TW200531319A - Fabrication of semiconductor devices - Google Patents

Description

200531319 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體元件之萝诰， ,,,.,i以且特別地關於（雖然 【定義】 於整個說明書，先雷元# & 4 曰尤冤兀仵包括發光二極體（LED)和雷 射二極體。 於整個說明書，例如氮化鎵發光二極體的氮化鎵元件 係為包括但不限制於氮化鎵、氮化紹鎵、氮化銦鎵、氮化 I呂鎵銦等之氮化鎵有關材料所製成的所有半導體元件。 【先前技術】 大多數現今的半導體元件係以石夕（Si)、砂化錄⑼As) 和磷化銦（InP)為主的半導體材料來製成 電元件比車交，氮化錄元件具有許多優點。氮化録戶=: 主要本質的優點總結於表一中： 表一 半導體 遷移率// (cm2/V · s) ~~1300~~ 能隙(e V) /波長(nm) bfom 晶體優點) LO^2Ϊ6

BFOM :功率電晶體效能的優點Baliga圖 對應於一較高DVD/CD容量 從表一，可見於給予的_導體之中，氣化録具有最大 的能隙（3.4電子伏特）。因而氮化鎵被稱為寬能隙半導體。 200531319 元件較矽和砷化鎵和石粦 綠、藍和紫外線（Uv)和 圓製成。 化I因元 白光發 因此由氮化鎵所製成的電子 件在更高的電功率下操作。 光一極體（LED)可從氮化鎵晶

對半導體雷射，氮化鎵雷射具有相當短的波長。假如 ^雷射可㈣作為光資料儲存，較短波長可導引出較多的 容量。砷化鎵雷射可使用於具有每片大約67〇mb容量之 CD-ROM的製造^化紹鎵銦雷射（也以坤化鎵為主）可使 用於具有每片大約4.7GB容量之最新DVD放影機。在下

一世代DVD放影機中的氮化鎵雷射可具有每片26GB 量。 氮化鎵元件可從典型地為沉積於藍寶石基板上之複數 層氮化鎵相關的磊晶層之氮化鎵晶圓製成。藍寶石基板通 常直徑為兩吋且作為蟲晶層的成長模板。目氮化鎵：關： 材料（磊晶膜）和監寶石間的晶格不匹配，缺陷係產生於磊 晶層中。此缺陷造成氮化鎵雷射和電晶體的嚴重問題，並 以較少程度造成氮化鎵發光二極體問題。 有兩種主要成長磊晶晶圓的方法：原子束磊晶（mbe) 和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD)。兩者都廣泛地被使 用0 習知的發光二極體製造製程通常包括主要步驟：微影 術、蝕刻、介電膜沉積、金屬化、接合墊形成、晶圓檢查 和測試、晶圓薄化、晶圓切割、晶片接合來封裝、打線接 合和可靠度測試。 一旦於全晶圓尺度下完成了製成發光二極體的製程， 6 200531319 然後必須將晶圓分成單獨的發 長於藍寶石基板的氮化鎵晶圓，：二體曰“或晶粒。對成 切割，，操作是—個重要 ^ 監賃石基板非常硬時，” 微米來均勾地薄化至約為先而要-約為四百 由鑽石刀來切割、藉由鑽石缚化後的晶圓然後藉 接著以鑽石刀來切割。由雷射挖槽來㈣，緊 必需小心來確保雷射不合 ”先，但 曰1 α Λ 破壞虱化鎵元件。此製程限制g

1，造成良率問題和消耗昂貴的鑽石刀/錯。 限制產 成長於藍寶石基板上的已知發光二極體晶片 方需要兩個打線接人。、古θ、 、3片上 體，且電Hg 、疋义須的，因為藍寶石為電絕緣 Η 專導通過一百微米厚度是不可能的。由於每一 =合墊佔掉大約百分之十至十五的晶圓區域，和成長 接it基板上的單一打線接合發光二極體比較，第二打、： 。使母個晶圓之晶片之數量減少大約百分之十至 五幾乎所有非氮化鎵發光二極體可成長於傳導基板上且 ^用打線接合。對封裝公司，兩個打線接合減少封穿$

::需要-個打線接合製程的修改、減少晶片的有用區： 和稷雜化打線接合之製程。 A “卞藍寶石並非好的熱導體，舉例來說在300GK(室溫）下， 藍寶石的熱傳導率為4GW/Km。這較鋼38QW/Km的熱傳導 率：侍夕。假如發光二極體晶片係於藍寶石的界面接合至 =光二極體晶片的封裝，元件主動區域中所產生的熱:須 二經二至四微米的氮化鎵和一百微米的藍寶石來達成封裝/ 放熱。對藍寶石上的氮化鎵發光二極體，*生光的主動區 7 200531319 域從藍寶石基板大約三至四微米。結果晶片將運轉變熱而 影響效能和可靠度兩者。 一般而s ，氮化鎵發光二極體的外部量子效率少於内 部量子效率。假如於晶片上未進行特殊的處理來取出更多 的光，外部里子效率為幾個百分比，同時内部量子效率可 高達 99%(1993 年 10 月 Μ 日！· Schmtzer 和 Ε· Yab1〇novltch、C· Caneau、τ ; Gmitter 和 a 於

AppHed Physics “㈣卷63頁2174)。對其它的發光二極 體而言，亦有這兩量子效率間大的差異性之情況。它的起 因為因大多數習知的發光二極體的光取出效率受限於發光 二極體主動區域中所產生光的全反射，其發生於半導體·空 氣界面。這起因半導體和空氣間反射率大的差別。 對氮化鎵元件而言，致使主動區域中所產生光能夠離 開的臨界角為大約23。。因為從二極體主動區域的光發射 :^向/生地等向’且光只能從晶片離開，假如入射於晶片 义¥疋务光一極體晶片的前表面）的角少於臨界角，則 I = 一極體主動區域中所產生光的一小部份可離開至周圍 的％ i兄（如空氣）。離開的光一般係在—光錐體中。第！圖（未 依：例)說明這離開錐體概念。因此對一習知的發光二極體 而吕，外部量子效率被限制為幾個百分比。 已知表面結構化可顯著地增加光取出效率（如Η%年 月 18 日 I.Schmtzer 和 E.Yablonovitch、C.Caneau、T.J. 和A於ΑΡΡΗΜ吻仏8乙扣⑽卷63頁 21 74) ’且已可使用於諸如磷化鋁鎵銦之發光二極體的發光 200531319 二極體製造。為了增加從發光二極體的光取出效率，如從 2003 年 Journal of Applied Physics 卷 93 頁 9383 中之圖的 第2圖的說明中所顯示的，發光二極體内所產生的光子有 夕-人块會來舍現離開錐體或表面係被修正使得所產生的光 洛入新的離開錐體是非常重要的。 藉由使用一微凹凸化的p型氮化鎵表面（即一般上或前 表面）改善氮化銦鎵發光二極體的光輸出已被建議，其中金 屬基團係被使用做為一濕蝕刻罩幕（2〇〇3年J〇urnai

Applied PhySlcs卷93頁93 83)。和習知發光二極體結構的 光輸出效率比較，微凹凸表面之發光二極體結構的光輸出 效率顯著地增加。對有微凹凸化p型氮化鎵上表面的發光 二極體而言，可藉由從發光二極體微凹凸化之上表面的表 面散射使光子角度的隨機化。因而微凹凸化之表面結構可 改善光子離開至發光二極體外面的機率，造成發光二極體 光輸出功率的增加。

—然❿纟面結構化的技術目_僅可施加至發光二極體的 前表面。元件製造技術有其困難，特別對氮化鎵發光二極 體，其中主動區域上方的層十分薄（大約三百奈米），且氮 化鎵㈣為困難的。為使表面結構化，—般藉由表面上的 乾姓刻或濕鞋刻來產生幾百奈求深度的圖帛。這對主動區 域造成可能破壞的高風險’ 1因而可能造成在元件效能上 顯著的退化。 【發明内容】 的 根據-較佳形式，本發明提供一種半導體元件製造 9 200531319 方法。該半導體元件於基板上具有複數層蠢晶層。複數層 磊晶層包括-主動區域，光能夠產生於該主動區域中。該 方法包含： ° 施加至少一第一歐姆接觸層至磊晶層的前表面，該第 一歐姆接觸層也當作為一反射器。 然後從蟲晶層的後表面來移除該基板。且 結構化該後表面。

在基板移除之前，熱傳導金屬的晶種層可施加至歐姆 ，觸層，且相對厚的熱傳導金屬層可電鑛於晶種層上。在 日日種層施加之前，前矣 層。 、1 一附著層或一多層堆疊來覆 在電鍍步驟（b)之# ^ r a )引以先阻圖案來圖案化晶種層，且相 對厚層的錢可介以 μ且相 五百微米範圍的高度，1ΓΓ 案可於三微米至 度。光阻圖案可具有_百代'二微米至五百微米範圍的厚 在移除基板之:7=:::微米範圍的間隔。 可不需圖案化來進行火來改善附著。 案化。可藉由光阻圖宰化和心之電冑，可後續再進行圖 的雷射束微加工來進行=^濕_，或藉由相對厚層 相對厚層可為不大於光 阻的高度頌後加以薄化^度^度；或可為大於光 化。 可猎由研磨或濕蝕刻進行薄 步驟（C)，即後表面的姓 準圖案化方法。 所曝露的後表面

與点丨十h 、、、口構化可II 牛ο來说’後表面的 π、、°構化係藉由圖 10 200531319 ;輸虫刻。也可藉由乾㈣、濕敍刻、光化學㈣、雷 射姓刻或其它合適的一或多個方法來進行姓刻。也可藉由 破影術緊接著藉由沉積所曝露的後 來進行結構化。 ’後表面上之層且然後剝離 如祕等人（屬年LAppl〜卷93頁_所 孝广結構化也可藉由於後表面上沉積一薄金屬膜，且缺 :金屬快速熱退火來形成可使用為作表面結構化之 幕的金屬滴基團。 依照設計和/或製程方法而定，如有需要，表面結構化 的外形和尺寸可變化。 在移除基板之後，後表面可被㈣（有或沒有圖案化 且然後後表面被結構化。 ★可替換地，在基板移除之後，表面結構化可於一層(或 一複數層的堆疊）上加至後表面。 在步驟⑷之後’或步驟（b)和步驟（c)之間，可包括於 後表面上形成一第二歐姆接觸層的—額外的步驟，第二歐 姆接觸層係選自：不透光、透光和半透弁。 一人 弟二歐姆接觸 g可為工白和圖案化之一。接合墊可形成 _ 乂趴弟一歐姆接觸 層上。 *在第二歐姆接觸層沉積之前，所曝露的後表面可施以 =淨和餘刻處理。第二歐姆接觸層可未覆蓋後表面的整個 區域。假如第二歐姆接觸層覆蓋後表面的大部份，+驟（） 可直接地形成於第二歐姆接觸層上。在這方式下，：案二 的第二歐姆接觸層係作為結構化表面。 200531319 蠢晶層沉積於基板上之前，基板可被圖案化。因此在 基板移除之後，後表面已經被圖案化，且因而不需要後續 之後表面結構化處理。 在複數層磊晶層沉積期間，也可能圖案化或結構化主 動區域下面的層。在這方式下，雖然結構化並非在後表面 處，但在基板移除之前，圖案已經在層狀結構中。在基板 移除之後，此圖案化可改善發光二極體的取出效率。 在形成第二歐姆接觸層之後，可包括半導體元件的測 试’和分離成為單獨元件的步驟。 ^半導體元件可不藉由以下之一個或多個方式來製造： 才合接、研磨和切割。 弟一歐姆接觸可於磊晶 觸層可形成於磊晶層的n型層上 在步驟⑷之後，介電膜可沉積於蟲晶層上，且可有 口切開於介電膜和第—鼢祕4 、不乐一 e人姆接觸層中，且接合墊係

蟲晶層上。步驟⑷可在所沉積介電膜中執行，而非後表3 在步驟⑷之後，可將一熱傳導金屬的電鑛在蟲晶 上。熱傳導金屬可為銅’且磊晶層可為多重氮 在另外形式中，提供了一種半導體元件，其包：: 層、位於磊晶層前表面上且裎 總臨^ 上且k供一反射表面的第一歐姆 觸層、和於磊晶層後表 係被表面結構化。面上的-弟二歐姆接觸層；後表 上 相對厚層之熱傳導金屬 第一歐姆接觸層和相對厚層 可提供於第一歐姆接觸層 間於第一歐姆接觸層上有 12 200531319 ㈣導金屬的晶種層可施加至附著層。 為至少二十微米厚。該岸 了年層 外 s 了此為附者層或多重層的堆聂。 弟二歐姆接觸層可為從三奈米至五百二 層；且其性質可選自：透光、不透光和半透光。第内= 接觸層可包括接合墊。 乐姆 熱傳導金屬可為。 晶層。 、 ⑽曰曰層可為多重氮化鎵相關磊 ^導體兀件可為發光二極體元件或電晶體元件。 第二歐姆接觸層可為空白或圖案化的。 【實施方式】 的,二：之說ΐ内容中，括號中的參考數字表示第12圖中 :“ /驟。帛12圖僅為說明性質並非包括所有在商業 ==採料製程步·驟，非作為^全瞭解本發明的步驟 口間化1私描述之緣故已被刪除。 參照第3圖’顯示製程中的第一步驟 表面上之金屬化。 晶圓10為有-基板12和一多重蟲晶層14之堆疊於並 =晶'圓。…舉例來說可為藍寶石、坤化鎵:、 :…因、矽寺。以後於藍寶石基板上具有氮化鎵層 將被使用作為例子。蟲晶層14(常常稱為長晶 ^為夕重層堆疊’且下表面16(其首先可成長於基板上）通 、吊’：η型層及上部份18常常為p型層，一主動區域常常 I::下表面Μ和上部份Μ間，且通常由-般未特意摻 *、里子井（QW)或多量子井（MQW)所製成，量子井通常為 13 200531319 ;,少三層的堆疊。舉例來說對氮化鎵發光二極體而言， 多量子井常常為氮化鎵7氮化銦鎵/氮化鎵或氮化紹鎵/氮化 鎵/氮化紹鎵的多重層。 氮化鎵層U的前表面上為具有多重金屬層的—歐姆接 觸層20。在歐姆接觸I 2〇和蟲晶層14的界面處，歐姆接 觸層2〇也當作為—反射器或鏡子，因此在蟲晶層14内的 ，動區域中所產生之光係朝磊晶層的後表自Μ而反射， 4後表面1 6係為與之基板i2界面。歐姆接觸層加可加 之-附著I 22以及導熱性金屬(例如銅)之薄銅晶種層μ (―第4圖）（步驟87)。導熱性金屬也較佳地為導電性的。附 著層的堆疊在形成後可退火。 、 π I姆接觸層20可為於半導體表面沉積和退火的多層堆 疊。歐姆接觸層20可不為原始晶圓的—部份。對氮化^、 碎化鎵m銦元件而m日圓常常含有夾於η型和 ρ型半導體間的-主動區域。在大多數的情況下，上層為 ρ型。對％元件而言，^層可不使用，而只使用晶圓'” 如第5圖中所顯示’使用標準微影術(88)，薄銅晶種 層24以相對厚的光阻26可圖案化。光阻26圖案較佳地 為大約三微米至五百微米範圍内的高度’較佳地為十五微 :至五百微米；且有大約三微米至五百微米的厚度。依據 最終晶片的設計，光阻26圖案較佳地藉由二百微米至二 千微米範圍内的間隔彼此分離，較佳地為三百㈣ 的圖案和元件設計有關。 τ 銅的圖案化層28然後被電錢於光阻26間的層24之上 14 200531319 (89)來形成作為散熱，其形成為新基板的-部份(第6圖）。 銅層28車交佳地為不超過光阻％高度的高度且因此相等或 /方；光阻26的咼度。然而銅層28可超過光阻26高度的 高度。在此情況下，銅層28可能接著薄化為不超過光阻％ 高度的高度。薄化可藉由研磨或濕钱刻來進行。在銅電錢 之後可移除或不移除光阻26。移除可藉由如在光阻剝除溶 液中沖洗或藉由電漿飯刻（aching)的標準或已知方法。 依據7G件4 &十，蟲曰曰曰層！ 4㈣處理係緊接使用如潔淨 (80)、微影術（81)、蝕刻（82)、元件隔離（83)、純化、金屬 化（86)、熱處理（86)等的標準製程技術（第12圖）。晶圓 然後可退火（87)來改進附著。 猫日日層14通常地由在原始基板12上的n型層16與於 原始上表面18上的P型層所製成，而現在上表面18係由 歐姆接觸層20、_ 22、銅晶種層24和電鍍的厚鋼層 28所覆蓋。 、在第7圖中’然後使用原始基板12舉例來說叫的 方法（Μ· K. Kelly, 〇· Ambacher，R Dimitr〇v, r :ir^rann，Phys.stat.SG1.(a)159，R3(i_^ 其、土板精由研磨或姓刻也可移除。假如一犧牲層成長於 2和蟲晶層間，在成長之後，基板以自動分離或藉由機 械力而從磊晶層分離。 然後可執行已知預備的製程。舉例來說這些可 τ(92、93)、乾蝕刻（94)、後表面34的表面結構化（: 微影術（96)。表面結構化（95)形成—結構化的後表面34。 15 200531319 第7圖為倒數第二個 現在曝露在外的後声 1。在基板12移除之後，於 J 從表面 14 f- 44, . 表面圖帛34。後表而— 订表面結構化，因而形成 无衣面的中心部你 姆接觸層30的後# & 35也可蝕刻用作第二歐 並不須敍刻。接合、有兩要的話，中心部份35 -歐姆接觸居也可加至第二歐姆接觸層30。第 一 &人姆接觸層30輕佔砧炎— ^ =J.i + ^_L ，.，、一溥層或多金屬層的堆疊且於 一 '丁、未至五十奈米厚的範圍内。 藉接Sr98)可緊接沉積第二歐姆接觸層30之後，或在沉 積接合墊32之後。 欠 X仕/儿 晶片/晶粒然後藉由已知和標準 後晶片/晶粒被分離成單獨的元件/晶 不需搭接/研磨基板和不需切割。藉 接著進行封裝。

的方法來測試（99)。然 片（100)(第11圖），其 由標準和已知的方法緊 …磊晶層14的前表面從主動區域較佳地為大約〇」至 :政米的範圍之内’較佳地為〇 3微米。對以矽半導體而言 :導體的上表面從元件層較佳地為大、約〇 i i 2 〇微： 视圍之内’較佳地》〇·3微米。#這架構之主動層/元件 接近相對厚的銅墊28，便可改善熱移除速率。 曰額外地或可替換地，相對厚的層28 τ使用纟提供作為 曰曰片的機械支禮。相對厚㈣28也可使用來提供作為從 主動區域/元件層熱移除的路徑，且也可使用來作為電 接。 電鍍步驟係執行於晶圓階段（即切割操作之前）且可同 時用於數個晶圓。 16 200531319 製造氮極體的製造相似於氮化鎵發光二極體的 、一匕3更多的步驟。-不同點在於，氮化鎵雷射一 極體於製造期間兩带& G私拉 、永雷射一 此 而形成反射鏡。使用藍寶石作為基板和那 =藍寶石作為基板的方法比較起來，反射鏡之= σ困難，且反射鏡的品質一般而言較差。 ★弟-歐姆接觸層20係為金屬且相當地平坦， 焭且因此高度地反射光。於第— ^、刀 的界"-歐姆接觸層：：:一接 盖氺蛉山I 吧兩反射表面或鏡子來改 。先輸出。光輸出係經由結構化表面34。 後表式下’結構化表面34係製造於後表面上，該 =ί:藍寶石被附著之表面，且反射層係製造於相 Γ且:上戈 :上或刖表面反射。i言兔恭古 耵k為垂直的轉向。在這種方式下， ”:=18有如普通發光二極體厚度的厚度，例如。.1 〇=;;且結構化表面34的結構化深度可為例如從 〇.〇“-“至2微米的寬範圍之内。 η:的結構化係於後表面上且可形成於基板被移 := 技術的問題便可大大地防止，因為藍寶石基 域間層的總厚度通常超過3微米（3_奈米）， 表面圖案的形成應不會顯著地影響主動區域。 射4立效率具有重大影響之表面的結構化而言，反 機：貝為重要的，因為鏡子增加了光發現離開錐體的 機會。假如鏡子作访罢μ 乂 + ^ ㈣本 放置於刖表面處，假如基板被移除，且 曝露的後表面上完成，則可顯著地 17 200531319 改善光反射，因為前鏡子和後表面的㈣為相當地低-Μ 為幾微米的等級。假如基板未移除，如多數的情況下，鏡 子常常可形成於基板背面，同時表面結構化係完成於前表 面上’因而它們之間的距離為幾百微米。當光於前和後間 傳播-長距離，因吸收而會產生光高度損失。 雖然以銅來說明，但任何其它可電料金屬係可使用， 假如其為電和/或熱傳導性，或為半導體元件的支撐。 後表面的結構化可藉由標準的圖案化方法。舉例來說， 後表面的結構化可接rjn 1Ξ! ,, ^ 糟由圖案化所曝露的後表面且然後蝕 刻。蝕刻也藉由乾蝕刻、蟲蝕 十廿 I、蝕刻、光化學蝕刻、雷射蝕刻 或其它合適其中之一或多個古 ^ ^ ^ 方法。結構化也可藉由微影術 系接者猎由；儿積一層於所嚴言从Μ 士 曰於所曝路的後表面上且然後剝離。 如Huh等人（2〇〇3车τ δ 1 ^ 妨道 年 J· APPI· Phys·卷 93 頁 9383)所 教導’結構化也可藉由沉積一 後以金屬快速熱退…成二=後表面上’且然 y成金屬滴基團，然後可使用為作 表面、纟口構化的蝕刻罩幕。处 勃— 、、°構化可於所沉積的介電膜上來 執仃，取代於後表面執行。 假如第二歐姆接觸層覆蓋後表面 接地形成於第二歐姆接觸層上。在這方: 案化的弟二歐姆接觸層係作為結構化的表面。 蟲晶層沉積於基板上 # 板移除之後，基板可圖案化。因此在基 結構化。 、、Q案化且因而不需後續之後表面 在複數層蟲晶層沉積期間，也可能圖案化或結構化主 18 200531319 動區域下面的層。在這方式下，雖然結構化未在後表面進 行’但在基板移除之前，圖案已經在層狀結構中。在基板 被移除之後，此圖案化可改善發光二極體的取出效率。 雖然以上說明内容已描述本發明較佳形式，熟悉本項 技術人士應了解的是，在不偏離本發 、 J杈下，可進行設 計、構造和操作的許多變化和修改。 【圖式簡單說明】 句ί更瞭解本發

僅茲士 a 〜十私q月有實用效… 明二 的例子的方式來說明本發明較佳實施例，說 内令係麥照圖式（未依比例）〇 第1圖為從半導體元件離該的光的示意圖； 第2圖表示第丨圖半導體元件之内所產生子 有夕個機會來發現離開錐體； ^子’其 第4圖 思、圖； 弟3圖為在製程中第—階段之半導體 “呈中第二階段之第3圖半導體元件的示 圖盔*制〜... 干的不思圖，

圖為在製程中第 三階段之第3圖 半導體元件的示 圖 ;“圖為在製程中第四階段之第3圖半導 第7圖為在製程中第五階段之第 體元件示意 意圖； 3圖半導體元件的示 第8圖為第 第9圖為從 7圖半導體元件的側視圖； 第7圖和第8圖半導體元件所產生單 ΒΒ 19 200531319 粒的仰視圖； 第1 0圖為在製程中第六階段之第3圖半導體元件的示 意圖； 第1 1圖為第1 0圖半導體元件的側視圖；及 第1 2圖為製程流程圖。 【主要元件符號說明】 10 ·晶 0 12 :基板 14 :磊晶層 16 :下表面 18 :上表面 20 :第一歐姆接觸層 22 :附著層 24 :晶種層 26 :光阻 28 :銅層 30 :第二歐姆接觸 32 :接合墊 34 :後表面 3 5 :中心部份 20

Claims (1)

1. 200531319 十、申請專利範圍： 1 · 一種用於製造半導體元件的方法，該半導體元件於 一基板上具有複數層磊晶層，該複數層磊晶層包括一主動 區域光此夠產生於該主動區域中，該方法包含： ()施加至夕一第一歐姆接觸層至該磊晶層的前表面， 該第一歐姆接觸層也當作為一反射器； (b)從該蠢晶層的後表面移除該基板；及 (Ο結構化該後表面。 2·如申請專利範圍帛1項所述之方法，其中在該基板 移除之前，一j日 相對；層的熱傳導金屬係電鍍於該反射器 •如申睛專利範圖笛 ^ _ 圍弟1項所述之方法，其中在該基板 =則’―熱傳導金屬層的-晶種層係施加至該歐姆接 上且—相對厚層的該熱傳導金屬係電鍍於該晶種層 _ D甲請專利範圍第

   晶種層前，該前夺“ —1員所述之方法，其中於施加該 戶堆晶的1由 叉覆層，該覆層為-附著層和-多 層堆定的其中之—或更多。 夕 其中在該電鍍 且該相對厚層 其中該圖案化 其令在該電鍍 的步驟之前，_同 圖案化層可加至該 之電鍍係介於圖案間。 6·如申請專利_ 5項所述 層包含光阻圖案。 7 ·如申請專利筋 」靶圍弟3項所述 21 200531319 步驟之前，該晶種層係被圖案化，且該相對厚層的電鑛係 介於該圖案間。 8·如申請專利範圍第7項所述之方法，其中於該晶種 層上的圖案包含光阻圖案。 9·如申請專利範圍第5項至第8項其中任一項所述之 方法，其中該圖案為三微米至五百微米範圍内的高度。 iO·如申請專利範圍第5項至第8項其中任一項所述之 方法，其中該圖案具有三微米至五百微米範圍内的厚度。 、Π·如申請專利範圍第5項至第8項其中任一項所&述之 方法’其中該圖案具有二百微米至二千微米範圍内的間 隔0 1二如甲請專利範 圖案化可於 方法’其中該晶種層係被電鍍而不需圖案化 後續執行。 其中圖案化 13.如申請專利範圍第12項所述之方法 係藉由光阻圖案化且然後濕蝕刻來進行。 其中圖案化 14 ·如申凊專利範圍第12項所述之方法 係藉由4相對厚層的雷射束微加卫來進行。 1，5·如申請專利細i項至第8項其中任一項所述之 ”中在移除該基板之前，執行退火來改善附著。 1:申請專利範圍第2項至第8項其中任一項所述之 〃中°亥相對厚層為不超過光阻高度的高度。 方法Π·::請專利範圍第2項至第8項其中任-項所述之 / ㈣目對厚層的該熱傳導金屬係被電鍍超過光阻 22 200531319 高度且後續被薄化。 18.如申請專利範圍第17項所述之方法，其中薄化係 藉由研磨或濕餘刻來進行。 19·如申請專利範圍第1項至第8項其中任一項所述之 方法，其中該結構化步驟卜）係藉由下列方法其中至少一方 法來進行：（a)圖案化該後表面且然後蝕刻，（b)微影術緊接 著藉由後表面上之層的沉積且然後剝離，且（c)藉由後表面 上沉積一薄金屬膜，且然後金屬快速熱退火來形成可使用 為作表面結構化之蝕刻罩幕的金屬滴。 20·如申請專利範圍第19項中所述之方法，其中蝕刻 係藉由以下方法其中一或多個方法來進行：乾蝕刻、濕蝕 刻、光化學钱刻和雷射蝕刻。 21. 如申請專利範圍第丨項至第8項其中任一項所述之 方法’其中該結構化的外形和尺寸係可變化。 22. 如申請專利範圍第丨項至第8項其中任一項所述之 方法’其中在步驟⑻中移除該基板之後，該後表面被触刻 且該後表面然後被結構化。 23·如申請專利範圍第丨項至第8項其中任一項所述之 方法，其中在步驟（b)中移除該基板之後，至少一層係加至 炫後表面且該至少一層係被結構化。 24.如申請專利範圍第！項至第8項其中任一項所述之 方法，其中包括一額外的步驟為在該後表面上形成一第二 歐姆接觸層’㈣二歐姆接觸層係選自：不透光、透光和 半透光；該額外的步驟係在以下之一執行：在步驟（c)之後， 23 200531319 或步驟（b)和步驟（c)之間。 25.如申請專利範圍g 24項所述之方法 歐姆接觸層係為空白或圖案化。 X 1如申請專利範圍第24項所述之方法， 可形成於該第二歐姆接觸層上。 接口塾 、、27.如中請專利範圍第丨項至第8項其巾任—項所述之 方法，其中施加該相對厚声德 、 層之後形成歐姆接觸且進行後 、、〜驟’賴續的製程步驟包括接線接合塾沉積。 28.如申請專利範圍第24項所述之方法，1中在: IS接觸層沉積之前，該曝露的第二表面係受賴理 29·如申請專利範㈣24項所述之方法， 歐姆接觸層未覆蓋該後表面的整個區域。，、以弟一 μ 30.如申請專利範圍第項所述之方法，梦 弟二歐姆接觸層覆蓋爷 八 又如口亥 °亥後表面的大部份，步驟（c)於該第二 化的表面。'妾地執仃，且該第二歐姆接觸層為結構 …I1.如申請專利範圍第24項所述之方法， 離成單獨元件的步驟。 八匕括分 3 2 ·如申請專利蔚 古> ^, 圍弟項至第8項其中任一項所述& 方法，其中該半導體元、所述之 製造：搭接、研磨和切割。下之—個或更多個方式來 ，：請專利範圍第1項至第8項其中 方法，其中該至少_ 一 貝所述之 一歐姆接觸層係於該磊晶層的p型 24 200531319 層上。 31項所述之方法，其中該第二 晶層的η型層上。 1項至第8項其中任一項所述之 ’介電膜係沉積於該磊晶層上， 和第二歐姆接觸層中，且接合墊

   34·如申請專利範圍第 歐姆接觸層係形成於該磊 35·如申請專利範圍第 方法，其中於步驟（c)之後 且有開口切開於該介電膜 係沉積於該磊晶層上。 36.如申請專利範圍第 方法，其中在步驟（c)之後 上0 1項至第8項其中任一項所述之 ，電鍍一熱傳導金屬於該磊晶層 37·如申請專利範圍第 所述之方法，其中該熱傳 ^屬包含銅且該蟲晶層包含多重氮化鎵相關層。 38.如申請專利範圍第35項所述之方法，其中步驟⑷ 係在该所沉積之介電膜中執行，並非該後表面。 39·—種用於製造半導轉 一 、表仏千导體兀件的方法，該半導體元件於 土板上具有複數層蟲晶層’該複數層i晶層包括一主動 區域，光能夠產生於該主動區域中，該方法包含·· (a)於該複數層磊晶層沉積 償牡丞板上之別，圖案化該基 板； 一㈨施加至少—第一歐姆接觸層至該複數層蟲晶層的一 别表面，該第一歐姆接觸層也當作一反射器；及 ⑷從該^層的-後表㈣除該基板，使得在該基板 移除之後，該後表面已圖案化。 後如申請專利範圍第39項所述之方法，其中在基板 25 200531319 移除之後’不需進行後續的後表面結構化。 41 · 一種用於製造半導體元件的方法，該半導體元件於 一基板上具有複數層磊晶層，該複數層磊晶層包括一主動 區域，光能夠產生於該主動區域中，該方法包含： (a) 於沉積該複數層磊晶層期間，圖案化該主動區域下 面的該複數層磊晶層； (b) 施加至少一第一歐姆接觸層至該複數層磊晶層的一 前表面，該第一歐姆接觸層也當作一反射器；及 (c) 移除該基板。 42.-種用於製造半導體元件的方法，該半導體元件於 —基板上具有複數層磊晶層，該複數層磊晶層包括一主動 區域，光能夠產生於該主動區域中，該方法包含： 、a)%加至v第一歐姆接觸層至該複數層磊晶層的一 前表面，該第一歐姆接觸層也當作一反射器； (b)從該磊晶層的一後表面移除該基板； (C)沉積介電膜於該蟲晶層上；及 (d)結構化該介電膜。 二、 —- 於琢磊晶層一刖表 面上且提供一反射表面的 ^ 一 &姆接觸層、和於該磊晶層 ^々面上的一第二歐姆接觸層；該後f &彳έ主 化。 曰 4俊表面係被表面結構 乂匕έ於該第一歐姆接觸溽一 m上的一相對厚層的熱 屬’於該第一歐姆接觸厗知 ”、、 、’ 層和该相對厚層間於該第-歐姆接 26 200531319 觸層上有一附著層。 45.如申請專利範圍第44項所述之半導體元件，其中 該熱傳導金屬的一晶種層係施加至該附著層。 46·如申請專利範圍第43項至第45項其中任一項所述 之半導體元件’其中該相對厚層為至少二十微米厚。 47. 如申請專利範圍第43項至第45項其中任_項所述 之半導體元件，其中該第二歐姆接觸層為從三奈米至五百 奈米範圍内的薄層。 48. 如申請專利範圍第43項至第45項其中任一項所述 之半導體元件，其中該第二歐姆接觸層係選自以下性質： 不透光、透光和半透光。 49·如申請專利範圍第43項至篦 項主弟45項其中任一項所述 半導體元件，其中該第^ ^ $ 布一&人姆接觸層包括接合墊。 之 項所述 層包含 項所述 二極體 50·如申請專利範圍第43項至第45項其中任一 之半導體元件’其中該熱傳導仝屬 得¥金屬係為鋼且該磊晶

   多重氣化叙相關蠢晶層。 51.如申請專利範圍第43項至第45項其中任一 之半導體元件’其中該半導體元件係選自：一發光 元件和一電晶體元件。 52·如申請專利範圍 之半導體元件，其中該 案化。 第 第 _43項至第45項其中任-項所述 —歐姆接觸層係選自：空白和圖 27