TW200809882A - Laminated coil component and method for manufacturing the same - Google Patents

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200809882 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種積層線圈零件及其製造方法，更# 體而言，該積層線圈零件由導電體與絕緣體所積層而成且 在内部設有線圈。 【先前技術】 例如，DC-DC轉換器所使用之積層線圈零件中，為了 要避免因磁飽和而降低電感導致降低由電流轉換成磁能之 轉換效率，而必須要有直流重疊特性佳之積層線圈零件。 在積層線圈零件中提升直流重疊特性者，已知有專利 文獻1所揭示之開磁路型之積層線圈零件。如圖14所示， 該積層線圈零件101之構造，係在磁性體層1〇2之間設有 非磁性體層1〇4。藉由將非磁性體層1〇4設置在磁性^層 102之間，形成於線圈L周圍之磁路Φ，丨在非磁性體層丄⑸ 之磁阻變大，從非磁性體層104洩漏出磁通。其結果可 防止在非磁性體層104之磁通密度過大而不易產生磁飽 和，避免因磁飽和造成電感急速降低。亦即，可提升積層 線圈零件101的直流重疊特性。 、曰 吗不心積續踝圈零件101中，並不能充份 的提咼直流重疊特性。以下說明其原因。 如上述，在非磁性體層104磁 ^ 艰硌0 1的磁阻變大。若 磁阻如前述般變大，則如 昆所不，產生避開非磁性體 ^ 之短磁路6’2。由於該磁路ό/▲日日、 士 rrf ^ 0 2係閉磁路’因此在 路Φ 2上不易產生磁通洩漏。 戈局因此’即使是較小的直流 5 200809882 鵪 重疊電流，亦有磁通密度過大而產生磁飽和之虞。 專利文獻1 :曰本特公平1-35483號公報 【發明内容】 因此，本發明之目的在於提供一種能提升直流重疊特 性之開磁路型之積層線圈零件及其製造方法。 本發明之積層線圈零件，係由導電體與絕緣層所積層 而成且在内部設有線圈，其特徵在於··該絕緣層包含第1 馨絕緣層、及透磁率較該第1絕緣層低之第2絕緣層；在包 含該線圈之線圈軸之截面中，該第2絕緣層之形狀，係橫 跨在積層方向相鄰之2個以上之該導電體。藉此，由第2 、、巴緣層所杈跨之導電體，無助於閉磁路的形成。其結果， 該閉磁路的磁通變少，不易產生磁飽和，因此能提升積層 線圈零件的直流重疊特性。 本發明之積層線圈零件中，較佳為，該第2絕緣層之 形狀，係在包含該線圈軸之截面中，分別橫跨於在積層方 2列並排配置之導電體。藉此，各列導電體分別由第2 、、、巴、、彖層所圍繞。因此’相較於一次橫跨於2列導電體之形 狀，導電體的周圍係寬廣地由g 2絕緣層所覆蓋。其結果， 被圍繞的導電體無助於閉磁路的形成，而能提升直流重疊 特性。 本發明之積層線圈零件中，該第2絕緣層亦可為非磁 性體層。 本發明之積層線圈零件中，該第2絕緣層亦可於橫跨 該導電體之部分產生彎曲。 6 200809882 本發明之積層線圈零件中，較佳為，該導電體，係朝 與該第2絕緣體相同方向產生彎曲。若導電體產生彎曲， 則能提高在該導電體周邊的磁阻，使繞線圈整體旋轉之磁 通較繞各導電體旋轉之磁通容易產生。 本發明之積層線圈零件中，較佳為，該導電體之形狀， 係在包含該線圈軸之截面中’與該線圈轴正交方向之兩端 部厚度較中央部厚度為薄。

、本發明之積層線圈零件中，較佳為，在該絕緣層之既 疋中間層之上層’使該導電體以朝上層側突出之方式彎 曲；在該絕緣層之既定中間層之下層，使該導電體以朝下 層側突出之方式彎曲。依據具有上述構成之積層線圈零 層方向最上層側之導電體，具有朝上層侧突出 之％、曲構造，位於積居古a旦 、玲方向最下層側之導電體，具有朝 層側突出之彎曲構造。駐 曰错此’位於最上方之導電體及位於 农下方之導電體，成+知 ^ a 成為已破去角之構造。因此，本發明之 積層線圈零件中，由於 、兹路此通過原本導電體的邊角存在 之。P为，因此相較於導電 磁路變得較短。產生、％曲之積層線圈零件， 、° ，可增加積層線圈零件的磁通，而 月匕曰加5亥積層線圈零件的電感。 本發明之積層線圈零 ， 緣層。 1千宁，亦可形成複數層該第2絕 具體線圈零件，係能以下述製造方法來製造。 八 ° 务明之積層線圈零件之製造方；^你ώ墓Φ 體與絕緣體所積層而成且|^件之“方法’係由導電 在内部设有線圈之積層線圈零件 7 200809882 之製造方法，其具備· ^ ^ 昂1步驟，用以積層第1絕緣層與 弟2絕緣層（其透磁 > ” ώ # 羊低於该弟1絕緣層）以得到積層體； 以及弟2步驟，将v 〇 ^ μ 乂弹性體壓接該積層體，藉此，將該第 、、、邑緣層之形狀以下述 m A I万式進仃加工，在包含該線圈之線 圈軸之截面中，續笛 、、、巴緣層橫跨在積層方向相鄰之2個 以上之該導電體。佑搪#也丨 依據該製造方法，能製得適合之積層線 圈零件。

依據本發明，由楚 。A 、 弟2、、、巴緣層所橫跨之導電體無助於閉 磁路的形成，因此不县吝 +易產生磁飽和，可提升積層線圈零件 的直流重疊特性。 【實施方式】 以下，參照圖式說明本發明之開磁路型之積層線圈零 及其製造方法之實施形態。然而，目2至圖4、圖6至 θ ,·、及圖10至圖13雖係截面圖，但為了避免圖示須雜 力:略其截面線。在各實施形態中係以個別產品為例，、但 案之生產方式係如下述，即將多數個線圈用導體圖 枉’母板之陶£&片的表面，將複數個該母板之陶 片施以積層壓接以形成未燒成之積層體塊體。 合線圈用導體圖案的配置以切刀等來切割積層體塊體，配 裁切各個積層陶究片，將裁切的積層陶究片燒成二 後之積層陶U形成外部電極H可將母板二成 片積層壓接並燒成，之後裁切各個積層陶瓷片。 尤毪 (弟1實施形態） 圖1係第1實施形態之積層線圈零件】的分 儿體圖。 a 200809882 士圖1所示’積層線圈零件i係由第工陶瓷坯# 2、第2 陶瓷坯片3、及第3陶瓷坯片4等構成。 第1陶瓷坯片2係由磁性體材料所製作，在其主面形 成線圈用導體圖案5及導通孔導體了。第2陶瓷坯片3, 兵第1陶曼:¾ # 2同樣由磁性體材料所製作，在其主面並 $形成線圈用導體圖案5。第3陶竟坯片4係由透磁率較 第1陶瓷坯片2為低之低透磁率材料或非磁性體材料（透磁 率為1者)所製作’在其主面形成線圈用導體圖案5及導通 孔導體7。

第1陶瓷坯片2及第2陶瓷坯片3係以下述方式製作。 以三氧化二鐵（Fe2〇3)占有48·〇 m〇1%、氧化鋅（Zn〇)占有 25.0 mol%、氧化錄（Ni〇)占有i8〇 m〇i%、氧化銅（a⑺占 有9·〇Π1〇1%之比例來秤量各種材料，將其作為原材料而放 入球磨機’進行濕式調纟。對所得到的混合物進行乾燥後 加以粉碎，以75代之溫度對所得之粉末進行丨小時的預 燒:將所得到的預燒粉末以球磨機進行濕式粉碎後，進行 乾燥而使其碎裂，以取得肥粒鐵陶瓷粉末。 對該肥粒鐵陶瓷粉末添加黏結劑（乙酸乙烯、水溶性丙 烯酸等）與可塑劑、濕潤材、分散劑，以球磨機進行混合， 之後藉由減壓進行脫泡。將所取得之陶竟漿料以到刀法形 成 '片狀並使其乾燥，製得具有期望膜厚之第】陶瓷^ 2及第2陶瓷坯片3。 以三氧化二鐵 第3陶瓷坯片4 (Fe2〇3)占有 48.0 mol0/。 係以下述方式製作 、氧化辞（ZnO)占有43 〇 mol%、氧 9 200809882

化銅（Cu咐有9.Gm()1%之比例來秤量各種材料 原材料而放人球錢，進行^調合。對所得到心人f 進行乾燥後加以粉碎…50t之溫度將所得之於二物 1小時的預燒。將所得到的預燒粉末以球磨機進二晶式 许後，進行乾燥而使其碎f，以取得非磁性陶究粉末ή 對該非磁性陶究粉末添加黏結劑（乙酸乙烯、水 婦酸等）與可塑劑、濕潤材、分散劑，以球磨機進行混人 之後藉由㈣進行脫泡。將所取得之陶£漿料㈣刀❹ 成溥片狀並使其乾燥，製得具有期望膜厚之第3陶竟w 4 〇 在第1陶竞远片2及第3陶兗述片4上形成導通孔導 體7’其用以將相鄰層之線圈用導體圖帛5彼此加以連接。 導通孔導體7之形成，係使用雷射光束等在第！陶竟述片 2及第3陶瓷坯片4形成貫通孔，以印刷塗布等方法將Ag、

Pd、Cu、Au或其等之合金等導電糊充填至該貫通孔内而 形成。 在第1陶瓷坯片2及第3陶瓷坯片4上，以網版印刷 法或光Μ衫法等方法分別塗布導電糊，藉此形成線圈用導 體圖案5。其等之導體圖案5,係由Ag、pd、Cu、Au或 其專之合金等構成。 複數個線圈用導體圖案5，係透過形成於第1陶瓷坯 片2及第3陶瓷坯片4之導通孔導體7而形成電氣串聯， 形成螺旋狀的線圈L。線圈l的線圈轴，係平行於第〗陶 瓷坯片2、第2陶瓷坯片3、及第3陶瓷坯片4之積層方 200809882 向。線圈L的引出部6a、6b係分別從複數個第丨陶瓷坯 片2中之配置於最上層之第〗陶瓷坯片2的左邊、及配置 於最下層之第1陶瓷坯片2的右邊露出。 如圖1所不，由下方依序積層：第2陶瓷坯片3、第1 陶曼述片2、第3陶隻达片4、第i陶竟埋片2、及第2陶 克述片3。此時’以位於線圈軸長度方向的大致中央位置 之方式積層第3陶瓷坯片4。對第i陶瓷坯片2、第2陶 瓷坯片3、及第3陶瓷坯片4施以壓接。以下，使用圖2 至圖4來說明壓接步驟。圖2至圖4係表示積層線圈零件 1之製程，係包含線圈的線圈轴之截面之截面構造圖。 百先，將第1陶究述片2、第2陶甍述片3、及第3陶 瓷坯片4重璺既定片數。此時，形成於第丨陶瓷坯片2及 第3陶瓷坯片4之線圈用導體圖案5之配置方式，如圖2 所示’係當從積層方向的上方俯視時彼此互相重疊。 接著’如圖3(A)所示，從積層方向的上方進行壓接。 馨壓接之進行方式可舉例為，在d、l 〇t/cm2的條件下， 將已在壓接面黏貼有橡膠等易變形材料11之壓接模具緊 壓配置在積層方向最上側之第3陶瓷坯片4。 再者，圖3(A)係表示將從下方算起共6片之第1陶瓷 坯片2、第2陶瓷坯片3、及第3陶瓷坯片4同時壓接之 开乂心”但亦月b將各薄片依序逐一壓接、或2片、3片依序 逐-人壓接。此點在圖3(B)所示之壓接步驟亦相同。 接耆，將既定片之第丨陶瓷坯片2重疊在第3陶瓷坯 片4上之後’如圖3(B)所示，從積層方向的上方進行壓 11 200809882 接。藉此，如圖3(B)所示，線圈用導體圖案5之形成區域 以外的區域，相對地係在積層方向產生較大壓縮。另一方 面，線圈用導體圖案5之形成區域，因為存在著不易受到 壓縮之線圈用導體圖案5,因此相對地在積層方向產生較 小壓縮。其結果，如圖3(B)所示，第3陶瓷坯片4的形狀 成為：橫跨在積層方向相鄰的2個以上之線圈用導體圖案 5。更具體而言，第3陶瓷坯片4的形狀成為：在包含線 圈軸之截面中，於形成線圈用導體圖案5的2處區域，彎 曲（突出）於積層方向的上方，在各個彎曲（突出）的部分收容 2層以上之線圈用導體圖案5。 ，如上述，線圈用導體圖案5係藉由網版印刷而形 成於第^陶兗埋片2及第3陶兗埋片4上。當該網版印刷 進行時，線圈用導體圖案5具有的形狀，係在與線圈【的 線圈軸正父之方向的兩端部厚度較中央部的厚度薄。又， 如圖3(B)所不，具有該種形狀之線圈用導體圖案5，因為 φ壓接時的壓力而成為與該第3陶究迷片4彎曲於同方向（積 向的上方）之形狀。其原因在於，當壓接時，線圈用導 體圖案5的中央部較厚，故承受到從存在於下層之線圈用 導體圖案5上推的作用力，線圈用導體圖案5的兩端部較 薄，故承受到從上方下壓之力量。 在:將第！陶竟链片2、第2陶莞…、及第3陶竟 片4知層既定片數並壓接之步驟結束後，積層第2陶竟 述片3,使用上述易變形材料11進行塵接。藉此，如圖4 所不，形成在上面具有凸部之積層體。最後，以切削等方 12 200809882 法將該積層體上面之凸部除去，使該積層 化。藉此而形成未燒成積層體。 面平滑 接著，對該未燒成積層體進行脫黏結 脫黏結劑處理之進行方式可舉例為， :成° 綱。c加熱12〇分鐘來進行。又，燒成之氧氣中以 為在工乳料氣氣中以89(rc加熱15〇分鐘來進行 此，成為圖5所示之具有立方體形狀之積層體2〇。圖5: 積層線^零件！的外觀立體圖。在積層體2〇的表面，例 如，以浸潰法塗布以銀為主成分之電極糊，以⑽。c使1 電極糊乾燥Π)分鐘後，對塗膜以7崎進行⑼分鐘之: 烤，藉此形成輸出入外部電極21、22。如圖5所示，輸出 入外部電極21、22係形成於積層體2〇的左右端面。線圈 L的引出部6a、6b與輸出人外部電極21、22形成電氣連 接0 如圖4及圖6的截面圖所示，如上述製得之積層線圈 鲁夺件1具備：線圈部9,係内裝有複數個線圈用導體圖案 5形成電氣連接而構成之線圈L、及積層於線圈部9的上 下區域之外層部8、1G°在積層線圈零件1的積層方向中， 於線圈部9的大致中央位置配置有第3陶变链片4。線圈 用導體圖案5以Μ》3/4E之方式，形& 85E之線圈l。 線圈用導體圖案5的厚度為2〇"瓜’帛3陶瓷坯片4的厚 度為35 ，線圈用導體圖案5之間的厚度為。又， 陶瓷片尺寸為2.〇 mmxl 2 mmxl 2 mm。 依據具有上述構成之積層線圈零件i，可抑制磁飽和 13 200809882 產生’提高直流重疊特性。以下，參照圖6及圖14力口以 禅細說明。 在習知積層線圈零件101中，在非磁性體層104下側 之磁性體層102存有3層之線圈用導體圖案。因此，有助 於形成閉磁路（磁路φ，2)之線圈用導體圖案共有3層。 另一方面，如圖6所示，積層線圈零件1中的第3陶 竟述片4之形狀，係橫跨在積層方向相鄰的2個以上之線 ⑩圈用導體圖案5。由第3陶瓷坯片4所橫跨之線圈用導體 圖案5並無助於閉磁路（磁路Φ2)的形成，因此有助於形成 該磁路Φ2之線圈用導體圖案5僅有2層。因此，當積層 線圈零件1及積層線圈零件1〇1在相同條件下使直流重疊 電机流動時’積層線圈零件1的磁路Φ 2之磁通變少。其 結果，相較於積層線圈零件101，積層線圈零件1較不易 產生磁飽和，而有良好的直流重疊特性。 本案之^明人為了更確定積層線圈零件1具有的效 _果，遂以電腦進行分析。具體而言，將圖7所示之模型假 想成積層線圈零件丨之模型；將圖8所示之模型假想成比 較例（習知例）之積層線圈零件101之模型，模擬其等之直 流重疊電流的大小與電感變化率的關係。圖9係表示直流 重疊電流與電感變化率之關係之圖表，橫軸表示直流重疊 電流的大小，縱轴表示電感之變化率。 首先說明分析條件。圖7所示模型之積層線圈零件五， 係使用將複數個各為3/4匝之線圈用導體圖案5加以電氣 連接而構成之8.5匝之線圈L，使線圈用導體圖案$的厚 14 200809882 度為20#m，第3陶瓷坯片4的厚度為35#m，線圈用導 體圖案5之間的厚度為14"m，陶究片尺寸為2 〇匪^口 mmx 1.2 mm。在圖8所示比較例1之模型中，係使用將複 數個3/4卷之線圈用導體圖案5予以電氣連接而構成之8·5 卷之線圈L·，使線圈用導體圖案5的厚度為2〇 # m，第3 陶究坯片4的厚度為3 5 // m，線圈用導體圖案5間的厚度 為14/zm’陶瓷片尺寸為2.0 mmx 1.2 mmx 1.2 mm。又，在 ^圖8所示比較例1之模型，係使用將複數個3/4匝之線圈 用士體圖案5加以電氣連接而構成之8·5匝之線圈l，使 線圈用導體圖案5的厚度為20 ，第3陶瓷坯片4的厚 度為35# m，線圈用導體圖案5之間的厚度為，陶 兗片尺寸為2.0 mmx 1.2 mmx 1.2 mm。又，在圖8所示比較 例2之模型，係使用將複數個3/4匝之線圈用導體圖案$ 加以電軋連接而構成之8 · 5匝之線圈L，使線圈用導體圖 案5的厚度為20/zm，第3陶瓷坯片的厚度為55#m， _線圈用導體圖案5之間的厚度為14/zm，陶兗片尺寸為2.0 mmxl.2 mmxl.2 mm 〇 由圖9之圖表可以了解，相較於比較例1的模型及比 較例2的模型，積層線圈零件1的模型具有較低之電感減 少率。亦即，可以了解積層線圈零件1的重流重疊特性較 習知積層線圈零件1 〇 1優異。 又’在積層線圈零件1中，線圈用導體圖案5產生彎 曲。如上述’若線圈用導體圖案5產生彎曲，則該線圈用 導體圖案5周邊的磁阻變大，使繞線圈l整體旋轉之磁通 15 200809882 車“口線圈用導體圖案5旋轉之磁通容易產生。亦即，礤 路般的開磁路較磁路φ2般的閉磁路更容易形成。其社 果，在積層線_ 1中，可抑制磁飽和的產生而提昇直 流重疊特性。 (第2實施形態） 再者，如圖6所示，在積層線圈零件1中，在包含線 圈軸的截面中的第3 m片4，係在兩個部位朝積層方 向的上方突出以橫跨線圈用導體圖案5,但該帛3陶瓷坯 片4的形狀並不限定於此。在第2實施形態中，如圖1〇 所示之積層線圈零件31，亦可使第3陶曼述片4在i個部 =朝積層方向的上方突出以整個橫跨並排A 2列之線圈用 =圖案5 m目較於積層線圈零件31般之使第3陶 瓦达片4纟1個部位整個橫跨線圈用導體圖案5之方式， :積層線圈料！般的在2個部位Μ橫跨線圈用導體圖 案5之方式為佳。相較於積層線圈零件31，在積層線圈零 件1中」被橫跨的線圈用導體圖案5周圍係由第3陶_ 片見廣地覆盍。其結果，與積層線圈零件3 i相較，積 層線_ i可減少有助於形成磁路φ2之線圈用導體圖 案5 ’而能提升直流重疊特性。 (第3實施形態） 圖11係表示第3實施形態之積層線圈零件41的截面 構造圖。積層線圈零件41與積層線圈零件丨的相異點在 於二具有2層g 3陶瓷坯片4、及具有相對積層方向之中 央橫切線！大致呈上下對稱之構造。以下以相異點為主來 16 200809882 說明。 如圖η所示’在積層線圈零件41中，於線！下方區 域的第3陶_片4’係朝積層方向的下方突出而橫跨線 圈用導體圖案5。再者，在、線1下方區域之線圈用導體圖 案5 ’與第3陶瓷坯片4相同，係以朝下士办山 货朝下方突出之方式而 常曲 〇

另一方面’在線ί上方區域之第3陶兗链片4，係朝 積層方向的上方突出而橫跨線圈用導體圖案$。再者，在 線I上方區域之線圈用導體圖案5,與第3陶瓷坯片*相 同’係以朝上方突出之方式而彎曲。 依據具備上述構成之積層線圈零件41，位於積層方向 最上方之線圈用導體圖案5具有朝上側突出之彎曲^造； 位於積層方向最下方之線圈用導體圖案5具有朝下侧突出 之芎曲構造，藉此，位於最上方之線圈用導體圖案$及位 於最下方之線圈用導體圖案5成為已去角之構造、。因此， 在積層線圈零件41 t ’磁路Φ1可通過原本存有線圈用導 體圖案5的邊角之部分’因此相較積層線圈零件1磁路φ1 變短。其結果，可增加積層線圈零件41的磁通，能增加 該積層線圈零件4 1的電感。 曰 以下說明圖1 1所示之積層線圈零件41之製造方法。 積層線圈零件41的製造方法與積層線圈零件i的製造方 法之相異點在於，積層線圈零件41所使用的第2陶瓷坯 片3，較積層線圈零件j的第2陶瓷坯片3為軟。 當使用上述較軟的第2陶瓷坯片3時，位於最下方之 17 200809882 線圈用導體圖案5在壓 — 隹座接時會陷入存在於下芦 兗坯片3。由於線圈用導 曰。亥弟2陶 較薄之形狀，因此該兩 ’、央部最厚、兩端部 ^兩鸲邛較中央部易於變形。 位於最下方之線圈用導體圖案5承 口此，富 3的作用力時，會使缘： 弟2陶瓷坧片 «使線圈用導體圖案5的兩 成朝上侧折返。亦即，線 ϋ產生毚形 線圈用導體圖案5成為中央 側突出之彎曲形狀。又，下半部分之線 央：主下

係受到來自下層的影響，與位於最下方之線圈幸 5相同，成為中央部在積層方向突出之彎曲形狀。 - β另一方面’在線1上側，與積層線圈零件1相同，♦ 昼接時因存在於下層之線圈用導體圖案5的影響，線: V體圖案5的中央部承受到朝積層方向 旦 7工万上推之力 里。，、結果，上半部分的線圈用導體圖案5成為中央部突 出於積層方向的上方之彎曲形狀。 尺 (第4實施形態） 如圖12所示，第4實施形態之積層線圈零件51，相 較於該積層線圈零件41，係在橫跨線圈用導體圖案5的2 層弟3陶莞述片4之間，進一步設有1層第3陶兗达片 (第5實施形態） 如圖13所示，第5實施形態之積層線圈零件6 i具有 朝同方向突出的2層第3陶瓷坯片4。在該積層線圈零件 61的製造方法中使用的第2陶瓷坯片3，係具有當壓接時 不會使線圈用導體圖案5陷入程度之硬度。籍此，可防止 位於最下層的線圈用導體圖案5陷入第2陶瓷坯片3。其 18 200809882 結果，可防止線圈用導體圖帛5彎曲成中央部朝 下方突出。 、㈢々问 (其他實施形態） 再者，本發明t積層線圈零件及其製造方法並不 於上述各實施形態，可在其要旨之範圍内加以改變。 例如，上述實施形態中的積層線圈零件，僅内裝1個 線圈，但該積層線圈零件亦可内裝2個以上之線圈。再者， 除線圈外，亦可内裝電容器等元件，使其構成複合電子裳 件。 7 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之第1實施形態之積層線圈零件之分解 立體圖。 圖 圖 圖 圖 圖 構造圖 2係該積層線圈零件的製程之截面圖。 3 ( A )、（ B )係該積層線圈零件的製程之截面圖。 4係该積層線圈零件的製程之截面圖。 5係邊積層線圈零件的外觀立體圖。 6係、#積層線圈零件中，包含線圈軸的截面之截面 〇 « 7係、$積層線圈零件的解析模型之截面構造圖。 ® 8係比較例的積層線圈零件的解析模型之截面構造 圖。 圖 9 孫本 -+ ^ 承衣不直流重疊電流與電感變化率之關係之圖 表。 圖1〇係本發明之第2實施形態之積層線圈零件中，包 19 200809882 含線圈軸的截面之截面構造圖。 圖11係本發明之第3實施形態之積層線圈零件中，包 含線圈軸的截面之截面構造圖。 圖12係本發明之第4實施形態之積層線圈零件中，包 含線圈軸的截面之截面構造圖。 圖13係本發明之第5實施形態之積層線圈零件中，包 含線圈軸的截面之截面構造圖。 圖14係習知積層線圈零件之截面構造圖。 ® 【主要元件符號說明】 φ 1、φ 2、φ ’1、φ ’2 :磁路 L :線圈 1、3 1、41、5 1、61、101 :積層線圈零件 2 :第1陶瓷坯片 3:第2陶瓷坯片 4 :第3陶瓷坯片 5 :線圈用導體圖案 ^ 6a、6b :引出部 7 :導通孔導體 8、10 :外層部 9 :線圈部 1 1 :易變形材料 20 :積層體 21、22 :輸出入外部電極 102 :磁性體層 20 200809882 104 :非磁性體層

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Claims (1)

1. 200809882 十、申請專利範困： «積層線圈零件，係由導電體與 成且在㈣設有線圈，其特徵在於： 斤積層而 緣層包含第1絕緣層、及透磁率較該第1絕缘声 低之第2絕緣層； 》七緣層 狀二=線圈之線圈轴之截面中，該第2絕緣層之形 广在積屬方向相鄰之2個以上之該導電體。 第2巧如申叫專利範圍第1項之積層線圈零件，I中，， 弟2絕緣層之形狀，係在包 一中，該 跨於在積層方向線_之截面中，分別橫 句2列並排配置之導電體。 該第範圍第1或2項之積層線圈零件，其中， {緣層係非磁性體層。 ，、γ 4 ·如申請專利範圍篥】 該第2絕緣層 4 2項之積層線圈零件，其中， 曰於&跨该導電體之部分產生青曲。 盡十触〇申請專利範圍第4項之積層線圈焚株 該導電體之::::包^ 7.:=部厚度較中央部厚度為薄，、-線圈 如甲吻專利範圍第1或2馆 在該絕緣層之既定中間層 、之積層線圈零件，其中， 突出之方式彎曲； 曰 為，使該導電體以朝上層側 在該絕緣層之既定中間層 @ 層侧突出之方式彎曲。 下層，使該導電體以朝下 22 200809882 8. 如申請專利範圍第1或2項之積層線圈零件，其中， 形成複數層該第2絕緣層。 9. 一種積層線圈零件之製造方法，係由導電體與絕緣 體所積層而成且在内部設有線圈之積層線圈零件之製造方 法，其特徵在於，係具備： 第1步驟，用以積層第1絕緣層與第2絕緣層（其透磁 率低於該第1絕緣層）以得到積層體；以及 第2步驟，係以彈性體壓接該積層體，藉此，將該第 • 2絕緣層之形狀以下述方式進行加工，在包含該線圈之線 圈軸之截面中，該第2絕緣層橫跨在積層方向相鄰之2個 以上之該導電體。 十一、國式: 如次頁

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