RU2130668C1 - Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник - Google Patents
Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник Download PDFInfo
- Publication number
- RU2130668C1 RU2130668C1 RU94037403A RU94037403A RU2130668C1 RU 2130668 C1 RU2130668 C1 RU 2130668C1 RU 94037403 A RU94037403 A RU 94037403A RU 94037403 A RU94037403 A RU 94037403A RU 2130668 C1 RU2130668 C1 RU 2130668C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gate
- region
- transistor
- source
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7839—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with Schottky drain or source contact
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
Abstract
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник содержит диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены области истока и стока, снабженные электродами и выполненные из материала с металлической проводимостью, полупроводниковую подзатворную область, размещенную между областями истока и стока, слой подзатворного диэлектрика, снабженный электродом затвора и расположенный на поверхности подзатворной области. Транзистор содержит дополнительную сильнолегированную полупроводниковую область с электродом, выполненную на поверхности диэлектрической подложки и прилегающую к подзатворной области. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия и рабочей температуры транзистора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к полевым транзисторам типа металл - диэлектрик - полупроводник (МДП).
Известен МДП транзистор, содержащий выполненные в полупроводниковом кристалле области истока и стока, снабженные соответствующими электродами. Между областями истока и стока размещена подзатворная область, на поверхности которой имеется слой подзатворного диэлектрика. На поверхности подзатворного диэлектрика находится электрод затвора (S.R. Hofstein, F.P. Heiman. "The Silicon Insulated-Gate Field - Effect Transistor". Proc. IEEE, V. 51. p. 1198, 1963). Такая конструкция транзистора ограничивает предельную рабочую температуру до 100 - 150oC вследствие большой площади поверхности истока и стока, больших генерационных токов "p-n" переходов.
Данный недостаток частично устраняется в МДП транзисторе, содержащем диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены полупроводниковые области истока и стока (Зи С. "Физика полупроводниковых приборов", книга 2, раздел 8.5.7. "Структуры типа "кремний на изоляторе", М.,Мир, стр. 75, 1984).
Кроме того, быстродействие таких транзисторов ограничено проводимостью областей истока и стока и их емкостями.
Известен транзистор, который сформирован на изолирующей подложке, поверх которой сформированы области истока и стока, выполненные металлическими и между ними расположена область канала, а сверху - подзатворный диэлектрик и затвор (EP 0165027 A2, Stauffer Chemical Company, 18.12.85, HolL 29/78).
Однако приведенные выше транзисторы не обеспечивают требуемых значений в отношении быстродействия и рабочей температуры.
Настоящее изобретение направлено на устранение вышеприведенных недостатков и позволяет значительно повысить рабочую температуру, например до 350 - 400oC.
Это достигается тем, что в транзисторе согласно изобретению, содержащем диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены области истока и стока, снабженные электродами и выполненные из материала с металлической проводимостью, полупроводниковую подзатворную область, размещенную между областями истока и стока, слой подзатворного диэлектрика, снабженный электродом затвора и расположенный на поверхности подзатворной области, имеется дополнительная сильнолегированная полупроводниковая область с электродом, выполненная на поверхности диэлектрической подложки и прилегающая к подзатворной области.
Таких дополнительных сильнолегированных полупроводниковых областей, снабженных электродами и прилегающих с противоположных сторон к подзатворной области, может быть две.
В качестве материала для подзатворной области можно использовать полупроводниковый силицид металла, например силицид железа.
Ниже приводится описание настоящего изобретения со ссылками на чертежи, на которых:
на фиг. 1 показан вид сверху на транзистор согласно изобретению;
на фиг. 2 - разрез по линии А-А на фиг. 1;
на фиг. 3 - вид сверху на транзистор, который имеет две дополнительные полупроводниковые области.
на фиг. 1 показан вид сверху на транзистор согласно изобретению;
на фиг. 2 - разрез по линии А-А на фиг. 1;
на фиг. 3 - вид сверху на транзистор, который имеет две дополнительные полупроводниковые области.
На фиг.1 и 2 изображен транзистор, имеющий диэлектрическую подложку (1), на которой расположены область истока (2) и область стока (3). Область истока снабжена электродом истока (4), а область стока - электродом стока (5). Между областями истока и стока размещена полупроводниковая подзатворная область (6), на поверхности которой нанесен слой подзатворного диэлектрика (7) с электродом затвора (8). Транзистор снабжен одной дополнительной сильнолегированной полупроводниковой областью (9), которая расположена на диэлектрической подложке и прилегает к полупроводниковой подзатворной области. Таких дополнительных областей, прилегающих с противоположных сторон к полупроводниковой подзатворной области, может быть две, как показано на фиг. 3. Вторая дополнительная полупроводниковая область (11) снабжена своим электродом (12).
Принцип действия МДП полевого транзистора основан на переносе носителей заряда из области истока (2) в область стока (3) через полупроводниковую подзатворную область (6) и на управлении этим процессом напряжением, приложенным к электроду затвора (8), изменяющим проводимость полупроводниковой подзатворной области.
При приложении напряжения между истоком и стоком область истока испускает носители заряда в полупроводниковую подзатворную область, которые под действием электрического поля перемещаются к области стока. В зависимости от знака и величины потенциала между электродом затвора (8) и электродом истока (4) электропроводимость полупроводниковой подзатворной области может изменяться как по величине, так и по типу проводимости. Это позволяет управлять величиной тока через транзистор вплоть до почти полного его прекращения.
При нулевом потенциале затвора проводимость приповерхностного слоя полупроводниковой подзатворной области зависит от величины и знака заряда в подзатворном диэлектрике (7). Соответственно этому транзистор может быть нормально открытым (ток исток-сток протекает при нулевом потенциале затвора и может быть прекращен при определенном значении потенциала затвора) или нормально закрытым (для протекания тока от истока к стоку необходимо подать потенциал на затвор). При этом электрические свойства системы исток (сток) - полупроводниковая подзатворная область (т.е. они образуют барьеры Шоттки или омический контакт) влияют на выходные и передаточные характеристики транзисторов и режимы их работы, но не изменяют принципа функционирования приборов.
Транзистор согласно фиг. 1 и 2, в котором области истока и стока выполнены из материала с металлической проводимостью, при достижении напряжения (Vз) на затворе значения величины порогового напряжения (Vn) переходит в открытое или закрытое состояние. В случае, если области истока и стока образуют омические контакты, а заряд в подзатворном диэлектрике и напряжение на затворе равны нулю, то транзистор находится в открытом состоянии. В случае, если эти области образуют барьеры Шоттки, то транзистор переходит в закрытое состояние. Металлическая проводимость областей истока и стока повышает термостойкость до, например, 350 - 400oC за счет увеличения проводимости транзистора и уменьшения областей термогенерации.
При приложении к затвору напряжения (Vз) меньше (Vn) и к стоку относительно истока напряжения (Vc), в месте контакта полупроводниковой подзатворной области и области из материала с металлической проводимостью образуется барьер Шоттки с соответствующей ему шириной области пространственного заряда (ОПЗ), который при обратном смещении практически не проводит ток. При превышении напряжения на затворе (Vз)>(Vn) концентрация носителей заряда на границе вышеупомянутых областей возрастает и ширина ОПЗ уменьшается. Барьер Шоттки переходит в туннельно-прозрачный барьер, и транзистор начинает проводить ток.
В случае прямого смещения барьера Шоттки напряжением (Vc) происходит изменение проводимости транзистора за счет модуляции напряжением затвора (Vз) вольтамперной характеристики барьера Шоттки. Использование в полевом транзисторе управляемого перехода барьера Шоттки в туннельно-прозрачный барьер позволяет увеличить быстродействие и крутизну, т.к. эффективная длина канала в таком транзисторе соответствует ширине ОПЗ.
Наличие в транзисторе дополнительной области (9), прилегающей к подзатворной области (6), обеспечивает возможность путем подачи напряжения смещения между электродом (10) этой области и электродом затвора (8) изменять проводимость подзатворной области в части, прилегающей к области (9) вплоть до изменения типа проводимости.
В случае, если благодаря выбору напряжения смещения участок подзатворной области (6), прилегающий к области (9), будет характеризоваться пониженной концентрацией носителей заряда, его можно рассматривать как слаболегированную область того же типа проводимости, как и остальная часть подзатворной области (6), которая в данном случае окажется сильнолегированной. В этом случае при приложении напряжения (Vз), близкого к нулевому, и обратного напряжения (Vс) к стоку транзистор закрыт. При достижении (Vз) = (Vn1) транзистор открывается и работает как обычный обогащенный МДП транзистор (например, p-кaнaльный). Однако при перемене знака (Vс) на стоке-истоке и достижении (Vз) = (Vn2) противоположного (Vn1) по знаку, транзистор начинает работать как n-канальный транзистор.
В случае, если выбор напряжения смещения между затвором и дополнительной областью (9) обеспечивает конверсию типа проводимости этой части подзатворной области, транзистор работает как n-канальный или p-канальный. Такой выбор смещения позволяет повысить стабильность порогового напряжения (Vn) транзистора.
Дополнительная сильнолегированная область, прилегающая к подзатворной области, выполняет роль дополнительных областей истоков (стоков), позволяя минимизировать термогенерацию носителей в подзатворной области и влияние утечек тока через диэлектрическую подложку, как за счет уменьшения длины проводящего канала, так и за счет изменения сопротивления канала благодаря приложению напряжения смещения между дополнительной областью и электродами истока, стока и затвора. Благодаря этому повышается термостойкость и быстродействие транзистора. Дополнительно повышение быстродействия осуществляется схематически при использовании дополнительной области в качестве дополнительного истока и подачи на основной и дополнительный истоки сигналов разной частоты.
Claims (3)
1. Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник, содержащий диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены области истока и стока, снабженные электродами и выполненные из материала с металлической проводимостью, полупроводниковую подзатворную область, размещенную между областями истока и стока, слой подзатворного диэлектрика, снабженный электродом затвора и расположенный на поверхности подзатворной области, отличающийся тем, что содержит дополнительную сильнолегированную полупроводниковую область с электродом, выполненную на поверхности диэлектрической подложки и прилегающую к подзатворной области.
2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что на диэлектрической подложке расположены две дополнительные сильнолегированные полупроводниковые области, снабженные электродами и прилегающие с противоположных сторон к подзатворной области.
3. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что подзатворная область выполнена из полупроводникового силицида металла.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94037403A RU2130668C1 (ru) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник |
| JP8511660A JPH10506753A (ja) | 1994-09-30 | 1995-09-29 | 金属−誘電体−半導体型の電界効果トランジスタ |
| PCT/RU1995/000217 WO1996010842A1 (fr) | 1994-09-30 | 1995-09-29 | Transistor a effet de champ du type metal - dielectrique - semi-conducteur |
| KR1019970702100A KR100396151B1 (ko) | 1994-09-30 | 1995-09-29 | 금속-절연체-반도체전계효과트랜지스터 |
| EP95934359A EP0786813A4 (en) | 1994-09-30 | 1995-09-29 | METAL - DIELECTRIC - SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94037403A RU2130668C1 (ru) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU94037403A RU94037403A (ru) | 1996-09-27 |
| RU2130668C1 true RU2130668C1 (ru) | 1999-05-20 |
Family
ID=20161316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU94037403A RU2130668C1 (ru) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0786813A4 (ru) |
| JP (1) | JPH10506753A (ru) |
| KR (1) | KR100396151B1 (ru) |
| RU (1) | RU2130668C1 (ru) |
| WO (1) | WO1996010842A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2692401C1 (ru) * | 2016-02-01 | 2019-06-24 | Рикох Компани, Лтд. | Полевой транзистор, способ его изготовления, элемент отображения, устройство отображения и система |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2002115829A (ru) * | 2002-06-17 | 2004-03-10 | Саито ТАКЕШИ (JP) | Полевой транзистор |
| JP6120340B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-04-26 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 異種材料接合を有する半導体デバイス |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH461646A (de) * | 1967-04-18 | 1968-08-31 | Ibm | Feld-Effekt-Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US3958266A (en) * | 1974-04-19 | 1976-05-18 | Rca Corporation | Deep depletion insulated gate field effect transistors |
| JPS51135373A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Agency Of Ind Science & Technol | Semiconductor device |
| JPS55160457A (en) * | 1979-03-30 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| SE8101994L (sv) * | 1981-03-27 | 1982-09-28 | Tove Per Arne | Elektronisk krets med schottky-felttransistor med kontaktelement med olika schottky-barrierhojd |
| JPS58176967A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6074561A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | Ｃｍｏｓ半導体装置 |
| JPS62104173A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62229873A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-08 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| JPS63168046A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | Nec Corp | Ｃｍｏｓ装置 |
| GB9008214D0 (en) * | 1990-04-11 | 1990-06-13 | Gen Electric Co Plc | Semiconductor devices |
| DE69121629T2 (de) * | 1990-04-27 | 1997-02-13 | Nec Corp | Dünnfilmtransistor mit Schottky-Sperrschicht |
| JP3039967B2 (ja) * | 1990-08-03 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPH04299574A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3134360B2 (ja) * | 1991-06-27 | 2001-02-13 | 株式会社村田製作所 | 薄膜熱電素子の製造方法 |
-
1994
- 1994-09-30 RU RU94037403A patent/RU2130668C1/ru not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-09-29 WO PCT/RU1995/000217 patent/WO1996010842A1/ru active IP Right Grant
- 1995-09-29 EP EP95934359A patent/EP0786813A4/en not_active Withdrawn
- 1995-09-29 KR KR1019970702100A patent/KR100396151B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-09-29 JP JP8511660A patent/JPH10506753A/ja not_active Ceased
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. - Вильнюс, Мокслас, 1989, с. 88. Зи С. Физика полупроводниковых приборов, кн. 2. - М.: Мир, 1984, с. 75. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2692401C1 (ru) * | 2016-02-01 | 2019-06-24 | Рикох Компани, Лтд. | Полевой транзистор, способ его изготовления, элемент отображения, устройство отображения и система |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100396151B1 (ko) | 2004-04-21 |
| RU94037403A (ru) | 1996-09-27 |
| EP0786813A1 (en) | 1997-07-30 |
| WO1996010842A1 (fr) | 1996-04-11 |
| EP0786813A4 (en) | 1998-06-03 |
| JPH10506753A (ja) | 1998-06-30 |
| KR970706610A (ko) | 1997-11-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4364073A (en) | Power MOSFET with an anode region | |
| US5907173A (en) | High voltage field effect transistor and method of fabricating the same | |
| US5581100A (en) | Trench depletion MOSFET | |
| KR100652449B1 (ko) | 횡형 박막 실리콘-온-절연체 ｊｆｅｔ 디바이스 | |
| JP3631773B2 (ja) | 低オン抵抗の高電圧ｍｏｓトランジスタ | |
| US5306656A (en) | Method for reducing on resistance and improving current characteristics of a MOSFET | |
| KR970053979A (ko) | 개선된 트랜지스터 셀을 포함하는 플래시 메모리 및 그 메모리를 프로그래밍하는 방법 | |
| JPH09508492A (ja) | 整流ゲートを有する三端子ゲート制御半導体スイッチング・デバイス | |
| KR20030036239A (ko) | 전력 ｍｏｓｆｅｔ, 그 제조방법 및 작동방법 | |
| Shur et al. | New high field‐effect mobility regimes of amorphous silicon alloy thin‐film transistor operation | |
| KR19990022793A (ko) | 반도체 칩 연결 영역을 갖는 고전압 래터럴 금속 산화물 반도체전계 효과 트랜지스터 세마이콘덕터-온-인슐레이터 디바이스 | |
| KR940020576A (ko) | 반도체트랜지스터구조(Metal oxide semiconductor transistors having a polysilicon gate electrode with nonuniform doping in source-drain direction) | |
| Masante et al. | 175V,> 5.4 MV/cm, $50\\mathrm {m}\Omega.\text {cm}^{2} $ at 250° C Diamond MOSFET and its reverse conduction | |
| JPS6137796B2 (ru) | ||
| RU2130668C1 (ru) | Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник | |
| KR930009078A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 및 그 제조 방법 | |
| DE69841384D1 (de) | Leistungshalbleiteranordnung mit halbisolierendem Substrat | |
| DE19540665A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| US5596216A (en) | Semiconductor device with diode and capable of device protection | |
| US6246093B1 (en) | Hybrid surface/buried-channel MOSFET | |
| JPH09246545A (ja) | 電力用半導体素子 | |
| JPS57176781A (en) | Superconductive device | |
| JPH09199721A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| US6153909A (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| JPH01111378A (ja) | 縦型ｍｏｓ ｆｅｔ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091001 |