TW200416726A - Optical information-recording media and optical information-recording /reproduction apparatus - Google Patents

Optical information-recording media and optical information-recording /reproduction apparatus Download PDF

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Description

200416726 五、發明說明（1) [發明所屬之技術領域】 本發明係有關於光資 j 的記錄的執行係以帝射朵4屺錄媒體，而光資汛記錄媒體 位，且特別有關、於^立變2變記錄膜的反射率或光學相 記錄/放錄裝置，並且 一光碟。本發明亦有關於光資訊 訊記錄媒體來記錄和放^光貧訊記錄/放錄裝置係使用光資 欲綠先貧訊的片段。 【先前技術】 為了使用相位變化光碟 射光係用於處理記錄經，士钒仃貝汛的5己錄和放錄，雷 pa ^ . 〉、、。己錄膜在結晶狀態和非結晶狀離 間產生可轉換的狀態轡仆， 曰队心 ..^ ^ 心欠化 亚且用於改變記錄膜的反射性 或光學相位。要準備—用a ―欠> 有用以记錄貢訊片段的光碟，在光碟 衣ie彳 立即加上非結晶狀態的記錄膜並以雷射光來結晶 化（此步驟稱為初始化）。然後，記錄膜再度以雷射光處理 且回到非結晶狀態。GeTe、SbTe、GeSbTe、InSbTe、以及
AglnSbTe的薄膜係典型且眾所周知的記錄膜。
要增加相位變化光碟的記錄容量，製造者已運用了信 號處理技術、用以記錄在用於行溝於基板上的導溝内及^ 義於導溝間的平面部分兩者的資訊片段之岸面溝槽記錄技 術、以及致能小於光繞射限制的符號放錄的超解析放錄技 術。除了這些技術，在同一雷射入射面提供有更多記錄面 的多層碟是增加記錄容量的較佳選擇。結果，由於具有兩 層§己錄膜的雙層碟的容量可以大為增加，雙層碟的發展^ 經被積極地研究。 X 2149-6152-PF(N2);Ahddub.ptd 200416726 五、發明說明（2) 當與單層碟比較，雙層碟的容量可以最多增加約兩 倍。事實上，對於使用紅色半導體雷射的DVD_R〇M而言， 單層4.7-GB碟和幾近兩倍容量的雙層9-GB碟目前已在市面 上銷售。 對於使用同一雷射入射面的雙層碟而言，接近雷射入 射面的碟，如第2圖所示，定義為L 0碟1 〇，以及離雷射入 射面較遠的碟定義為L 1碟2 0。在下列的說明中，l 〇碟1 〇和 L1碟20也稱為層L0和L1。對於這些層L0和L1、介電質膜12 和22、記錄膜13a和23a、介電質膜14和24、以及反射膜15 和2 5分別沉積於基板1 1和2 1的上面和下面。層1 〇和2 〇的輕 合係將層L 0的反射膜1 5和層L1的反射膜2 2藉由中間層1 6接 合在一起。 對於記錄在層L1的一份資訊的放錄，層L 〇 一定要具有 有關用於資訊放錄的半導體雷射的特定傳送係數。假使層 L 0的傳送係數被定義為τ 〇和層L1本身的反射率被定義為 R1，層L1的有效反射率在雙層碟的L1碟2〇的資訊放錄時會 降至TO2 XR1。假使TO被定義為〇· 3(3〇%)，層“的有效反射 率將降至L1碟2 0本身的反射率的9 %。 為了得到L1碟20的有效反射率，L〇碟1〇的傳送係數必 須大約為0· 5(50%)。如果L0碟1〇的傳送係數太高，L〇碟1〇 的反射率會降低且錄在L0碟1〇的信號品質會惡化。因此， 要得到L0碟10和L1碟20兩者令人滿意的特性，L〇碟1〇的傳 送係數最好大約為〇. 5。 作為由fc例組合兀件所組成的記錄膜之InGeSbTe記錄
200416726
膜，已在專利文件1(日本專利公開公報第He i 7-223 3 72 ^)，中加以說明了，係以增加重寫操作數為目的。此文件 勺力入並非取代Sb，而是加入以取代部份的母成份 GeSfTe，即In係以（GeSbTe)wIny(見專利文件n的形態加 入又，專利文件1中所述，如後所說明的，當範圍在 (K03Sys〇.3為適當時，藉由加入小量的in並以in取代別 的部份，記錄特性會明顯改善。 一 既然用於相位變化光碟的記錄膜1 3 a和2 3 a具有相關於 資訊記錄和放錄時所發出的雷射光的特定吸收係數，記錄 膜13a和23a的厚度必須降低以得到大約〇· 5的傳送係數。 一般’用於單層光碟的相位變化記錄膜的厚度設在丨3至 25nm之間。另一方面，要得到大約〇· 5的傳送係數，傳統 地’記錄膜1 3a和2 3 a的厚度必須降低至β nm。不過，當記 錄膜的厚度降低至大約6nm，結晶化的速度降低，產生了 另外的問題，例如消除功能降低、或是資訊片段被重寫的 重寫操作數下降。 傳統地’當化錄膜的厚度降低時，表面層，例如是以 GeN或SiN製成，被另外沉積於記錄膜13a或23a以及介電質 層1 2和1 4或2 2和2 4間以防止消除功能的惡化。不過，表兩 層的加入使光碟製造過程變得複雜，且增加碟的製造成 〇 【發明内容】 本發明的目的之一係提供光資訊記錄媒體，此光資訊
2149-6152-PF(N2);Ahddub.ptd 第8頁 200416726 五、發明說明（4) ^ ----— =沒有另加的中間：並具有特定的傳送係數，並具有雙 根據本發明的-形態，提供= 特性。 以改變記錄膜的反射性或光學相位的=射光照射記錄膜 ^ π、 的貪訊記錄媒體。 (:?)氣InyTe3係用作記錄膜的主要成份，並且設定記 錄膜的成份比例在約0.04 Sy<2及4 & g範圍内。 斤根據此形態，記錄膜的厚度可以等於或大於6nm，並 ::或小於13nm…資訊記錄層的形成使記錄膜 月基板上的介電質膜間。反射膜形成於光人射面的相反面 的資訊記錄面上。結果，可提供具有單一資訊記錄層的光 貧訊記錄媒體。 以下提供一具有兩層資訊記錄層的資訊記錄媒體。雙 層資訊記錄媒體包括：一雷射光進入的第一透明基板；一 沉積於第一透明基板上的第一資訊記錄層；一形成於第一 資訊記錄層上的第一反射層；一沉積於第一反射膜上的中 間層’一形成於中間層上的第二資訊記錄層；一放置於第 二資訊記錄層上的第二反射膜；以及一提供於第二反射膜 上的第二基板；其中上述各第一和第二資訊記錄層的形成 使S己錄膜夾在第一和第二介電質層之間；以及其中第一和 第二資訊記錄層各具有以（GeTe)xSb2_y InyTe3所代表的主要 成份，並且成份的比例在〇 , 〇 4 $ y < 2以及4 $ y S 8的範圍 間。 本發明的光資訊記錄媒體，例如，可使用複碳基板或 玻璃基板。又，SiN、Si02、TaOx、AlxOx、AIN 或
2149-6152-PF(N2);Ahddub.ptd 第9頁 200416726 五、發明說明（5)
Zns:Sl〇2,、或這些物質組合的壓層可用於第—或 入雷 質膜，亚且約l〇nm厚的Ag或^膜可用作反射膜—。;1 K昭m 有4GG到43Qnm波長的半導體雷射 先以…、射任一上述的光資訊記錄媒體。 根據本發明，可提供光資訊記錄媒體，其中合 的厚度降低時，媒體的特定傳送係數確定且無另力田口的^ 層必須形成，並具有優良的消除功能及重複重寫數兩者。 特別當記錄膜只有8nm厚時，可得到至少5%的傳送係數。 又，當使用本發明的光資訊記錄媒體時，得到用於光資訊 片段的記錄和放錄的高C/N值，係使用產生40 0到430隨波° 長的光之半導體雷射。此外，當應用本發明的光資訊記錄 媒體’此媒體可改進消除交擾的特性，並增加記錄密度。 【實施方式】 第1圖係根據本發明的光資訊記錄媒體的結構剖面 圖。如第1圖所示，一根據本發明的雙層光資訊記錄媒 體’包括：層L0(10)、層Ll(20)、以及用於接合層L〇和層 L1的中間層1 6。關於此發明，雖然單獨層L0可用作單一層 型的光資訊記錄媒體，而在下列說明中，主要採用雙層型 的光記錄媒體。 可採用複碳（PC)基板或玻璃基板作為基板11和21。用 於以雷射光射出來行溝以記錄和放錄資訊片段之導溝通常 形成於基板1 1和2 1。L 0碟1 0的設計係連續將介電質膜1 2、
200416726 五、發明說明（6) I己錄膜13、介電f膜14、以及反射膜15在基板u 層。
SiN、S%、Ta〇x、Al2〇3、ΑΙΝ 或贏―μ% 或以 成的壓層膜可用於介電質膜12和14，以及主要 (GeTe)xSb2_y InyTe3的薄膜應用於記錄膜13。成份（GeTe) xSb2_y InyTe3的較佳濃度係多於95%，且可加入某些元素如
Te Cr、Co、Ag、Si專以改進耐久性。由於碟 10的反射膜15需要特定的傳送係數，一般使用i〇 — nm厚的、
Ag或Au膜。為了如所需地改進碟的機械特性和耐久性，可 另外在反射膜上沉積介電質膜丨5。 由於雙層膜只具有一雷射光入射面2〇，u碟2〇的設計 係連續將反射膜25、介電質膜24、記錄膜23、以及介電質 膜22在基板21上製成壓層。與用於L〇碟1〇相同的材質也可 使用於沉積在L1碟20上的介電質膜22和24以及記錄膜23。 由於L1碟20的反射膜25不需要特定的傳送係數，只需 要厚度約lOOnm的金屬膜，包括以Al，Ag或Au作為主要元@ 素且常用於一般的光學資訊記錄媒體，例如— R或 DVD-RW 。 / 利用藏鍍法製造L0碟10和L1碟20後，中間層16形成係 用紫外線補樹脂或透明帶，且碟1 0和1 1兩者接合至中間層 1 6。以此型式完成了雙層碟。中間層1 6也用作屏障以防： 記錄於L0碟10的資料在執行放錄L1碟20的過程中的雜音干 擾，以及防止記錄於L1碟20的資料在執行放錄L〇，1〇 ^過 程中的雜音干擾。
200416726 五、發明說明（7) * -- 本發明的光資訊記錄媒體提供顯著的效果，特別是用 =用波長 的半導體層的光f訊片段的記錄和 放錄。 第3圖係範例結構圖，用以顯示根據本發明的光資訊 §己錄/放錄裝置的結構。記錄於碟3〇的—份資訊（記錄資 说）/tCPU31傳送至雷射，驅動器32，且用於記錄的雷射光的 功^和脈衝見根據記錄資訊由雷射驅動器3 2控制。又，指 不兩層中的哪一層被用於記錄的選擇信號由i提供， 且根據此選擇信號，光學磁頭33的聚焦位置在層間變化。 光學磁頭33所提供的資訊片㈣利用放錄信號產纟器以和 貧料確認器35來用作放錄資料片段。 [第一實施例] 具有不同成份的L0碟用於記錄膜13((GeTe)xSb2yInyTe3 二的X和y會改變）係採用〇 . 6mm厚的pc基板丨丨來製造，而各 記錄膜13的厚度為8nm。執行這些L〇碟的記錄和放錄評 估。各碟的傳送係數等於或大於〇·5(5〇%)，且根據本發明 的光資訊記錄媒體，即使是8nm厚的記錄膜也可以得到令 人滿思的傳迗係數。形成導溝的基板，縲紋為4 5 v m以及 深度為25 Am，可用作PC基板n，資訊片段錄在導溝内。 各L0碟採用ZnS-S%作為介電質膜12和14，以及1〇nm厚的 Ag膜用作反射膜15。 s L0碟以5. 6m/s的線性速度旋轉時，將8T的信號以 6/MHz(T=15· 15ns)的時脈頻率被覆寫以3Τ的符號，且8Τ信 唬的/肖除率係以個別的碟來測量。對於記錄和放錄，係使
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用波長40 5nm和數值孔徑（ΝΑ)0· 65的物鏡的光學磁頭。$ 錄膜的成份和消除率間的關係如表1所示。 [表1] (Xτ y) δΤ消除率(Db) (4 T 0.02) 20 (4 ^ 0.04) 26 (4 ^ 0.1) 30 (4，0.2) 28 (4 ^ 0.3) 26 (δ ^ 0.02) 19 (δ ^ 0.04) 25 (8 ^ 0.1) 广30 (δ ^ 0.2) 29 (8 τ 0.3) 26 明顯地，根據表1，當〇· 04 且在4 - X $8的範圍 内，即使是薄如8nm的記錄膜也可得到高消除率（等於戍言 於25dB)。 …回 [第二實施例] 在此實施例中，當各記錄膜13為8nm厚時，不同的成 份用於L0碟中的記錄膜13((GeTe)xSb2_y InyTe3中的χ和丫會改 變），而L0碟係使用與第一實施例中相同的PC基板丨丨來製 造。於是’執行這些L0碟的記錄和放錄評估。當L0碟以5β 6 m / s的線性速度旋轉，8 T的信號以6 0 Μ H z (T = 1 5 · 1 5 n s )的時 脈頻率被記錄，且這些8Τ信號的C/ Ν值被測。 對於記錄和放錄，係使用波長4〇5nm和數值孔徑 (N A ) 0. 6 5的物鏡的光學磁頭。記錄膜1 3的成份、C / N值、
2149-6152-PF(N2);Ahddub.ptd 第13頁 200416726 五、發明說明（9) 和記錄雷射功率間的關係如表2所示。 [表2] (X，y) 8Τ C/N (dB) 記錄雷紂功率(mW) (3.5 τ O.l) 50 1 5 (心 〇” 54 5.3 (6 ^ 0.1) 56 5.8 (δ ^ 0.1) 57 6 (β-5 ^ 0.1) 57 7
明顯地，根據表2，當X ^4，可得到高C/N值。不過， 當X增加時，用於記錄的雷射功率也增加，且特別在x>8時 急速地增加。由於高的記錄功率增加了施加於雷射的負 載’且加速了雷射品質的惡化，因此最好是低的記錄功 率。4 $ X $ 8所示的範圍係適合於用於記錄膜1 3的成份。 明顯地，根據第一和第二實施例，為了得到高消除率 和高C/N值（記錄功率沒有隨著劇烈增加），在（GeTe) x S b2_y I ny T e3 中成份範圍係 4 $ X $ 8 以及 〇. 〇 4 $ y < 2 間。〇 · 0 4 ^y<2 對於記錄膜13滿足表2中的（x，y) = (3· 5，〇· j )和（4， 〇· 1 )之碟，在執行記錄後，C/N值利用波長66〇nm的紅半導 體層來評估。對於如此的碟，C/N值幾乎沒有差別。因
此，藍紫半導體雷射（具有4 0 0到43〇nm的波長）係用於顯示 改變X值以提供顯著改進的C/N值。 、 [第一比較範例] 與第一實施例中相同的PC基板以及成份厚度不同的記 錄膜1 3 (( Ge6Sb2Te9 )1-y I ny中的y會變化）用於製造[〇碟，且
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執行L 0碟的δ己錄和放錄評估。對於. 介雷皙瞪nin ' 0茱，ZnS-Si〇2用於 ’丨電貝版12和14，且l〇nm的Ag膜用作反射膜15。 在此比較範例中，Gedl^Te9係加入In前的母成份， 應本發明中x = 6的情況。當L0碟以5.6m/s的線性速度 時，8T的信號以60MHz(T = 15· 15ns)的時脈頻率被覆寫以吋 的符號，且測量8Τ信號的消除率。對於記錄和放錄，係使 用波長40 5nm和數值孔徑（ΝΑ)0· 65的物鏡的光學磁頭。記 錄膜1 3的成份和傳送係數間的關係如表3所示。根據表3， 發現當加入In取代GeSbTe其中一部份，在使用薄的記錄膜 時無法避免消除率的降低。 [表3] y 記鋼莫的厚度(nm) δΤ消除率(dB) 傳送係數(¾) 0.1 12 30 30 0.1 10 26 40 0.1 δ 20 49 0.03 δ ΐδ 48 0.15 δ 18 50 [第三實施例] 在此實施例中，碟的製造係使用厚度〇.6的pc基板 11以及厚度不同的記錄膜，並且執行記錄和放錄評估。記 錄膜13的成份中，（GeTe)xSb2_y InyTe3的X二6及y = 0· 1。各碟 係連續將ZnS-Si02(12)、記錄膜 13、ZnS-Si02(14)、以及 Ag反射膜15在PC基板11上壓層。形成導溝的基板’縲紋為 0.68/zm以及深度為45nm，係用作PC基板1丨’並且在導溝 内以及形成於導溝間的平面部份執行記錄（岸面導溝記
2149-6152-PF(N2);Ahddub.ptd 第15頁 200416726 五、發明說明（π) 錄）。當碟以5. 6m/s的線性速度旋轉時，8Τ的信號以 = z(T = 1 5. i 5ns)的時脈頻率被覆寫以3Τ的符號。，且8了信 f的>肖除率被測。X，對於另—執，8Τ信號。〇。 測出交擾消除值（C1-C0) 次，且8Τ信號的C/N值被測。又，對於附加的軌，3了信號 ，錄在導溝内，且3Τ信號的載子（c〇)值被測。然後，8τ信 號破覆寫在鄰接的岸面（定義於導溝間的平面部份〇 ° 次，3J信號的載子（C1 )值再次被測量給導溝。如此一來， 對於記錄和放錄，係使用波長40 5nm和數值孔护 (NA) 0.65的物鏡的光學磁頭。記錄膜厚、消除率 值、以及交擾消除值間的關係如表4所示。當記錄 度降至5nm時由於消除率和重覆特性（8T信號的c/n值: 1 〇〇次後）大為下降，記錄膜的厚度最好是等羚或大於I ”’、 6nm。又，根據本發明，由於當記錄膜的厚度增加至j 時重覆特性惡化，明顯地，根據表4，記錄膜厚的 = 圍係等於或大於6nm、或等於或小於13nm。 田乾 [表4] 記綠膜的厚度(nm) 消除率(dB) 8T C/N(dB) 交擾 5 22 45 0 — 6 26 54 0 10 30 55 13 30 55 0 13(Ge6Sb2Te9 未加入丨η) 30 55 -2 15 26 48 0 一 明顯地，根據表4，本發明的記錄膜具有極佳的交桿
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五、發明說明（12) 消除特性。因此，本發明的記錄膜不只適合L 〇雙層光碟， 還適合麼傳統單層光資訊記錄媒體。也就是說，記錄膜由 於記錄膜優良的交擾消除特性可明顯地增加記錄密度。 第4圖所示係單層光資訊記錄媒體的範例結構◦第4圖 中的光資訊記錄媒體包括一雷射光束穿入的透明基板4工、 以及在透明基板4 1上形成資訊記錄層。此資訊記錄層包 括：一沉積於透明基板41上的第一介電質膜42、一形成於 第一介電質膜42上的記錄膜43、以及一形成於記錄膜“上 的第二介電質膜44 ;此外，反射膜45係沉積於第二介電質 膜44上。記錄膜43的成份以（GeTe)xSb2yInyTe3為代表，並 且成份的比例在0 · 0 4 $ y < 2以及4 $ y $ 8的範圍間。當使用 0·6ππιι厚的基板時，一般，如第4圖所示，基板“藉:紫外 線補樹脂或透明帶所製成的中間層46接合至資訊^錄並 形成其上的基板47。 當本發明的記錄膜用於雙層碟時，只需要本發明約 8nm厚度的記錄膜應用於需要特定傳送係數的L〇碟' 而只 需要本發明約1 2nm厚度的記錄膜應用於不需要特別限定的 傳送，數的L1碟。因此，可輕易提供具有優良重複特性且 致能南密度記錄操作的雙層碟。由於本發明的記錄膜 率與膜厚只有稱微相關，可使用具有同樣成份的記且 只需要改變膜厚，即可製造出L〇和以碟。 /、、 [第四實施例] 斤要仔細檢查由於加入In而交擾消除下降的效果，執行 與第二貫施例相同的測量。用於此測量的基板、保護膜、
2149-6152-PF(N2) ;Aliddub.ptd 第17頁 200416726 五、發明說明（13) 和反射膜與第三實施例所使用的相同。者夂々μ 屎眸rr τ ^ ck τ τ从#八士 Is己羞彔膜為12- 厗日守，（GeTe)6Sb2_yInyTe3的成份在¥ = 0.02到〇3所 圍内變化。當交擾消除值以與第三實施例相同 ^ , 仔’結果如表5所示。 ' [表5] y 交擾消除(〇Β) 0.02 -2 0.04 -0.3 0.1 0 0.2 0 _ 0.3 0 明顯地，根據表5，藉由加入既定曰 SM特別是y㈤可大為下降交擾消既除\!。心作為取代 根據本發明的上述實施例，厚^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 應用於本發明的光資訊記錄媒體。不：，的本 記錄不/厚度如°」二二 功能及重複特Η確保；；:;=:具有優 用值極大。 亏疋〕得达係數。此記錄膜的只 t
2149-6152-PFf Ν9Λ . AhHrlnh. ntd
第18頁 200416726 圖式簡單說明 第1圖係剖面圖，用以說明根據本發明一實施例的光 資訊記錄媒體的結構； 第2圖係剖面圖，用以說明傳統的光資訊記錄媒體的 範例結構； 第3圖係範例結構圖，用以顯示根據本發明的光資訊 記錄裝置的結構；以及 第4圖係範例結構圖，用以顯示單一層型的光資訊記 錄媒體的結構。 符號說明] 10 L0碟 12 介電 質膜； 13 a〜記錄膜； 15 反射 膜； 20 L1碟 9 22 介電 質膜； 23 a〜記錄膜； 25 反射 膜； 31 CPU ； t 33 光學 磁頭， 35 資料 確認器 42 介電 質膜； 44 介電 質膜； 46 中間 層； 11〜基板； 1 3〜記錄膜； 1 4〜介電質膜； 1 6〜中間層； 2 1〜基板； 2 3〜記錄膜； 24〜介電質膜； 3 0〜碟； 3 2〜雷_驅動器； 3 4〜放錄信號產生器 41 /^^基板， 4 3〜記錄膜； 4 5〜反射膜； 4 7〜基板。
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Claims (1)

  1. 200416726 六、申請專利範圍 1 · 一種光資訊記錄媒體，其中記錄的執行係藉由發射 雷射光至記錄膜以改變記錄膜的反射性或光學面，包括： 一第一透明基板（11)，雷射光進入其中； 一第一資訊記錄層，沉積於上述第一透明基板上； 一第一反射層（1 5 )，形成於上述第一資訊記錄層上； 一中間層（1 6 )，沉積於上述第一反射膜上； 一第二資訊記錄層，形成於中間層上； 一第二反射膜（2 5 )，沉積於上述第二資訊記錄層上； 以及 一第二基板（21)，提供於上述第二反射膜上； 其中上述各第一和第二資訊記錄層的形成使記錄膜 (13，23)夾在第一和第二介電質層（12，14 ;22，24)之 間；以及 其中上述各第一和第二資訊記錄層的記錄膜具有以 (GeTe)xSlvy InyTe3所代表的主要成份，並且成份的比例在 0· 04 Sy<2以及4 S8的範圍間。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中 上述記錄膜的厚度等於或大於6nm，並等於或小於13nm。 3.如申諝專利範圍第2項所述之資訊記錄媒體，其中 上述第一反射膜的厚度約為1 〇nm。 4 · 一種光資訊記錄媒體，其中記錄的執行係藉由發射 雷射光至記錄膜以改變記錄膜的反射性或光學面，包^ 一第一透明基板（11)，雷射光進入其中； · 一資訊記錄層，形成於上述透明基板上，包括_沉積
    200416726 =士述，明基板上的第一介電質膜（12)、一放置於上述第 二^電質膜上的記錄膜（13)、以及一沉積於上述記錄膜的 第二介電質膜（14);以及 反射膜（15)，形成於上述第二介電質膜上； 、^中士述記錄膜具有以（GeTe)xStVy InyTe3所代表的主 要成份，並且成份的比例在0. 04 Sy<2以及4 gy 的範圍 間。 5·如申請專利範圍第4項所述之資訊記錄媒體，其中 a己錄膜的厚度等於或大於6ηιη，並等於或小於丨3nm。 6 · 種光負Λ g己錄/放錄裝置’包括： 一光資訊記錄媒體； 一光學磁頭，用以發出雷射光至上述光資訊記錄媒 體；以及 驅動機構’用以I區動上述光學磁頭發出雷射光至上 述光資訊記錄媒體上需要的位置； 其中，上述光學資訊記錄媒體包括： 一第一透明基板（1 1 )，雷射光進入其中； 一第一資訊記錄層，沉積於上述第一透明基板上； 一第一反射層（1 5 )，形成於上述第一資訊記錄層上； 一中間層（1 6 )，沉積於上述第一反射膜上； 一第二資訊記錄層，形成於中間層上； 一第二反射膜（2 5 )，沉積於上述第二資訊記錄層上； 以及 一第二基板（21)，提供於上述第二反射膜上；
    200416726 六、申請專利範圍 〜 ______ 其中上述各第一和第二資訊記錄層的形成使 (13，23)夾在第一和第二介電質層（12，13 ; 22 、彔祺 間；以及 4 )之 其中上述各第一和第二資訊記錄層的記錄犋具 (GeTe)xSb2_yInyTes所代表的主要成份，並且成份的、以 0.04Sy<2以及的範圍間。 例在 7. 如申請專利範圍第6項所述之資訊記錄/敌錄壯 其中6己錄膜的厚度專於或大於βηπι，並等於或小於^3置， 8. 如申請專利範圍7項所述之資訊記錄/放錄裝。 中上述弟一反射膜的厚度約為l〇nm。 /、 9 · 一種光資訊記錄/放錄裝置，包括·· 一光資訊記錄媒體； 一光學磁頭，用以發出雷射光至上述光資訊記錄媒 體；以及 一驅動機構，用以驅動上述光學磁頭發出雷射光至上 述光資訊記錄媒體上需要的位置； 其中，上述光學資訊記錄媒體包括： 一第一透明基板（1 1 )，雷射光進入； 一資訊記錄層，形成於上述上述透明基板上，包括一 沉積於上述透明基板上的第一介電質膜（1 2 )、一沉積於上 述第一介電質膜上的記錄層（1 3 )、以及一沉積於上述記錄 膜的第二介電質膜（1 4 );以及 一反射膜（15)，形成於上述第二介電質膜上； 其中上述記錄膜具有以（〇6了6)3132111^63所代表的主
    2149-6152-PF(N2);Ahddub.ptd 第22頁 200416726 六、申請專利範圍 要成份，並且成份的比例在0. 04 Sy<2以及4 -y S8的範圍 間。 1 0.如申請專利範圍第9項所述之資訊記錄/放錄媒 體，其中上述記錄膜的厚度等於或大於6 nm，並等於或小 於 1 3nm 〇
    2149-6152-PF(N2);Ahddub.ptd 第23頁
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