RU2292019C2 - Датчик со средствами защиты от жидкости (варианты) - Google Patents

Датчик со средствами защиты от жидкости (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2292019C2
RU2292019C2 RU2004114873/28A RU2004114873A RU2292019C2 RU 2292019 C2 RU2292019 C2 RU 2292019C2 RU 2004114873/28 A RU2004114873/28 A RU 2004114873/28A RU 2004114873 A RU2004114873 A RU 2004114873A RU 2292019 C2 RU2292019 C2 RU 2292019C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sensor
channel
block
installing
neck
Prior art date
Application number
RU2004114873/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004114873A (ru
Inventor
Джеймс Л. ГРЭЙВЕЛ (US)
Джеймс Л. ГРЭЙВЕЛ
Фред К. СИТТЛЕР (US)
Фред К. СИТТЛЕР
Дэвид А. БРОДЕН (US)
Дэвид А. БРОДЕН
Original Assignee
Роузмаунт Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Роузмаунт Инк. filed Critical Роузмаунт Инк.
Publication of RU2004114873A publication Critical patent/RU2004114873A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2292019C2 publication Critical patent/RU2292019C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0082—Transmitting or indicating the displacement of capsules by electric, electromechanical, magnetic, or electromechanical means
    • G01L9/0086—Transmitting or indicating the displacement of capsules by electric, electromechanical, magnetic, or electromechanical means using variations in capacitance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Использование: для применения в передающем устройстве для определения параметров рабочей жидкости в промышленном технологическом процессе. Сущность: капсула (20) датчика, пригодная для использования в устройстве для передачи жидкости в промышленном технологическом процессе, включает в себя блок (24), содержащий канал (30) для установки датчика. Блок (24) содержит два полублока (26, 28), соединяемых вдоль сопрягаемых поверхностей (22, 23), проходящих в продольном направлении через канал для установки датчика. Датчик (50) снабжен шейкой (52), проходящей через канал (30) для установки датчика. Шейку (52) датчика герметизируют в канале (30) для установки датчика. Технический результат изобретения заключается в обеспечении электрической изоляции датчика, а также изоляции его от нагрузок и от жидкости. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 12 ил.

Description

Область изобретения
Настоящее изобретение относится к датчикам для определения свойств рабочих жидкостей для контролирования технологических процессов. В частности, настоящее изобретение относится к датчикам, которые содержат изолирующие средства между рабочими жидкостями и проводниками датчика.
Предпосылки к созданию изобретения
Для определения параметров жидкости, таких как давление, температура, расход и рН, и для передачи значений определенного параметра жидкости в расположенное на некотором расстоянии устройство, например систему управления, используют промышленные передающие устройства. Эти передающие устройства содержат датчики, которые установлены внутри или около передающих устройств. Датчик снабжен чувствительной поверхностью, которую вводят в контакт с рабочей жидкостью, а также электрическими проводниками датчика. Для обеспечения точной, надежной работы каждого датчика используют различные типы изолирующих средств. Электрические проводники датчика изолируют от контакта с рабочей жидкостью для исключения коррозии проводников. Чувствительную поверхность механически изолируют от установочных нагрузок, чтобы уменьшить ошибки электрического выходного сигнала датчика, возникающие из-за механических нагрузок, в частности, при предельных значениях температуры. Электрическую цепь датчика гальванически изолируют от рабочей жидкости для исключения ошибок, вызываемых блуждающими токами. Эти три типа изолирующих средств должны быть прочными и эффективными в широком диапазоне рабочих температур, чтобы их можно было использовать в промышленном передающем устройстве.
Установить датчик в передающем устройстве таким образом, чтобы обеспечить коррозионную стойкость электрических выводов датчика, адекватную механическую стойкость изолирующих средств, а также гальваническую изоляцию, достаточно сложно. Проблема усугубляется широким диапазоном рабочих температур, в котором должны работать промышленные передающие устройства. При повышении температуры дорогостоящие металлостеклянные герметизирующие средства имеют тенденцию к образованию протечек; компоненты крепления расширяются в различной степени, что приводит к возникновению механических нагрузок; гальванические токи увеличиваются с повышением температуры.
В частности, если датчик выполняют слишком миниатюрным, с прямоугольным поперечным сечением, размеры которого составляют порядка 5 мм, то очень сложно точно обработать соответствующий прямоугольный канал в блоке для установки датчика, стенки которого прилегали бы к поперечному сечению миниатюрного датчика с образованием малых зазоров, которые можно было бы надежно герметизировать.
Для того чтобы обеспечить электрическую изоляцию датчика, а также изоляцию его от нагрузок и от жидкости, необходимо использовать капсулу датчика в такой форме, чтобы она соответствовала размерам миниатюрного датчика и была пригодна для применения в промышленных передающих устройствах.
Сущность изобретения
Предложена капсула датчика, пригодная для применения в передающем устройстве для определения параметров рабочей жидкости в промышленном технологическом процессе.
Капсула датчика содержит блок, который включает в себя канал для установки датчика, причем канал для установки датчика проходит от первой наружной поверхности блока до напорной камеры в блоке. Блок дополнительно содержит канал для впуска жидкости, проходящий от второй наружной поверхности блока до напорной камеры. Блок состоит из двух полублоков, соединяемых вдоль сопрягаемых поверхностей, проходящих в продольном направлении через канал для установки датчика.
Капсула датчика также содержит датчик, снабженный шейкой датчика, которую вводят в канал для установки датчика. Датчик имеет поверхность, чувствительную к жидкости, которую располагают в напорной камере, и электрические присоединительные выводы датчика, располагаемые снаружи напорной камеры. Шейка датчика отделена от канала для установки датчика зазором, который проходит непрерывно вокруг шейки датчика. Зазор заполняют герметизирующим составом для соединения шейки датчика с каналом для установки датчика.
Эти и другие отличительные особенности, а также преимущества настоящего изобретения станут более очевидными при ознакомлении с последующим подробным описанием и прилагаемыми чертежами.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 - вид в изометрии капсулы датчика,
Фиг.2 - фронтальное сечение капсулы датчика, представленной на Фиг.1,
Фиг.3 - боковое продольное сечение капсулы датчика, представленной на Фиг.1,
Фиг.4 - наклонный частичный вид примерной полости для пайки в капсуле датчика, представленной на Фиг.1,
Фиг.5 - примерное паяное соединение датчика, выполненное в полости для пайки в капсуле датчика, представленной на Фиг.4,
Фиг.6 - капсула датчика, установленная на изолирующем узле,
Фиг.7 - вид в изометрии капсулы датчика с кольцом для восприятия давления,
Фиг.8 - капсула датчика, сформированная за одно целое с изолирующим узлом,
Фиг.9 - вид спереди формованного блока капсулы датчика,
Фиг.10 - поперечное сечение 10-10' формованного блока, представленного на Фиг.9,
Фиг.11 - поперечное сечение 11-11' формованного блока, представленного на Фиг.9,
Фиг.12 - частичное фронтальное сечение места установки датчика в формованном блоке, представленном на Фиг.9.
Подробное описание изобретения
В вариантах исполнения, представленных ниже, миниатюрный керамический датчик имеет шейку датчика, которую проводят через канал для установки датчика. Зазор между шейкой датчика и каналом для установки датчика заполняют герметизирующим материалом, который может быть твердым припоем или герметизирующим компаундом. Миниатюрный керамический датчик имеет в общем прямоугольное поперечное сечение с малыми размерами порядка 5 мм.
Сложно точно выполнить канал в блоке некруглого сечения с острыми углами при таких малых размерах и жестких допусках посадки. Для решения этой проблемы блок изготавливают из двух полублоков, которые могут быть (или не быть) одинаковыми. Два полублока имеют соединительные или сопрягаемые поверхности, которые соединяют друг с другом после формования для получения готового блока. До соединения каждая сопрягаемая поверхность представляет собой открытую поверхность, которую можно легко отлить под давлением или обработать на фрезерном станке с числовым программным управлением для обеспечения в общем прямоугольной половины полости, которой придана форма для размещения в ней шейки датчика. Для обработки на фрезерном станке могут быть использованы обычные, коммерчески доступные резцы, и нет необходимости в создании специальных (на заказ) резцов или использовании необычных технологий обработки. При изготовлении можно использовать простые формы. Внутреннюю напорную камеру, которую было бы чрезвычайно сложно обработать или сформовать внутри цельного блока, легко обработать, используя обычные резцы, обрабатывая со стороны открытых соединительных поверхностей полублоков. В альтернативном варианте исполнения полость можно легко сформовать. Для удобства сборки полублоков могут быть предусмотрены отверстия и штифты или отлитые выемки (и выступы) для совмещения. Для облегчения совмещения, если это желательно, могут быть также использованы детали, например, проставки, во время герметизации датчика в канале для установки датчика. С помощью опционно применяемых проставок можно сделать зазоры более равномерными и обеспечивать более высокую производительность при припаивании датчиков. Между стенками канала для установки датчика в блоке и корпусом керамического датчика получается прямой герметичный паяный шов. С помощью проставок датчик удерживают в приблизительно сцентрированном положении, позволяя герметизирующему материалу полностью обтекать вокруг наружной поверхности шейки датчика. Когда герметизирующий материал полностью обтекает вокруг шейки датчика, то за счет капиллярного эффекта происходит дальнейшее центрирование шейки датчика в канале для установки датчика, благодаря чему обеспечивается равномерная толщина герметизирующего материала вокруг наружной поверхности датчика. За счет равномерной толщины паяного соединения вокруг датчика или соединения из герметизирующего компаунда обеспечивают высококачественное уплотнение для изоляции от проникновения жидкости.
Датчик имеет чувствительную поверхность, расположенную на некотором расстоянии от места герметичного закрепления датчика и помещенную в напорной камере в блоке, благодаря чему обеспечивается хорошая механическая изоляция ее от воздействия нагрузки. Корпус датчика предпочтительно изготавливают из непроводящего керамического материала, благодаря чему обеспечивают хорошую гальваническую изоляцию между блоком и электрической цепью датчика. Использование дорогостоящих стеклянно-металлических уплотнений здесь исключают, и готовая капсула датчика обладает широким диапазоном рабочих температур.
В наружной поверхности блока, если это желательно, может быть выполнено «гнездо», окружающее канал для установки датчика. Гнездо может быть заполнено точно определенным количеством частиц из материала припоя. Процесс затвердевания припоя проводят в условиях, когда датчик удерживают на месте посредством штифта, причем материал припоя расплавляют, и он затекает в зазор, но при этом не происходит проникновения чрезмерного количества материала припоя в напорную камеру. Штифт затем удаляют до того, как капсулу датчика вводят в действие.
Если применяют герметизирующий компаунд, то используют гнездо для того, чтобы наблюдать за уровнем заполнения полости герметизирующим компаундом.
На Фиг.1-3 изображена примерная капсула 20 датчика. На Фиг.1 представлен вид в изометрии капсулы 20 датчика. На Фиг.2 показано фронтальное сечение капсулы 20 датчика. На Фиг.3 показано боковое продольное сечение капсулы 20 датчика. Вид, изображенный на Фиг.3, в общем выполнен вдоль соединительной поверхности 22 между полублоками 26, 28 блока 24.
Как показано на Фиг.1-3, капсула 20 датчика содержит блок 24, снабженный каналом 30 для установки датчика, причем длина 32 канала для установки блока определена от наружной поверхности 34 блока до напорной камеры 36 в блоке 24. Наружная поверхность 34 блока является дном гнезда 35. Гнездо 35 более подробно описано ниже со ссылками на Фиг.4-5.
Блок 24 может быть сформован из любого подходящего материала при применении любого способа формования, однако, блок 24 формуют в виде двух полублоков 26, 28, как это изображено на чертежах, и соединяют между собой вдоль сопрягаемых поверхностей 22, 23. Полублоки 26, 28 могут быть сформованы путем фрезерования, путем использования порошковой металлургии, путем инжекции металлического порошка или другими известными способами. В одном предпочтительном варианте исполнения полублоки 26, 28 формируют из никеля 200 и соединяют золотоникелевым припоем при температуре около 980°С. В качестве альтернативных вариантов исполнения полублоки 26, 28 могут быть изготовлены из сплава 46, а в качестве припоя для соединения полублоков 26, 28 может быть использован медно-серебряный припой.
Еще в одном другом предпочтительном варианте исполнения полублоки 26, 28 могут быть изготовлены из керамики. Если полублоки 26, 28 изготавливают из керамики, то их можно соединять друг с другом путем проведения реакции скрепления или путем химического скрепления, как это описано, например, в патенте США №4050956, выданном на имя Брюина и др. Могут быть также использованы и другие известные способы скрепления керамики.
Для удобства совмещения полублоков 26, 28 во время их соединения полублоки 26, 28 могут быть снабжены отверстиями 37 для совмещения и штифтами (или трубочками) 38. Штифты 38 вставляют между полублоками 26, 28 во время пайки для обеспечения точного совмещения полублоков 26, 28, особенно вокруг канала 30 для установки датчика. В предпочтительном варианте исполнения два штифта 38 для совмещения изготавливают диаметром 1,59 мм из никелевой трубочки длиной 2,5 мм. Общий размер блока 24 предпочтительно составляет порядка менее 25 мм.
Трубку 40 для впуска жидкости впаивают в блок 24 тогда же, когда припаивают друг к другу полублоки 26, 28. В предпочтительном варианте исполнения между трубкой 40 для впуска жидкости и блоком 24 вставляют керамическую трубку 42. Керамическую трубку 40 электрически изолируют, и посредством ее обеспечивают электрическую изоляцию между трубкой 40 для ввода жидкости и блоком 24. Припоем 44 герметизируют трубку для впуска жидкости и прикрепляют ее к керамической трубке 42, а припоем 46 герметизируют керамическую трубку 42 и прикрепляют ее к блоку 24. Трубка 40 для впуска жидкости является полой и открытой со стороны напорной камеры 36 в блоке 24 для того, чтобы по ней подавать жидкость в напорную камеру 36. Трубка 40 для впуска жидкости имеет отдаленный конец 48, который можно присоединять к источнику жидкости. Жидкость, подводимую к отдаленному концу 48, пропускают через трубку 40 для впуска жидкости в напорную камеру 36, где она контактирует со смачиваемой частью датчика 50. Обычно жидкость, подводимая к отдаленному концу 48, является изолирующей жидкостью, например, силиконовым маслом, посредством которой передают давление на датчик 50, который обычно является датчиком давления.
Датчик 50 снабжен шейкой 52 датчика, располагаемой в канале 30 для установки датчика. Шейку 52 датчика припаивают в канале 30 для установки датчика паяным соединением 58. Паяное соединение 58 заполняет полость 59 для припоя между шейкой 52 датчика и каналом 30 для установки датчика. В некоторых вариантах исполнения шейка 52 датчика может быть металлизирована для улучшения процесса пайки. Паяное соединение 58 датчика и полость 59 для припоя более подробно описаны ниже со ссылками на примеры исполнения, представленные на Фиг.4, 5.
Датчик выполнен продолговатой формы и имеет поверхность 54, чувствительную к жидкости, располагаемую в напорной камере 36. Поверхность 54, чувствительная к жидкости, находится на некотором расстоянии от шейки 52 датчика. За счет расстояния между поверхностью 54, чувствительной к жидкости, и шейкой 52 датчика обеспечивают изоляцию от передачи механической нагрузки на поверхность 54, чувствительную к жидкости.
Датчик 50 снабжен электрическими присоединительными выводами 56, которые доступны для присоединения снаружи блока 24. Обычно электрические присоединительные выводы 56 присоединяют к плоскому кабелю (на Фиг.1-3 не показан). Датчик 50 обычно является датчиком абсолютного давления с наружным корпусом, изготовленным из керамического материала. Наружный корпус предпочтительно содержит окись алюминия в форме слоев из единичных кристаллов сапфира. Примеры конструкции датчиков описаны в заявке на изобретение США №09/477689, находящейся на одновременном рассмотрении и озаглавленной «Капсула для напорного датчика с усовершенствованной изоляцией», поданной 6 января 2000 г., а также в патенте США №6089097, выданном на имя Фрика и др.
На Фиг.4 изображен наклонный частичный вид примерного верхнего конца полублока 26, представленного на Фиг.1. Отличительные особенности полублока 26, представленного на Фиг.4, также включены в состав полублока 28. Для большей ясности чертежа паяное соединение 58 датчика не изображено на Фиг.4, но показано отдельно на Фиг.5, внизу.
Вокруг шейки 52 датчика внутри канала 30 для установки датчика располагают множество проставок 70. Каждую проставку 70 располагают так, чтобы она по меньшей мере перекрывала длину 32 канала для установки датчика, образуя зазоры 72 около проставок 70.
На Фиг.5 приведен пример паяного соединения 58 датчика, которое может быть сформировано в канале 30 для установки датчика, показанном на Фиг.4. Паяным соединением 58 датчика заполняют зазоры 72 около проставок 70 и закрепляют шейку 52 датчика в канале 30 для установки датчика. Паяное соединение 58 датчика имеет стенку, толщина которой обычно равномерна вокруг наружной поверхности 80. Паяное соединение 58 датчика, однако, имеет выемки 84, где толщина паяного соединения 58 датчика уменьшена и где проставки 70 заглублены на в общем равномерную толщину. Паяное соединение 58 датчика полностью охватывает шейку 52 датчика вдоль наружной поверхности 80 около проставок. Вдоль наружной поверхности 80 (другими словами, в зазорах 72 между проставками 70) паяное соединение 58 датчика имеет равномерную толщину в пределах 0,025-0,076 мм. Эта толщина паяного соединения 58 датчика вдоль наружной поверхности 80 позволяет обеспечить оптимальное пространство для максимизации фитильного эффекта и капиллярного действия паяного соединения датчика, в то же время позволяет поддерживать точное совмещение расположения шейки 52 датчика в канале 30 для установки датчика. Канал 30 для установки датчика является обычно прямоугольным, и в его углах располагают восемь (8) проставок 70, как это показано на чертеже. С помощью восьми проставок 70 датчик позиционируют в середине канала 30 для установки датчика так, чтобы после припаивания датчик 50 был бы точно выставлен. Такое выставление оказывается возможным благодаря использованию штифта 82 (см. Фиг.2-3) или другого приспособления для временной поддержки массы датчика 50 и расположению проставок 70, а также благодаря капиллярному эффекту вдоль наружной поверхности 80, оказывающему влияние на центрирование датчика 50 в канале 30 для установки датчика. После завершения припаивания штифт 82 удаляют.
С помощью проставок 70 датчик 50 позиционируют перпендикулярно длине датчика 50 для оптимизации капиллярного эффекта в паяном соединении 58 датчика. С помощью фиксатора (не показан), включающего в свой состав маленький штифт 82, позиционируют датчик 50 на требуемой высоте относительно блока 24. С помощью фиксатора удерживают также на месте блок 24 так, чтобы датчик 50 был правильно расположен для припаивания в канале 30 для установки датчика.
Рядом с каналом 30 для установки датчика выполняют гнездо 35. Посредством гнезда 35 обеспечивают карман для удерживания шариков материала припоя в требуемом положении в то время, когда блок и датчик помещают в вакуумную печь для нагрева. Паяное соединение 58 датчика предпочтительно выполняют золотогерманиевым припоем, который вытекает при температуре около 450°С из гнезда 35 в паяное соединение 58 датчика. Температура выполнения паяного соединения 58 датчика вокруг шейки 52 датчика много ниже температуры выполнения паяного соединения 25 блока между сопрягаемыми поверхностями 22, 23 полублоков 26, 28. Паяное соединение 58 датчика может быть завершено без расплавления паяного соединения 58 блока между полублоками 26, 28. Пайка может быть выполнена и другими способами, например индукционным способом или способом с использованием паяльной лампы.
На Фиг.6 изображена капсула датчика, например, капсула 20 датчика, представленная на Фиг.1-3, установленная на изоляционном узле 90. Изоляционный узел 90 содержит опорную плиту 92 с изолирующей диафрагмой 94, приваренной или припаянной к нижней поверхности опорной плиты 92 изоляционного узла. Трубка 40 капсулы 20 датчика приварена или припаяна к опорной плите 92. Трубка 96 для заполнения также приварена или припаяна к опорной плите 92. После сборки капсулы 20 датчика с изоляционным узлом 90, во внутренних проходах и камерах, в трубке 96 для заполнения, опорной плите 92 и капсуле 20 датчика создают вакуум. После того, как создан вакуум, весь узел заполняют изолирующей жидкостью, например силиконовым маслом, и трубку 96 для заполнения зачеканивают и заваривают наглухо. Затем узел, изображенный на Фиг.6, монтируют в передающем устройстве (для контролирования давления) (не показано) и к выводам 56 датчика 50 присоединяют гибкую печатную схему.
На Фиг.7 изображен вид в изометрии капсулы 98 датчика, приспособленной к установке опорного кольца 104, охватывающего канал 30 для установки датчика. В капсуле 98 датчика полублоки 26, 28 модифицированы, т.е. снабжены полуцилиндрическими частями 100, 102, на которые надевают опорное кольцо 104. Стойкость капсулы 98 датчика к воздействию давления обеспечивают посредством добавления опорного кольца 104. Опорное кольцо 104, охватывающее канал 30 для установки датчика, предпочтительно представляет собой кольцо из нержавеющей стали, припаянное к полуцилиндрическим частям 100, 102 блока.
На Фиг.8 изображена капсула 120 датчика, выполненная за одно целое с изоляционным узлом 122. Капсулу 120 датчика образуют путем приваривания друг к другу полублоков 146, 148 вдоль сопрягаемых поверхностей паянным соединением 150. В канал 130 для установки датчика могут быть вставлены опционные проставки, согласно приведенному выше пояснению со ссылками на Фиг.4-5. Паяное соединение 132 для прикрепления датчика (см. Фиг.8) аналогично паяному соединению 58 для прикрепления датчика, изображенному на Фиг.1-3. Напорную камеру 134 присоединяют посредством канала 136 для жидкости к задней стороне изолирующей диафрагмы 138. Канал 136 для жидкости содержит зауженную часть 137, посредством которой обеспечивают защиту от воспламенения участка между изолирующей диафрагмой 138 и напорной камерой 134 датчика.
Изолирующую диафрагму 138 прикрепляют к полублоку 146. Трубку 126 для заполнения припаивают к полублоку 148 паяным соединением 152. Затем полублок 146 припаивают к полублоку 148 паяным соединением 150. В трубку 126 для заполнения временно вставляют штифт, подобный штифту 82, показанному на Фиг.2-3 (на Фиг.8 не показан), для поддержания датчика 128 на время его припаивания в канале 130 для установки датчика посредством паяного соединения 132 датчика. Затем создают вакуум, после чего полости и каналы в капсуле 120 и изоляционном узле 122 заполняют изолирующей жидкостью 156, например силиконовым маслом. Наконец, трубку 126 для заполнения зачеканивают и заваривают наглухо сваркой 154 для герметизации контролируемого количества изолирующей жидкости 156 в готовом узле. Когда к изолирующей диафрагме 138 прикладывают давление, то это давление передается на датчик 134 посредством изолирующей жидкости 156.
К присоединительным выводам 142 датчика 128 прикрепляют гибкую печатную схему 140 и присоединяют ее к электрической цепи (не показана). Гибкую печатную схему 140 поддерживают паяным соединением 144 трубки 126 для заполнения.
Другой вариант исполнения капсулы 220 датчика изображен на Фиг.9-12. Как показано на Фиг.9-12, капсула 220 датчика содержит блок 224, в котором имеется в общем прямоугольный канал 230 для установки датчика, причем длина 232 канала для установки датчика (см. Фиг.12) проходит от наружной поверхности 234 блока до напорной камеры 236 в блоке 224. Наружная поверхность 234 блока образует дно гнезда 235. Гнездо 235 более подробно описано ниже со ссылками на Фиг.12.
Блок 224 может быть сформирован с использованием любой формовочной технологии, однако, блок 224 выполняют в виде двух полублоков 226, 228, как показано, и соединяют между собой сопрягаемыми поверхностями 222, 223. Полублоки 226, 228 могут быть сформованы отливкой под давлением или с использованием других способов формования. В одном предпочтительном варианте исполнения полублоки 226, 228 формуют из пластика и соединяют клеящим раствором или связующим. Полублоки 226, 228 предпочтительно являются идентичными соединяемыми частями. Особенно в том случае, когда их изготавливают из пластика, полублоки 226, 228 включают в себя радиальные опорные полудиски 227 и продольные несущие направляющие 229. Полудисками 227 и несущими направляющими 229 обеспечивают структурную опору, способствующую удержанию давления в напорной камере 236.
Для удобства совмещения полублоков 226, 228 во время их соединения полублоки 226, 228 предпочтительно снабжают выпуклыми соединительными выступами 237 и вогнутыми соединительными впадинами 238. Выступы 237 вводят во впадины 238 во время соединения полублоков 226, 228 для обеспечения точного совмещения во время соединения полублоков 226, 228, особенно вокруг канала 230 для установки датчика. В предпочтительном варианте исполнения выступы и впадины 237, 238 имеют размер в диаметре 1,59 мм и их формуют за одно целое с полублоками 226, 228 в ходе процесса литья под давлением. Общий размер блока 224 предпочтительно составляет порядка менее 25 мм.
Трубки 240 для впуска жидкости формуют за одно целое с полублоками 226, 228 в процессе литья под давлением. Трубки 240 для впуска жидкости электрически изолируют и обеспечивают электрическую изоляцию датчика 250 относительно соединительных трубок (не показано). Трубки 240 для впуска жидкости являются полыми и открытыми относительно напорной камеры 236 в блоке 224 для подачи жидкости в напорную камеру 236. Каждая трубка 240 для впуска жидкости имеет отдаленный конец 248, который можно присоединять к источнику жидкости. Если это желательно, можно сделать так, чтобы жидкость протекала через капсулу 220 датчика или чтобы одна из трубок для подачи жидкости была заглушена, в альтернативном варианте исполнения. Жидкость, подаваемая к отдаленному концу 248, проходит через трубку 240 для впуска жидкости в напорную камеру 236, где она вступает в контакт со смачиваемой частью датчика 250. Обычно в качестве жидкости, подаваемой к отдаленному концу 248, используют изолирующую жидкость, например силиконовое масло, посредством которой передают давление на датчик 250, который обычно является датчиком давления.
Датчик 250 снабжен шейкой 252 датчика, располагаемой в канале 230 для установки датчика. Шейку 252 датчика закрепляют в канале 230 для установки датчика паяным соединением 258 датчика. Паяным соединением 258 датчика заполняют полость 259 для припоя между шейкой 252 датчика и каналом 230 для установки датчика. В некоторых вариантах исполнения шейка 252 датчика или канал 230 для установки датчика могут быть загрунтованы или снабжены насечкой для улучшения сцепления. Герметизирующий компаунд 258 может быть введен в виде жидкости с использованием шприца для подкожных инъекций, и затем ему предоставляют возможность схватывания или затвердевания. Гнездо 235 можно использовать для визуального наблюдения за завершением заполнения герметизируемой полости 259 герметизирующим компаундом 258. Для этого могут быть использованы такие герметизирующие компаунды, как, например, RTV (каучуки, вулканизирующиеся при комнатной температуре) или эпоксидные смолы, в зависимости от требований, предъявляемых при применении. Герметизируемую полость 259 выполняют длинной и узкой для того, чтобы воспрепятствовать перемещению датчика 250 в то время, когда в напорной камере 236 создают давление. Дно герметизируемой полости 259 снабжают одним или большим числом буртиков или проставок 260, которыми окружают шейку 252 датчика. Буртики или проставки 260 делают тонкими и конусообразными, как это показано на Фиг.12, и их деформируют, когда датчик 250 вставляют на его место по плотной посадке, для образования временной герметизации в нижней части герметизируемой полости 259. Уплотнение, образованное с помощью буртиков или проставок 260, позволяет снизить до минимума утечку герметизирующего компаунда 258 за время, когда происходит затвердевание герметизирующего компаунда 258.
Датчик 250 имеет продолговатую форму, а также имеет поверхность 254, чувствительную к жидкости, которую располагают в напорной камере 236. Поверхность 254, чувствительная к жидкости, удалена от шейки 252 датчика. Благодаря наличию определенного расстояния между поверхностью 254, чувствительной к жидкости, и шейкой 252 датчика, обеспечивают изоляцию поверхности 254, чувствительной к жидкости, от воздействия механической нагрузки.
Датчик 250 снабжен электрическими присоединительными выводами 256, которые доступны для присоединения снаружи блока 224. Обычно электрические присоединительные выводы 256 присоединяют к плоскому кабелю (на Фиг.9-12 не показан). Датчик 250 обычно является датчиком абсолютного давления с наружным корпусом, изготовленным из керамического материала. Наружный корпус предпочтительно содержит окись алюминия в форме слоев из единичных кристаллов сапфира. Примеры конструкции датчиков описаны в заявке США, находящейся на одновременном рассмотрении, №09/477689, озаглавленной «Капсула для напорного датчика с усовершенствованной изоляцией», поданной 6 января 2000 г., а также в патенте США №6089097, выданном на имя Фрика и др.
Хотя настоящее изобретение описано со ссылками на предпочтительные варианты исполнения, специалистам в данной области должно быть понятно, что в форму и детали могут быть внесены изменения без отступления от сущности и объема изобретения.

Claims (20)

1. Капсула датчика, содержащая блок, снабженный каналом для установки датчика, причем длина канала для установки датчика проходит от первой наружной поверхности блока до напорной камеры в блоке, блок дополнительно содержит канал для впуска жидкости, проходящий от второй наружной поверхности блока до напорной камеры, причем блок содержит два полублока, соединенных вдоль сопрягаемых поверхностей, проходящих в продольном направлении через канал для установки датчика, датчик, содержащий шейку датчика, проходящую через канал для установки датчика, поверхность, чувствительную к жидкости, располагаемую в напорной камере, и электрические присоединительные выводы датчика, расположенные снаружи напорной камеры, причем шейка датчика отделена от канала для установки датчика зазором, который проходит непрерывно вокруг шейки датчика, паяное соединение датчика для заполнения зазора для соединения шейки датчика с каналом для установки датчика.
2. Капсула датчика по п.1, в которой паяное соединение датчика содержит золото и германий.
3. Капсула датчика по п.1, в которой паяное соединение датчика в зазоре имеет толщину в диапазоне 0,025-0,076 мм.
4. Капсула датчика по п.1, в которой первая наружная поверхность блока содержит гнездо, имеющее объем, по меньшей мере, равный объему материала для выполнения паяного соединения датчика.
5. Капсула датчика по п.1, дополнительно содержащая множество проставок, которые расположены в канале для установки датчика для удерживания шейки датчика, причем размер каждой проставки меньше длины канала для установки датчика.
6. Капсула датчика по п.1, дополнительно содержащая паяное соединение блока для соединения сопрягаемых поверхностей полублоков.
7. Капсула датчика по п.6, в которой материал паяного соединения датчика имеет температуру плавления ниже температуры плавления материала паяного соединения блока.
8. Капсула датчика по п.1, в которой шейка датчика содержит керамический материал.
9. Капсула датчика по п.8, в которой керамический материал содержит окись алюминия.
10. Капсула датчика по п.9, в которой окись алюминия содержит слои из единичных кристаллов сапфира.
11. Капсула датчика по п.9, в которой окись алюминия металлизирована.
12. Капсула датчика по п.9, в которой блок содержит Сплав 46.
13. Капсула датчика по п.9, в которой блок содержит сплав Никель 200.
14. Капсула датчика по п.1, дополнительно содержащая опорное кольцо, установленное на блоке, окружающем канал для установки датчика.
15. Капсула датчика по п.1, дополнительно содержащая трубку, герметизированную в канале для впуска жидкости и приспособленную для ввода жидкости в напорную камеру.
16. Капсула датчика по п.13, дополнительно содержащая узел изолирующей диафрагмы, соединенный с трубкой.
17. Капсула датчика по п.1, дополнительно содержащая изолирующую диафрагму, установленную на второй наружной поверхности блока над каналом для впуска жидкости.
18. Капсула датчика по п.1, дополнительно содержащая гибкую печатную схему, электрически соединенную с электрическими выводами датчика и механически поддерживаемую на блоке.
19. Капсула датчика, содержащая блок, снабженный каналом для установки датчика, причем длина канала для установки датчика проходит от первой наружной поверхности блока до напорной камеры в блоке, блок дополнительно содержит канал для впуска жидкости, проходящий от второй наружной поверхности блока до напорной камеры, причем блок содержит два полублока, соединенных вдоль сопрягаемых поверхностей, проходящих в продольном направлении через канал для установки датчика, датчик, содержащий шейку датчика, проходящую через канал для установки датчика, поверхность, чувствительную к жидкости, располагаемую в напорной камере, и электрические присоединительные выводы датчика, расположенные снаружи напорной камеры, причем шейка датчика отделена от канала для установки датчика зазором, который проходит непрерывно вокруг шейки датчика, герметизирующий компаунд для заполнения зазора для соединения шейки датчика с каналом для установки датчика.
20. Капсула датчика по п.19, в которой полублоки являются пластиковыми полублоками.
RU2004114873/28A 2001-10-15 2002-09-24 Датчик со средствами защиты от жидкости (варианты) RU2292019C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/978,311 US6561038B2 (en) 2000-01-06 2001-10-15 Sensor with fluid isolation barrier
US09/978,311 2001-10-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004114873A RU2004114873A (ru) 2005-04-10
RU2292019C2 true RU2292019C2 (ru) 2007-01-20

Family

ID=25525960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004114873/28A RU2292019C2 (ru) 2001-10-15 2002-09-24 Датчик со средствами защиты от жидкости (варианты)

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6561038B2 (ru)
EP (1) EP1436583B1 (ru)
JP (1) JP4159991B2 (ru)
CN (1) CN1311228C (ru)
DE (1) DE60238498D1 (ru)
RU (1) RU2292019C2 (ru)
WO (1) WO2003034018A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10288457B2 (en) 2014-12-03 2019-05-14 Grundfos Holding A/S Sensor assembly

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8290721B2 (en) 1996-03-28 2012-10-16 Rosemount Inc. Flow measurement diagnostics
US6848316B2 (en) * 2002-05-08 2005-02-01 Rosemount Inc. Pressure sensor assembly
US6883380B2 (en) * 2003-05-16 2005-04-26 Rosemount Inc Pressure sensor capsule
US6722927B1 (en) 2003-05-28 2004-04-20 Rosemount Inc. Electrical connector for a pressure sensor stem
US7523667B2 (en) 2003-12-23 2009-04-28 Rosemount Inc. Diagnostics of impulse piping in an industrial process
US7464721B2 (en) * 2004-06-14 2008-12-16 Rosemount Inc. Process equipment validation
US7258021B2 (en) * 2004-06-25 2007-08-21 Rosemount Inc. Process transmitter isolation assembly
US7373831B2 (en) 2004-06-25 2008-05-20 Rosemount Inc. High temperature pressure transmitter assembly
US20070068225A1 (en) 2005-09-29 2007-03-29 Brown Gregory C Leak detector for process valve
US20070244503A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Salviac Limited Method for filtering embolic material
US8788070B2 (en) 2006-09-26 2014-07-22 Rosemount Inc. Automatic field device service adviser
WO2008113312A1 (de) * 2007-03-19 2008-09-25 Conti Temic Microelectronic Gmbh Sensoranordnung
US8898036B2 (en) 2007-08-06 2014-11-25 Rosemount Inc. Process variable transmitter with acceleration sensor
US7497123B1 (en) 2007-12-18 2009-03-03 Rosemount Inc. Direct mount for pressure transmitter with thermal management
US8042401B2 (en) * 2008-06-12 2011-10-25 Rosemount, Inc. Isolation system for process pressure measurement
US8371175B2 (en) * 2009-10-01 2013-02-12 Rosemount Inc. Pressure transmitter with pressure sensor mount
US9207670B2 (en) 2011-03-21 2015-12-08 Rosemount Inc. Degrading sensor detection implemented within a transmitter
US8671766B2 (en) * 2011-05-19 2014-03-18 Infineon Technologies Ag Integrated pressure sensor seal
US9010191B2 (en) 2011-12-22 2015-04-21 Rosemount Inc. Pressure sensor module for sub-sea applications
EP2823275B1 (en) 2012-03-06 2019-02-27 Rosemount Inc. Remote seal pressure measurement system for subsea use
US9052240B2 (en) 2012-06-29 2015-06-09 Rosemount Inc. Industrial process temperature transmitter with sensor stress diagnostics
US9568387B2 (en) * 2012-08-08 2017-02-14 Rosemount Inc. Thermal diagnostic for single-crystal process fluid pressure sensor
US9602122B2 (en) 2012-09-28 2017-03-21 Rosemount Inc. Process variable measurement noise diagnostic
CN104736984B (zh) * 2012-11-30 2017-09-08 富士电机株式会社 压力传感器装置及压力传感器装置的制造方法
US9442031B2 (en) 2013-06-28 2016-09-13 Rosemount Inc. High integrity process fluid pressure probe
CN104583742B (zh) * 2013-07-19 2016-12-28 罗斯蒙特公司 包括具有两件式隔离插塞的隔离组件的压力变送器
US9459170B2 (en) * 2013-09-26 2016-10-04 Rosemount Inc. Process fluid pressure sensing assembly for pressure transmitters subjected to high working pressure
US9234776B2 (en) 2013-09-26 2016-01-12 Rosemount Inc. Multivariable process fluid transmitter for high pressure applications
US10260980B2 (en) 2013-09-27 2019-04-16 Rosemount Inc. Pressure sensor with mineral insulated cable
US9222815B2 (en) 2013-12-30 2015-12-29 Rosemount Inc. Wafer style insertable magnetic flowmeter with collapsible petals
US10107700B2 (en) 2014-03-24 2018-10-23 Rosemount Inc. Process variable transmitter with process variable sensor carried by process gasket
CN104089639B (zh) * 2014-06-24 2016-08-31 珠海格力电器股份有限公司 传感器电器盒
DE102014212259A1 (de) * 2014-06-26 2016-01-14 Robert Bosch Gmbh Drucksensor zur Erfassung eines Drucks eines fluiden Mediums in einem Messraum
US9638600B2 (en) 2014-09-30 2017-05-02 Rosemount Inc. Electrical interconnect for pressure sensor in a process variable transmitter
JP6895289B2 (ja) * 2017-03-29 2021-06-30 株式会社堀場エステック 圧力センサ
US10598559B2 (en) 2017-06-29 2020-03-24 Rosemount Inc. Pressure sensor assembly

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU506222A1 (ru) * 1973-06-18 1976-08-05 Государственный научно-исследовательский институт теплоэнергетического приборостроения Измерительный преобразователь давлени агрессивных сред
WO1989008243A1 (fr) * 1988-02-24 1989-09-08 Keller AG für Druckmeßtechnik Dispositif de mesure de pression
US6089097A (en) * 1995-02-28 2000-07-18 Rosemount Inc. Elongated pressure sensor for a pressure transmitter
WO2001050104A2 (en) * 2000-01-06 2001-07-12 Rosemount Inc. Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor

Family Cites Families (218)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1648764U (de) 1952-10-06 1952-12-31 Agnes Speer Schnelleinfaedler fuer naehmaschinen-, naeh- und stopfnadeln.
US3239827A (en) 1960-01-12 1966-03-08 Rosemount Eng Co Ltd High precision pressure standard
US3079576A (en) 1961-02-01 1963-02-26 Rosemount Eng Co Ltd Integral strain transducer
US3147085A (en) 1961-09-14 1964-09-01 Gen Electric Apparatus for growing whiskers
BE635328A (ru) 1962-07-25
GB1069435A (en) 1963-05-21 1967-05-17 G V Planer Ltd Electromechanical transducer device
NL6411121A (ru) 1964-09-24 1966-03-25
US3356963A (en) 1966-06-23 1967-12-05 Willard E Buck Fused quartz motion sensitive transducer
US3405559A (en) 1966-11-07 1968-10-15 United Aircraft Corp Pressure transducer
US3440873A (en) 1967-05-23 1969-04-29 Corning Glass Works Miniature pressure transducer
US3750476A (en) 1967-09-25 1973-08-07 Bissett Berman Corp Pressure transducer
US3589965A (en) 1968-11-27 1971-06-29 Mallory & Co Inc P R Bonding an insulator to an insulator
US3696985A (en) 1969-12-31 1972-10-10 Western Electric Co Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces
USRE28798E (en) 1969-12-31 1976-05-04 Western Electric Co., Inc. Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces
US3743552A (en) 1970-01-30 1973-07-03 North American Rockwell Process for coplanar semiconductor structure
US4050956A (en) 1970-02-20 1977-09-27 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Chemical bonding of metals to ceramic materials
US3645137A (en) 1970-04-16 1972-02-29 Bendix Corp Quartz pressure sensor
DE2021479A1 (de) 1970-05-02 1971-11-11 Kleinwaechter Hans Druckmessgeraet zur Messung von Drucken in Gasen und Fluessigkeiten
IL38468A (en) 1971-02-02 1974-11-29 Hughes Aircraft Co Electrical resistance device and its production
CS153132B1 (ru) 1971-02-12 1974-02-25
US3715638A (en) 1971-05-10 1973-02-06 Bendix Corp Temperature compensator for capacitive pressure transducers
US3962921A (en) 1972-02-04 1976-06-15 The Garrett Corporation Compensated pressure transducer
US3744120A (en) 1972-04-20 1973-07-10 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3854892A (en) 1972-04-20 1974-12-17 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3766634A (en) 1972-04-20 1973-10-23 Gen Electric Method of direct bonding metals to non-metallic substrates
US3899878A (en) 1972-07-19 1975-08-19 Int Harvester Co Apparatus for indicating gas temperatures
US3834604A (en) 1972-10-03 1974-09-10 Western Electric Co Apparatus for solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium
US3939559A (en) 1972-10-03 1976-02-24 Western Electric Company, Inc. Methods of solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium
SU463643A1 (ru) 1973-01-03 1975-03-15 Ордена Ленина Предприятие П/Я А-1705 Способ изготовлени изделий
FR2246506A1 (en) 1973-10-09 1975-05-02 Podvigalkina Galina Joining of silicate glass lenses - by formation of silicate film on lens surface(s) then sintering together by IR radiation
US3858097A (en) 1973-12-26 1974-12-31 Bendix Corp Pressure-sensing capacitor
US3994430A (en) 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
US4177496A (en) 1976-03-12 1979-12-04 Kavlico Corporation Capacitive pressure transducer
US4426673A (en) 1976-03-12 1984-01-17 Kavlico Corporation Capacitive pressure transducer and method of making same
US4084438A (en) 1976-03-29 1978-04-18 Setra Systems, Inc. Capacitive pressure sensing device
US4018374A (en) 1976-06-01 1977-04-19 Ford Aerospace & Communications Corporation Method for forming a bond between sapphire and glass
US4064549A (en) 1976-08-31 1977-12-20 Metrolology General Corporation Cylindrical capacitive quartz transducer
US4158217A (en) 1976-12-02 1979-06-12 Kaylico Corporation Capacitive pressure transducer with improved electrode
US4128006A (en) 1976-12-13 1978-12-05 Bunker Ramo Corporation Packaging of pressure sensor cells
US4127840A (en) 1977-02-22 1978-11-28 Conrac Corporation Solid state force transducer
US4078711A (en) 1977-04-14 1978-03-14 Rockwell International Corporation Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond
US4202217A (en) 1977-12-12 1980-05-13 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas
US4208782A (en) 1977-12-12 1980-06-24 Kulite Semiconductor Products, Inc. Methods of fabricating transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas
SU736216A1 (ru) 1978-02-22 1980-05-25 Предприятие П/Я А-3695 Способ изготовлени газоразр дной лампы
JPS5516228A (en) 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
US4196632A (en) 1978-08-14 1980-04-08 The Boeing Company Dual capacitance type bonded pressure transducer
GB2034478B (en) 1978-11-07 1983-03-02 Vaisala Oy Pressure gauge having an aneroid capsule
US4278195A (en) 1978-12-01 1981-07-14 Honeywell Inc. Method for low temperature bonding of silicon and silicon on sapphire and spinel to nickel and nickel steel and apparatus using such _a bonding technique
US4274125A (en) 1979-01-23 1981-06-16 The Bendix Corporation Temperature compensated capacitance pressure transducer
JPS5937716Y2 (ja) 1979-01-31 1984-10-19 日産自動車株式会社 半導体差圧センサ
JPS5817421B2 (ja) 1979-02-02 1983-04-07 日産自動車株式会社 半導体圧力センサ
US4236137A (en) 1979-03-19 1980-11-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flexure frames
US4216404A (en) 1979-04-12 1980-08-05 Kulite Semiconductor Products Inc. Housing and lead arrangements for electromechanical transducers
FR2455733A1 (fr) 1979-04-19 1980-11-28 Motorola Inc Capteur de pression a effet capacitif et procede de fabrication
US4222277A (en) 1979-08-13 1980-09-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Media compatible pressure transducer
CA1154502A (en) 1979-09-04 1983-09-27 Joseph W. Crow Semiconductor variable capacitance pressure transducer
US4301492A (en) 1980-01-28 1981-11-17 Paquin Maurice J Pressure-sensing transducer
US4382247A (en) 1980-03-06 1983-05-03 Robert Bosch Gmbh Pressure sensor
JPS56129831A (en) 1980-03-17 1981-10-12 Yokogawa Hokushin Electric Corp Pressure converter
DE3015356A1 (de) 1980-04-22 1981-10-29 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Freitragende schichten sowie verfahren zur herstellung freitragender schichten, insbesondere fuer sensoren fuer brennkraftmaschinen
DE3030765C2 (de) 1980-08-14 1985-09-26 Friedrich Grohe Armaturenfabrik Gmbh & Co, 5870 Hemer Elektronisch geregeltes Mischventil
US4419142A (en) 1980-10-24 1983-12-06 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method of forming dielectric isolation of device regions
SE436936B (sv) 1981-01-29 1985-01-28 Asea Ab Integrerad kapacitiv givare
US4422335A (en) 1981-03-25 1983-12-27 The Bendix Corporation Pressure transducer
US4443293A (en) 1981-04-20 1984-04-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Method of fabricating transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas
US4359498A (en) 1981-04-20 1982-11-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas
US4598996A (en) 1981-05-07 1986-07-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Temperature detector
US4389895A (en) 1981-07-27 1983-06-28 Rosemount Inc. Capacitance pressure sensor
US4456901A (en) 1981-08-31 1984-06-26 Kulite Semiconductor Products, Inc. Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages
US4412203A (en) 1981-09-10 1983-10-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Housing and interconnection assembly for a pressure transducer
JPS5855732A (ja) 1981-09-30 1983-04-02 Hitachi Ltd 静電容量型圧力センサ
US4454765A (en) 1981-11-03 1984-06-19 Lodge Arthur S Extended range pressure transducers
GB2109099B (en) 1981-11-05 1985-07-24 Glaverbel Composite refractory articles and method of manufacturing them
US4416156A (en) 1981-12-23 1983-11-22 Honeywell Inc. High pressure electrical feedthru
NL8201222A (nl) 1982-03-24 1983-10-17 Philips Nv Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer.
US4422125A (en) 1982-05-21 1983-12-20 The Bendix Corporation Pressure transducer with an invariable reference capacitor
US4424713A (en) 1982-06-11 1984-01-10 General Signal Corporation Silicon diaphragm capacitive pressure transducer
US4535219A (en) 1982-10-12 1985-08-13 Xerox Corporation Interfacial blister bonding for microinterconnections
DE3404262A1 (de) 1983-03-09 1984-09-13 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Kapazitiver messfuehler
US5007841A (en) 1983-05-31 1991-04-16 Trw Inc. Integrated-circuit chip interconnection system
US4479070A (en) 1983-06-10 1984-10-23 Sperry Corporation Vibrating quartz diaphragm pressure sensor
DE3324661A1 (de) 1983-07-08 1985-01-17 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum direkten verbinden von metall mit keramik
US4517622A (en) 1983-08-29 1985-05-14 United Technologies Corporation Capacitive pressure transducer signal conditioning circuit
US4507973A (en) 1983-08-31 1985-04-02 Borg-Warner Corporation Housing for capacitive pressure sensor
JPS6051700A (ja) 1983-08-31 1985-03-23 Toshiba Corp シリコン結晶体の接合方法
US4539061A (en) 1983-09-07 1985-09-03 Yeda Research And Development Co., Ltd. Process for the production of built-up films by the stepwise adsorption of individual monolayers
NL8303109A (nl) 1983-09-08 1985-04-01 Philips Nv Werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee delen.
US4572000A (en) 1983-12-09 1986-02-25 Rosemount Inc. Pressure sensor with a substantially flat overpressure stop for the measuring diaphragm
GB8401848D0 (en) 1984-01-24 1984-02-29 Carter R E Pressure transducer
US4525766A (en) 1984-01-25 1985-06-25 Transensory Devices, Inc. Method and apparatus for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors
FI74350C (fi) 1984-02-21 1988-01-11 Vaisala Oy Kapacitiv absoluttryckgivare.
US4542436A (en) 1984-04-10 1985-09-17 Johnson Service Company Linearized capacitive pressure transducer
EP0161740B1 (en) 1984-05-09 1991-06-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor substrate
US4649627A (en) 1984-06-28 1987-03-17 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon-on-insulator transistors with a shared element
JPS6173345A (ja) 1984-09-19 1986-04-15 Toshiba Corp 半導体装置
FI75426C (fi) 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
US4625561A (en) 1984-12-06 1986-12-02 Ford Motor Company Silicon capacitive pressure sensor and method of making
JPS61142759A (ja) 1984-12-14 1986-06-30 Ngk Spark Plug Co Ltd Ｉｃパツケ−ジ用基板
JPH0770474B2 (ja) 1985-02-08 1995-07-31 株式会社東芝 化合物半導体装置の製造方法
EP0256150B1 (en) 1986-08-13 1990-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for bonding semiconductor wafers
US4780572A (en) 1985-03-04 1988-10-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Device for mounting semiconductors
US4586109A (en) 1985-04-01 1986-04-29 Bourns Instruments, Inc. Batch-process silicon capacitive pressure sensor
US4764747A (en) 1985-06-19 1988-08-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Glass header structure for a semiconductor pressure transducer
NL8501773A (nl) 1985-06-20 1987-01-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
JPH0783050B2 (ja) 1985-06-21 1995-09-06 株式会社東芝 半導体素子の製造方法
US4601779A (en) 1985-06-24 1986-07-22 International Business Machines Corporation Method of producing a thin silicon-on-insulator layer
US4689999A (en) 1985-07-26 1987-09-01 The Garrett Corporation Temperature compensated pressure transducer
SU1398825A1 (ru) 1985-09-25 1988-05-30 Северо-Западный Заочный Политехнический Институт Датчик дл измерени давлени прикуса зубов
NL8600216A (nl) 1986-01-30 1987-08-17 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4716492A (en) 1986-05-05 1987-12-29 Texas Instruments Incorporated Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer
DE3616308C2 (de) 1986-05-14 1995-09-21 Bosch Gmbh Robert Sensor
US4703658A (en) 1986-06-18 1987-11-03 Motorola, Inc. Pressure sensor assembly
US4800758A (en) 1986-06-23 1989-01-31 Rosemount Inc. Pressure transducer with stress isolation for hard mounting
US4769882A (en) 1986-10-22 1988-09-13 The Singer Company Method for making piezoelectric sensing elements with gold-germanium bonding layers
US4773972A (en) 1986-10-30 1988-09-27 Ford Motor Company Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers
NL8700033A (nl) 1987-01-09 1988-08-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het type halfgeleider op isolator.
US5113868A (en) 1987-06-01 1992-05-19 The Regents Of The University Of Michigan Ultraminiature pressure sensor with addressable read-out circuit
US4754365A (en) 1987-06-15 1988-06-28 Fischer & Porter Company Differential pressure transducer
SU1597627A1 (ru) 1987-06-26 1990-10-07 Институт физики Земли им.О.Ю.Шмидта Датчик давлени
GB8718639D0 (en) 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Capacitive pressure sensors
GB8718637D0 (en) 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Sealing electrical feedthrough
US4774196A (en) 1987-08-25 1988-09-27 Siliconix Incorporated Method of bonding semiconductor wafers
US4852408A (en) 1987-09-03 1989-08-01 Scott Fetzer Company Stop for integrated circuit diaphragm
US4875368A (en) 1987-09-08 1989-10-24 Panex Corporation Pressure sensor system
US4929893A (en) 1987-10-06 1990-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
US4857130A (en) 1987-12-03 1989-08-15 Hughes Aircraft Company Temperature stable optical bonding method and apparatus obtained thereby
US4806783A (en) 1988-02-25 1989-02-21 Transducer Technologies Inc. Transducer circuit
US5068712A (en) 1988-09-20 1991-11-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
DE3811047A1 (de) 1988-03-31 1989-10-12 Draegerwerk Ag Fuehler zur kapazitiven messung des druckes in gasen
DE3811311C1 (ru) 1988-04-02 1989-03-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US4994781A (en) 1988-04-07 1991-02-19 Sahagen Armen N Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire
US5174926A (en) 1988-04-07 1992-12-29 Sahagen Armen N Compositions for piezoresistive and superconductive application
NL8800953A (nl) 1988-04-13 1989-11-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam.
US5197892A (en) 1988-05-31 1993-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit device having an electric connecting member and electric circuit components
EP0355340A1 (en) 1988-07-04 1990-02-28 Hiroaki Aoshima Process for producing structures by bonding together synthetic corundum single crystals
JPH02124800A (ja) 1988-07-04 1990-05-14 Hiroaki Aoshima 一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法
DE3822966C2 (de) 1988-07-07 1993-09-30 Degussa Verwendung einer Silberlegierung als Lot zum direkten Verbinden von Keramikteilen
DE3901492A1 (de) 1988-07-22 1990-01-25 Endress Hauser Gmbh Co Drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US4879903A (en) 1988-09-02 1989-11-14 Nova Sensor Three part low cost sensor housing
FR2638524B1 (fr) 1988-10-27 1994-10-28 Schlumberger Prospection Capteur de pression utilisable dans les puits de petrole
US4883215A (en) 1988-12-19 1989-11-28 Duke University Method for bubble-free bonding of silicon wafers
US4954925A (en) 1988-12-30 1990-09-04 United Technologies Corporation Capacitive sensor with minimized dielectric drift
SU1629763A1 (ru) 1989-02-12 1991-02-23 Предприятие П/Я А-1891 Способ изготовлени емкостного датчика давлени
NL8900388A (nl) 1989-02-17 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen.
DE3909185A1 (de) 1989-03-21 1990-09-27 Endress Hauser Gmbh Co Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US5087124A (en) 1989-05-09 1992-02-11 Smith Rosemary L Interferometric pressure sensor capable of high temperature operation and method of fabrication
JPH0355822A (ja) 1989-07-25 1991-03-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体素子形成用基板の製造方法
US5201977A (en) 1989-08-09 1993-04-13 Hiroaki Aoshima Process for producing structures from synthetic single-crystal pieces
JPH0636414B2 (ja) 1989-08-17 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
US4972717A (en) 1989-09-18 1990-11-27 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus and method for making same
US5044202A (en) 1989-09-18 1991-09-03 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus
JPH03170826A (ja) 1989-11-29 1991-07-24 Toshiba Corp 容量型圧力センサ
US5001934A (en) 1990-01-02 1991-03-26 Walbro Corporation Solid state pressure sensor
US5050034A (en) 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
JPH0719737B2 (ja) 1990-02-28 1995-03-06 信越半導体株式会社 Ｓ０１基板の製造方法
EP0444943B1 (en) 1990-02-28 1997-05-21 Shin-Etsu Handotai Company Limited A method of manufacturing a bonded wafer
JPH0636413B2 (ja) 1990-03-29 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
DE4011901A1 (de) 1990-04-12 1991-10-17 Vdo Schindling Kapazitiver drucksensor
EP0456060B1 (en) 1990-04-27 1995-09-13 Hiroaki Aoshima Process for bonding synthetic singel crystals
US5088329A (en) * 1990-05-07 1992-02-18 Sahagen Armen N Piezoresistive pressure transducer
CN1018844B (zh) 1990-06-02 1992-10-28 中国科学院兰州化学物理研究所 防锈干膜润滑剂
NL9001301A (nl) 1990-06-08 1992-01-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een supergeleiderinrichting.
US5084123A (en) 1990-07-02 1992-01-28 Hughes Aircraft Company Temperature stable optical bonding method and apparatus
US5326726A (en) 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5189916A (en) 1990-08-24 1993-03-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Pressure sensor
JP2724419B2 (ja) 1990-08-28 1998-03-09 日本特殊陶業株式会社 圧力センサ
JP2718563B2 (ja) 1990-08-28 1998-02-25 日本特殊陶業株式会社 圧力検出器
JPH0719739B2 (ja) 1990-09-10 1995-03-06 信越半導体株式会社 接合ウェーハの製造方法
DE4031791A1 (de) 1990-10-08 1992-04-09 Leybold Ag Sensor fuer ein kapazitaetsmanometer
US5123849A (en) 1990-11-15 1992-06-23 Amp Incorporated Conductive gel area array connector
US5094109A (en) 1990-12-06 1992-03-10 Rosemount Inc. Pressure transmitter with stress isolation depression
US5157972A (en) * 1991-03-29 1992-10-27 Rosemount Inc. Pressure sensor with high modules support
US5261999A (en) 1991-05-08 1993-11-16 North American Philips Corporation Process for making strain-compensated bonded silicon-on-insulator material free of dislocations
US5155061A (en) 1991-06-03 1992-10-13 Allied-Signal Inc. Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures
US5133215A (en) 1991-06-19 1992-07-28 Honeywell Inc. Pressure transmitter assembly having sensor isolation mounting
US5178015A (en) 1991-07-22 1993-01-12 Monolithic Sensors Inc. Silicon-on-silicon differential input sensors
FR2679651B1 (fr) 1991-07-26 1993-11-12 Schlumberger Services Petroliers Couche mince extensometrique en cermet a base de tantale et de nitrate de tantale, son procede de preparation et son utilisation dans un capteur de pression.
US5231301A (en) 1991-10-02 1993-07-27 Lucas Novasensor Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures
US5319324A (en) 1991-10-02 1994-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of direct bonding of crystals and crystal devices
US5227068A (en) 1991-10-25 1993-07-13 Eco-Soil Systems, Inc. Closed apparatus system for improving irrigation and method for its use
EP0547684A3 (en) 1991-12-18 1996-11-06 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing a semiconductor body comprising a carrier wafer and a monocrystalline semiconducting top layer
US5271277A (en) 1991-12-23 1993-12-21 The Boc Group, Inc. Capacitance pressure transducer
JP2896725B2 (ja) 1991-12-26 1999-05-31 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
US5214563A (en) 1991-12-31 1993-05-25 Compaq Computer Corporation Thermally reactive lead assembly and method for making same
US6140143A (en) 1992-02-10 2000-10-31 Lucas Novasensor Inc. Method of producing a buried boss diaphragm structure in silicon
FR2687777B1 (fr) 1992-02-20 1994-05-20 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication.
US5287746A (en) 1992-04-14 1994-02-22 Rosemount Inc. Modular transmitter with flame arresting header
JP2601128B2 (ja) 1992-05-06 1997-04-16 松下電器産業株式会社 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
US5236118A (en) 1992-05-12 1993-08-17 The Regents Of The University Of California Aligned wafer bonding
US5242864A (en) 1992-06-05 1993-09-07 Intel Corporation Polyimide process for protecting integrated circuits
US5189591A (en) 1992-06-12 1993-02-23 Allied-Signal Inc. Aluminosilicate glass pressure transducer
EP0579298B1 (en) 1992-06-15 1997-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a plate having a plane main surface, method of manufacturing a plate having parallel main surfaces, and device suitable for implementing said methods
US5294760A (en) 1992-06-23 1994-03-15 The Regents Of The University Of California Digital pressure switch and method of fabrication
CA2142189A1 (en) 1992-08-10 1994-02-17 Hilger A. Walter Adaptor for mounting a pressure sensor to a gas turbine housing
US5228862A (en) 1992-08-31 1993-07-20 International Business Machines Corporation Fluid pressure actuated connector
JP3057924B2 (ja) 1992-09-22 2000-07-04 松下電器産業株式会社 両面プリント基板およびその製造方法
US5332469A (en) 1992-11-12 1994-07-26 Ford Motor Company Capacitive surface micromachined differential pressure sensor
US5314107A (en) 1992-12-31 1994-05-24 Motorola, Inc. Automated method for joining wafers
JP2852593B2 (ja) 1993-03-11 1999-02-03 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
US5369544A (en) 1993-04-05 1994-11-29 Ford Motor Company Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor
JP3087152B2 (ja) 1993-09-08 2000-09-11 富士通株式会社 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法
US5483834A (en) 1993-09-20 1996-01-16 Rosemount Inc. Suspended diaphragm pressure sensor
US5424650A (en) 1993-09-24 1995-06-13 Rosemont Inc. Capacitive pressure sensor having circuitry for eliminating stray capacitance
JP3111816B2 (ja) 1993-10-08 2000-11-27 株式会社日立製作所 プロセス状態検出装置
DE4342890A1 (de) 1993-12-16 1995-06-22 Mannesmann Kienzle Gmbh Verfahren zum Abdichten herstellprozeßbedingter Öffnungen an mikromechanischen Beschleunigungssensoren
US5466630A (en) 1994-03-21 1995-11-14 United Microelectronics Corp. Silicon-on-insulator technique with buried gap
US5437189A (en) 1994-05-03 1995-08-01 Motorola, Inc. Dual absolute pressure sensor and method thereof
US5471884A (en) 1994-07-05 1995-12-05 Motorola, Inc. Gain-adjusting circuitry for combining two sensors to form a media isolated differential pressure sensor
WO1996007351A1 (en) 1994-09-02 1996-03-14 Cardiometrics, Inc. Ultra miniature pressure sensor and guidewire using the same and method
US5479827A (en) 1994-10-07 1996-01-02 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment
US5528452A (en) 1994-11-22 1996-06-18 Case Western Reserve University Capacitive absolute pressure sensor
US5731522A (en) 1997-03-14 1998-03-24 Rosemount Inc. Transmitter with isolation assembly for pressure sensor
JP3239940B2 (ja) 1997-09-10 2001-12-17 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5982608A (en) 1998-01-13 1999-11-09 Stmicroelectronics, Inc. Semiconductor variable capacitor
US6126889A (en) 1998-02-11 2000-10-03 General Electric Company Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp
JP3339565B2 (ja) 1998-09-29 2002-10-28 株式会社山武 圧力センサ
US6131462A (en) 1998-12-18 2000-10-17 Delaware Capital Formation, Inc. Pressure/temperature transducer with improved thermal coupling and enhanced transient response
US6508129B1 (en) 2000-01-06 2003-01-21 Rosemount Inc. Pressure sensor capsule with improved isolation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU506222A1 (ru) * 1973-06-18 1976-08-05 Государственный научно-исследовательский институт теплоэнергетического приборостроения Измерительный преобразователь давлени агрессивных сред
WO1989008243A1 (fr) * 1988-02-24 1989-09-08 Keller AG für Druckmeßtechnik Dispositif de mesure de pression
US6089097A (en) * 1995-02-28 2000-07-18 Rosemount Inc. Elongated pressure sensor for a pressure transmitter
WO2001050104A2 (en) * 2000-01-06 2001-07-12 Rosemount Inc. Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10288457B2 (en) 2014-12-03 2019-05-14 Grundfos Holding A/S Sensor assembly

Also Published As

Publication number Publication date
EP1436583A1 (en) 2004-07-14
JP2005526232A (ja) 2005-09-02
DE60238498D1 (de) 2011-01-13
CN1311228C (zh) 2007-04-18
CN1633588A (zh) 2005-06-29
US20020100333A1 (en) 2002-08-01
WO2003034018A1 (en) 2003-04-24
EP1436583B1 (en) 2010-12-01
RU2004114873A (ru) 2005-04-10
US6561038B2 (en) 2003-05-13
JP4159991B2 (ja) 2008-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2292019C2 (ru) Датчик со средствами защиты от жидкости (варианты)
CA2523553C (en) Pressure pickup with temperature compensation
US5709337A (en) Mounting assembly for a pressure transmitter
US5948988A (en) Pressure transducer with flame arrester
CN100472115C (zh) 具有热绝缘部分的毛细管焊接延伸部分
CN115127722A (zh) 一种温度压力传感器
CN107655532A (zh) 超声波换能器装置和超声波流量计
WO2004104541A1 (en) Pressure sensor capsule
US20120118069A1 (en) Pressure transducer assembly having an integral back-up ring
US6920786B2 (en) Flow detector with lead-throughs and method for its production
KR20000022058A (ko) 가스 센서용 센서 소자 밀봉부
CN109642844A (zh) 用于减少压力测量室的容积的填充体
WO2009087767A1 (ja) 圧力センサ及びその製造方法
US6032514A (en) Gas measuring sensor
CN210293534U (zh) 一种传感器
WO2010048061A2 (en) Improved mounting apparatus and method for accurately positioning and aligning a leadless semiconductor chip on an associated header
US4888992A (en) Absolute pressure transducer and method for making same
JP4020014B2 (ja) 圧力センサ
EP0337380B1 (en) Semiconductor pressure sensor
JP3324053B2 (ja) 圧力変換器
JP4883999B2 (ja) 渦流量計の製造方法、および、渦流量計
US4361047A (en) Differential pressure to electrical signal transducer
JP2024049700A (ja) 圧力センサおよび圧力センサの製造方法
HK1008091B (en) Semiconductor pressure sensor
JP2020008396A (ja) 圧力センサ