏈上具有芳香族環，而且 具有直接鏈結或者介由其他的原子或原子團間接地鍵結於 -6 - 200821338 該芳香族環之離子交換基。 [5] 如[4]所記載之層合物的製造方法，其中該離子導 電性高分子具有側鏈。 [6] 如[1]至[3]中任一項所記載之層合物的製造方法， 其中該離子導電性高分子，係主鏈具有芳香族環，且亦可 含有芳香族環側鏈，主鏈的芳香族環或側鏈的芳香族環白勺 至少一個具有直接鍵結於該芳香族環之離子交換基。 [7] 如[4]至[6]中任一項所記載之層合物的製造方法， 其中該離子交換基爲磺酸基。 [8] 如[1]至[7]中任一項所記載之層合物的製造方法， 其中該離子導電性高分子具有1種以上選自下述一般式 (la)〜（4a)之具有離子交換基的重覆單元、 -Ar3-

Ar1—Z—Ar2—X— (la)-卜7卜(八「8卜-(3a) -Ar4—X'-Ar^Y—Ar6- (2a) —-Ar9 — (4a) (式中’ Ar1〜Ar9互相獨立地表示主鏈上具有芳香族環，亦 可再含有具有芳香族環之側鏈之2價的芳香族基，該主鏈 的芳香族環或側鏈的芳香族環的至少一個具有直接鍵結於 該芳香族環之離子交換基；Z、Z，互相獨立地表示C〇、 S02的任一個；X、X’、X，，互相獨立地表示〇、s的任一 個；Y表示直接鍵結或下述一般式（1〇)所表示之基；p表 200821338 示0、1或2; q、r互相獨立地表示1、2或3。） 、與1種以上選自下述一般式（lb)〜（4b)之實質上不具 有離子交換基的重複單元，

• Ar*11 -Z—Ar12~X· — _ - Ar13 - Z'—Ar14 - X 丨一 Αγ15(Υ—Αγ16}χ· /、 V / Ρ1 (2b) 一 Ar19- (4b) (3b) (式中，Ar11〜Ar 19互相獨立地表示可具有作爲側鏈的取代 基之2價的芳香族基；z、z，互相獨立地表示c〇、s〇2的 任一個；X、X，、X”互相獨立地表示〇、S的任一個；γ 表示直接鍵結或下述一般式（1〇)所表示之基；ρ，表示〇、1 或2 ; q’、r’互相獨立地表示1、2或3。） R1

I -C- (1〇) (式中，R1及R2互相獨立地表示氫原子、可具有取代基之 碳數1〜10的烷基、可具有取代基之碳數丨〜1〇的烷氧基、 可具有取代基之碳數 6〜1S Μ 土心淑4 6 1 8的方基、可具有取代基之碳數 6〜I8的方氧基或可旦有 月取代基之fe數2〜20的醯基所取 代，R及R2可互相連結而形成環。） 200821338 [9 ]如[1 ]至[8 ]中任一項所記載之層合物的製造方法， 其中該離子導電性高分子係具有一個以上之具有離子交換 基的聚合物節段（A)、與一個以上之實質上不具有離子交 換基的聚合物節段（B)之共聚物。 [10]如[1]至[9]中任一項所記載之層合物的製造方 法，其中該離子導電性高分子係由具有離子交換基之嵌段 (A) 、與實質上不具有離子交換基之嵌段（B)所成之嵌段共 聚物。 [1 1 ]如[1 ]至[1 〇]中任一項所記載之層合物的製造方 法，其係可得到具有微相分離爲至少2個以上的相的結構 之高分子電解質膜。 [1 2]如[1 ]至[1 1 ]中任一項所記載之層合物的製造方 法，其係可得到該離子導電性高分子爲由具有離子交換基 之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基之嵌段（B)所成之 嵌段共聚物，而且，具有包含具有離子交換基之嵌段（A) 的密度高的相、與實質上不具有離子交換基之嵌段（B)的 密度高的相之微相分離結構之高分子電解質膜。 [13]如[1]至[12]中任一項所記載之層合物的製造方 法，其中該離子導電性高分子各具有一個以上之具有離子 交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基之嵌段 (B) ，具有離子交換基之嵌段（A)具有下述一般式（4a’）所表 示的重複結構， 200821338 —Ar9 — m (4a 丨） (式中’ m表示5以上的整數；Ar9表示2價的芳香族 其中2價的芳香族基可被氟原子、可具有取代基之 1〜1〇的院基、可具有取代基之碳數1〜1〇的院氧基、 有取代基之碳數6〜18的芳基、可具有取代基之碳數 的芳氧基或可具有取代基之碳數2〜20的醯基所取代 具有直接或介由側鏈而鍵結於構成主鏈的芳香族環之 交換基。） 而且，實質上不具有離子交換基之嵌段（B)具有 以上選自下述一般式（lb’）、（2b’）、（3b，）所表示的重 構， 基； 碳數 可具 6〜1 8 ；Ar9 離子 一種 複結

Ar11—Z—Ar12 - X (lb，） -Ar13-Z'—Ar^-X'—Ar15^—Ar14x'- (2b，） (A 今 X·， -Ar17HXn 、、， (3b〇 (式中，n表示5以上的整數；Ar1 1〜Ar18互相獨立地 2價的芳香族基；其中2價的芳香族基可被碳數丨〜: 烷基、碳數1〜1〇的烷氧基、碳數6〜10的芳基、 6〜1 8的芳氧基或碳數2〜2 0的醯基所取代；其他符號 述一般式（lb)〜（3b)相同）。 [1 4]如[1 ]至[1 3 ]中任一項所記載之層合物的製 -10- 表示 8的 碳數 與上 造方 200821338 法，其中該離子導電性高分子各具有一個以上之具有離子 交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基之嵌段 (B)，而且，具有離子交換基之嵌段（A)中’離子交換基直 接鍵結於主鏈芳香族環。 [1 5 ]如[1 ]至[1 4]中任一項所記載之層合物的製造方 法，其中該離子導電性高分子各具有一個以上之具有離子 交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基之嵌段 (B)，而且，具有離子交換基之嵌段（A)及實質上不具有離 子交換基之嵌段（B)之任一者，實質上皆不具有含鹵素原 子之取代基。 此外，本發明係由上述任一項的製造方法，提供下述 的[16]〜[37]。 [16]—種高分子電解質膜的製造方法，其特徵係包含 從藉由上述[1 ]〜[1 5 ]中任一項所記載之製造方法所得到的 層合物去除該支持基材之步驟。 [1 7 ]如[1 6 ]所記載之高分子電解質膜的製造方法，其 係不包含該支持基材去除後，高分子電解質膜表面的兩面 皆表面處理之步驟。 [1 8 ] —種層合物，其特徵係藉由上述[1 ]〜Π 5 ]中任一 項所記載之製造方法所得到。 [19] 一種高分子電解質膜，其特徵係藉由上述[16]或 [17]所記載之製造方法所得到。 [20] —種離子導電性高分子電解質膜’其爲含有至少 一種的離子導電性高分子之高分子電解質膜，其特徵係該 -11 - 200821338 高分子電解質膜的至少任一面不進行表面處理，而且，高 分子電解質膜的一側的面之對水的接觸角與另一側的面之 對水的接觸角的差爲30°以下。 [21] 如[2 0]所記載之離子導電性高分子電解質膜，其 中該高分子電解質膜的兩面皆未進行表面處理。 [22] 如[2 0]或[21]所記載之離子導電性高分子電解質 膜，其中該膜的一側的面與另一側的面的任一面對水的接 觸角皆爲10°以上60°以下。 [23] 如[2 0]〜[22]中任一項所記載之離子導電性高分子 電解質膜，其中該離子導電性高分子係主鏈上具有芳香族 環，而且，具有直接鍵結或者介由其他原子或原子團間接 地鍵結於芳香族環之離子交換基。 [24] 如[23]所記載之離子導電性高分子電解質膜，其 中該離子導電性高分子具有側鏈。 [25] 如[2 0]至[22]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子導電性高分子，係主鏈具有芳香 族環，亦可再含有具有芳香族環之側鏈，主鏈的芳香族環 或側鏈的芳香族環的至少一個具有直接鍵結於該芳香族環 之離子交換基。 [2 6]如[23]至[25]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子交換基爲磺酸基。 [2 7]如[2 0]至[2 6]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子導電性高分子具有1種以上選自 下述一般式（la)〜（4 a)之具有離子交換基之重覆單元、 -12- 200821338

(la)

-Ar3—Z·—Ar4—X 丨一Ar5|Y—Ar6+X· (2a) \ 、 —Ar9_ (4a) (式中，Ar1〜Ar9互相獨立地表示主鏈上具有芳香族環，亦 可再含有具有芳香族環的側鏈之2價的芳香族基，該主鏈 的芳香族環或側鏈的芳香族環的至少一個具有直接鍵結於 該芳香族環之離子交換基；Z、Z5互相獨立地表示C0、 S02的任一個；X、X，、X”互相獨立地表示〇、S的任一 個；Y表示直接鍵結或下述一般式（10)所表示之基；p表 示0、1或2; q、r互相獨立地表示；1、2或3。） 、與1種以上選自下述一般式（lb)〜（4b)之實質上不具有離 子交換基之重複單元， ._ΑΓ13-Ζ._ΑΓ14-χ^ΑΓ15ίγ_ΑΓ16ΐχ._

(2b) V

Ar11-Z—Ar12-X (lb) (Ur17Vx"{Ar14x"_ —- - Ar19 (3b) (4b) (式中，Ar 11〜Arl9互相獨立地表示可具作爲側鏈的取代其 之2價的芳香族基；z、z，互相獨立地表示c〇、 : • ， ύ U 2的任 個 X 、x”互相獨立地表示o、s的任—個；γ 示直接鍵㈣下述—般式（1G)所表示之基；ρ，表示 -13- 、 1 200821338 或2; q’、r’互相獨立地表示1、2或3。） R1 —C— ⑽ (式中，R1及R2互相獨立地表示氫原子、可具有取代基之 碳數1〜1 0的烷基、可具有取代基之碳數1〜1 0的烷氧基、 可具有取代基之碳數6〜1 8的芳基、可具有取代基之碳數 6〜18的芳氧基或可具有取代基之碳數2〜20的醯基所取 代；R1及R2可互相連結而形成環。） [2 8]如[2 0]至[2 7]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子導電性高分子係由具有離子交換 基之聚合物節段（A)、與實質上不具有離子交換基之聚合 物節段（B)所成的共聚物。 [2 9]如[2 0]至[27]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子導電性高分子係由具有離子交換 基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基之嵌段（B)所成 之嵌段共聚物。 [3 0]如[2 0]至[29]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該膜具有微相分離爲至少2個以上的相 的結構。 [3 1]如[2 0]至[3 0]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子導電性高分子爲由具有離子交換 基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基之嵌段（B)所成 -14- 200821338 之嵌段共聚物，而且’該膜具有包含具有離子交換基 段（A)的密度高的相、與實質上不具有離子交換基之 (B)的密度高的相之微相分離結構。 [3 2]如[2 0]至[3 1]中任一項所記載之離子導電性 子電解質膜，其中該離子導電性高分子各具有一個以 具有離子交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交 之嵌段（B)，具有離子交換基之嵌段（A)具有下述一 (4a5)所表示的重複結構， ——Ar9一 . m (4a 丨） (式中’ m表不5以上的整數；Ar9表示2價的芳香 其中2價的芳香族基可被氟原子、可具有取代基之 1〜1〇的烷基、可具有取代基之碳數1〜1〇的烷氧基、 有取代基之碳數6〜18的芳基、可具有取代基之碳數 的方氧基或可具有取代基之碳數2〜20的醯基所取代 具有直接或介由側鏈而鍵結於構成主鏈的芳香族環之 交換基。） ，而且，實質上不具有離子交換基之嵌段（B)具有一 上：®自下述一般式（lb’）、（2b’）、（3b，）所表示的重 構， 之嵌 嵌段 高分 上之 換基 般式 基； 碳數 可具 6〜1 8 ；Ar9 離子 種以 複結 -15- 200821338 (lb，） —Ar11 -Z—Ar12*~X·— Ώ

--Ar13-Z'—Ar^-X'-Ar^+Y—Ar^rX'- (2b，) P， (式中，n表示5以上的整數；Ar11〜Ar18互相獨立地表示 2價的芳香族基；其中2價的芳香族基可被碳數1〜1 8的 烷基、碳數1〜1 〇的烷氧基、碳數6〜1 〇的芳基、碳數 6〜1 8的芳氧基或碳數2〜20的醯基所取代；其他符號與上 述一般式（lb)〜（3b)相同）。 [3 3 ]如[2 〇 ]至[3 2 ]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子導電性高分子各具有一個以上之 具有離子交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基 之嵌段（B)，而且，具有離子交換基之嵌段（A)中，離子交 換基直接鍵結於主鏈芳香族環。 [3 4]如[2 0]至[3 3]中任一項所記載之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子導電性高分子各具有一個以上之 具有離子交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基 之嵌段（B)，而且，具有離子交換基之嵌段（A)及實質上不 具有離子交換基之嵌段（B)，皆實質上不具有含鹵素原子 之取代基。 [35] —種層合物，其特徵係將上述[20]〜[34]中任一項 所記載之離子導電性高分子電解質膜層合於支持基材。 [36] 如[35]所記載之層合物，其中該支持基材與高分 -16- 200821338 子電解質膜接合的表面，由金屬或金屬氧化物所形成。 [37]如[35]或[36]所記載之層合物，其中該支持基材 爲連續支持基材，且表面含有金屬或金屬氧化物之薄膜。 依據本發明，藉由所謂的溶液澆鑄法製作高分子電解 質膜時，藉由將高分子電解質溶液流延於適當的支持基材 的表面，兩面的表面性狀可得到約相等的高分子電解質 膜，所以，於高分子電解質膜的連續生產，考量該膜的表 裏的性狀，可以不進行各自不同的處理，因此，可提供在 工業生產上爲操作性極優良之高分子電解質膜。此外，即 使製膜後未進行表面處理等的複雜的後加工，於該高分子 電解質膜附加電極而製造膜-電極接合體時，可得到膜-電 極間具有優良的接合性之膜-電極接合體，所以，以高機 能型的固體高分子型燃料電池用高分子電解質膜，成爲有 利於工業製造之膜。 [實施發明之最佳形態] 以下，具體的說明關於本發明之該高分子電解質膜， 高分子電解質爲含有至少一種的離子導電性高分子之電解 質樹脂，將由該高分子電解質所成之膜稱爲高分子電解質 膜，該高分子電解質膜係以50重量％以上的比例含有離 子導電性高分子爲佳，較佳爲70重量％以上，特別佳爲 9 0重量％以上。 離子導電性高分子爲具有離子交換基之高分子，作爲 固體高分子型燃料電池的電解質膜使用時，其意係指具有 -17- 200821338 關於離子導電、特別是質子導電之基之高分子。 本發明的高分子電解質膜中之擔任離子導電性之離子 交換基的導入量，係以離子交換容量表示爲〇.5meq/g〜4.0 meq/g較佳’更佳爲i.〇meq/g〜2·8 meq/g。表示該離子交 換基導入量之離子交換容量爲〇.5meq/g以上，因爲質子 導電性變更高’作爲燃料電池用的高分子電解質之機能更 優異’故較佳；另一方面，表示離子交換基導入量之離子 交換容量爲4.0 me q/g以下，因爲耐水性更優良，故較 佳。 本發明的高分子電解質膜係含有至少1種的離子導電 性高分子之高分子電解質膜，其特徵係該高分子電解質膜 的至少任何一側的面未進行表面處理，且該高分子電解質 膜的至少任何一側的面之對水的接觸角與其他面之對水的 接觸角之差爲3 0 °以下。兩面之對水的接觸角之差，較 佳爲20°以下，更佳爲10°以下。 兩面之對水的接觸角之差若在30°以內，因爲不用 特別考量高分子電解質膜的表裏的表面性狀而輕易加工該 高分子電解質膜，故操作性變優異。例如在製造固體高分 子型燃料電池用的膜電極接合體上’可藉由封該局分子 電解質膜的表裏進行相同的處理而輕易地製造膜-電極接 合體。如上述，於加工高分子電解質膜的處理中，希望該 膜的表裏的表面性狀更爲同等程度，由此觀點而言’該膜 中兩面之對水的接觸角的差愈小愈好。 此外，該膜的一側的面及其他側的面的任一面之對水 -18- 200821338 的接觸角皆爲1 〇 °以上6 0。以下較佳，更佳爲2 0。以上 50°以下。 此等兩面之對水的接觸角若爲1 〇。以上，因爲高分 子電解質膜表面的吸水時的形態安定性優異而較佳。 此外’兩面之對水的接觸角若爲6 〇。以下，因爲所 製造的高分子電解質膜與燃料電池用電極的接合性變強而 較佳。 高分子電解質膜的一側的面及其他側的面之對水的接 觸角，係未對高分子電解質膜進行表面處理等之後加工之 高分子電解質膜之値。 未施以表面處理等的後加工處理之膜，可減少製膜步 驟而在工業上非常有用。此外，進行表面處理等，則會有 膜表面引起化學的或物理的劣化之情況，故未施以表面處 理等者較佳。 依據本發明，藉由所謂溶液澆鑄法製作高分子電解質 膜時，藉由使高分子電解質溶液流延於適當的支持基材的 表面，製膜後即使未進行表面處理等之後加工，亦可使高 分子電解質膜的兩面的接觸角差成爲3 0 °以下。亦即， 藉由溶液澆鑄法製膜後，即使兩面皆未進行特別的表面處 理，亦可使膜的兩面的親水性的差距充分變小。 未進行表面處理等之後加工之意，係指用包含流延的 製膜步驟所得到的膜的表面狀態，該流延步驟後未受到追 加的變化。 表面處理可列舉例如電暈處理或電漿處理等之親水化 -19- 200821338 處理、或氟處理等之撥水化處理等。經進行親水化處理之 表面，通常被賦予親水基，或成爲具有微細凹凸之粗面， 此外，經進行撥水化處理之表面，通常被賦予撥水基。 所以，未進行表面處理之高分子電解質膜之狀態的具 體例子，可列舉該高分子電解質膜原本所具有的官能基以 外的官能基未賦予於表面，或者，該高分子電解質膜原本 所具有的官能基，但其存在量未變化（官能基的量未增加 或未減少），或製膜步驟後未達到意圖達成的粗面化之狀 態。如此之表面處理之意，係表示對於高分子電解質膜產 生不可逆的變化之處理，所以，於構成高分子電解質膜之 高分子電解質中，關於離子交換反應之處理，因爲離子交 換本身爲可逆反應，故未包含於上述表面處理的範疇。 製造本發明的高分子電解質膜之方法，特別佳爲使用 以溶液狀態進行製膜之方法（所謂的溶液澆鑄法）。 具體而言，較佳係將至少一種以上的離子導電性高分 子，與必要時之離子導電性高分子以外的高分子、添加劑 等之其他的成份一起溶解於適當的溶劑中，將此高分子電 解質溶液流延塗佈（澆鑄製膜）於特定的基材上，經由去除 溶劑而製膜。 調製高分子電解質溶液時，亦可將2種以上的離子導 電性高分子分別添加於溶劑中，或者，將離子導電性高分 子與其他成份分別添加於溶劑中等，藉由將構成高分子電 解質之2種以上的成份分別添加於溶劑中溶解，而調製高 分子電解質溶液。 -20- 200821338 用於製膜之溶劑，只要是可溶解離子導電性高分子及 必要時所添加的其他成份，之後可去除者即可，並沒有特 別的限制，二甲基甲醯胺（DMF)、二甲基乙醯胺（DMAc)、 N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP)、二甲基亞颯（DMS Ο)等之非質 子性溶劑，或二氯甲烷、氯仿、1，2-二氯乙烷、氯苯、二 氯苯等之氯系溶劑，甲醇、乙醇、丙醇等之醇類，乙二醇 單甲基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單 乙基醚等之烷二醇單烷基醚較適用。此等可單獨使用，必 要時亦可混合2種以上的溶劑使用。其中，又以D M S Ο、 DMF、DM Ac、ΝΜΡ等之聚合物的溶解性高而較佳。 關於本發明所製造的高分子電解質膜，爲了提高耐氧 化性或耐自由基性等之化學的安定性，在不妨礙本發明的 效果的程度下亦可於高分子電解質中添加化學的安定劑。 所添加的安定劑，可列舉抗氧化劑’可列舉例如特開 2003-201403號公報、特開 2003-238678號公報及特開 2003 -282096號公報所舉例之添加劑，或特開2005 -3 8 8 3 4 號公報及特開2006-663 9 1號公報所記載之可含有下式 (P(〇)(〇H)2)r

(r=l〜2.5，s = 0〜0.5，重複單元的附加數字表示重複單元的 莫耳分率。） -21 - 200821338 (P(〇)(〇H)2)r

(Br)s (r=l〜2.5，s = 0〜0.5，重複單元的附加數字表示重複單元的 莫耳分率。） 所示之含膦酸基之聚合物作爲化學的安定劑。再者， 上式中「_(P(〇)(〇H)2)r」及「-(Br)s」的標示之意，係指 聯苯撐氧基每單位，平均具有r個膦酸基，平均具有s個 溴基。 所添加的化學的安定劑含量係整體的20wt%以內爲 佳，含量超過此數値，則高分子電解質膜的特性可能會降 低。 本發明中流延塗佈所使用的支持基材，因爲使用可連 續製膜之基材而較佳，可連續製膜之基材之意’係指能夠 以卷筒狀保持的程度之即使在彎曲等外力下亦可承受而不 會裂開之基材。 可連續製膜之基材之意，係指可採取捲於紙管或塑膠 管之卷筒狀的形狀之基材，因爲提高生產性而有利於工業 製造。基材的寬度爲100 Him以上，而且長度爲ΙΟπι以上 者爲佳，更佳爲基材的寬度爲1 5 Omm以上，而且長度爲 50m以上者，又更佳者係基材寬度爲200mm以上，而且 長度爲1 0 0 m以上者。此外，亦爲以卷筒狀的狀態固定 後，可連續地拉出或捲繞之基材。一般而言，玻璃板或金 - 22- 200821338 屬板等之彎曲性差而在彎曲時裂開之基材較不 作爲流延塗佈之基材，具有可承受澆鑄製 條件之耐熱性或尺寸安定性者爲佳，此外對於 具有耐溶劑性或耐水性者爲佳。此外，塗佈乾 子電解質膜與基材不會堅固地黏著之可剝離的 其中所謂「具有耐熱性或尺寸安定性」之意， 佈高分子電解質溶液後，爲了去除溶劑而使用 行乾燥時，不會熱變形。此外，「具有耐溶劑 指基材本身實質上不會因爲高分子電解質溶液 溶出；又，「具有耐水性」之意，係指在pH 的水溶液中，基材本身實質上不溶出。而且 劑」及「具有耐水性」之意，係包括對於溶劑 起化學劣化或不會引起膨潤或收縮之尺寸安 念。 說明關於該薄膜表面之對水的接觸角的控 的表面的濕潤性，藉由高分子電解質與基材 定，以接觸角差表示。其中，高分子電解質， 於單獨聚合物，共聚物中又以使用嵌段共聚物 共聚物中又以表現微相分離結構時爲特別佳。 的理由，認爲是例如微相分離結構因爲具有 物，故高分子電解質與基材之間受到親和性或 強烈的相互作用，而使接觸角受到控制之假設 可藉由流延塗佈而輕易的使高分子電解質 對水的接觸角的差變小之支持基材，係經流延 佳。 膜時的乾燥 上述的溶劑 燥後，高分 基材爲佳， 係指流延塗 乾燥烘箱進 」之意’係 中的溶劑而 爲 4.0〜7.0 「具有耐溶 或水不會引 定性佳之槪 制，該薄膜 之組合而決 係共聚物優 較佳。嵌段 而其爲較佳 微視的凝聚 排斥力等之 說法。 膜的兩面之 塗佈的表面 -23- 200821338 爲用金屬或金屬氧化物形成的支持基材較適合。 流延塗佈之基材表面的材質，可列舉由金屬層或 氧化物層所成之基材，具體而言，關於金屬層，可列 如鋁、銅、鐵、不鏽鋼（SUS)、金、銀、鉑、或此等 金化物，關於金屬氧化物層，可列舉例如上述金屬的 物、矽氧化物等。 此等的金屬或金屬氧化物，可爲單獨可支持者， 亦可於樹脂製薄膜層上藉由層壓、蒸鍍或濺鍍等而形 樹脂製薄膜，可列舉例如烯烴系薄膜、聚酯系薄膜、 胺系薄膜、聚醯亞胺系薄膜、氟系薄膜等。其中又以 系薄膜或聚醯亞胺系薄膜，因爲具有優異的耐熱性、 寸安定性、耐溶劑性等而較佳。聚酯系薄膜，可列舉 苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二 丁二醇酯、芳香族聚酯等，其中又以聚對苯二甲酸乙 酯，不僅特性，由廣泛使用性或成本面而言，對於工 造亦較佳。 樹脂製薄膜層與金屬薄膜層或金屬氧化物薄膜層 合中，樹脂製薄膜層由聚對苯二甲酸乙二醇酯所成， 薄膜層或金屬氧化物薄膜層係由鋁層壓層、鋁蒸鍍層 化鋁蒸鍍層、二氧化矽蒸鍍層、氧化鋁-二氧化矽二 鍍層等所成的組合較佳。此等層合薄膜可列舉一般作 裝材料用途使用之層合薄膜等。 施以氧化鋁蒸鍍之聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜， 舉例如東麗薄膜加工公司製的氧化鋁蒸鍍薄 金屬 舉例 的合 氧化 此外 成。 聚醯 聚酯 耐尺 聚對 甲酸 二醇 業製 的組 金屬 、氧 —* ㈠广 兀蒸 爲包 可列 膜之 -24- 200821338 BARRIALOX(商品名）等，又施以二氧化矽蒸鍍之聚對苯 二甲酸乙二醇酯薄膜，可列舉尾池工業公司製的MOS(商 品名）等，施以氧化鋁-二氧化矽二元蒸鍍之聚對苯二甲酸 乙二醇酯薄膜，可列舉東洋紡公司製的ECOSYAR(商品名） 等。 此外，表面含有金屬或金屬氧化物之薄膜，因爲可採 取長且連續的可撓性基材的形態，故能夠以卷筒狀保持、 利用，進行高分子電解質膜的連續製膜時亦適用。 關於基材，依其用途亦可施以可改變支持基材表面的 濕潤性之表面處理，此處所謂可改變支持基材表面的濕潤 性之處理，可列舉電暈處理或電漿處理等之親水化處理， 或氟處理等之撥水處理等之一般的手法。 經過以上的製膜步驟，可得到支持基材上經層合高分 子電解質膜之層合物，此層合物因爲構成其之高分子電解 質膜的表裏面的親水性幾乎無差異，該高分子電解質膜的 膜的兩面皆可同樣地操作，故於製膜步驟及所得到的高分 子電解質膜的加工步驟之操作性優異。 層合物可直接保管、流通，支持基材爲可撓性基材 時，層合物亦能夠以卷筒狀的形態被使用。 藉由從上述層合物去除支持基材，可得到高分子電解 質膜，支持基材通常可藉由從層合物剝離而去除。 本發明之高分子電解質膜的厚度，並沒有特別的限 制，但以10〜3 00 μιη較佳。膜厚爲ΙΟμιη以的膜，因爲實 用的強度更優異而較佳，爲3〇〇μηι以下的膜，因爲會有 -25- 200821338 膜電阻變小，而電力化學裝置的特性更提高的傾向而較 佳，膜厚可藉由溶液的濃度及塗佈於基材上的塗佈厚度而 控制。 藉由本發明所得到的高分子電解質膜，具有即使製膜 後不進行表面處理等之後加工，該膜的一側的面之對水的 接觸角與其他側的面之對水的接觸角之差爲3 0 °以下之 特徴。 此高分子電解質膜，因爲膜表面不分表裏，高分子電 解質膜的膜的兩面皆可同樣地使用，故於製膜步驟的操作 性優異，有利於工業製造。 本發明之離子導電性高分子，較佳係主鏈具有芳香族 環，而且具有直接鏈結或者介由其他的原子或原子團間接 地鍵結於該芳香族環之離子交換基。 本發明之離子導電性高分子，其係可具有側鏈。 本發明之離子導電性高分子，較佳係主鏈具有芳香族 環，亦可再含有具有芳香族環之側鏈，主鏈的芳香族環或 側鏈的芳香族環的至少一個具有直接鍵結於該芳香族環之 離子交換基。 該離子交換基，較佳爲陽離子交換基。 本發明之高分子電解質膜，較佳係烴系高分子電解質 膜，亦即由含烴系離子導電性高分子之高分子電解質所成 的膜。 烴系高分子電解質，係烴系離子導電性高分子以5 0 重量％以上的比例含有爲佳，較佳爲7 0重量％以上’特別 -26- 200821338 佳爲以90重量％以上。惟，在不妨礙本發明的效果的範 圍內’亦可含有其他的高分子、非烴系的離子導電性高分 子及添加劑。 烴系離子導電性高分子，典型者完全不含氟，但可部 份被氟取代。烴系離子導電性高分子，可列舉例如具有聚 醚醚酮、聚醚酮、聚醚颯、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚醚 礪、聚對苯撐、聚醯亞胺等芳香族主鏈之工程樹脂、或聚 乙烯、聚苯乙烯等之廣泛使用的樹脂，此外於具有組合數 種用於形成此等的重複單元之共聚物中導入離子交換基所 成的高分子。因爲主鏈上具有芳香族環爲特別佳，故具有 組合數種構成該工程樹脂的重複單元之樹脂中導入離子交 換基所成的高分子，因爲可得到耐熱性優異的高分子電解 質膜而較佳。 離子交換基，係以磺酸基（-S03H)、羧酸基（-COOH)、 磷酸基（·ορ(ο)(οη)2)、膦酸基（-p(o)(oh)2)、硫醯亞胺基 (-S〇2-NH-S02-)等之陽離子交換基爲佳，其中又以磺酸基 較佳。 此外，烴系高分子電解質，與氟系高分子電解質比較 下具有價廉之優點。 本發明所使用的高分子電解質，由具有離子交換基之 重複單元、與不具有離子交換基之重複單元所形成的共聚 物，因爲如上述易控制對水的接觸角而較佳。該共聚物的 共聚樣式，可爲無規聚合、嵌段共聚、接枝共聚、交互共 聚的任一種，或亦可爲組合上述的共聚樣式所形成的共聚 -27- 200821338 物，但由容易控制接觸角之觀點而言’各具有一個以上之 具有離子交換基之節段（A)、與實質上不具有離子交換基 之節段（B)之嵌段共聚物、接技共聚物等爲更佳，最佳爲 嵌段共聚物。 再者，本發明中，節段或嵌段爲「具有離子交換基」 之意，係指離子交換基爲每1個重複單元含有〇 . 5個以上 之節段或嵌段，每1個重複單元含有1.0個以上更佳。 另一方面，此等爲「實質上不具有離子交換基」之 意，係指離子交換基爲每1個重複單元低於〇 · 5個之節段 或嵌段，每1個重複單元平均〇 · 1個以下較佳，平均0.0 5 個以下更佳。 本發明所使用的高分子電解質含有嵌段共聚物時，該 嵌段共聚物係各具有一個以上之具有離子交換基之嵌段 (A)、與實質上不具有離子交換基之嵌段（B)者較佳。 本發明所使用的高分子電解質含有嵌段共聚物時，高 分子電解質膜爲可形成微相分離結構者較佳，此處所言之 微相分離結構之意，係指於嵌段共聚物或接枝共聚物中， 經由異種的聚合物節段彼此藉由化學鍵結而鍵結，分子鏈 大小的等級爲可產生微視的相分離之結構。例如用穿透型 電子顯微鏡（TEM)觀看時，具有離子交換基之嵌段（A)的密 度高的微細的相（microdomain)、與實質上不具有離子交 換基之嵌段（B)的密度高的微細的相 (microdomain)混合存 在，具有各微相結構的區域（domain)寬，亦即恆等周期爲 數nm〜數lOOnm之結構。較佳可列舉具有 5nm 〜l〇〇nm 的 -28- 200821338 微細相結構者。 本發明的高分子電解質所使用的離子導電性高分子， 可列舉例如依據特開 2005 - 1 26684號公報及特開2005 -1 3 943 2號公報之結構。 更具體而言，本發明的離子導電性高分子，較佳係含 有上述一般式（la)、（2a)、（3a)、（4a)的任一種以上，與上 述一般式（lb)、（2b)、（3b)、（4b)的任一種以上作爲重複單 元，聚合的形式可列舉嵌段共聚、交互共聚、及無規共聚 等。 本發明中，較佳的嵌段共聚物，可列舉具有由選自 (la)、（2a)、（3a)、（4a)之具有離子交換基之重複單元所成 的嵌段1種以上，與由選自（lb)、（2b)、（3b)、（4b)之實質 上不具有離子交換基之重複單元所成的嵌段1種以上者， 更佳爲可列舉具有下述的嵌段之共聚物。 <甲 > .由（1 a)的重複單元所成的嵌段、與由（1 b)的 重複單元所成的嵌段’ <乙 > .由（1 a)的重複單元所成的嵌段、與由（2b)的 重複單元所成的嵌段， <丙> •由（2 a)的重複單元所成的嵌段、與由（lb)的 重複單元所成的嵌段’ < 丁 > .由（2 a)的重複單元所成的嵌段、與由（2b)的 重複單元所成的嵌段’ <戊> •由（3a)的重複單元所成的嵌段、與由（1”的 重複單元所成的嵌段’ -29- 200821338 <己> •由（3a)的重複單元所成的嵌段、與由（2b)的 重複單元所成的嵌段， <庚>.由（4&)的重複單元所成的嵌段、與由（113)的 重複單元所成的嵌段， <辛> ·由（4a)的重複單元所成的嵌段、與由（2b)的 重複單元所成的嵌段等。 更佳爲具有上述的 < 乙〉、< 丙〉、<丁>、<庚 >、<辛 > 等者，特別佳爲.具有上述的 <庚>、< 辛〉等 者。 本發明中，更佳的嵌段共聚物，係（4 a)的重複數，亦 即上述的一般式（4a’）中m表示5以上的整數，5〜1000的 範圍較佳，更佳爲1 〇〜5 〇 〇。若m之値爲5以上，作爲燃 料電池用的高分子電解質，因爲質子導電度充分而較佳， 若m之値爲1〇〇〇以下，因爲製造更容易而較佳。 式（4a’）中之Ar9，表示2價的芳香族基，2價的芳香 族基可列舉例如1 , 3 -苯撐、1，4 -苯撐等之2價的單環性芳 香族基，1，3-萘二基、1,4-萘二基、1，5-萘二基、丨，6_萘二 基、1，7-萘二基、2,6-萘二基、2,7-萘二基等之2價的縮 環系芳香族基，吡啶二基、喹喔啉二基、噻吩二基等之雜 芳香族基等，較佳爲2價的單環性芳香族基。 此外，Ar9可被可具有取代基之碳數iyo的垸其、 可具有取代基之碳數卜10的烷氧基、可具有取代碳 數6〜丨8的芳基、可具有取代基之碳數6〜18的暫〜^ g ^ ^ 方氧基或可 /、有取代基之碳數2〜2〇的醯基取代。 -30- 200821338

Ar9係構成主鏈的芳香族環上具有至少一個的離子交 換基，離子交換基以酸性基（陽離子交換基）較佳，較佳可 列舉磺酸基、膦酸基、羧酸基，此等中又磺酸基更佳。 此等的離子交換基，可部份或全部以金屬離子等交換 後形成鹽，但作爲燃料電池用高分子電解質膜等使用時， 實質上全部爲游離酸的狀態爲佳。 式（4a’）所表示的重複結構的較佳例子，可列舉下述 式。

So3h 此外，本發明中，更佳的嵌段共聚物，係（lb)〜（3b)的 重複數，亦即上述的一般式（la，）〜（3b，）中η表示5以上的 整數，5〜1000的範圍較佳，更佳爲10〜500。若η之値爲 5以上，作爲燃料電池用的高分子電解質，因爲質子導電 度充分而較佳，若η之値爲1〇 〇〇以下，因爲製造更容易 而較佳。 式（la’）〜（3b’）中之Ar11〜Ar18，互相獨立地表示2價 的芳香族基，2價的芳香族基可列舉例如丨，3 _苯撐、1，4 -苯撐等之2價的單環性芳香族基，U3_萘二基、14 —萘二 基、1，5-萘二基、1,6-萘二基、17 —萘二基、2,6-萘二基、 2，7 -萘一基等之2價的縮環系芳香族基，吡啶二基、喹喔 啉二基、噻吩二基等之雜芳香族基等，較佳爲2價的單環 -31 - 200821338 性芳香族基。 此外，Ar 11〜Ar18可被可具有取代基之碳數1〜18的烷 基、可具有取代基之碳數1〜10的烷氧基、可具有取代基 之碳數6〜10的芳基、可具有取代基之碳數6〜18的芳氧基 或可具有取代基之碳數2〜20的醯基取代。 離子導電性高分子的具體例子，可列舉例如下述的結 構。

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200821338

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-34- 200821338

再者，上述（1)〜（26)中，「Block」的標不之思’係ί日 具有由括弧內的重複單元所成的嵌段之嵌段共聚物’此 外，該相關的嵌段彼此，可爲直接鍵結的狀態，亦可爲以 適當的原子或原子團連結的形態。 更佳的離子導電性高分子，可列舉例如上述的（2)、 (7)、（8)、（16)、（18)、（22)〜（25)等，特別佳者可列舉 (16)、（18)、（22)、（23)、（25)等。 離子導電性高分子爲上述嵌段共聚物時，具有離子交 換基之嵌段（Α)及實質上不具有離子交換基之嵌段（Β)，任 一者皆實質上不具有含鹵素原子之取代基爲特別佳，鹵素 原子可列舉氟、氯、溴、碘。 其中「實質上不具有含鹵素原子之取代基」之意，係 指離子導電性高分子的每一重複單元，不含有〇.〇5個以 上的鹵素原子。 另一方面，作爲可具有的取代基之例，可列舉以下 者’可列舉例如烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、醯基等， 較佳者可列舉院基。此等的取代基較佳爲碳數卜2〇,可 ~ 35 - 200821338 列舉甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、苯 +綦、萘基 基、萘氧基、乙醯基、丙醯基等碳數少的取 基。 嵌段共聚物含鹵素原子時，例如燃料m。 毛他_轉 氟化氫或氯化氫、溴化氫、碘化氫等，可自h & ^ J把會腐蝕 池構件，故較不佳。 此外，質子導電性高分子的分子量，以^ 2 的數平均分子量表示，以5000〜1 000000較产， Ί土’其 1 5000〜400000爲特別佳。 依照本發明所得到高分子電解質膜，希望_ # 種領域。 例如本發明的高分子電解質膜，可作爲燃料電 電力化學裝置的隔膜使用，此高分子電解質膜之 面’與燃料電池用電極的親和性佳，故作爲燃料電 解質膜的特性優異，利用價値高。 作爲燃料電池用電解質膜使用時，因爲膜的兩 水性差距大部份小，故不論表裏皆可使用，有利於 造’此外’於附加電極之後步驟中，因爲膜與電極 性高’故亦可期待膜-電極界面之接合性變高的效· 所以藉由本發明的製造方法所製造的高分子 膜’作爲高機能型的固體高分子型燃料電池用高分 質，爲有利於工業製造的膜。 接著說明關於使用本發明的膜之燃料電池。 本發明的燃料電池，可藉由於質子導電性高分 質膜的兩面上，接合作爲觸媒及作爲集電體之導電 、苯氧 中產生 燃料電 烯換算 中又以 用於各 池等之 膜的兩 池用電 面的親 工業製 之親和 〇 電解質 子電解 子電解 性物質 -36- 200821338 而製造。 此處的觸媒，只要是可活性化與氫或氧之氧化還原反 應者即可，沒有特別的限制，可使用習知者，但使用鉑或 鉑系合金的微粒子較佳。鉑或鉑系合金的微粒子較常被載 置於活性碳或石墨等之粒子狀或纖維狀的碳上後使用。 此外’將被載置於碳的鋁，與作爲高分子電解質的全 氟烷基磺酸樹脂的醇溶液一起混合後漿化者，藉由塗佈於 氣體擴散層及/或高分子電解質膜及/或高分子電解質複合 膜、乾燥，而得到觸媒層。具體的方法可使用例如 J. Electrochem. S o c. : Electrochemical Science and Technology, 1 988，13 5(9)，2209中所記載的方法等之習知 的方法。 此處’取代作爲高分子電解質之全氟烷基磺酸樹脂， 可使用本發明的質子導電性高分子電解質，作爲觸媒組成 物使用。 關於作爲集電體之導電性物質，亦可使用習知的材 料’多孔質的碳織布、碳不織布或碳紙，因爲有效率的將 原料氣體輸送至觸媒而較佳。 如此作法所製造的本發明的燃料電池，可藉由使用氫 氣、改質氫氣、甲醇作爲燃料之各種形式使用。 於上述中說明關於本發明的實施形態，但上述所揭示 的本發明的實施形態，始終爲列舉的例子，本發明的範圍 並不限定於此等的實施形態。本發明的範圍係由申請專利 範圍的範圍表示，而且包括與申請專利範圍的記載相等的 -37- 200821338 意義及範圍內的所有變更。 【實施方式】 以下藉由實施例說明本發明，但本發明並非限定於此 等實施例，本發明相關的物性測量方法列舉如下。 (離子交換容量的測量） 將供於測量之高分子電解質膜，使用加熱溫度被設定 在1 〇 5 °c之鹵素水分率計，計算乾燥重量，接著，將此高 分子電解質膜浸漬於0.1mol/L氫氧化鈉水溶液5mL中 後，再加入5 OmL的離子交換水，放置2小時，然後，在 浸漬有此高分子電解質膜的溶液中，藉由緩慢地加入 0.1 mo 1/L的鹽酸進行滴定，計算出中和點，然後，由高分 子電解質膜的乾燥重量與上述的中和所需要的鹽酸的量， 算出高分子電解質膜的離子交換容量（單位：meq/g)。 (GPC的測量） 藉由凝膠滲透色譜法（GPC)，用下述條件測量聚苯乙 烯換算的數平均分子量（Μη)、重量平均分子量（Mw)，再 者，使用以下的任一種作爲移動相（溶離液）測量。 [移動相l]DMAc(添加至使LiBr成爲10mm〇l/dm3) [移動相2]DMF(添加至使LiBr成爲l〇mmol/dm3) (接觸角的測量） -38- 200821338 關於各實施例或比較例的高分子電解質膜，在從支持 基材剝離的狀態下，於23 °C 50%RH氣體環境下靜置24小 時後，使用接觸角計（CA-A型協和界面科學股份有限公 司製）依液滴法計算膜表面相對於水滴的接觸角，將请；^ 2.0mm的水滴滴至高分子電解質膜後，用5秒後的接觸角 作爲此數値。 (TEM觀察方法） 關於各實施例或比較例的高分子電解質膜，於室濫浸 漬於染色用水溶液（濃度碘化鉀1 5 %，碘5 % )中3 0分鐘， 用事先進行預備硬化備用的環氧樹脂進行包埋，而且藉由 切薄片機在室溫、乾式的條件下切出厚度60nm的切片， 取出所得到的切片放置於Cu篩網上，用穿透型電子顯微 鏡（日立製作所製 H9000NAR)以加速電壓3 00kV觀察。 (觸媒油墨及轉印紙的製造法） 將市售的5重量％Nafion溶液（溶劑：水與低級醇的 混合物）6mL中，投入〇.83g之載置50重量％鉑之鉑載置 碳（SA50BK，NE CHEMCAT製），再力口入9mL的乙醇，將 所得到的混合物進行1小時超音波處理後，用攪拌器攪拌 5小時，得到觸媒油墨。 將上述觸媒油墨用塗膠刀塗佈於鐵氟龍（註冊商標）紙 上，用8 0 °C烘箱乾燥1小時後去除溶劑，得到轉印紙。 -39- 200821338 (電解質膜與電極之接合性試驗） 將各實施例或比較例的高分子電解質膜切出縱5cm X 橫5 cm，浸漬於水中取出後，將電解質膜與轉印紙重疊， 用上下2片的SUS板挾住，進行熱加壓（加壓條件： 100kg f/cm2，100 °C，1〇分鐘），電極在無不均勻下轉印於 電解質膜面內時爲「〇」，電極有一部份剝離或有不均勻 時爲「X」。 (合成例1) 在氬氣環境下，於具備共沸蒸餾裝置的燒瓶中，加入 0^/[80142.2重量份、甲苯55.6重量份、2,5-二氯苯磺酸 鈉 5 · 7重量份、末端氯型之下述聚醚諷（住友化學製 SUMIKAEXCEL PES 5200P)2.1 重量份、

2，2 ’ -聯二吡啶9 · 3重量份後攪拌，然後將浴溫昇溫至 1 0 〇 °C，在減壓下藉由加熱蒸餾去除甲苯使系統內的水份 共沸脫水後，於6 5 °C冷卻後’回復到常壓’接著於其中 加入雙（1，5-環辛二烯）鎳（〇)15.4重量份，昇溫至7〇°(：，以 同溫度攪拌5小時，放冷後，藉由將反應液注入到大量的 甲醇中而使聚合物析出過濾分別，然後藉由6mol/L鹽酸 重複數次洗淨、過濾後，進行水洗使濾液達到中性爲止， 藉由減壓乾燥得到目標之下述聚伸芳基系嵌段共聚物3 ·0 200821338 重量份（IEC = 2.2meq/g，Mn= 1 03 000，Mw = 25 7000 [移動相 2])。

(製膜條件1) 關於澆鑄製膜，使用連續乾燥爐進行，亦即，將高分 子電解質溶液使用膜厚可變型塗膠刀調整至所望的膜厚， 連續地流延塗佈於支持基材上，連續的放入乾燥爐，去除 大部份的溶劑，乾燥條件如下述。 乾燥條件：溫度8 0 °C，時間6 6分鐘 (再者，溫度係指乾燥爐的設定溫度，時間係指從經 澆鑄製膜的高分子電解質膜放進乾燥爐內至出爐爲止的時 間。） 將乾燥後的高分子電解質膜用離子交換水進行水洗後 完全地去除溶劑，將此膜浸漬於2N鹽酸中2小時後，再 度用離子交換水進行水洗，再藉由風乾，製作高分子電解 質膜。 實施例1 將合成例1所得到的聚伸芳基系嵌段共聚物 (IEC = 2.2meq/g，Mn= 1 03 000，M w = 2 5 7 0 0 0 [移動相 2]，再 者IEC爲離子交換容量，Μη表示聚苯乙烯換算的數平均 -41 - 200821338 分子量’ Mw表示聚苯乙烯換算的重量平均分子量，以下 實施例中亦相同）作爲BCP-1。將BCP-1溶解於DMSO， 調製濃度爲1 〇wt%的溶液，將所得到的溶液，使用寬度 3 00mm、長度1 000m的二氧化矽蒸鍍PET(尾池工業公司 製，膜厚12μιη)作爲支持基材，用製膜條件i的方法製作 膜厚約30 μπι的高分子電解質膜，TEM觀察的結果，得知 其獲得微相分離結構，以及親水相與疏水相一起形成連續 相。 實施例2 將合成例1所得到的聚伸芳基系嵌段共聚物B CP -1 與參考特開20 0 5 -3 8 8 3 4號公報參考例3(參考下圖）中所記 載的方法合成而得到的含膦酸基之聚合物（稱爲AD-1)之 混合物（重量比爲90比10)，溶解於DMSO，調製濃度爲 10wt%的溶液，將所得到的溶液，使用寬度3 0〇mm、長度 l〇〇〇m的鋁箔紙（膜厚200μιη)作爲支持基材，用製膜例1 的方法製作膜厚約3 0 μ m的高分子電解質膜，ΤΕΜ觀察的 結果，得知其獲得微相分離結構’以及親水相與疏水相一 起形成連續相。 (P(〇)(〇H)2)r

-42- 200821338 (ι:=1·9’ s = 0.0’重複單元的附加數字表示重複單元的莫耳 分率。） 實施例3 將依據合成例1的聚合方法所合成之與BCP — 1合成 批次不同的嵌段共聚物（IEC = 2.2meq/g，Mn= 1 1 6000， Mw = 228000 [移動相 2] : BCP-2)與參考特開 2006-663 9 1 號 公報（[〇〇5 9]段落）’參考下圖）中所記載的方法合成而得到 的含膦酸基之聚合物（稱爲AD-2)之混合物（重量比爲90比 1〇)，溶解於DMSO，調製濃度爲10wt%溶液，將所得到 的溶液，使用寬度3 00mm、長度1 000m的氧化鋁蒸鍍 PET(膜厚1〇0μπι)作爲支持基材，用製膜例i的方法製作 膜厚約30μηι的高分子電解質膜，TEM觀察的結果，得知 其獲得微相分離結構，以及親水相與疏水相一起形成連續 相。 (P(〇)(〇H)2)r

(r=1.6，s = 0.〇，重複單元的附加數字表示重複單兀1的莫耳 分率。） 實施例4 合成參考特開2005-206807號公報（[0059]段落），參 200821338 考下圖）中所記載的方法合成而得到的含磺酸基之嵌段共 聚物（IEC—1 · 8meq/g，Mn = 60000，Mw = 420000[移動相 1]:作爲BCP-3)，溶解於NMP，調製濃度爲13 5wt%的 溶液’將所得到的溶液，使用寬度3〇〇mm、長度1〇〇〇n] 的氧化銀蒸鍍P ET(膜厚1 〇 〇 μm)作爲支持基材，用製膜例 1的方法製作膜厚約30μπι的高分子電解質膜，TEM觀察 的結果’得知其獲得微相分離結構，以及親水相與疏水相 一起形成連續相。

(重複單元的附加數字表示重複單元的莫耳分率。） 比較例1 將BCP-1溶解於DMSO，調製濃度爲l〇wt%的溶液， 將所得到的溶液，使用寬度3 00mm、長度30m的聚醯亞 胺薄膜（Du Pont帝人公司製，商品名Kapton)作爲支持基 材，用製膜條件1的方法製作膜厚約3 0 μιη的高分子電解 質膜，ΤΕΜ觀察的結果，得知其獲得微相分離結構，以 及親水相與疏水相一起形成連續相。 比較例2 將BCP-1與含膦酸之聚合物（AD-1)之混合物（重量比 爲90比1〇)溶解於DMSO，調製濃度爲10wt%的溶液，將 -44 - 200821338 所得到的溶液，使用寬度3 0 0 mm、長度5 0 0 m的聚對苯二 甲酸乙二醇酯（PET)薄膜（東洋紡積公司製，E5 000等級）作 爲支持基材，用製膜條件1的方法製作膜厚約30μπι的高 分子電解質膜，ΤΕΜ觀察的結果，得知其獲得微相分離 結構，以及親水相與疏水相一起形成連續相。 比較例3 將 BCP-3溶解於ΝΜΡ，調製濃度爲 13.5wt%的溶 液，將所得到的溶液，使用寬度3 0 0 m m、長度5 0 0 m的聚 對苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜（東洋紡積公司製，E5000 等級）作爲支持基材，用製膜條件1的方法製作膜厚約 3 0μιη的高分子電解質膜，TEM觀察的結果，得知其獲得 微相分離結構，以及親水相與疏水相一起形成連續相。

比較例4 將B C Ρ -1溶解於D M S Ο，調製濃度爲1 〇 wt%的溶液， 將所得到的溶液，使用寬度3 00mm、長度30m的PET薄 月旲（東洋紉積公司製，E 5 0 0 0等級）作爲支持基材，用製膜 條件1的方法製作膜厚約ΙΟμπι的高分子電解質膜，TEM 觀察的結果，得知其獲得微相分離結構，以及親水相與疏 水相一起形成連續相。 -45- 200821338 將實施例1〜4、比較例1〜4所使用的高分子電解質組 成物、製膜時的支持基材種類記載於表1。 表1

高分子電解質 添加劑 支持基材 實施例1 BCP-1(100 雷量份） - 二氧化矽蒸鍍PET 實施例2 BCP-1(90雷量份） AD-1(10重量份） 鋁箔紙 實施例3 BCP-2(90雷量份） AD-2(10重量份） 氧化鋁蒸鍍PET 實施例4 BCP-3(100 重量份） 麵 氧化鋁蒸鍍PET 比較例1 BCP-1(100 重量份） PI 比較例2 BCP-1(90重量份） AD-1(10重量份） PET 比較例3 BCP-3(100 重量份） - PET 比較例4 BCP-1(100 雷量份） - PET PET :聚苯二甲酸乙二醇酯薄膜 PI :聚醯亞胺薄膜 關於實施例1〜4、比較例1〜4的膜-電極間的接合試 驗，記載於下表。 -46- 200821338 表2 接丨 觸角0 膜-電極間的接合試驗 Θ 2 Θ 2-㊀ \ 支時基材面 心側 θ2側 結果 實施例1 32 33 1 ㈦側 〇 〇 良好 實施例2 27 48 21 0 1側 〇 〇 良好 實施例3 36 43 7 心側 〇 〇 良好 實施例4 24 43 19 化側 〇 〇 良好 比較例1 32 84 51 Θ2側 〇 X 僅單面 比較例2 32 91 59 Θ 2側 〇 X 僅單面 比較例3 31 76 45 02側 〇 X 僅單面 比較例4 36 76 40 θ2側 〇 X 僅單面 接觸角0 1 :薄膜表面的第一面之對水的接觸角（°) Θ 2 :薄膜表面的第二面之對水的接觸角（°) Θ 2- θ 1 :第二面與第一面的接觸角之差（度） -47-

Claims (1)

1. 200821338 十、申請專利範圍 1 · 一種層合物的製造方法，其係高分子電解質膜的 一側的面之對水的接觸角與另一側的面之對水的接觸角的 差爲30°以下之離子導電性高分子電解質膜，在該高分 子電解質膜的任一面與支持基材接合的狀態下，製造被層 合於該支持基材上之層合物之方法，其特微係包含以下各 步驟： 將含有主鏈及/或側鏈上具有芳香族基，而且具有直 接鏈結或者介由其他的原子或原子團間接地鍵結於該芳香 族基之離子交換基之離子導電性高分子之高分子電解質， 溶解於溶劑而調製高分子電解質溶液之步驟； 以及將該高分子電解質溶液流延塗佈於支持基材上， 於該支持基材上層合高分子電解質膜之步驟。 2 ·如申請專利範圍第1項之層合物的製造方法，其中 該支持基材之被流延塗佈的表面，由金屬或金屬氧化物所 形成。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之層合物的製造方法， 其中該支持基材爲連續支持基材，且表面含有金屬或金屬 氧化物之薄膜。 4.申請專利範圍第1至3項中任一項之層合物的製 造方法，其中該離子導電性高分子，係主鏈上具有芳香族 環，而且具有直接鏈結或者介由其他的原子或原子團間接 地鍵結於該芳香族環之離子交換基。 5 ·如申請專利範圍第4項之層合物的製造方法，其中 -48- 200821338 該離子導電性高分子具有側鏈。 6 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之層合物的製 造方法，其中該離子導電性高分子，係主鏈具有芳香族 環，亦可再含有具有芳香族環之側鏈，主鏈的芳香族環或 側鏈的芳香族環的至少一個具有直接鍵結於該芳香族環之 離子交換基。 t 7 ·如申請專利範圍第4至6項中任一項所記載之層合 物的製造方法，其中該離子交換基爲磺酸基。 8 ·如申請專利範圍第1至7項中任一項之層合物的製 造方法，其中該離子導電性高分子具有丨種以上選自下述 一般式（la)〜（4a)之具有離子交換基的重覆單元、 —Ar1~Z—Ar2—X— (la)

   (3a) -Ar3-Z·—Ar4—X·—Ar5fY—ArHx*· (2a) —-Ar9 — (4a) (式中’ Ar〜Ar互相獨AL地表不主鍵上具有芳香族環， 亦可再含有具有芳香族環之側鏈之2價的芳香族基，該主 鏈的芳香族環或側鏈的芳香族環的至少一個具有直接鍵結 於該芳香族環之離子交換基；Z、Z’互相獨立地表示CO、 S02的任一個；X、X，、X”互相獨立地表示〇、8的任一 個；Y表示直接鍵結或下述一般式（10)所表示之基；p表 示0、1或2 ; q、r互相獨立地表示i、2或3)、與1種以 上選自下述一般式（lb)〜（4b)之實質上不具有離子交換基的 -49- 200821338 重複單元 —ΑΓ11-Ζ—八|-外 |-ΑΓΐ3.ζ·-ΑΓΐ-χ»~ΑΓ-{γ-ΑΓΐβ\χ- (lb) (2b) 、 / p' * 如文乂和令,X+ +19一 (3b) (4b) (式中，Ar〜Arl9互相獨立地表示可具有作爲側鏈的取代 基之2價的方香族基；Z、Z，互相獨立地表示c 〇、s 〇 2的 任一個；X、X，、X”互相獨立地表示〇、s的任一個；γ 表示直接鍵結或下述一般式（10)所表示之基；ρ，表示〇、i 或2 ; q’、r’互相獨立地表示丨、2或3) R1 C

   (10) (’ 1 ~rr 2 及R互相獨立地表示氫原子、可具有取代基之 碳數1〜1 0的户宜 基、可具有取代基之碳數1〜10的烷氧基、 可具有取代其：今扭 土之碳數6〜18的芳基、可具有取代基之碳數 6〜1 8 的突：知 、 氧基或可具有取代基之碳數2〜20的醯基所取 代，R Β η 2 —r R可互相連結而形成環）。 造方法申晌專利軺圍帛1至8項中任一項之層合物的製 其中該離子導電性高分子係具有一 離子交換基 U以上之一有 Z尔口物1卩段（A)、與一個以上之實質上不具 -50- 200821338 有離子交換基之聚合物節段（B)之共聚物。 I 〇 ·如申請專利範圍第1至9項中任一項所記載之層 合物的製造方法，其中該離子導電性高分子係由具有離子 交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基之嵌段（B) 所成之嵌段共聚物。 II ·如申請專利範圍第1至1 〇項中任一項之層合物的 製造方法，其係可得到具有微相分離爲至少2個以上的相 ζ) 的結構之高分子電解質膜。 12·如申請專利範圍第1至1 1項中任一項之層合物的 製造方法，其係可得到該離子導電性高分子爲由具有離子 交換基之嵌段（Α)、與實質上不具有離子交換基之嵌段（Β) 所成之嵌段共聚物，而且，具有包含具有離子交換基之嵌 段（Α)的密度高的相、與實質上不具有離子交換基之嵌段 (Β)的密度高的相之微相分離結構之高分子電解質膜。 1 3 ·如申請專利範圍第1至1 2項中任一項之層合物的 C 製造方法，其中該離子導電性高分子各具有一個以上之具 有離子交換基之嵌段（Α)、與實質上不具有離子交換基之 嵌段（Β)，具有離子交換基之嵌段（Α)具有下述一般式（4a，） 所表示的重複結構， —Ar9~~ 」m (4a，） (式中，m表不5以上的整數；Ar9表示2價的芳香族基； 其中2價的芳香族基可被氟原子、可具有取代基之碳數 -51 - 200821338 有離子交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離子交換基之 嵌段（B)，而且，具有離子交換基之嵌段（A)及實質上不具 有離子交換基之嵌段（B)之任一者，實質上皆不具有含鹵 素原子之取代基。 1 6 . —種高分子電解質膜的製造方法，其特徵係包含 從藉由上述申請專利範圍第1至1 5項中任一項之製造方 法所得到的層合物去除該支持基材之步驟。 1 7如申請專利範圍第1 6項之高分子電解質膜的製造 方法，其係不包含該支持基材去除後，高分子電解質膜表 面的兩面皆表面處理之步驟。 1 8 . —種層合物，其特徵係藉由上述申請專利範圍第1 至1 5項中任一項之製造方法所得到。 1 9. 一種高分子電解質膜，其特徵係藉由申請專利範 圍第1 6或1 7項之製造方法所得到。 2 0 . —種離子導電性高分子電解質膜，其爲含有至少 一種的離子導電性高分子之高分子電解質膜，其特徵係該 高分子電解質膜的至少任一面不進行表面處理，而且，高 分子電解質膜的一側的面之對水的接觸角與另一側的面之 對水的接觸角的差爲3 0 °以下。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之離子導電性高分子電解 質膜，其中該高分子電解質膜的兩面皆不進行表面處理。 22.如申請專利範圍第20或21項之離子導電性高分 子電解質膜，其中該膜的一側的面與另一側的面的任一面 對水的接觸角皆爲1 〇 °以上6 0 °以下。 -53- 200821338 23. 如申請專利範圍第20至22項之離子導電性高分 子電解質膜，其中該離子導電性高分子係主鏈上具有芳香 族環，而且，具有直接鍵結或者介由其他原子或原子團間 接地鍵結於芳香族環之離子交換基。 24. 如申請專利範圍第23之離子導電性高分子電解質 膜，其中該離子導電性筒分子具有側鏈。 2 5.如申請專利範圍第2 0至2 2項中任一項之離子導 電性高分子電解質膜，其中該離子導電性高分子，係主鏈 具有芳香族環，亦可再含有具有芳香族環之側鏈，主鏈的 芳香族環或側鏈的芳香族環的至少一個具有直接鍵結於該 芳香族環之離子交換基。 2 6 .如申請專利範圍第2 3至2 5項中任一項之離子導 電性高分子電解質膜，其中該離子交換基爲磺酸基。 27·如申請專利範圍第20至26項中任一項之離子導 電性高分子電解質膜，其中該離子導電性高分子具有1種 以上選自下述一般式（la)〜（4 a)之具有離子交換基之重覆單 元、 —Ar1—Z~~Ar2—X— (la)

   (3a) —Ar3—Z'—Ar4—X—Ar5fY—ArHX'· (2a) —Ar9-(4a) (式中，Ar1〜Ar9互相獨立地表不主鏈上具有芳香族環，而 亦可再含有具有芳香族環的側鏈之2價的芳香族基，該主 -54- 200821338 鏈的芳香族環或側鏈的芳香族環的至少一個具有直接鍵結 於該芳香族環之離子交換基；z、Z’互相獨立地表示CO、 S Ο 2的任一個；X、X ’、X ”互相獨立地表示〇、s的任一 個；Y表7K直接鍵結或下述一般式（10)所表示之基；p表 示0、1或2 ; q、r互相獨立地表示1、2或3)、與1種以 上選自下述一般式（lb)〜（4b)之實質上不具有離子交換基之 重複單元， Γ Ar11-Z—Ar12-X (lb) -Ar13-Z_—Ar14-X_—Ar15fY—Ar16}X· (2b) P， Ar19- (4b) -Ar+,X"〈Ar18^X"-— (3b) (式中，Ar 11〜Ar 19互相獨立地表示可具作爲側鏈的取代基 之2價的芳香族基；z、z，互相獨立地表示C0、s〇2的任 一個；X、X’、X”互相獨立地表示〇、S的任一個；γ表 示直接鍵結或下述一般式（1〇)所表示之基；p，表示〇、1 或2; q’、r’互相獨立地表示1、2或3) R1 I •-C- (10) (式中，R1及R2互相獨立地表示氫原子、可具有取代基之 -55- 200821338 子交換基之嵌段（B)，具有離子交換基之嵌段（A)具有下述 一般式（4 a ’）所表示的重複結構， 一Ar9一 -J Π (4a，） (式中，m表示5以上的整數；Ar9表示2價的芳香族基； 其中2價的芳香族基可被氟原子、可具有取代基之碳數 1〜1 0的丨兀基、可具有取代基之碳數1〜丨〇的院氧基、可具 有取代基之碳數6〜18的芳基、可具有取代基之碳數6〜18 的方氧基或可具有取代基之碳數2〜20的釀基所取代；αγ9 具有直接或介由側鏈而鍵結於構成主鏈的芳香族環之離子 交換基），而且，實質上不具有離子交換基之嵌段（B)具有 一種以上選自下述一般式（lb，）、（2b，）、（3 b，）所表示的重 複結構， -Ar11—Z——Ar12-X (lb，） 'Ar17^Xn (3b，) Ar13-Z'—Ar14-X—Ar15>Y—Ar16ix'- (2b1) I / P'. (A 吟 X"-- (式中，n表示5以上的整數；Arii〜Ari8互相獨立地表示 2價的芳香族基；其中2價的芳香族基可被碳數1〜丨8的 I元基、δ灰數1〜1 〇的院氧基、碳數6〜1 〇的芳基、碳數 -57- 200821338 6〜1 8的芳氧基或碳數2〜2 0的醯基所取代；其他符號與上 述一*般式（lb)〜（3b)相同）。 3 3.如申請專利範圍第20至32項中任一項之離子導 電性高分子電解質膜，其中該離子導電性高分子各具有一 個以上之具有離子交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離 子交換基之嵌段（B)，而且，具有離子交換基之嵌段（A) 中，離子交換基直接鍵結於主鏈芳香族環上。 34.如申請專利範圍第20至33項中任一項之離子導 電性高分子電解質膜，其中該離子導電性高分子各具有一 個以上之具有離子交換基之嵌段（A)、與實質上不具有離 子交換基之嵌段（B)，而且，具有離子交換基之嵌段（A)及 實質上不具有離子交換基之嵌段（B)，皆實質上不具有含 鹵素原子之取代基。 3 5·—種層合物，其特徵係將申請專利範圍第20至34 項中任一項之離子導電性高分子電解質膜之離子導電性高 分子電解質膜層合於支持基材。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之層合物，其中該支持基 材與高分子電解質膜接合的表面，由金屬或金屬氧化物所 形成。 37.如申請專利範圍第3 5或3 6項之層合物，其中該 支持基材爲連續支持基材，且表面含有金屬或金屬氧化物 之薄膜。 -58- 200821338 七 指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：無 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明··無 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無