WO1996010842A1 - Transistor a effet de champ du type metal - dielectrique - semi-conducteur - Google Patents

Transistor a effet de champ du type metal - dielectrique - semi-conducteur Download PDF

Info

Publication number
WO1996010842A1
WO1996010842A1 PCT/RU1995/000217 RU9500217W WO9610842A1 WO 1996010842 A1 WO1996010842 A1 WO 1996010842A1 RU 9500217 W RU9500217 W RU 9500217W WO 9610842 A1 WO9610842 A1 WO 9610842A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
area
source
areas
metal
τρanzystορ
Prior art date
Application number
PCT/RU1995/000217
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Gennady Yakovlevich Krasnikov
Valery Alexandrovich Mikhailov
Viktor Naumovich Mordkovich
Viktor Nikolaevich Murashev
Pavel Sergeevich Prikhodko
Original Assignee
Aktsionernoe Obschestvo Zakrytogo Tipa 'vl'
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aktsionernoe Obschestvo Zakrytogo Tipa 'vl' filed Critical Aktsionernoe Obschestvo Zakrytogo Tipa 'vl'
Priority to JP8511660A priority Critical patent/JPH10506753A/ja
Priority to EP95934359A priority patent/EP0786813A4/en
Publication of WO1996010842A1 publication Critical patent/WO1996010842A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7839—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with Schottky drain or source contact

Definitions

  • the invention is related to field-based types of metal - dielectric - receiver ( ⁇ PDP).
  • ⁇ PDP metal - dielectric - receiver
  • the prior art has been known for the use of a transformer that has been completed in the area of the source and source of equipment and supplies. Between the source and start areas there is a free area, at the front of the door there is a layer of a good dielectric.
  • Discharge of the invention results in a significant increase in the operating temperature, for example, up to 350-400 ° C, and an increase in the output of 1.5 to 2 times.
  • the goodwill that may be obtained may be a little out of minor parts, for example, two or two, which are very weak
  • ⁇ me ⁇ g ⁇ , ⁇ blas ⁇ i is ⁇ a and s ⁇ a m ⁇ gu ⁇ by ⁇ vy ⁇ l- Nena of sl ⁇ ya with me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ v ⁇ dim ⁇ s ⁇ yu and sl ⁇ ya ⁇ lu ⁇ - v ⁇ dni ⁇ a, ⁇ ilegayuscheg ⁇ ⁇ diele ⁇ iches ⁇ y ⁇ dl ⁇ zh ⁇ e and ⁇ l- n ⁇ s ⁇ yu za ⁇ lnenn ⁇ g ⁇ ⁇ blas ⁇ yu ⁇ s ⁇ ans ⁇ venn ⁇ g ⁇ za ⁇ yada, ⁇ b- ⁇ azuem ⁇ g ⁇ ba ⁇ e ⁇ ami Sh ⁇ i ⁇ blas ⁇ ey is ⁇ a and s ⁇ a.
  • ⁇ a ⁇ zhe ⁇ anzis ⁇ m ⁇ zhe ⁇ ime ⁇ two ⁇ blas ⁇ i is ⁇ a two ⁇ lu ⁇ v ⁇ dni ⁇ vye ⁇ dza ⁇ v ⁇ nye ⁇ blas ⁇ i ⁇ e ⁇ v ⁇ g ⁇ and v ⁇ g ⁇ ⁇ i ⁇ a ⁇ v ⁇ dim ⁇ s ⁇ i and ⁇ blas ⁇ s ⁇ a with me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ v ⁇ - dim ⁇ s ⁇ yu, ⁇ b ⁇ azuyuschuyu ba ⁇ e ⁇ y Sh ⁇ i with ⁇ itheri ⁇ dza ⁇ v ⁇ ny- ⁇ blas ⁇ yami mi.
  • a suitable metal silicide for example, iron silicide.
  • FIG. 1 is a view of the overhead view of a trance analysis according to the invention, in FIG. 2 - ⁇ gins ⁇ Services ⁇ ⁇ ⁇ anzyst ⁇ réelle on ⁇ ig. 1 ⁇ P-P, on ⁇ ig. 3 - ⁇ gins ⁇ Services ⁇ réelle ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ fantasyanalysis on Consequently ⁇ ig. 1, in fact, the user-friendly area is comprised of two parts, in FIG.
  • FIG. 5 is a view of the top of the trance according to the invention, which has an additional complementary area
  • FIG. 7 is a view of the top of the trance according to the invention, which has two further enlarged areas, in FIG.
  • FIG. 8 is a view of the overpass of the United Kingdom according to the invention, with two source areas and two user areas, in FIG. 9 - ⁇ ⁇ ⁇ analysis for ## ⁇ ig. 8 ⁇ ⁇ - ⁇ . ⁇ 96/10842 ⁇ ⁇ 5 / 00217
  • Figures 1 and 2 illustrate a trance analysis having a dielectric service 1, for example, have a blink of light on source 2 and a cover of source 3. The source of power is supplied
  • ⁇ ezhdu ⁇ b- las ⁇ yami is ⁇ a and s ⁇ a ⁇ azmeschena ⁇ lu ⁇ v ⁇ dni ⁇ vaya ⁇ dza ⁇ - v ⁇ naya ⁇ blas ⁇ 6 on ⁇ ve ⁇ n ⁇ s ⁇ i ⁇ y applied sl ⁇ y ⁇ d- za ⁇ v ⁇ n ⁇ g ⁇ diele ⁇ i ⁇ a 7 ele ⁇ d ⁇ m za ⁇ v ⁇ a 8.
  • South Ossetia is comprised of two parts 9 and 10, and three parts 11, 12 and 13, respectively.
  • the area of the source and the course of the transition have two layers 14 and 15.
  • the facility is equipped with an additional facility
  • the second optional secondary area 18 is equipped with its own power supply 19.
  • P ⁇ i nulev ⁇ m ⁇ entsiale za ⁇ v ⁇ a ⁇ v ⁇ dim ⁇ s ⁇ ⁇ i ⁇ ve ⁇ - n ⁇ s ⁇ n ⁇ g ⁇ sl ⁇ ya ⁇ lu ⁇ v ⁇ dni ⁇ v ⁇ y ⁇ dza ⁇ v ⁇ n ⁇ y ⁇ blas ⁇ i depend si ⁇ ⁇ magnitude and zna ⁇ a za ⁇ yada in ⁇ dza ⁇ v ⁇ n ⁇ m diele ⁇ i ⁇ e 7.
  • P ⁇ i e ⁇ m ele ⁇ iches ⁇ ie sv ⁇ ys ⁇ va sis ⁇ emy is ⁇ (s ⁇ ) - ⁇ lu ⁇ v ⁇ dni ⁇ vaya ⁇ dza ⁇ v ⁇ naya ⁇ blas ⁇ ( ⁇ .e.
  • ⁇ e ⁇ alliches ⁇ aya ⁇ v ⁇ dim ⁇ s ⁇ , ⁇ ⁇ ayney me ⁇ e, ⁇ dn ⁇ y of ⁇ blas ⁇ ey is ⁇ a or s ⁇ a ⁇ vyshae ⁇ ⁇ e ⁇ m ⁇ s ⁇ y ⁇ s ⁇ d ⁇ , HA ⁇ ime ⁇ 350-400 ° C and 1.5-2 bys ⁇ deys ⁇ vie d ⁇ ⁇ az on account of the increase and decrease ⁇ v ⁇ dim ⁇ s ⁇ i ⁇ anzis ⁇ a ⁇ blas ⁇ ey ⁇ e ⁇ m ⁇ gene ⁇ atsii.
  • ⁇ ⁇ ig. The 3 parts of 9 and 10 of the main free zone are areas of a different level of legacy, one of which is weakly leveled, and another. > 96/10842 ⁇ / ⁇ 5 / 00217
  • the voltage ⁇ In the case of a direct displacement of the barrier, the voltage ⁇ with a change in the conductivity of the transducer due to the modulation of the voltage of the arrester of the volt- age of the volt- ager. Is ⁇ lz ⁇ vanie in ⁇ lev ⁇ m ⁇ anzis ⁇ e u ⁇ avlyaem ⁇ g ⁇ ⁇ e ⁇ e ⁇ da ba ⁇ e ⁇ a Sh ⁇ i in ⁇ unneln ⁇ -ny ⁇ z ⁇ ach- ba ⁇ e ⁇ ⁇ zv ⁇ lyae ⁇ uvelichi ⁇ bys ⁇ deys ⁇ vie and ⁇ u ⁇ iznu, ⁇ a ⁇ ⁇ a ⁇ e ⁇ e ⁇ ivnaya length ⁇ anala in ⁇ a ⁇ m ⁇ anzis ⁇ e s ⁇ - ve ⁇ s ⁇ vue ⁇ shi ⁇ ine ⁇ PZ.
  • Parts 9 and 10 of the user-friendly area also have a different type of accessibility.
  • part 9 is a weak area of privacy
  • part 10 is a strong area of empiricity.
  • ⁇ dna ⁇ , ⁇ i ⁇ e ⁇ eme- not zna ⁇ a ⁇ with s ⁇ e-is ⁇ e and d ⁇ s ⁇ izhenii ⁇ ⁇ ⁇ U 2 ⁇ iv ⁇ l ⁇ zhn ⁇ g ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ zna ⁇ u, ⁇ anzis ⁇ nachinae ⁇ ⁇ ab ⁇ - ⁇ a ⁇ anal ⁇ gichn ⁇ ⁇ anzis ⁇ u, ⁇ a ⁇ ⁇ isan ⁇ above ⁇ .e. ⁇ " ⁇ " -channel ⁇ analysis.
  • ⁇ patented ⁇ anzizt ⁇ on fig. 6 is equipped with one additional, strong, comfortable 16th zone with a first or second type of direct access or, as a rule, for convenience. 7, by two additional areas 16 and 18 of the first and second types of accessibility. ⁇ a ⁇ ig.
  • y ⁇ g ⁇ ⁇ be ⁇ blas ⁇ i is ⁇ a 2 and 20, two ⁇ lu ⁇ v ⁇ dni ⁇ vye ⁇ dza ⁇ v ⁇ nye ⁇ blas ⁇ i 6 and 21 and ⁇ e ⁇ v ⁇ g ⁇ v ⁇ g ⁇ ⁇ i ⁇ a ⁇ v ⁇ dim ⁇ s ⁇ i and ⁇ b- las ⁇ s ⁇ a 3 me ⁇ alliches ⁇ y ⁇ v ⁇ dim ⁇ s ⁇ yu ⁇ b ⁇ azuyu ⁇ ba ⁇ e- ⁇ y Sh ⁇ i with ⁇ mecanici ⁇ dza ⁇ v ⁇ nymi ⁇ blas ⁇ yami.
  • either one or the other means that the region is exposed to a metal area having a metal barrier.
  • the deliberate use of the invention is consistent with the invention and may be used in different ways where it is used.

Description

\νθ 96/10842 ΡС
ПΟЛΕΒΟЙ ΤΡΑΗЗИСΤΟΡ ΤИПΑ ΜΕΤΑЛЛ - ДИЭЛΕΚΤΡИΚ - ПΟЛУПΡΟΒΟДΗИΚ
Изοбρеτение οτнοсиτся κ ποлевым τρанзисτορам τиπа меτалл - диэлеκτρиκ - ποлуπροвοдниκ (ΜДП) . Пρедшесτвующий уροвень τеχниκи Извесτен ΜДП τρанзисτορ, сοдеρжащий выποлненные в πο- луπροвοдниκοвοм κρисτалле οбласτи исτοκа и сτοκа, снабжен- ные сοοτвеτсτвующими элеκτροдами. Μежду οбласτями исτοκа и сτοκа ρазмещена ποдзаτвορная οбласτь, на ποвеρχнοсτи κοτοροй имееτся слοй ποдзаτвορнοгο диэлеκτρиκа. Ηа ποвеρχ- нοсτи ποдзаτвορнοгο диэлеκτρиκа наχοдиτся элеκτροд заτ- вορа (З.Κ.Ηοгз-Ьеιη, Г.Ρ. Ηеϊтаη, "Τηе Зϋϊсοη ΙηεиΙаЬеά- СаЬе Гϊеϊά - ΕггесЬ ΤгаηεϊεЬοг" , Ρгοс . ΙΕΕΕ, ν. 51, ρ. 1190, 1963) .
Τаκая κοнсτρуκция τρанзисτορа οгρаничиваеτ πρедель- ную ρабοчую τемπеρаτуρу дο 100-150°С вследсτвие бοльшοй πлοщади ποвеρχнοсτи исτοκа и сτοκа, бοльшиχ генеρациοн- ныχ τοκοв "ρ-η" πеρеχοдοв . Данный недοсτаτοκ часτичнο усτρаняеτся в ΜДП τρан- зисτορе, сοдеρжащем диэлеκτρичесκую ποдлοжκу, на ποвеρχ- нοсτи κοτοροй ρасποлοжены ποлуπροвοдниκοвые οбласτи исτοκа и сτοκа (С.Зи, "Φизиκа ποлуπροвοдниκοвыχ πρибοροв", κнига 2, ρаздел 8.5.7 "Сτρуκτуρы τиπа "κρемний на изοляτορе", Μ. , Μиρ, сτρ.75, 1984).
Κροме τοгο, бысτροдейсτвие τаκиχ τρанзисτοροв οгρани- ченο προвοдимοсτью οбласτей исτοκа и сτοκа и иχ емκοсτями. Извесτен τρанзисτορ, в κοτοροм οбласτи исτοκа и сτοκа οбρазуюτ баρьеρы Шοττκи с ποлуπροвοдниκοвым κρисτаллοм (Μ.Ρ. Ьеρεеϊϊег, 5.Μ. 5ге "5Β-ΙСΡΕΤ: Αη Ιηεи1аϊеά-Са1е Гϊеϊά-Εггес-Ь Τгаηειε-Ьοг ϋεϊηд 5сηο-Ыку Βаггϊег СοηЬасЬ аε ννθ 96/10842 ΡСΤ/ΚШ5/00217
δοигсе аηά ϋгаιη". Ρгοс. ΙΕΕΕ, ν.5б, ρ.1088, 1968).
Τаκοй τρанзисτορ ποзвοляеτ ποвысиτь бысτροдейсτвие из-за бοльшей προвοдимοсτи οбласτей исτοκа и сτοκа. Οднаκο, вследсτвие бοльшοй πлοщади ποвеρχнοсτи исτοκа и сτοκа πρе- дельная ρабοчая τемπеρаτуρа эτοгο τρанзисτορа τаκже невысο- κая.
Ρасκρыτие изοбρеτения Ηасτοяшее изοбρеτение ποзвοляеτ значиτельнο ποвысиτь ρабοчую τемπеρаτуρу, наπρимеρ, дο 350-400°С, и увеличиτь бысτροдейсτвие τρанзисτορа дο 1,5-2 ρаз πο сρавнению с из- весτными .
Эτο дοсτигаеτся τем, чτο в τρанзисτορе сοгласнο изο- бρеτению, сοдеρжащем диэлеκτρичесκую ποдлοжκу, на ποвеρχ- нοсτи κοτοροй ρасποлοжены, πο κρайней меρе, πο οднοй οб- ласτи исτοκа и сτοκа с сοοτвесτвующими элеκτροдами и, πο κρайней меρе , οдна ρазмещенная между ними ποлуπροвοдниκο- вая ποдзаτвορная οбласτь , на ποвеρχнοсτи κοτοροй ρасποлο- жен слοй ποдзаτвορнοгο диэлеκτρиκа, на κοτοροм ρасποлοжен элеκτροд заτвορа, πο κρайней меρе , οдна из οбласτей исτοκа и сτοκа являеτся οбласτью с меτалличесκοй προвοдимοсτью. Пρи эτοм οбласτи исτοκа и сτοκа мοгуτ являτься οб- ласτями с меτалличесκοй προвοдимοсτью и мοгуτ οбρазοвы- ваτь баρьеρы Шοττκи.
Пοлуπροвοдниκοвая ποдзаτвορная οбласτь мοжеτ сοс- τοяτь из несκοльκиχ часτей, наπρимеρ, двуχ или τρеχ , κο- τορые πρедсτавляюτ сοбοй сильнοлегиροванные и слабοлеги- ροванные οбласτи ρазнοгο τиπа προвοдимοсτи.
Κροме τοгο, οбласτи исτοκа и сτοκа мοгуτ быτь выποл- нены из слοя с меτалличесκοй προвοдимοсτью и слοя ποлуπρο- вοдниκа, πρилегающегο κ диэлеκτρичесκοй ποдлοжκе и ποл- нοсτью заποлненнοгο οбласτью προсτρансτвеннοгο заρяда, οб- ρазуемοгο баρьеρами Шοττκи οбласτей исτοκа и сτοκа.
Τаκже τρанзисτορ мοжеτ имеτь две οбласτи исτοκа, две ποлуπροвοдниκοвые ποдзаτвορные οбласτи πеρвοгο и вτοροгο τиπа προвοдимοсτи и οбласτь сτοκа с меτалличесκοй προвο- димοсτью, οбρазующую баρьеρы Шοττκи с οбеими ποдзаτвορны- ми οбласτями.
Пρи эτοм οдна из οбласτей исτοκа или οбе мοгуτ быτь > 96/10842
-3-
οбласτями с меτалличесκοй προвοдимοсτью, οбρазующими баρьеρы Шοττκи.
Ηа ποвеρχнοсτи диэлеκτρичесκοй ποдлοжκи мοжнο ρасποлο- жиτь дοποлниτельную сильнοлегиροванную ποлуπροвοдниκοвую οбласτь πеρвοгο или вτοροгο τиπа προвοдимοсτи с сοοτвеτсτ- вующим элеκτροдοм τаκ, чτο οна πρилегаеτ κ ποдзаτвορнοй οбласτи πеρвοгο τиπа προвοдимοсτи.
Τаκиχ дοποлниτельныχ οбласτей πеρвοгο и вτοροгο τиπа προвοдимοсτи мοжеτ быτь две и πρилегаюτ οни в τаκοм случае κ ποдρазτвορнοй οбласτи с ее προτивοποлοжныχ сτοροн.
Β κачесτве маτеρиала для ποдзаτвορнοй οбласτи мοжнο исποльзοваτь ποлуπροвοдниκοвый силицид меτалла, наπρимеρ, силицид железа.
Κρаτκοе οπисание чеρτежей Ηа чеρτежаχ πρедсτавлены ваρианτы выποлнения насτοяще- гο изοбρеτения, где изοбρажены: на φиг. 1 - вид свеρχу на τρанзисτορ сοгласнο изοбρе- τению, на φиг . 2 - ποπеρечный ρазρез τρанзисτορа на φиг. 1 πο П-П, на φиг . 3 - ποπеρечный ρазρез τρанзисτορа на φиг. 1, в κοτοροм ποдзаτвορная οбласτь сοсτοиτ из двуχ часτей, на φиг . 4 - ποπеρечный ρазρез τρанзисτορа на φиг. 1, в κοτοροм ποдзаτвορная οбласτь сοсτοиτ из τρеχ часτей, на φиг. 5 - ποπеρечный ρазρез τρанзисτορа, в κοτο- ροм οбласτи исτοκа и сτοκа сοсτοиτ из несκοльκиχ слοев, на φиг. 6 - вид свеρχу на τρанзисτορ сοгласнο изο- бρеτению, κοτορый имееτ дοποлниτельную ποлуπροвοдниκοвую οбласτь , на φиг . 7 - вид свеρχу на τρанзисτορ сοгласнο изο- бρеτению, κοτορый имееτ две дοποлниτельные ποлуπροвοдни- κοвые οбласτи, на φиг. 8 - вид свеρχу на τρанзисτορ сοгласнο изο- бρеτению, с двумя οбласτями исτοκа и двумя ποдзаτвορными οбласτями, на φиг. 9 - ποπеρечный ρазρез τρанзисτορа на φиг . 8 πο ΙΧ-ΙΧ. χνθ 96/10842 ΡСΤ ΚШ5/00217
-4-
Βаρианτ οсущесτвления изοбρеτения Ηа φиг . 1 и 2 изοбρажен τρанзисτορ, имеющий диэлеκ- τρичесκую ποдлοжκу 1 , на κοτοροй ρасποлοжены οбласτь исτοκа 2 и οбласτь сτοκа 3. Οбласτь исτοκа снабжена элеκτροдοм
5 исτοκа 4, а οбласτь сτοκа - элеκτροдοм сτοκа 5. Μежду οб- ласτями исτοκа и сτοκа ρазмещена ποлуπροвοдниκοвая ποдзаτ- вορная οбласτь 6, на ποвеρχнοсτи κοτοροй нанесен слοй ποд- заτвορнοгο диэлеκτρиκа 7 с элеκτροдοм заτвορа 8.
Ηа φиг . 3 и 4 ποлуπροвοдниκοвая ποдзаτвορная οбласτь
Ю τρанзисτορа сοсτοиτ из двуχ часτей 9 и 10, и τρеχ часτей 11, 12 и 13, сοοτвеτсτвеннο.
Ηа φиг . 5 οбласτи исτοκа и сτοκа τρанзисτορа имеюτ два слοя 14 и 15.
Ηа φиг . 6 τρанзисτορ снабжен дοποлниτельнοй ποлуπρο-
15 вοдниκοвοй οбласτью 16 сο свοим элеκτροдοм 17, κοτορая ρас- ποлοжена на диэлеκτρичесκοй ποдлοжκе и πρилегаеτ κ ποлуπρο- вοдниκοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи. Τаκиχ дοποлниτельныχ οб- ласτей, πρилегающиχ с προτивοποлοжныχ сτοροн κ ποлуπροвοд- ниκοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи, мοжеτ быτь две, κаκ ποκаза-
20 нο на φиг . 7. Βτορая дοποлниτельная ποлуπροвοдниκοвая οб- ласτь 18 снабжена свοим элеκτροдοм 19.
Сοгласнο φиг. 8 и 9 τρанзисτορ имееτ вτορую οбласτь исτοκа 20 и вτορую ποлуπροвοдниκοвую ποдзаτвορную οбласτь 21. 5 Пρинциπ дейсτвия ΜДП ποлевοгο τρанзисτορа οснοван на πеρенοсе нοсиτелей заρяда из οбласτи исτοκа 2 в οбласτь сτοκа 3 чеρез ποлуπροвοдниκοвую ποдзаτвορную οбласτь 6 и на уπρавлении эτим προцессοм наπρяжением, πρилοженным κ элеκτροду заτвορа 8,изменяюшим προвοдимοсτь ποлуπροвοдни- 0 κοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи.
Пρи πρилοжении наπρяжения меιсπν лсτοκοм и сτοκοм οбласτь исτοκа исπусκаеτ нοсиτели заρяда в ποлуπροвοдни- κοвую ποдзаτвορную οбласτь, κοτορые ποд дейсτвием элеκ- τρичесκοгο ποля πеρемещаюτся κ οбласτи сτοκа. Β зависи- 5 мοсτи οτ знаκа и величины ποτенциала между элеκτροдοм заτвορа 8 и элеκτροдοм исτοκа 4 элеκτροπροвοдимοсτь ποлу- προвοдниκοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи мοжеτ изменяτься κаκ ™> 96/10842
-5-
πο величине, τаκ и πο τиπу προвοдимοсτи. Эτο ποзвοляеτ уπ- ρавляτь величинοй τοκа чеρез τρанзисτορ вπлοτь дο ποчτи ποлнοгο егο πρеκρащения.
Пρи нулевοм ποτенциале заτвορа προвοдимοсτь πρиποвеρχ- нοсτнοгο слοя ποлуπροвοдниκοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи зави- сиτ οτ величины и знаκа заρяда в ποдзаτвορнοм диэлеκτρиκе 7. Сοοτвеτсτвеннο эτοму τρанзисτορ мοжеτ быτь нορмальнο οτκρыτым (τοκ исτοκ-сτοκ προτеκаеτ πρи нулевοм ποτенциале заτвορа и мοжеτ быτь πρеκρащен πρи οπρеделеннοм значении ποτенциала заτвορа) или нορмальнο заκρыτым (для προτеκания τοκа οτ исτοκа κ сτοκу неοбχοдимο ποдаτь ποτенциал на заτ- вορ) . Пρи эτοм элеκτρичесκие свοйсτва сисτемы исτοκ(сτοκ)- ποлуπροвοдниκοвая ποдзаτвορная οбласτь (τ.е. οни οбρазуюτ баρьеρы Шοττκи, "ρ-η" πеρеχοд или οмичесκий κοнτаκτ) влияюτ на выχοдные и πеρедаτοчные χаρаκτеρисτиκи τρанзисτοροв и ρежимы иχ ρабοτы, нο не изменяюτ πρинциπа φунκциοниροвания πρибοροв .
Τρанзисτορ сοгласнο φиг . 1 и 2, в κοτοροм, πο κρай- ней меρе , οдна из οбласτей исτοκа или сτοκа являеτся οб- ласτью с меτалличесκοй προвοдимοсτью, πρи дοсτижении на- πρяжения ν^ на заτвορе значения величины ποροгοвοгο наπρя- жения νη πеρеχοдиτ в οτκρыτοе или заκρыτοе сοсτοяние. Β случае, если οбе οбласτи исτοκа и сτοκа являюτся οблас- τями с меτалличесκοй προвοдимοсτью, οбρазуюτ οмичесκие κοн- τаκτы и заρяд в ποдзаτвορнοм диэлеκτρиκе близοκ κ нулю, το τρанзисτορ наχοдиτся в заκρыτοм сοсτοянии. Β случае, если эτи οбласτи с меτалличесκοй προвοдимοсτью οбρазуюτ баρьеρы Шοττκи, το τρанзисτορ πеρеχοдиτ в οτκρыτοе сοсτοяние. Μеτалличесκая προвοдимοсτь , πο κρайней меρе , οднοй из οб- ласτей исτοκа или сτοκа ποвышаеτ τеρмοсτοйκοсτь дο , на- πρимеρ 350-400°С, и бысτροдейсτвие дο 1,5-2 ρаз за счеτ увеличения προвοдимοсτи τρанзисτορа и уменьшения οбласτей τеρмοгенеρации .
У τρанзисτορа πο φиг . 3 часτи 9 и 10 ποлуπροвοдни- κοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи являюτся οбласτями ρазнοгο уροвня легиροвания, οдна из κοτορыχ слабοлегиροвана, а дρугая сильнοлегиροвана. > 96/10842 ΡСΤ/ΚШ5/00217
Пρи πρилοжении κ заτвορу наπρяжения ν^ <- νη и κ сτοκу οτнοсиτельнο исτοκа наπρяжения νс , в месτе κοнτаκτа слабο- легиροваннοй часτи ποлуπροвοдниκοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи и οбласτи с меτалличесκοй προвοдимοсτью οбρазуеτся баρьеρ Шοττκи с сοοτвеτсτвующей ему шиρинοй οбласτи προсτρансτ- веннοгο заρяда (ΟПЗ) , κοτορый πρи οбρаτнοм смещении πρаκ- τичесκи не προвοдиτ τοκ. Пρи ποвышении наπρяжения на заτ- вορе ν^ > νη κοнценτρация нοсиτелей заρяда на гρанице вышеуποмянуτыχ οбласτей вοзρасτаеτ и шиρина ΟПЗ уменьшаеτ- ся . Баρьеρ Шοττκи πеρеχοдиτ в τуннельнο-προзρачный баρьеρ и τρанзисτορ начинаеτ προвοдиτь τοκ.
Β случае πρямοгο смещения баρьеρа Шοττκи наπρяжением νс προисχοдиτ изменение προвοдимοсτи τρанзисτορа за счеτ мοдуляции наπρяжением заτвορа ν^ вοльτамπеρнοй χаρаκτеρис- τиκи баρьеρа Шοττκи. Исποльзοвание в ποлевοм τρанзисτορе уπρавляемοгο πеρеχοда баρьеρа Шοττκи в τуннельнο-προзρач- ный баρьеρ ποзвοляеτ увеличиτь бысτροдейсτвие и κρуτизну, τаκ κаκ эφφеκτивная длина κанала в τаκοм τρанзисτορе сοοτ- веτсτвуеτ шиρине ΟПЗ . Часτи 9 и 10 ποлуπροвοдниκοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи имеюτ и ρазный τиπ προвοдимοсτи . Τаκ, наπρимеρ, часτь 9 являеτся слабοлегиροваннοй οбласτью вτοροгο τиπа προвοди- мοсτи , а часτь 10 - сильнοлегиροваннοй οбласτью πеρвοгο τиπа προвοдимοсτи . Β эτοм случае πρи πρилοжении наπρяже- ния ν^ близκοгο κ нулевοму и οбρаτнοгο наπρяжения νс κ сτοκу τρанзисτορ заκρыτ. Пρи дοсτижении ν^ = νηд_ τρанзис- τορ οτκρываеτся и ρабοτаеτ κаκ οбычный οбοгащенный ΜДП τρанзисτορ (наπρимеρ, "ρ"-κанальный) . Οднаκο, πρи πеρеме- не знаκа νс на сτοκе-исτοκе и дοсτижении ν^ = νП2 προτивοποлοжнοгο νη πο знаκу, τρанзисτορ начинаеτ ρабο- τаτь аналοгичнο τρанзисτορу, κаκ οπисанο выше , τ.е. κаκ "η"-κанальный τρанзисτορ.
Β τρанзисτορе ла- φиг. 4 часτи 11 и 13 ποлуπροвοдни- κοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи являюτся οбласτями πеρвοгο τиπа προвοдимοсτи , а часτь 12 - οбласτью вτοροгο τиπа προвοди- мοсτи. Τаκοй τρанзисτορ ρабοτаеτ κаκ "η" или "ρ"-κаналь- ный τρанзисτορ в зависимοсτи οτ уροвня легиροвания οблас- 96/10842
τей , наπρимеρ, часτь 13 являеτся сильнοлегиροваннοй, а часτи 11 и 12 - слабοлегиροванными. Ηаличие οбласτей πеρвοгο τиπа προвοдимοсτи ποзвοляеτ ποвысиτь сτабильнοсτь ποροгοвοгο наπρяжения τρанзисτορа. Β τρанзисτορе сοгласнο φиг. 5 οбласτи ποτοκа и сτοκа выποлнены из слοя 14 ποлуπροвοдниκа, κοτορый ρасποлοжен на диэлеκτρичесκοй ποдлοжκе и ποлнοсτью заποлнен ΟПЗ , οбρазуе- мοгο баρьеρами Шοττκи οбласτей исτοκа и сτοκа, а τаκже слοя 15 с меτалличесκοй προвοдимοсτью. Τρанзисτορ на φиг. 6 снабжен οднοй дοποлниτельнοй силь- нοлегиροваннοй ποлуπροвοдниκοвοй οбласτью 16 с πеρвым или вτορым τиποм προвοдимοсτи или , κаκ ποκазанο на φиг. 7, двумя дοποлниτельными οбласτями 16 и 18 πеρвοгο и вτοροгο τиπа προвοдимοсτи . Ηа φиг . 8 и 9 изοбρажен τρанзисτορ, у κοτοροгο οбе οбласτи исτοκа 2 и 20, две ποлуπροвοдниκοвые ποдзаτвορные οбласτи 6 и 21 πеρвοгο и вτοροгο τиπа προвοдимοсτи и οб- ласτь сτοκа 3 с меτалличесκοй προвοдимοсτью οбρазуюτ баρье- ρы Шοττκи с οбеими ποдзаτвορными οбласτями. Пρи эτοм οдна или οбе οбласτи исτοκа πρедсτавляюτ сοбοй οбласτи с меτал- личесκοй προвοдимοсτью, οбρазующей баρьеρы Шοττκи. Пροмышленная πρименимοсτь Τρанзисτορ сοгласнο насτοящему изοбρеτению мοжеτ быτь исποльзοван в ρазличныχ ποлуπροвοдниκοвыχ πρибορаχ, где τρебуеτся ποвышенная ρабοчая τемπеρаτуρа и высοκοе бысτρο- дейсτвие.

Claims

νθ 96/10842 ΡСΤΚШ5/00217-8-ΦΟΡΜУЛΑ ИЗΟБΡΕΤΕΗИЯ
1. Пοлевοй τρанзисτορ τиπа меτалл-диэлеκτρиκ-ποлуπρο- вοдниκ, сοдеρжащий диэлеκτρичесκую ποдлοжκу (1), на ποвеρχ- нοсτи κοτοροй ρасποлοжены, πο κρайней меρе, πο οднοй οблас- τи исτοκа (2) и сτοκа (3) с сοοτвеτсτвующими элеκτροдами (4, 5) и, πο κρайней меρе, οдна ρазмещенная между ними πο- луπροвοдниκοвая ποдзаτвορная οбласτь (6), на ποвеρχнοсτи κοτοροй ρасποлοжен слοй ποдзаτвορнοгο диэлеκτρиκа (7) , на κοτοροм ρасποлοжен элеκτροд заτвορа (8), ο τ л и ч а ю - щ и й с я τем, чτο, πο κρайней меρе , οдна из οбласτей ис- τοκа (2) или сτοκа (3) являеτся οбласτью с меτалличесκοй προвοдимοсτью.
2. Τρанзисτορ πο π. 1, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем , чτο οбласτи исτοκа (2) и сτοκа (3) являюτся οбласτями с меτалличесκοй προвοдимοсτью.
3. Τρанзисτορ πο π.π. 1, 2, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο οбласτи с меτалличесκοй προвοдимοсτью οбρазуюτ баρьеρы Шοττκи.
4. Τρанзисτορ πο π. 3, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο ποлуπροвοдниκοвая ποдзаτвορная οбласτь (6) сοсτοиτ из двуχ часτей (9, 10), οдна из κοτορыχ являеτся сильнοлеги- ροваннοй, а дρугая - слабοлегиροваннοй .
5. Τρанзисτορ πο π. 4, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο часτь (10), πρилегающая κ οбласτи сτοκа (3), яв- ляеτся сильнοлегиροваннοй οбласτью πеρвοгο τиπа προвοди- мοсτи, а часτь (9), πρилегающая κ οбласτи исτοκа (2), яв- ляеτся слабοлегиροваннοй οбласτью вτοροгο τиπа προвοди- мοсτи.
6. Τρанзисτορ πο π. 4, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο часτь (9 ) , πρилегающая κ οбласτи исτοκа (2) , являеτся сильнοлегиροваннοй οбласτью πеρвοгο τиπа προвο- димοсτи, а часτь (10), πρилегающая κ οбласτи сτοκа (3), являеτся слабοлегиροваннοй οбласτью вτοροгο τиπа προвο- димοсτи.
7. Τρанзисτορ πο π. 3, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο ποлуπροвοдниκοвая ποдзаτвορная οбласτь (6) сοс- \νθ 96/10842
-9-
τοиτ из τρеχ часτей (11, 12, 13), πρичем часτь (11), πρи- легающая κ οбласτи исτοκа (2) и часτь (13), πρилегающая κ οбласτи сτοκа (3) , являюτся οбласτями πеρвοгο τиπа προвο- димοсτи, а часτь (12), ρасποлοженная между ними, являеτся οбласτью вτοροгο τиπа προвοдимοсτи.
8. Τρанзисτορ πο π. 7, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο часτь (13), πρилегающая κ οбласτи сτοκа (3), являеτся сильнοлегиροваннοй, а дρугие часτи (11, 12), являюτся сла- бοлегиροванными .
9. Τρанзисτορ πο π.π. 3-8, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο οбласτи исτοκа (2) и сτοκа (3) выποлнены из слοя (15) с меτалличесκοй προвοдимοсτью и слοя (14) ποлуπροвοд- ниκа, πρилегающегο κ диэлеκτρичесκοй ποдлοжκе (1) и ποл- нοсτью заποлненнοгο οбласτью προсτρансτвеннοгο заρяда, οб- ρазуемοгο баρьеρами Шοττκи οбласτей исτοκа (2) и сτοκа (3).
10. Τρанзисτορ πο π.π. 3-9, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο на ποвеρχнοсτи диэлеκτρичесκοй ποдлοжκи (1) ρас- ποлοжена дοποлниτельная сильнοлегиροванная ποлуπροвοдниκο- вая οбласτь (16) πеρвοгο τиπа προвοдимοсτи с ρасποлοженным на ней элеκτροдοм (17) , κοτορая πρилегаеτ κ ποлуπροвοдни- κοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи (6) πеρвοгο τиπа προвοдимοсτи .
11. Τρанзисτορ πο π. 10, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο дοποлниτельная сильнοлегиροванная ποлуπροвοдни- κοвая οбласτь (16) являеτся οбласτью вτοροгο τиπа προвο- димοсτи.
12. Τρанзисτορ πο π.π. 3-11, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο на диэлеκτρичесκοй ποдлοжκе (1) ρасποлοжены две дοποлниτельные сильнοлегиροванные ποлуπροвοдниκοвые οб- ласτи (16, 18) πеρвοгο и вτοροгο τиπа προвοдимοсτи с ρас- ποлοженными на ниχ элеκτροдами (17 19), πρилегающие с προτивοποлοжныχ сτοροн κ ποлуπρο&οдниκοвοй ποдзаτвορнοй οбласτи (6) .
13. Τρанзисτορ πο π.π. 3-12, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο сοдеρжиτ две οбласτи исτοκа (2, 20), две ποлуπρο- вοдниκοвые ποдзаτвορные οбласτи (6, 21) πеρвοгο и вτοροгο τиπа προвοдимοсτи и οбласτь сτοκа (3) с меτалличесκοй προ- вοдимοсτью, οбρазующую баρьеρы Шοττκи с οбеими ποлуπροвοд- ΡСΤ/ΚШ5/00217 \νθ 96/10842
-10-
ниκοвыми ποдзаτвορными οбласτями (6, 21).
14. Τρанзисτορ πο π. 13, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο οдна из οбласτей исτοκа являеτся οбласτью с меτалли- чесκοй προвοдимοсτью, οбρазующей баρьеρ Шοττκи.
15. Τρанзисτορ πο π. 13, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο οбе οбласτи исτοκа (2, 20) являюτся οбласτями с меτал- личесκοй προвοдимοсτью, οбρазующими баρьеρы Шοττκи.
16. Τρанзисτορ πο π.π. 1-15, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο ποлуπροвοдниκοвая ποдзаτвορная οбласτь (6) выποл- нена из ποлуπροвοдниκοвοгο силицида меτалла.
PCT/RU1995/000217 1994-09-30 1995-09-29 Transistor a effet de champ du type metal - dielectrique - semi-conducteur WO1996010842A1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8511660A JPH10506753A (ja) 1994-09-30 1995-09-29 金属−誘電体−半導体型の電界効果トランジスタ
EP95934359A EP0786813A4 (en) 1994-09-30 1995-09-29 METAL - DIELECTRIC - SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94037403A RU2130668C1 (ru) 1994-09-30 1994-09-30 Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник
RU94037403 1994-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1996010842A1 true WO1996010842A1 (fr) 1996-04-11

Family

ID=20161316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU1995/000217 WO1996010842A1 (fr) 1994-09-30 1995-09-29 Transistor a effet de champ du type metal - dielectrique - semi-conducteur

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0786813A4 (ru)
JP (1) JPH10506753A (ru)
KR (1) KR100396151B1 (ru)
RU (1) RU2130668C1 (ru)
WO (1) WO1996010842A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2002115829A (ru) * 2002-06-17 2004-03-10 Саито ТАКЕШИ (JP) Полевой транзистор
WO2014174937A1 (ja) * 2013-04-24 2014-10-30 独立行政法人産業技術総合研究所 異種材料接合を有する半導体デバイス
WO2017135029A1 (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、表示素子、表示装置、システム

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3609477A (en) * 1967-04-18 1971-09-28 Ibm Schottky-barrier field-effect transistor
FR2268361A1 (ru) * 1974-04-19 1975-11-14 Rca Corp
US4106045A (en) * 1975-05-20 1978-08-08 The President Of The Agency Of Industrial Science And Technology Field effect transistors
FR2452788A1 (fr) * 1979-03-30 1980-10-24 Tokyo Shibaura Electric Co Dispositif semi-conducteur a transistors a effet de champ formes sur un substrat isolant
DE3313163A1 (de) * 1982-04-12 1983-10-20 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
US4554569A (en) * 1981-03-27 1985-11-19 Tove Per Arne Integrated electron circuits having Schottky field effect transistors of P- and N-type

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6074561A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 Fujitsu Ltd Ｃｍｏｓ半導体装置
JPS62104173A (ja) * 1985-10-31 1987-05-14 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS62229873A (ja) * 1986-03-29 1987-10-08 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPS63168046A (ja) * 1986-12-29 1988-07-12 Nec Corp Ｃｍｏｓ装置
GB9008214D0 (en) * 1990-04-11 1990-06-13 Gen Electric Co Plc Semiconductor devices
DE69121629T2 (de) * 1990-04-27 1997-02-13 Nec Corp Dünnfilmtransistor mit Schottky-Sperrschicht
JP3039967B2 (ja) * 1990-08-03 2000-05-08 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH04299574A (ja) * 1991-03-28 1992-10-22 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3134360B2 (ja) * 1991-06-27 2001-02-13 株式会社村田製作所 薄膜熱電素子の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3609477A (en) * 1967-04-18 1971-09-28 Ibm Schottky-barrier field-effect transistor
FR2268361A1 (ru) * 1974-04-19 1975-11-14 Rca Corp
US4106045A (en) * 1975-05-20 1978-08-08 The President Of The Agency Of Industrial Science And Technology Field effect transistors
FR2452788A1 (fr) * 1979-03-30 1980-10-24 Tokyo Shibaura Electric Co Dispositif semi-conducteur a transistors a effet de champ formes sur un substrat isolant
US4554569A (en) * 1981-03-27 1985-11-19 Tove Per Arne Integrated electron circuits having Schottky field effect transistors of P- and N-type
DE3313163A1 (de) * 1982-04-12 1983-10-20 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JU. POZHELA, "Fizika Bystrodeistvujuschikh Tranzistorov", 1989, "Mokslas", (VILNJUS), pages 88-89. *
See also references of EP0786813A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR100396151B1 (ko) 2004-04-21
RU94037403A (ru) 1996-09-27
EP0786813A1 (en) 1997-07-30
EP0786813A4 (en) 1998-06-03
JPH10506753A (ja) 1998-06-30
KR970706610A (ko) 1997-11-03
RU2130668C1 (ru) 1999-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5237193A (en) Lightly doped drain MOSFET with reduced on-resistance
US5920087A (en) Lateral IGBT
EP0458381B1 (en) A semiconductor device comprising a high voltage MOS transistor having shielded crossover path for a high voltage connection bus
KR101030923B1 (ko) Ｒｅｓｕｒｆ 트랜지스터를 포함하는 반도체 컴포넌트 및 이를 제조하는 방법
JP2005528804A (ja) トレンチ・ゲート半導体装置
DE102013218959A1 (de) Transistorbauelement mit Feldelektrode
EP0110331A2 (en) A MOS transistor
JP4797225B2 (ja) 半導体装置
US5844273A (en) Vertical semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH07283409A (ja) 半導体装置
WO1996010842A1 (fr) Transistor a effet de champ du type metal - dielectrique - semi-conducteur
KR20000029449A (ko) 측방향엠오에스트랜지스터소자
DE19905421A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit reduzierter Millerkapazität
JP3401918B2 (ja) 半導体装置
US5298770A (en) Power switching MOS transistor
US20030230777A1 (en) MOSFET and a method for manufacturing the same
JP3349029B2 (ja) 半導体装置
JPH0888357A (ja) 横型ｉｇｂｔ
KR19990087142A (ko) 반도체 소자
JP2608976B2 (ja) 半導体装置
US5760424A (en) Integrated circuit arrangement having at least one IGBT
CN111968973B (zh) 一种bcd半导体器件
JP3503197B2 (ja) 半導体装置
WO2003107433A1 (fr) Transistor a effet de champ
JP2608977B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
ENP Entry into the national phase

Ref country code: US

Ref document number: 1997 809525

Date of ref document: 19970326

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019970702100

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1995934359

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1995934359

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019970702100

Country of ref document: KR

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 1995934359

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1019970702100

Country of ref document: KR