RU2098354C1 - Способ удаления примесей из расплава кремния - Google Patents
Способ удаления примесей из расплава кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2098354C1 RU2098354C1 RU9595114671A RU95114671A RU2098354C1 RU 2098354 C1 RU2098354 C1 RU 2098354C1 RU 9595114671 A RU9595114671 A RU 9595114671A RU 95114671 A RU95114671 A RU 95114671A RU 2098354 C1 RU2098354 C1 RU 2098354C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- slag
- silicon
- silicon melt
- density
- continuously
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
Landscapes
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу удаления примесей из расплава кремния путем обработки расплава кремния, помещенного в сосуд, шлаком, имеющим способность удалять примеси, в частности, бор, из расплава кремния. Сущность: шлак непрерывно добавляют к расплаву кремния, и при этом шлак непрерывно инактивируют или удаляют из расплава кремния, как только между шлаком и расплавом кремния достигается равновесие в отношении примесных элементов или элементов, подлежащих удалению. 2 с.и. 8 з.п.ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к способу удаления примесей из расплава кремния, в частности, для получения кремния для производства солнечных элементов. Настоящее изобретение, в особенности, относится к способу удаления примесей из расплава кремния путем шлаковой обработки.
Для множества применений требуется кремний, имеющий очень низкий уровень примесей, используемый во множестве элементов. Так для солнечных элементов требуется кремний, имеющий содержание бора менее 0,4 частей на миллион по весу и содержание фосфора 0,7 частей на миллион по весу.
Для того чтобы получить кремний для солнечных элементов, имеющий требуемое низкое содержание примесей, было предложено множество процессов очистки и комбинаций этих процессов. Так в публикации Судзуки и Сано "Термодинамика удаления бора из металлургического кремния флюсовой обработкой расплавленного кремния" ("Thermodynamics for removal of boron from metallurgiual silicon by flux treatment of molten silicon"), опубликованный в материалах 10-й Европейской конференции по фотоэлектрической солнечной энергии (10 th European photovolt aicsolar energy conference) в Лиссабоне, Португалии, 8-12 апреля 1991 г. исследовалось удаление бора путем флюсовой или шлаковой обработки. Было установлено, что обработка кремния шлаковыми CaO-SiO2, CaO-MgO-SiO2 CaO-BaO-SiO2 и CaO-CaF2-SiO2 дали максимальный коэффициент распределения бора, определяемый как отношение содержания бора в частях на миллион по весу в шлаке к содержанию бора в частях на миллион по весу в кремнии, равное примерно 2,0, при использовании системы CaO-BaO-SiO2. Кроме того, было установлено, что коэффициент распределения бора увеличивается с увеличением основности шлака, достигая максимума, и затем уменьшается. Проводимые Судзуки и Сано эксперименты осуществлялись путем помещения 10 г кремния и 10 г шлака в графитовый тигель, расплавления смеси и выдержки смеси в расплавленном состоянии в течение двух часов. Низкий коэффициент распределения бора между шлаком и расплавом кремния означает, что должно использоваться большое количество шлака, и что обработка шлаком должна повторяться много раз для того, чтобы снизить содержание бора от 20-100 частей на миллион по весу, обычного содержания бора в металлическом кремнии, до менее 1 части на миллион содержание бора, требуемого для кремния для солнечных элементов. Способ, описанный в статье Сано и Судзуки, является, следовательно, и дорогостоящим, и продолжительным.
В патенте Норвегии N 901150 описан способ удаления бора из металлического кремния путем шлаковой обработки, когда расплав кремния обрабатывают шлаком, содержащим хлорсодержащие соединения. Предпочтительнее, используется шлак, содержащий CaO-SiO2-CaCl2. Шлак добавляют к расплаву кремния и нагревают, после чего шлак удаляют. Согласно этому способу содержание бора уменьшается от около 15 частей на миллион до около 5 частей на миллион при использовании весового отношения шлака к кремнию от 0,5 до 0,8. В описанном вше способе шлаковой обработки все количество шлака поддерживают в контакте с расплавом кремния в течение относительно длительного периода времени.
Коэффициент распределения бора LB 2 не указывает, что процесс экстрагирования шлаком, описанный выше, является эффективным средством удаления значительного содержания бора из кремния. Эффективность экстрагирования шлаком может быть оценена несколькими упрощенными теоретическими аргументами. Символами обозначены:
[B]o содержание бора в поступающем кремнии (частей на миллион по весу),
(B)o содержание бора в поступающем шлаке (частей на миллион по весу),
[B]p содержание бора в выходящем шлаке (частей на миллион по весу),
MA количество кремниевого сплава (в единицах массы, например, кг),
MS количество шлака (в единицах массы, например, кг)
MA и Ms как предполагают, должны быть постоянными в течение реакции.
[B]o содержание бора в поступающем кремнии (частей на миллион по весу),
(B)o содержание бора в поступающем шлаке (частей на миллион по весу),
[B]p содержание бора в выходящем шлаке (частей на миллион по весу),
MA количество кремниевого сплава (в единицах массы, например, кг),
MS количество шлака (в единицах массы, например, кг)
MA и Ms как предполагают, должны быть постоянными в течение реакции.
Это должно быть хорошим приближением в случае, когда общее содержание бора в системе низкое и массообмен между двумя фазами мал в сравнении с общим массообменом в системе. Если должно обмениваться большое количество, то ситуация будет более сложной, но при этом возможны простые расчеты. Реальная реакция будет направлена к равновесию, но никогда не достигнет его. С этой целью предполагают или допускают, что:
1. Коэффициент распределения бора LB является постоянным.
1. Коэффициент распределения бора LB является постоянным.
2. Равновесие между шлаком и кремнием устанавливается быстро и по поверхности раздела, и любые отклонения от полного равновесия происходят в результате переноса бора внутри фаз.
3. Поступающий сплав и шлак являются единственным источником бора, и при этом нет потерь бора в системе.
В процессе, описанном выше, в котором весь шлак добавляется перед тем, как удаляется какое-то количество шлака и время контакта между шлаком и расплавом кремния продолжительное, шлак и кремний будут в лучшем случае гомогенными в равновесии к моменту удаления шлака из кремния.
Возможность очистки от бора вышеупомянутым процессом шлаковой обработки, когда между шлаком и кремнием достигается равновесие, может быть рассчитана следующим образом:
MA[B] + MS(B) MA[B]o + MS(B)o
Путем комбинации этого уравнения с уравнением
и соответствующих преобразований, содержание бора в выходящем кремнии может быть рассчитано как:
Это уравнение дает содержание бора в обработанном шлаком кремнии как функцию шлака на единицу металлического кремния. Содержание примеси в шлаковых материалах устанавливает предел чистоты, которая может быть достигнута для кремния, этот предел определяется как
Изменение содержания бора в течение процесса шлаковой обработки, когда шлак и кремний достигают равновесия, показано на фиг. 1. Как видно из фиг. 1, для того чтобы достичь содержания бора около 1 части на миллион по весу, в кремнии, первоначально содержащем около 10 частей на миллион, необходимо, чтобы отношение шлака к кремнию составляло около 3. Следовательно, должно быть использовано большое количество шлака для получения содержания бора менее 1 части на миллион по весу в случае применения известного процесса экстрагирования шлаком.
MA[B] + MS(B) MA[B]o + MS(B)o
Путем комбинации этого уравнения с уравнением
и соответствующих преобразований, содержание бора в выходящем кремнии может быть рассчитано как:
Это уравнение дает содержание бора в обработанном шлаком кремнии как функцию шлака на единицу металлического кремния. Содержание примеси в шлаковых материалах устанавливает предел чистоты, которая может быть достигнута для кремния, этот предел определяется как
Изменение содержания бора в течение процесса шлаковой обработки, когда шлак и кремний достигают равновесия, показано на фиг. 1. Как видно из фиг. 1, для того чтобы достичь содержания бора около 1 части на миллион по весу, в кремнии, первоначально содержащем около 10 частей на миллион, необходимо, чтобы отношение шлака к кремнию составляло около 3. Следовательно, должно быть использовано большое количество шлака для получения содержания бора менее 1 части на миллион по весу в случае применения известного процесса экстрагирования шлаком.
Задачей изобретения является разработка способа удаления примесей из расплава кремния, в частности бора, который дает возможность обеспечить улучшение эффективности очистки в сравнении с известными из уровня техники способами.
Изобретение относится к способу удаления примесей из расплава кремния, включающему обработку расплава кремния, помещенного в сосуд, шлаком, способным удалять примеси, в частности бор, при этом упомянутый способ отличается тем, что шлак непрерывно добавляют к расплаву кремния и непрерывно удаляют из него.
Целесообразно, шлак с большой плотностью, чем плотность расплава кремния, непрерывно добавлять в верхнюю часть расплава кремния и непрерывно выпускать из дна сосуда.
Предпочтительно шлак с плотностью более низкой, чем плотность расплава кремния, подавать в ванну расплава кремния через дно или нижнюю часть стенки сосуда и непрерывно удалять. Шлак на основе Na2O-SiO2 является примером шлака, имеющего более низкую плотность, чем кремний.
Еще более предпочтительно обработку шлаком осуществлять в прототипе шлака и расплава кремния.
Целесообразно противоток шлака и кремния осуществлять посредством перемещения расплава кремния и расплава шлака в противотоке через два или более сосудов.
Изобретение относится также к способу удаления примесей из расплава кремния, включающему обработку расплава кремния, помещенного в сосуд, шлаком, способным удалить примеси, в частности, бор, при этом способ отличается тем, что шлак непрерывно инактивируют или удаляют из расплава кремния при достижении равновесия в отношении примесных элементов или элементов, подлежащих удалению.
Целесообразно инактивировать шлак путем добавления одного или более ингредиентов к шлаку, которые увеличивают плотность шлака.
Предпочтительно для увеличения плотности шлака добавлять к нему соединения бария и/или соединения стронция. Предпочтительно также при инактивации шлаком, имеющим плотность большую, чем плотность расплава кремния, добавлять его непрерывно, в верхнюю часть расплава кремния для оседания в виде шлакового слоя на дне сосуда, в котором осуществляют обработку.
Еще более предпочтительно поддерживать шлаковый слой при более низкой температуре, чем расплав кремния.
Для того чтобы еще более инактивировать шлак, который оседает в шлаковом слое на дно сосуда, в котором осуществляется шлаковая обработка, температуру шлака снижают путем охлаждения с помощью соответствующих средств охлаждения, которые расположены в нижней части сосуда, которая может быть оборудована охлаждающими трубами, предназначенными для циркулирования охлаждающей жидкости.
В способе согласно изобретению может быть использован любой известный состав шлака, используемого для рафинирования или очистки кремния. Предпочтительнее, чтобы шлак содержал CaO-SiO2, но также могут использоваться и другие известные средства.
Когда шлак в соответствии со способом настоящего изобретения добавляют непрерывно или, по существу, непрерывно, и непрерывно или, по существу непрерывно, инактивируют или удаляют из расплава кремния, материальный баланс для небольшого количества dMS шлака, добавляемого к кремнию, будет
MAd[B] ((B)o (B))dMS
Установлено, что если это уравнение объединить с уравнением для коэффициента распределения бора LB и решить для соответствующих граничных условий, то содержание бора в выходящем кремнии может быть рассчитано как
Содержание примесей в шлаковых материалах задает или устанавливает тот же самый предел чистоты, который может быть получен для обработанного кремния, как и для чистоты, которая может быть достигнута согласно известным из уровня техники способам с равновесием между шлаком и кремнием. Однако, как видно на фиг. 1, изменение содержания бора в расплаве кремния в течение шлаковой обработки происходит намного быстрее для способа настоящего изобретения, чем в известных из уровня техники способах. Так как видно из фиг. 1, содержание бора менее, чем около 0,5 частей на миллион по весу, может быть получено путем обработки кремния, имеющего содержание бора порядка 10-50 частей на миллион по весу, при весовом отношении шлака к кремнию, составляющем менее, чем 3.
MAd[B] ((B)o (B))dMS
Установлено, что если это уравнение объединить с уравнением для коэффициента распределения бора LB и решить для соответствующих граничных условий, то содержание бора в выходящем кремнии может быть рассчитано как
Содержание примесей в шлаковых материалах задает или устанавливает тот же самый предел чистоты, который может быть получен для обработанного кремния, как и для чистоты, которая может быть достигнута согласно известным из уровня техники способам с равновесием между шлаком и кремнием. Однако, как видно на фиг. 1, изменение содержания бора в расплаве кремния в течение шлаковой обработки происходит намного быстрее для способа настоящего изобретения, чем в известных из уровня техники способах. Так как видно из фиг. 1, содержание бора менее, чем около 0,5 частей на миллион по весу, может быть получено путем обработки кремния, имеющего содержание бора порядка 10-50 частей на миллион по весу, при весовом отношении шлака к кремнию, составляющем менее, чем 3.
Способ согласно настоящему изобретению может осуществляться в любом устройстве, содержащем, по крайней мере, один сосуд для размещения в нем расплава кремния и шлака, и имеющем средства для добавления жидкого шлака в верхнюю часть расплава кремния или у нижней части или дна расплава кремния. Сосуд должен быть дополнительно оборудован нагревательными средствами для плавления кремния и поддержания расплава кремния при заданной температуре. Подходящими устройствами для осуществления способа настоящему изобретению могут быть дуговые печи, печи с плазменным нагревом, печи с индукционным обогревом и электропечи сопротивления.
На фиг. 1 показан график, показывающий теоретическое извлечение бора из кремния как функцию расхода шлака для способа настоящего изобретения (обозначенную "настоящее изобретение") и для способа, описанного выше, в котором общее количество шлака поддерживается в контакте с расплавом кремния в течение относительно продолжительного периода времени (обозначенную "уровень техники"). Для расчета теоретического извлечения бора использовался известный из уровня техники коэффициент распределения бора LB 2,0.
На фиг. 2 показана дуговая печь 1, содержащая графитовый тигель 2, с объемом, составляющим 50 дм3, оборудованная электродом 3 для плавления кремния 4 и шлаковых материалов. Печь 1 дополнительно оборудована средством 5 для непрерывной подачи шлака в печь. Максимальная нагрузка печи составляет 70 кВт. Для того чтобы инактивировать шлак, печь имеет достаточно слабую теплоизоляцию дна.
Пример 1 (по изобретению).
20 кг кремния, содержащего 40 частей на миллион по весу бора, было расплавлено в печи 1,4 кг шлака с низким содержанием бора, имеющего состав 70 мас. CaO и 50 мас. SiO2, непрерывно добавляли к кремнию с помощью средства для подачи шлака 5, тогда как тепло добавляли со скоростью, которая обеспечивала почти мгновенное расплавление. Плавление проверялось путем взятия проб в печи. Плотность шлака была высокой, чем плотность кремния, что вынуждало шлак оседать в шлаковом слое ниже слоя кремния в печи. После окончания добавления шлака рафинированный или очищенный кремний выпускали из печи 1. Во время опыта нагрузка была 58,5 кВт. Как видно из фиг. 1, содержание бора в рафинированном или очищенном кремнии составило приблизительно 1 часть на миллион по весу, что очень близко к теоретическому значению, полученному для способа согласно настоящему изобретению.
Пример 2 (уровень техники). В целях сравнения опыт осуществляли таким образом, что 40 кг шлака, имеющего тот же самый состав, что и в примере 1, было расплавлено в печи 1, после чего 20 кг кремния, содержащего 40 частей на миллион по весу бора, непрерывно добавляли в расплавленный шлак, причем загрузка нагревалась со скоростью, обеспечивались почти мгновенное расплавление. Два расплава выдерживались в контакте около получаса после полного расплавления, после чего кремний выпускали из печи. Содержание бора в кремнии составило 11 частей на миллион по весу, что несколько ниже теоретического значения для известного из уровня техники способа, показанного на фиг. 1. Во время опыта нагрузка составляла 67,5 кВт.
Этот сравнительный пример показывает, что между донным шлаком и кремнием была достигнута высокая степень равновесия, что показывает слабую инактивацию шлака. Поскольку охлаждение через донную футеровку является почти постоянным, нагрузка дается с поправкой на охлаждение, которое происходит в донном шлаковом слое. Опыт был повторен с более низкой нагрузкой 53,4 кВт. После этого содержание бора в кремнии составило 20 частей на миллион по весу, которое намного выше теоретического значения для уровня техники на фиг. 1.
Пример 1 в сравнении с примером 2 показывает, что способ настоящего изобретения обеспечивает намного большее удаление бора в сравнении со способом, известным из уровня техники.
Claims (10)
1. Способ удаления примесей из расплава кремния путем обработки расплава кремния, помещенного в сосуд, шлаком, способным удалять примеси, в частности бор, из расплава кремния, отличающийся тем, что шлак непрерывно добавляют к расплаву кремния и непрерывно удаляют из расплава кремния.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что шлак с большей плотностью, чем плотность расплава кремния, добавляют непрерывно в верхнюю часть расплава кремния и непрерывно выпускают из дна сосуда, в котором осуществляют обработку.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что шлак с плотностью более низкой, чем плотность расплава кремния, подают в ванну расплава кремния через дно или через нижнюю часть стенки сосуда, содержащего расплав кремния, и непрерывно удаляют.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку шлаком осуществляют в противотоке шлака и расплава кремния.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что противоток шлака и кремния осуществляют посредством перемещения расплава кремния и расплава шлака в противотоке через два или более сосудов.
6. Способ удаления примесей из расплава кремния путем обработки расплава кремния, помещенного в сосуд, шлаком, способным удалять примеси, в частности бор, из расплава кремния, отличающийся тем, что шлак непрерывно инактивируют или удаляют из расплава кремния при достижении равновесия в отношении примесных элементов или элементов, подлежащих удалению.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что шлак инактивируют путем добавления одного или более ингредиентов к шлаку, которые увеличивают плотность шлака.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что для увеличения плотности шлака к нему добавляют соединения бария и/или соединения стронция.
9. Способ по п.6, отличающийся тем, что при инактивации шлаком, имеющим плотность большую, чем плотность расплава кремния, его добавляют непрерывно в верхнюю часть расплава кремния для оседания в виде шлакового слоя на дне сосуда, в котором осуществляют обработку.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что шлаковый слой поддерживают при более низкой температуре, чем расплав кремния.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO943227A NO180532C (no) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium |
| NO943227 | 1994-09-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU95114671A RU95114671A (ru) | 1997-07-27 |
| RU2098354C1 true RU2098354C1 (ru) | 1997-12-10 |
Family
ID=19897360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU9595114671A RU2098354C1 (ru) | 1994-09-01 | 1995-08-31 | Способ удаления примесей из расплава кремния |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5788945A (ru) |
| EP (1) | EP0699625B1 (ru) |
| JP (1) | JP2851257B2 (ru) |
| KR (1) | KR0178071B1 (ru) |
| CN (1) | CN1042821C (ru) |
| AT (1) | ATE178031T1 (ru) |
| AU (1) | AU682277B2 (ru) |
| BR (1) | BR9503835A (ru) |
| DE (1) | DE69508498T2 (ru) |
| DK (1) | DK0699625T3 (ru) |
| ES (1) | ES2130535T3 (ru) |
| FI (1) | FI114092B (ru) |
| GR (1) | GR3030154T3 (ru) |
| NO (1) | NO180532C (ru) |
| RU (1) | RU2098354C1 (ru) |
| ZA (1) | ZA956186B (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2500618C2 (ru) * | 2008-05-27 | 2013-12-10 | Спонт Прайват С.А.Р.Л. | Галогенидсодержащий кремний, способ его получения и его применение |
| RU2600055C1 (ru) * | 2015-05-26 | 2016-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Современные химические и металлургические технологии" (ООО "СХИМТ") | Способ и устройство для рафинирования технического кремния |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6368403B1 (en) * | 1997-08-28 | 2002-04-09 | Crystal Systems, Inc. | Method and apparatus for purifying silicon |
| NO316020B1 (no) * | 2001-10-10 | 2003-12-01 | Elkem Materials | Anordning for kontinuerlig slaggbehandling av silisium |
| WO2003066523A1 (fr) * | 2002-02-04 | 2003-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Procede de purification du silicium, scories pour purifier le silicium et silicium purifie |
| NO318092B1 (no) * | 2002-05-22 | 2005-01-31 | Elkem Materials | Kalsium-silikatbasert slagg, fremgangsmate for fremstilling av kalsium-silikatbasert slagg, og anvendelse for slaggbehandling av smeltet silium |
| JP4354265B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2009-10-28 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコン精錬におけるスラグ分離方法 |
| NO333319B1 (no) * | 2003-12-29 | 2013-05-06 | Elkem As | Silisiummateriale for fremstilling av solceller |
| JP4766837B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2011-09-07 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコンからのホウ素除去方法 |
| JP4632769B2 (ja) | 2004-12-09 | 2011-02-16 | シャープ株式会社 | シリコンの精製方法 |
| JP4782428B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2011-09-28 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコンの精錬方法 |
| JP4511957B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2010-07-28 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコンの精錬方法 |
| JP5140835B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2013-02-13 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 高純度シリコンの製造方法 |
| JP4966560B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2012-07-04 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 高純度シリコンの製造方法 |
| JP4689373B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | シリコンの再利用方法 |
| JP4671872B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2011-04-20 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | シリコンの精錬方法 |
| US7820126B2 (en) * | 2006-08-18 | 2010-10-26 | Iosil Energy Corporation | Method and apparatus for improving the efficiency of purification and deposition of polycrystalline silicon |
| EP2074060A4 (en) * | 2006-09-14 | 2015-12-23 | Silicio Ferrosolar S L U | PROCESS AND DEVICE FOR PURIFYING LOW QUALITY SILICON MATERIAL |
| KR20100061510A (ko) * | 2007-09-13 | 2010-06-07 | 실리슘 비캔커 인코포레이티드 | 야금 등급의 규소로부터 중간 및 고순도 규소를 생산하는 방법 |
| WO2009126922A2 (en) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | Iosil Energy Corp. | Methods and apparatus for recovery of silicon and silicon carbide from spent wafer-sawing slurry |
| DE102008036143A1 (de) | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Berlinsolar Gmbh | Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium |
| US8329133B2 (en) * | 2008-11-03 | 2012-12-11 | Gt Crystal Systems, Llc | Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon |
| US9050652B2 (en) * | 2008-11-14 | 2015-06-09 | Carnegie Mellon University | Methods for casting by a float process and associated apparatuses |
| NO330928B1 (no) * | 2009-01-13 | 2011-08-22 | Elkem Solar As | Apparat og fremgangsmate for behandling av ublandbare vaesker |
| IT1394029B1 (it) | 2009-05-12 | 2012-05-25 | Raysolar S R L | Metodo per la purificazione di silicio ed apparato con cui realizzarlo |
| CN101955186A (zh) * | 2010-09-19 | 2011-01-26 | 江西盛丰新能源科技有限公司 | 一种物理除硼制备多晶硅的方法 |
| KR101222175B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2013-01-14 | 연세대학교 산학협력단 | 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 ＭＧ－Ｓｉ중 불순물의 정련 방법 |
| CN103011169B (zh) * | 2012-12-14 | 2014-05-07 | 厦门大学 | 一种片状硅的制备方法 |
| NO339608B1 (no) | 2013-09-09 | 2017-01-09 | Elkem Solar As | Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller |
| CN103754882B (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-08 | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 | 一种除硼造渣剂的提纯方法 |
| CN105063749B (zh) * | 2015-06-08 | 2017-07-18 | 朱超 | 一种制备高纯度多晶硅的方法 |
| GB201621609D0 (en) * | 2016-12-19 | 2017-02-01 | Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) | Process for the production of commercial grade silicon |
| TWI640473B (zh) | 2017-12-07 | 2018-11-11 | 財團法人工業技術研究院 | 除硼方法與除硼裝置 |
| ES2930541T3 (es) * | 2019-03-22 | 2022-12-19 | Wacker Chemie Ag | Procedimiento para la producción de silicio técnico |
| CN113508090B (zh) * | 2019-03-27 | 2024-01-12 | 瓦克化学股份公司 | 生产工业硅的方法 |
| EP3962860B8 (de) * | 2019-04-30 | 2024-08-07 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur raffination von rohsilicium-schmelzen mittels eines partikulären mediators |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1100218B (it) * | 1978-11-09 | 1985-09-28 | Montedison Spa | Procedimento per la purificazione di silicio |
| US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
| US4312848A (en) * | 1979-05-24 | 1982-01-26 | Aluminum Company Of America | Boron removal in silicon purification |
| DE2945072A1 (de) * | 1979-11-08 | 1981-06-04 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum reinigen von rohsilicium |
| US4388286A (en) * | 1982-01-27 | 1983-06-14 | Atlantic Richfield Company | Silicon purification |
| FR2556333A1 (fr) * | 1983-12-09 | 1985-06-14 | Hanna Mining Co | Procede pour purifier du silicium pour des applications necessitant une grande purete |
| US4643833A (en) * | 1984-05-04 | 1987-02-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for separating solid reaction products from silicon produced in an arc furnace |
| US4612179A (en) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Sri International | Process for purification of solid silicon |
| SE460287B (sv) * | 1987-09-15 | 1989-09-25 | Casco Nobel Ab | Foerfarande foer rening av kisel fraan bor |
| NO901150L (no) * | 1987-09-15 | 1990-03-12 | Casco Nobel Ab | Fremgangsmaate ved rensning av silicium. |
| JP2856839B2 (ja) * | 1990-05-11 | 1999-02-10 | 川崎製鉄株式会社 | シリコンの精製方法 |
| JP3205352B2 (ja) * | 1990-05-30 | 2001-09-04 | 川崎製鉄株式会社 | シリコン精製方法及び装置 |
| JP2846408B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1999-01-13 | 川崎製鉄株式会社 | シリコンの精製方法 |
| US5208001A (en) * | 1991-06-20 | 1993-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for silicon purification |
| DE4122190C2 (de) * | 1991-07-04 | 1995-07-06 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Behandeln von Silicium |
| CN1080264A (zh) * | 1993-03-01 | 1994-01-05 | 吴旺河 | 工业硅清渣除钙装置及其精制方法 |
-
1994
- 1994-09-01 NO NO943227A patent/NO180532C/no not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-07-25 JP JP7189174A patent/JP2851257B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-25 ZA ZA956186A patent/ZA956186B/xx unknown
- 1995-08-29 BR BR9503835A patent/BR9503835A/pt not_active IP Right Cessation
- 1995-08-31 EP EP95306100A patent/EP0699625B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-31 DK DK95306100T patent/DK0699625T3/da active
- 1995-08-31 DE DE69508498T patent/DE69508498T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-31 RU RU9595114671A patent/RU2098354C1/ru active
- 1995-08-31 AU AU30362/95A patent/AU682277B2/en not_active Ceased
- 1995-08-31 ES ES95306100T patent/ES2130535T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-31 AT AT95306100T patent/ATE178031T1/de active
- 1995-09-01 FI FI954108A patent/FI114092B/fi not_active IP Right Cessation
- 1995-09-01 CN CN95116823A patent/CN1042821C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-01 KR KR1019950028559A patent/KR0178071B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-05-08 US US08/852,999 patent/US5788945A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-06 GR GR990401242T patent/GR3030154T3/el unknown
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Судзуки и Сано. Термодинамика удаления бора из металлургического кремния флюсовой обработкой расплавленного кремния. Материалы 10-й Европейской конференции по фотоэлектрической солнечной энергии в Лиссабоне 8-12 апреля 1991. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2500618C2 (ru) * | 2008-05-27 | 2013-12-10 | Спонт Прайват С.А.Р.Л. | Галогенидсодержащий кремний, способ его получения и его применение |
| RU2600055C1 (ru) * | 2015-05-26 | 2016-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Современные химические и металлургические технологии" (ООО "СХИМТ") | Способ и устройство для рафинирования технического кремния |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA956186B (en) | 1997-01-27 |
| JPH0873209A (ja) | 1996-03-19 |
| NO943227L (no) | 1996-03-04 |
| ATE178031T1 (de) | 1999-04-15 |
| DE69508498T2 (de) | 1999-11-18 |
| JP2851257B2 (ja) | 1999-01-27 |
| AU3036295A (en) | 1996-03-14 |
| EP0699625B1 (en) | 1999-03-24 |
| FI114092B (fi) | 2004-08-13 |
| KR960012284A (ko) | 1996-04-20 |
| DE69508498D1 (de) | 1999-04-29 |
| BR9503835A (pt) | 1996-09-10 |
| NO943227D0 (no) | 1994-09-01 |
| CN1133262A (zh) | 1996-10-16 |
| US5788945A (en) | 1998-08-04 |
| NO180532C (no) | 1997-05-07 |
| GR3030154T3 (en) | 1999-08-31 |
| CN1042821C (zh) | 1999-04-07 |
| NO180532B (no) | 1997-01-27 |
| EP0699625A1 (en) | 1996-03-06 |
| FI954108A (fi) | 1996-03-02 |
| AU682277B2 (en) | 1997-09-25 |
| KR0178071B1 (ko) | 1999-04-15 |
| FI954108A0 (fi) | 1995-09-01 |
| DK0699625T3 (da) | 1999-05-25 |
| ES2130535T3 (es) | 1999-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2098354C1 (ru) | Способ удаления примесей из расплава кремния | |
| US3741751A (en) | Heating of molten metal | |
| JP4410847B2 (ja) | 中純度金属シリコンとその製錬法 | |
| WO2008031229A1 (en) | Process and apparatus for purifying low-grade silicon material | |
| NO310347B1 (no) | Fremgangsmåte for rensing av silisium | |
| EP2379758A2 (en) | Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon | |
| US4312848A (en) | Boron removal in silicon purification | |
| US3198625A (en) | Purification of aluminum | |
| US4246249A (en) | Silicon purification process | |
| RU2020173C1 (ru) | Способ рафинирования магния и его сплавов и устройство для его осуществления | |
| US3212881A (en) | Purification of alloys | |
| NO163769B (no) | Fremgangsmaate ved behandling av silicium og ferrosiliciummed slagg. | |
| Schoukens et al. | Pilot-plant production of Prime Western grade zinc from lead blast-furnace slags using the Enviroplas process | |
| RU2403299C1 (ru) | Способ вакуумной очистки кремния и устройство для его осуществления (варианты) | |
| US4312846A (en) | Method of silicon purification | |
| AU719916B2 (en) | Recovery of metal from dross | |
| EP0408549A1 (en) | Method for the purification of silicon | |
| US4877596A (en) | Process for the production of low carbon silicon | |
| CA2153932C (en) | Method for refining of silicon | |
| US3909243A (en) | Recovery of both brass and zinc from metallurgical residues by carbon flotation method | |
| RU2083699C1 (ru) | Способ переработки алюминиевых отходов | |
| SU1696540A1 (ru) | Способ рафинировани чернового свинца | |
| JP3827547B2 (ja) | 鉄スクラップからの銅の分離、除去方法 | |
| SU1294857A1 (ru) | Флюс дл плавки медных сплавов | |
| RU2061078C1 (ru) | Способ получения сплавов на основе редкоземельных металлов, скандия и иттрия |