TW200300646A - Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus - Google Patents
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200300646 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明有關一種發光元件，其係於介於陽極與陰極之 間的至少一層上配置有機化合物，及其製法，與具有該發 光元件之發光裝置。 相關背景技藝 發光元件係爲所謂之有機電致發光元件，其中，藉由 該陰極與陽極之間的電流，使得介於兩電極之間的有機化 合物發光。 發光兀件之一般剖面結構係出示於圖丨。圖1中，1 係表示透明基材，2係透明電極（陽極），3係電洞輸送層 ’ 4係發光層，5係電子輸送層，6係電子注射層，且7 係爲陰極。 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印贤 此種發光元件中，激子係藉由自陰極7經由電子注射 及輸送層5及6注射至發光層4之電子與自透明電極2經 由電洞輸送層3注射至發光層4之電洞的重組而生成。發 光係利用該激子回到基態時所發射之光的元件。 就具有該種發光元件之陰極7而言，使用具有相對低 功函數及令人滿意之電子注射特性之材料，例如元素金屬 諸如鎂（Mg)或金屬合金諸如Ag-Mg及Al-Li合金。 此外，專利文件1揭示一種構造’其中含有作爲予體 (推電子）摻雜劑之金屬的有機層係配置成與該陰極接觸。 就作爲予體（推電子）摻雜劑之金屬而言，專利文件1揭示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -5- 200300646 A7 B7 五、發明説明（2 ) 鹼金屬、鹼土金屬、及過渡金屬’包括稀土族° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，專利文件2揭示一種構造，其中含有金屬氧化 物或金屬鹽摻雜劑之有機層係配置成與該陰極接觸。 專利文件1 ··日本專利公開申請案編號1〇_270丨71(第 2頁，第9至13行，及圖1) ° 專利文件2 :日本專利公開申請案編號1 0-270 1 72(第 2頁，第2至7行，及圖1)。 就此等摻雜劑而言’以各具有丨盡可能小之功函數之金 屬、及含有該種金屬之氧化物及金屬鹽爲佳。該種金屬通 常反應性高，因此操作該種金屬極爲困難。此外’當金屬 氧化物或含有該種金屬之金屬鹽作爲摻雜劑時’該摻雜劑 之安定性變得較高，但部分金屬氧化物及金屬鹽仍不安定 ，因此其於一般空氣環境中不易操作。另一方面，部分其 他金屬氧化物及金屬鹽可於空氣中操作，但其仍不安定， 因而難以個別以摻雜劑形式導入配置成與該陰極接觸之有 機層內，視情況而定。是故，其作爲摻雜劑之操作困難性 成爲在製造發光元件時製造產量低且成本提高之原因。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明槪述 本發明提供一種含有摻雜劑且易於操作之發光元件， 及其製造方法。 詳言之，本發明提供一種發光元件，包括：一對由陽 極及陰極組成之電極，及配置於該對電極之間的有機化合 物J層’其中實質上與該陰極電接觸之有機化合物層係包含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 200300646 A7 B7 五、發明説明（3) 至少一種有機化合物及碳酸鹽，該有機化合物層中有機化 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 合物相對於碳酸鹽之莫耳比係介於1:0.01至1:1 00範圍內 〇 此外，本發明提供一種製造發光元件之方法，該發光 元件係包括一對由陽極及陰極組成之電極，及配置於該對 電極之間的有機化合物層，該方法係包括：於該陰極面上 配置供構成該有機化合物層使用之至少一有機化合物及碳 酸鹽以形成有機化合物層的有機化合物形成步驟，及使得 該陰極與該有機化合物層實質電接觸之步驟，其中該有機 化合物層形成步驟係爲於有機化合物相對於碳酸鹽之莫耳 比由1:0.01至1_· 100的情況下形成有機化合物層的步驟。 圖式簡單說明 圖1係爲出示一般發光元件之疊層結構實例的示意圖 圖2係爲出示本發明具體實例發光元件之疊層結構實 例的示意圖； 經濟部智¾財產¾員工消費合作社印製 圖3係爲出示本發明實施例及對照例中發光元件之電 壓-亮度特性的圖； 圖4係爲出示本發明實施例及對照例中發光元件之電 壓-亮度特性的圖； 圖5係爲出示第三實施例之示意圖； 圖6係爲出示第四實施例之發光元件的疊層結構的示 意圖；且 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -7- 200300646 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 圖7係爲出示第四實施例及第八對照例中電壓-亮度 特性的圖。 元件對照表 1 透 明 基 材 2 透 明 電 極 3 電 洞 輸 送 層 4 發 光 層 5 電 子 輸 送 層 6 電 子 注 射 層 7 陰 極 10 基 材 11 電 極 12 電 洞 輸 送 層 13 發 光 層 14 有 機 化 合 物 層 15 電 極 20 基 材 21 底 面 電 極 22 有 機 化 合 物 層 23 頂 面 電 極 30 透 明 基 材 31 ΙΤΟ 層 32 電 洞 輸 送 層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁
、1T 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -8- 200300646 A7 B7 五、發明説明（5 ) 33 發光層 3 4 封阻層 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 5 有機化合物層 36 陰極 較佳具體實例描述 (第一具體實例） 本發明第一具體實例之發光元件係爲一發光元件，具 有至少一對電極（陽極及陰極）及夾置於該對電極之間的發 光層，其中與該陰極接觸之有機化合物層中的摻雜劑係爲 碳酸鹽。換言之，重點在鹽類中之陰離子。碳酸鹽易於操 作。就操作簡易性而言，在碳酸鹽中，較佳係該碳酸鹽係 爲鹼金屬碳酸鹽或鹼土金屬碳酸鹽。當然，有機化合物層 中可同時含有個別碳酸鹽（鹼金屬及鹼土金屬者），或可在 有機化合物及碳酸鹽之外，另外混合其他添加劑以幫助電 子注射或輸送。 經濟部智慧財產^7M工消費合作社印製 碳酸鹽較爲有利之原因是可得到耐用性改善之元件。 耐用性表示元件壽命。此因該碳酸鹽分子量相當大，故預 期在驅動該元件以進行操作時，該碳酸鹽難以於該有機化 合物層中移動。此外，碳酸鹽與構成該有機化合物層之有 機化合物間令人滿意之親和性可說是碳酸鹽佔優勢之原因 〇 在有機化合物層之幫助下，電子有效地自陰極送至發 光層。結果，此具體實例中，當選擇使用於陰極中之金屬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 200300646 A7 B7 五、發明説明（6 ) 材料時，就材料之功函數考量，並非限制；換言之，即使 使用具有相對高功函數之電極材料諸如ITO、金、銀、及 其合金，仍司令人滿蒽地將電子注射於發光元件內。 此具體實例中，特別有利之碳酸鹽係爲碳酸絶 (CwCOO及碳酸鋰（LnC〇3)中之至少任何一種。其中，使 用IT0作爲陰極且使用碳酸鉋或碳酸鋰作爲摻雜劑之發 光元件具有令人滿意之光學透光度，故可自陰極發出光線 ，而適於作爲所謂之頂部發射型發光元件。當然，本發明 發光元件可爲具有光線自陽極發射出來之模式的發光元件 。另外，該有機化合物可爲技藝界所眾所周知者，可列出 例如實施例1所示之A1 q 3。與陰極接觸之有機化合物層 於450奈米至700奈米（即，450奈米或以上及700奈米或 以下；下文相同）波長範圍內的光學透光度係爲80%或更 高，9 5 %或更高較佳。 此外，含有碳酸鹽之有機化合物層的薄膜厚度係介於 由0.1至1 00 00奈米範圍內，以由1至500奈米範圍內爲 佳。另外，發光層之薄膜厚度可具有任意値。爲了得到高 發光效率，較佳係於發光層之薄膜厚度方向上有充分重組 區；發光層之薄膜厚度通常係由1 5至20奈米大小。本發 明發光元件可具有薄膜厚度約略相同之發光層。 本具體實例之發光元件中，構成有機化合物層之主要 有機化合物係爲小分子（單體）化合物。 小分子（單體）化合物於本發明中係定義爲分子量爲 2000或更小之有機化合物，以1000或更小爲佳。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---1 — -------- (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局工消費合作社印製 -10- 經濟部智慈財產苟資工消費合作社印製 200300646 Μ B7 五、發明説明（7 ) 下文描述該種有機化合物之詳細類型。 有機化合物與碳酸鹽之數量比係描述於下文。 有機化合物相對於碳酸鹽之數量比係介於由1 :〇.〇1 至[:100之範圍內的莫耳比。該比例以介於1:0.1至1:1 0 範圍內爲佳。本文所述之莫耳比意指導入該有機化合物層 之有機化合物莫耳數相對於碳酸鹽莫耳數之比例。尤其， 使用莫耳比爲1:0.5而含有鹼金屬爲陽離子之碳酸鹽時， 電子可有效地自陰極提供至發光層。 此外，就前述1:0.5之比例而言，約20 %之偏差極限 係屬可接受；即，特佳之莫耳比係介於由1:0.4至1:0.6 範圍內。在1: 0.5莫耳比下效果最佳之原因目前尙不明朗 ;相信該比例係爲適於有機化合物與碳酸鹽間之相互作用 的數量比關係。 有機化合物層中使用碳酸鹽諸如碳酸鉋時，即使使用 鋁或透明導電性氧化物諸如ITO作爲陰極，自陰極注射 電子於該有機化合物層之性能仍良好，故得到發光效率結 果極佳之發光元件。其中，使用ITO之元件較有利於作 爲頂部發射型發光元件，其中光線自該對電極與該基材面 相對之電極射向元件外面。 即，本發明可提供一種發光元件，其具有使用含碳酸 鹽之有機化合物層及使用透明導電性氧化物諸如I τ〇及 IZ〇作爲陰極之特色。本發明亦可提供一種具有前述特色 之頂部發射型發光元件。 另一方面，具有單層習用材料諸如氟化鋰以取代有機 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -m -..... - u a ml n —fli —i i I - - —1、一 ^ n n mi ϋϋ --i- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 200300646 A7 B7___ 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化合物層之元件及具有含有諸如_化鋰之材料的有機（匕合 物層的元件於使用鋁及透明導電性氧化物作爲陰極之任一· 情況下皆具有較差之電子注射性。其中’若使用透明導電 性氧化物作爲陰極’則極少發生電子注射’因此該元件之 電子注射明顯較差。 此外，可於陰極與該有機化合物層之間配置另一層。 該另一層可爲有機層、無機層、或有機及無機化合物之混 合層。詳言之，其可爲LiF層。另外，藉由配置另一層， 可進一步改善電子注射性。即使配置該另一層’仍可使該 陰極及有機化合物層彼此實質電接觸。 經濟部智慈財產局员工消骨合作社印災 當形成包含有機化合物及碳酸鹽之有機化合物層時， 以兩者共蒸發爲佳。尤其，較佳係於該碳酸鹽爲加熱狀態 下形成該有機化合物層。在該碳酸鹽爲加熱態下形成有機 化合物層時，該發光元件之電流密度達到實際較佳水平。 加熱該碳酸鹽以供使用時，該碳酸鹽諸如碳酸鉋及碳酸鋰 可自約150°C或較高溫加熱至70(TC或較低溫。該溫度範 圍係爲相對較低溫度範圍。此外，於該溫度範圍內，碳酸 鹽可與有機化合物同時操作，此時兩者皆加熱。溫度區（ 範圍）可爲熔點、分解點、及碳酸鹽分解起始點之任何溫 度區。例如，碳酸鉋之分解起始點以約6 1 0 °C爲佳；碳酸 鋰之分解起始點係6 1 5 °C亦佳。 以加熱該碳酸鹽爲佳之理由目前無法確實地陳述，相 信加熱較有利於達到前述相互作用。 或當加熱該碳酸鹽時，該碳酸鹽可同時還原該有機化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -12- 200300646 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 合物。此使得自該陰極注射電子之障壁降低，而降低元件 之驅動電壓，即使使用安定之金屬如金（A u)及銀（a g)及透 明ITO電極亦然。 此外，碳酸鹽（例如Cs2C〇3)優於元素金屬（例如元素 金屬筢）。相信此情況可能係因爲碳酸鹽具有較鉋元素金 屬大之分子量（即，較重），碳酸鹽使鉋元素之移動困難。 有機化合物層之薄膜形成可藉任何薄膜形成方法進行 。例如，可使用蒸發方法及濺射方法。碳酸鹽可於此等方 法中加熱，因此係爲較佳方法。 此具體實例係更詳細且具體地描述於下文中。 就與陰極接觸之有機層中所摻雜的材料而言，本發明 者發現易於利用之特定材料，其係於不需要用以消除與空 氣及濕氣之接觸的特定操作環境下操作，且可使用一般方 法諸如電阻加熱及其類者應用於薄膜形成。即，所發現材 料碳酸鹽。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 此外’此具體實例之發光元件可應用於顯示裝置諸如 具有大量發光元件之發光元件陣列，及顯示器（與單色或 全色彩無關），及於電子照相系統中曝照感光性元件之光 源（例如雷射光列印機及影印機）。 此外’本發明具體實例之發光元件中，使用於陰極之 材料可包括鋁（A1)、銀（A g)、金（A u)、及氧化銦錫（I τ〇）， 或含有至少其中一種金屬之合金，及其類者。除此之外， 司使用鎂（Mg)、鉑（Pt)、鈀（Pd)、硒（Se)、銥（lr)、氧化錫 、及碘化銅，或含有至少其中一種金屬之混合金屬（例如 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X29?公釐） -13- 200300646 A7 B7 五、發明説明（1〇) 合金）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明具體實例之發光元件不限於供陰極使用之薄膜 形成及與陰極接觸之有機化合物層，可不受限制地選擇前 述薄膜形成。 (第二具體實例） 圖2係爲出示本發明第二具體實例之示意圖。此具體 實例係爲其中第一具體實例發光元件之部分描述推廣至涵 蓋包括陽極之層狀結構的描述之具體實例。圖2中，本發 明發光元件係藉著於基材1 〇上堆疊用以形成陽極之電極 1 1、具有電洞輸送性質之電洞輸送層1 2、發光層1 3、包 含有機化合物及碳酸鹽之有機化合物層14、及用以形成 陰極之電極1 5而構成。 經濟部智慈財/1¾¾工消費合作社印製 除前述者外，前述有機化合物層之結構可包括下列結 構：電極（陽極）/發光層/有機化合物層/電極（陰極）；電極（ 陽極）/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/有機化合物層/電 極（陰極）；電極（陽極）/電洞注射層/發光層/有機化合物層/ 電極（陰極）/;電極（陽極）/電洞注射層/電洞輸送層/發光層 /有機化合物層/電極（陰極）；及電極（陽極）/電洞注射層/電 洞輸送層/發光層/電子輸送層/有機化合物層/電極（陰極） 。本發明發光元件可具有任何元件結構，只要有機化合物 層4係配置於其與該陰極1 5之界面上。此外，詳言之， 期望該層狀結構具有陰極、有機化合物層、及電洞輸送層 之順序（當然，就製造次序而言，有時係依電子輸送層、 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~ -14 - 200300646 A7 _____ B7 五、發明説明（11) 有機化合物層、及陰極之順序形成該料層）。尤其，若爲 此種層狀結構，則適合使用至少任何一種金屬錯合物化合 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 物諸如AU3及PBO及雜環化合物及稠合雜環化合物諸如 Π等唑、三嗤、唁噚啉、三啡、及矽洛（s i丨0丨e )作爲電子輸 迗層。It著進一步配置電子輸送層，可進一步改善自陰極 輸送電子至發光層之效率。此情況下，使用於電子輸送層 之材料及構成該有機化合物層之主要有機化合物可爲相異 化合物，但該材料及主要有機化合物以係相同化合物爲佳 〇 就可作爲電洞輸送層1 2及電洞注射層之化合物而言 ，無特別限制；例如，可使用三苯基二胺衍生物、噚二唑 衍生物、樸啉衍生物（porphyry丨derivatives) '芪衍生物、 及其類者，但不限於此等化合物。 經濟部智¾財產笱員工消費合作社印製 就可作爲發光層1 3之材料的化合物而言，可選自三 芳基胺衍生物、&衍生物、聚芳燒、稠合多環芳族化合物 、雜環芳族化合物、稠合雜環芳族化合物、金屬錯合物化 合物、及其類者，及其均-寡聚物，其複合寡聚物，或其 類者。此外，可使用此等發光材料中之一或多種，且摻雜 於電洞注射層、電洞輸送層、或電子輸送層中。此等材料 及結構不限於此。 就用以形成陽極之電極11而言，以具有高功函數之 電極爲佳；例如，可使用氧化銦錫（IT0)、氧化錫、金（Au) 、鉛（Pt)、鉻（Ci·)、鈀（Pd)、硒（Se)、銥（Ιι·)、碘化銅、及 其類者，及合金及其類者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -15- 200300646 A7 B7 五、發明説明（12) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 前述電洞輸送層1 2、電洞注射層、發光層1 3、及|| 洞輸送層可使用任何類型之薄膜形成方法製得；例如，q 使用蒸發方法、濺射方法、CVD方法、分子束蒸發方法 (MBE方法）、浸漬方法、旋塗方法、鑄造方法、桿塗法、 輥塗法、噴墨法及其類者。 此外，在本發明之此具體實例中所述之發光元件中， 可採用一種結構，其中該元件藉著配置由有機材料或無機 材料所製得之保護層以隔絕氧及濕氣，而不對本發明特性 產生任何負面影響。此外，亦可藉著使用惰性氣體封包該 元件而改善環境電阻。 (第三具體實例） 經濟部智慧財產局員工消骨合作社印賢 本發明第三具體實例之發光元件具有一結構，其中於 有機化合物層及發光層之間配置一附加層。除此之外，本 具體實例係與第二具體實例相同。就此具體實例而言，在 第二具體實例所描述之層狀結構中，此具體實例領域中包 括結構電極（陽極）/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/有機 化合物層/電極（陰極）及結構電極（陽極）/電洞注射層/電洞 輸送層/發光層/電子輸送層/有機化合物層/電極（陰極）。 除了此等結構之外，可於發光層與有機化合物層之間配置 封阻層，詳言之，作爲電洞封阻層之料層。此外，該電洞 封阻層可具有電子輸送能力或電子注射能力。下列逐項描 述係使用於封阻層，而下列A至F項中任一項皆可接受 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16- 200300646 經濟部智慈財產苟W工消f合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13) A ·構成封阻層之材料可使用金屬錯合物化合物。 β ·構成封阻層之材料可使用雜環化合物。 C ·構成封阻層之材料可使用稠合雜環化合物。 D ·構成Θ阻層之材料可使用銘鉗合劑錯合物（a丨q 3) 〇 E ·構成封阻層之材料可使用紅菲繞啉。 F ·構成封阻層之材料可使用浴銅靈。 實施例 下文參照附圖描述本發明較佳實施例，碳酸鉋係作爲 碳酸鹽之說明實例’但亦可使用碳酸鋰，即，本發明不限 於此等實施例。 (實施例1) 實施例1係說明於圖2中。圖2中，編號1 〇係表示 透明基材，1 1係於電洞注射中作爲陽極之ITO層，i 2係 爲電洞輸送層，1 3係爲發光層，1 4係爲有機化合物層， 且1 5係爲陰極。 厚度120奈米之氧化銦錫（ITO)薄膜係藉由濺射方法 形成於該透明基材10上，得到透明陽極11。之後，該基 材連續使用丙酮及異丙醇（IPA)進行超音波淸洗，然後於 沸騰IPA中淸洗且乾燥。此外，基材進行UV/臭氧淸洗。 之後，使用真空蒸發裝置（Shinku-Kiko, Inc.製造）， 於淸潔之基材上，藉真空蒸發方法蒸發具有電洞輸送性質 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-17- 200300646 A7 B7 五、發明説明（Μ) 而由以下化學式1表示之a -NPD，以形成厚度35奈米之 薄膜，作爲電洞輸送層1 2。
a-NPD 該薄膜係於蒸發真空度係爲i.O X 1(Τό托耳且薄膜形 成速率係由0.2至〇a3奈米/秒之條件下形成。之後，於該 電洞輸送層1 2上，於與該電洞輸送層i 2之薄膜形成所使 用的相同條件下，藉真空蒸發方法蒸發具有下述化學式2 之鋁鉗合劑錯合物（以下稱爲” Alq3”）： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產玲員工消費合作社印製 形成厚度15奈米之薄膜，作爲發光層13。之後，於 發光層13上，蒸發Alq3及碳酸鉋（Cs2CCh)以形成厚度35 奈米之薄膜，以作爲有機化合物層14，該Alq3及碳酸鉋 之蒸發速率個別調整以混合薄膜厚度比爲9:1之AU3及 碳酸鉋。最後，蒸發銘（A1)以於1奈米/秒之蒸發速率條件 下，於有機化合物層14上形成厚度150奈米之陰極15。 莫耳比係爲自用以形成有機化合物層之材料的分子量及比 重及薄膜厚度之比例所計算之比例。該有機化合物層中 Alq3相對於鉋之莫耳比係爲1:0.57。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -18- 200300646 A7 B7 五、發明説明（15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此，藉由於透明基材i 0上配置陽極i 1、電洞輸送 層1 2、發光層Π、有機化合物層14及陰極1 5而得到發 光元件。接著，於發光元件中作爲陽極1 1之ITO與作爲 陰極1 5之鋁之間施加直流電壓，測量該元件之發光特性 。結果，該元件於15伏特施加電壓下具有41 200 cd/m2之 最大亮度及3200 mA/cm2之電流密度。此外，該元件於5 伏特施加電壓下具有0.91 im/W之最大效率。該發光元件 之電壓-亮度特性係出示於圖3及圖4中。 (對照例1) 此對照例不使用碳酸鹽之點係異於實施例1。 於與實施例1相同之條件下，開始於作爲陽極11之 IT〇上形成作爲電洞輸送層12而厚度35之a -NPD薄膜 ，於其上層形成作爲發光層13而厚度50奈米之Alq3薄 膜。最後，蒸發厚度150奈米之鋁（A1)以作爲陰極15。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 如此，藉由於透明基材1 0上配置陽極1 1、電洞輸送 層12、發光層13、有機化合物層14、及陰極15而製得 發光元件。接著，於發光元件中作爲陽極1 1之ITO與作 爲陰極1 5之鋁之間施加直流電壓，測量該元件之發光特 性。結果，該元件於20伏特施加電壓下具有1926 cd/m2 之最大亮度及350 mA/cm2之電流密度。此外，該元件於 12伏特施加電壓下具有0.17 lm/W之最大效率。該發光元 件之電壓-亮度特性係出示於圖3及圖4中。 由實施例1及對照例1出示於圖3中之電壓-亮度特 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -19- 200300646 Λ7 B7 五、發明説明（16) (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 性比較之下，竇施例1於有機化合物層中使用碳酸鉋之發 光元件之驅動電壓較對照例1之元件大幅降低。是故，該 有機化合物層可有效地降低該元件之驅動電壓。 (對照例2) 此對照例出示欲使用與實施例1者相同之方法達成但 無法進行之具有操作困難性的金屬鉋薄膜形成。 於與實施例1相同之條件下，開始於作爲陽極i丨之 IT〇上形成作爲電洞輸送層12而厚度35之a -NPD薄膜 ，於其上層形成作爲發光層13而厚度丨5奈米之Alq3薄 膜。之後，AU3及鉋（Cs)淤9:1薄膜厚度比例下彼此混合 ，但反應性高之金屬鉋無法於大氣環境中導入薄膜形成裝 置中，故無法形成薄膜。因此，爲了製得其中將鹼金屬諸 如鉋（Cs)導入有機化合物層中之元件，需要特別操作環境 ，其中可操作鹼金屬且於防止與空氣及濕氣接觸之條件下 形成其薄膜。該工作環境之構成需要高成本，製得元件所 需之時間較一般環境中者長，因此降低元件製造通量。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 (對照例3) 此對照例中，使用特定裝置以達到使用難以操作之鉋 金屬的目的。 於與實施例1相同之條件下，開始於作爲陽極11之 IT〇上形成作爲電洞輸送層12而厚度35奈米之a -NPD 薄膜，於其上層形成作爲發光層1 3而厚度1 5奈米的 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -20- 經濟部智慈財產苟Μ工消費合作社印製 200300646 A7 B7 ___ 五、發明説明（17)
Alq3薄膜。之後’混合Alq3及鉋（Cs)以形成厚度35奈米 之混合薄膜，而作爲有機化合物層[4。此對照例3中’ 將絶導入有機化合物層Μ之過程係使用鹼金屬分配器 (SAES Getter，Inc·製造）進行其可於真空中生成高純度鹼 金屬蒸汽。AU3及鉋（Cs)蒸發形成厚度35奈米之薄膜， 以作爲有機化合物層14，調整A1Q3及鉋之蒸發速率，以 於9:1薄膜厚度比例下混合AU3及鉋。最後，蒸發鋁（Ai) 以於1奈米/秒之蒸發速率條件下於有機化合物層14上形 成厚度150奈米之陰極15。 如此，藉著於透明基材1 0上配置陽極1 1、電洞輸送 層1 2、發光層13、有機化合物層丨4、及陰極15而製得 發光元件。接著，於發光元件中作爲陽極1 1之ITO與作 爲陰極1 5之鋁之間施加直流電，測量該元件之發光特性 。結果，該元件於12伏特施加電壓下具有1 1000 cd/m2之 最大亮度及3 0 85 mA/cm2之電流密度。此外，該元件於5 伏特施加電壓下具有0.47 lm/W之最大效率。該發光元件 之電壓-亮度特性係出示於圖3。 (對照例4) 此對照例中，使用非碳酸鹽之鹽。 於與實施例i相同之條件下，開始於作爲陽極1 i之 ITO上形成作爲電洞輸送層12而厚度35奈米之a -NPD 薄膜’於其上層形成作爲發光層1 3而厚度1 5奈米的 Alq3薄膜。之後，蒸發AU3及氟化鋰（LlF)以形成作爲有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----------- 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "口 -21 - 200300646 A7 _ B7 五、發明説明（18) 機化合物層I 4而厚度3 5奈米之薄膜，該A丨C] 3及氟化鋰 (UF)之蒸發速率個別調整，使得該a lq3及氟化鋰於9:1 薄膜厚度比下混合。最後，蒸發鋁（A1)以於1奈米/秒之蒸 發速率條件下於有機化合物層1 4上形成厚度1 5 0奈米之 陰極1 5。 如此，藉著於透明基材丨0上配置陽極1 1、電洞輸送 層12、發光層i 3、有機化合物層14、及陰極15而製得 發光元件。接著，於發光元件中作爲陽極1 1之ITO與作 爲陰極i 5之鋁之間施加直流電，測量該元件之發光特性 。結果，該元件於18伏特施加電壓下具有23900 cd/m2之 最大売度及2 4 5 0 m A / c m2之電流密度。此外，該元件於5 伏特施加電壓下具有0.78 lm/W之最大效率。該發光元件 之電壓-亮度特性係出示於圖3及圖4。 (對照例5) 此對照例中，使用氟化鋰（UF)取代實施例1中包含 碳酸鹽及有機化合物之有機化合物層。 於與實施例1相同之條件下，開始於作爲陽極1 i之 ITO上形成作爲電洞輸送層12而厚度35奈米之^ -NPD 薄膜’於其上層形成作爲發光層而厚度50奈米的Alq3薄 膜。之後，蒸發氟化鋰（LiF)以形成1奈米之薄膜。最後 ，蒸發鋁（A1)以於1奈米/秒之蒸發速率條件下形成厚度 1 5 0奈米之陰極。 如此，藉著於透明基材上配置陽極、電洞輸送層、發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） !·1 I - -看 i 1-¾ _ " 1 - - - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 訂 經濟部智慧財產^7M工消費合作社印製 -22- 200300646 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 Λ7 Β7 五、發明説明（19) 光層、氟化鋰（L丨F )、及陰極而製得發光元件。接著，於 發光元件中作爲陽極之ITO與作爲陰極之鋁之間施加直 流電’測量該元件之發光特性。結果，該元件於丨8伏特 施加電壓下具有26790 cd/m2之最大亮度及2188 mA/cm2 之電流密度。此外’該元件於5伏特施加電壓下具有0.8 6 1 m / W之最大效率。該發光元件之電壓-亮度特性係出示於 圖3及圖4。 (實施例2) 此實施例係與實施例1不同地使用金作爲陰極的實施 例。 於與實施例1相同之條件下，開始於作爲陽極1 1之 IT〇上形成厚度35奈米而作爲電洞輸送層12的a -NPD 薄膜，於其上層形成厚度1 5奈米而作爲發光層1 3的 Alq3薄膜。之後，蒸發Alq3及碳酸鉋（Cs2C〇〇以形成厚 度35奈米而作爲有機化合物層14的薄膜，個別調整該 Alq3及碳酸鉋之蒸發速率，使得該Alq3及碳酸鉋係於 9 : 1薄膜厚度比例下混合。最後，蒸發金（A u)以於1奈米/ 秒之蒸發速率條件下於該有機化合物層14上形成厚度 150奈米的陰極16。該有機化合物層中Alq3相對於碳酸 鉋之莫耳比係爲1: 〇 · 5 7。 如此，藉由於透明基材1〇上配置陽極i 1、電洞輸送 層12、發光層13、有機化合物層14及陰極15而製得發 光元件。接著於發光元件中作爲陽極1 1之IT〇與作爲陰 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ 297公釐） -23- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
200300646 A7 B7 五、發明説明（20) 極1 5之金（A u)之間施加直流電壓而測量該元件之發光特 性。結果，該元件於1 5伏特施加電壓下具有29700 cd/m2 之最大亮度及3000 mA/cm2之電流密度。此外，該元件於 6伏特施加電壓下具有〇·79 lm/W之最大效率。該發光元 件之電壓-亮度特性出示於圖4中。 (對照例6) 此對照例中，使用氟化鋰取代實施例2中所使用之碳 酸鹽。 於與實施例2相同之條件下，開始於作爲陽極i 1之 IT〇上形成作爲電洞輸送層12而厚度35奈米之a -NPD 薄膜，其上層形成作爲發光層Π而厚度15奈米之Alq3 薄膜。之後，蒸發Alq3及氟化鋰（UF)以形成作爲有機化 合物層14而厚度35奈米之薄膜，該Alq3及氟化鋰之蒸 發速率個別調整使該A1q3及氟化鋰於9:1薄膜厚度下混 合。最後，蒸發金（Au)以於1奈米/秒蒸發速率條件下於 有機化合物層14上形成厚度150奈米之陰極15。 如此，於透明基材1 〇上配置陽極11、電洞輸送層1 2 、發光層13、有機化合物層14及陰極15而製得發光元 件。接著，於作爲陽極1丨之ITO與作爲陰極15之金（Au) 之間施加直流電壓，測量該元件之發光特性。結果，該元 件於25伏特施加電壓下具有93 cd/m2之最大亮度及26 mA/cin2之電流密度。此外，該元件於24伏特施加電壓下 具有0.047 lm/W之最大效率。該發光元件之電壓-亮度特 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（2X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -24- 200300646 A7 _ ___ B7 五、發明説明（21) 性出示於圖4中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於有機化合物層中使用氟化鋰時，電子注射特性因使 用由鋁製得之陰極而變佳，但電子注射特性因使用由金製 得之陰極而變差。相反地，使周碳酸鹽時，使用由鋁製得 之陰極或由金製得之陰極得到令人滿意之電子注射特性， 換言之，增加選擇該陰極材料之自由度。 (實施例3) 圖5說明本發明實施例3。圖5中，編號20個別係 表示基材，2 1係表示底面電極，2 2係有機化合物層，且 2 3係頂面電極。 經濟部智慈財產苟錢工消費合作社印製 基材20使用丙酮及異丙醇（IPA)連續進行超音波淸洗 ’之後於沸騰IP A中淸洗並乾燥。之後，使用真空蒸發裝 置（Shinku-Kiko, Inc.製造），於淸潔之基材上，藉真空蒸 發方法蒸發形成作爲底面電極21而厚度50奈米的薄膜。 該蒸發條件係爲進行蒸發時之真空度係爲1.0 X 1〇·6托耳 ’而黑發速率係爲1奈米/秒。之後，蒸發Alq3及碳酸鉋 (Cs2C〇3)以形成作爲有機化合物層22而厚度50奈米的薄 膜’ I亥Alq3及碳酸筢之蒸發速率個別調整使得該Alq3及 碳酸鉋於9: 1薄膜厚度比例下混合。最後，蒸發與底面電 極相同之材料鋁（A1)以於蒸發速率丨奈米/秒之條件下於有 機化合物層22上形成厚度150奈米之頂面電極23。該有 機化合物層中Alq3相對於碳酸鉋之莫耳比係爲1:0.57。 如此’藉由於基材2〇上配置底面電極2 1、有機化合 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) A4規格（210X 297公釐） -25- 200300646 Λ7 B7 五、發明説明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 物層2 2、及頂面電極2 3而製得元件。於作爲陽極之底面 電極2 i與作爲陰極之頂面電極2 3之間或於作爲陰極之底 面電極2i與作爲陽極之頂面電極23之間施加直流電壓於 該元件，測量電壓-電流特性。結果，於1 〇伏特施加電壓 下’電流密度於使用頂面電極2 3作爲陰極之情況下個別 係爲2 2 5 0 m A / c m2且使用底面電極2 1作爲陰極之情況下 係爲 1 9 6 0 m A / c m2。 (對照例7) 此對照例中，使用氟化鋰取代實施例3中所使用之碳 酸鹽。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於與實施例3相同之條件下，形成作爲底面電極2 1 而厚度50奈米之鋁（A1)薄膜，於其上層蒸發Alq3及氟化 鋰（LiF)以形成作爲有機化合物層22而厚度50奈米的薄 膜’ A1 q 3及氟化鋰之蒸發速率個別調整，以使A1 q 3與氟 化鋰係於薄膜厚度比9: 1的情況下混合。最後，於1奈米 /秒之蒸發速率條件下蒸發鋁（A1)，於有機化合物層22上 形成厚度150奈米之頂面電極23。 如此，於透明基材20上配置底面電極21、有機化合 物層2 2、及頂面電極2 3，以製得元件。於作爲陽極之底 面電極2 1與作爲陰極之頂面電極2 3之間或於作爲陰極之 底面電極2 1與作爲陽極之頂面電極23之間施加直流電壓 於該元件，測量電壓-電流特性。結果，於10伏特施加電 壓下，電流密度於使用頂面電極23作爲陰極之情況下個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- 200300646 A7 _B7 五、發明説明（23) 別係爲9 3 5 οι A /c m2且使用底面電極2 1作爲陰極之情況下 係爲 i i mA/cm2。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由對照例7之結果’發現在有機化合物層中使用氟化 鋰（LiF)之元件中，當電子自於形成有機化合物層之後形 成之溥膜頂面電極2 3側面注射時，電子流動，但電子極 少自預先形成之底面電極2 1側面注射。具有於加熱狀態 下形成於含有鹽之有機化合物層上的電極之發光元件可得 到令人滿意之電流。 另一方面，本發明於有機化合物層22中使用碳酸鉋 (CS2COO之元件中，自陰極注射電子之障壁可降低，因此 元件之驅動電壓降低，而不對有機化合物層22及與有機 化合物層接觸之電極的薄膜形成有任何順序限制。 (實施例4) 此實施例係爲於有機化合物層與發光層之間配置一附 加層（封阻層）的實施例。 經濟部智慧財產¾員工消費合作社印製 實施例4之元件係說明於圖6中。圖6中，編號30 表示位於陽極側之透明基材，3 1係爲作爲陽極供電 '洞注 射使用的ITO層，32係爲電洞輸送層，33係爲發光層’ 34係爲封阻層，35係爲有機化合物層，而36係爲陰極。 於與實施例1相同之條件下，開始於作爲陽極3 1之 IT〇上形成作爲電洞輸送層32而厚度35奈米之a -NPD 薄膜，於其上層形成作爲發光層33而厚度1 5奈米之 Alq3薄膜。之後，形成1〇奈米由以下化學式3所示之紅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -27- 200300646 A7 B7 五、發明説明（24) 菲繞啉（以下稱爲”B-Phen”）薄膜：
(請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 以作爲封阻層34。之後，蒸發B-phen及碳酸鉋 (C s 2 C ◦ 〇，以於、封阻層3 4上形成作爲有機化合物層3 5而 厚度25奈米之薄膜，該B-ph^i及碳酸鉋之蒸發速率係個 別調整，以使該B-pheη及碳酸鉋於8.8·· 1.2之薄膜厚度比 下混合。最後，於蒸發速率丨奈米/秒之條件下，於該有 機化合物層35上蒸發150奈米厚度作爲陰極36的鋁（A1) 薄膜。該有機化合物層35中B-phen相對於Cs2C〇3之莫 耳比係爲1: 0.5。 經濟部智慈財產^員工消费合作社印製 如此，藉由於透明基材30上配置陽極3 1、電洞輸送 層32、發光層33、封阻層34、有機化合物層35、及陰極 3 6而製得發光元件。接著，於發光元件中作爲陽極3 1之 IT〇與作爲陰極36之鋁之間施加直流電壓，測量該元件 之發光特性。結果，該元件於9伏特施加電壓下具有 441 05 cd/m2之最大亮度，及1760 mA/cm2之電流密度。此 外，該元件於5伏特施加電壓下具有2.3 lm/W之最大效 率。發光元件之電壓-亮度特性係出示於圖7中。 (對照例8) 此對照例中，不使用實施例4所使用之封阻層34。 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28- 200300646 A7 B7 五、發明説明（25) 於與實施例4相同之條件下，開始於作爲陽極3〖之 IT〇上形成作爲電洞輸送層32而厚度35奈米之a -NPD 薄膜，於其上層形成作爲發光層3 3而厚度1 5奈米之 AU3薄膜。接著，蒸發B-phen及碳酸鉋（Cs2CCh) ’以於 發光層3 3上形成作爲有機化合物層3 5而厚度3 5奈米之 薄膜，該B-phen及碳酸鉋之蒸發速率係個別調整’使該 B-phen及碳酸鉋係於8.8:1.2之薄膜厚度比例下混合。最 後，於有機化合物層35上蒸發作爲陰極36而厚度爲150 奈米的鋁（A1)薄膜。 如此，藉由於透明基材3 0上配置陽極3 1、電洞輸送 層32、發光層33、有機化合物層35、及陰極36而製得 發光元件。接著，於該發光元件中作爲陽極3 1之ITO與 作爲陰極36之鋁之間施加直流電壓，以測量該元件之發 光特性。結果，該元件於11伏特施加電壓下具有33751 cd/m2之最大亮度及3 223 mA/cm2之電流密度。此外，該 元件於5伏特施加電壓下具有1.01 lm/W之最大效率。發 光元件之電壓-亮度特性係出示於圖7中。 實施例4所示之發光元件一具有封阻層及含有碳酸鉋 之有機化合物層一之發光效率較對照例8元件一其中未配 置封阻層一改善許多。該封阻層具有封阻電洞自陽極傳送 通經發光層之功能，係爲防止該有機化合物層中所含之碳 酸鹽滲透至發光層之層。若該碳酸鹽滲透該發光層，則被 滲透之部分無法發光，而降低發光效率。另外，該有機化 合物層中所含之碳酸鹽滲透該發光層之原因目前不明；本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 、-口 經濟部智慈財產苟員工消f合作社印奴 -29 - 200300646 A7 B7 五、發明説明（26) 發明者相信該碳酸鹽因爲經由薄膜形成所得之能量而進入 該發光層內。 已知該封阻層可改善發光效率，該封阻層係配置於該 發光層與該有機化合物層之間，封阻電洞穿經該發光層， 防止該有機化合物層中所含之碳酸鹽滲透進入該發光層內 〇 如同前文本發明具體實例及實施例所述，可提供一種 發光元件，其中包含碳酸鹽之有機化合物層易於操作，而 該有機化合物係與陰極接觸。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS )八4規格（21〇X：297公釐） -30-
Claims (1)
- 200300646 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1.一種發光元件，包括：一對由陽極及陰極組成之電 極，及配置於該對電極之間的有機化合物層，其中實質上 與該陰極電接觸之有機化合物層係包含至少一種有機化合 物及碳酸鹽，該有機化合物層中有機化合物相對於碳酸鹽 之莫耳比係介於1: 0.0 1至1: 1 0 0範圍內。 2 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該莫耳比 係介於1 : 0.4至1 : 0.6範圍內。 3.如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該碳酸根 陽離子係爲鹼金屬離子或鹼土金屬離子。 4·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該碳酸鹽 係爲碳酸鉋。 5. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該碳酸鹽 係爲碳酸鋰。 6. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該陰極對 可見光係透明。 7. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該陰極係 爲ITO電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中該陰極係 爲包含金、銀及鋁中之任何一種的電極。 9. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中除了該有 機化合物層之外，發光層係配置於該有機化合物層與該陽 極之間。 1 〇.如申請專利範圍第9項之發光元件，其中介於該 有機化合物層與該發光層之間夾置有另一有機化合物層。 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 200300646 A8 B8 C8 ,_____一 D8 六、申請專利範圍 2 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之發光元件，其中該另一 有機化合物層係爲電子輸送層及電洞封阻層中之至少任何 一種。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12.如申請專利範圍第1項之發光元件，其中光係自 該陰極發出。 Π . —種發光裝置，其表面上包括大量如申請專利範 圍第1項之發光元件。 14·如申請專利範圍第13項之發光裝置，其中該發光 裝置係爲顯示器之資訊顯示部分。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之發光裝置，其中該發光 裝置係爲於電子照相系統中曝照感光性接收器的裝置。 16.—種製造發光元件之方法，該發光元件係包括： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一對由陽極及陰極組成之電極，及配置於該對電極之間的 有機化合物層，該方法係包括：於該陰極面上配置供構成 該有機化合物層使用之至少一有機化合物及碳酸鹽以形成 有機化合物層的有機化合物形成步驟，及使得該陰極與該 有機化合物層實質電接觸之步驟，其中該有機化合物層形 成步驟係爲於有機化合物相對於碳酸鹽之莫耳比由1:0.01 至1:1 00的情況下形成有機化合物層的步驟。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之製造方法，其中該莫耳 比係介於由1:0.4至1:0.6範圍內。 .1 8 .如申請專利範圍第1 6項之製造方法，其中該該有 機化合物層形成步驟係爲藉由共同蒸發有機化合物及碳酸 鹽而形成有機化合物層之步驟。 -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇)<297公釐） 200300646 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 19. 如申請專利範圍第18項之製造方法，於該有機化 合物層形成步驟中，.該碳酸鹽及有機化合物係於不高於 7〇0°C之溫度範圍內共同蒸發。 20. —種發光元件，包括：一對由陽極及陰極構成之 電極，及配置於該對電極之間的有機化合物層，其中該實 質與陰極電接觸之有機化合物層係包含有機化合物及碳酉変 鹽中至少一種，而該陰極對可見光係透明。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） - 33-
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| CN101752514B (zh) * | 2008-12-17 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、照明装置、发光装置以及电子设备 |
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| US8440496B2 (en) * | 2009-07-08 | 2013-05-14 | Solarmer Energy, Inc. | Solar cell with conductive material embedded substrate |
| US8372945B2 (en) * | 2009-07-24 | 2013-02-12 | Solarmer Energy, Inc. | Conjugated polymers with carbonyl substituted thieno[3,4-B]thiophene units for polymer solar cell active layer materials |
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| WO2011102249A1 (ja) * | 2010-02-17 | 2011-08-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイス |
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| CN101859881B (zh) * | 2010-04-28 | 2013-02-13 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 电子传输材料、有机电致发光器件及其制备方法 |
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