RU2014110509A - Источник света с квантовыми точками - Google Patents

Источник света с квантовыми точками Download PDF

Info

Publication number
RU2014110509A
RU2014110509A RU2014110509/05A RU2014110509A RU2014110509A RU 2014110509 A RU2014110509 A RU 2014110509A RU 2014110509/05 A RU2014110509/05 A RU 2014110509/05A RU 2014110509 A RU2014110509 A RU 2014110509A RU 2014110509 A RU2014110509 A RU 2014110509A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
group
coating
luminescent
nanoparticles
moreover
Prior art date
Application number
RU2014110509/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2616080C2 (ru
Inventor
Шу СЮЙ
Рифат Ата Мустафа ХИКМЕТ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2014110509A publication Critical patent/RU2014110509A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2616080C2 publication Critical patent/RU2616080C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y10S977/892—Liquid phase deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Люминесцентный материал (100) на основе люминесцентных наночастиц, содержащий матрицу (10) из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц (20) с покрытием,- причем люминесцентные наночастицы (20) выбраны из группы, состоящей из полупроводниковых наночастиц, которые способны излучать в видимой части спектра;- причем люминесцентные наночастицы (20) содержат первое покрытие (25), содержащее материал первого покрытия (125), отличающийся от полупроводникового материала наночастиц; причем материал первого покрытия (125) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M1-M2-M3-A, в которой M1 выбран из группы, состоящей из Na, Li, Mg, Cu, Ag и Au; причем M2 выбран из группы, состоящей из Zn и Cd; причем M3 выбран из группы, состоящей из Ga, As, In и Tl; причем A выбран из группы, состоящей из O, S, Se, As, P и Te; причем x находится в диапазоне 0-1; причем y находится в диапазоне 0-1; z находится в диапазоне 0-1; и причем по меньшей мере, один из x, y и z больше 0;- причем матрица (10) содержит второе покрытие (35), содержащее материал второго покрытия (135), отличающийся от материала первого покрытия (125), причем материал второго покрытия (135) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M4A, в которой M4 выбран из группы, состоящей из Al, Ca, Mg, Zn и Cd; и A выбран из группы, состоящей из Cl, F, O, S, Se и Te; и- причем матрица (10) из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц (20) содержит структуры (50) типа сферического сочленения, причем одна или несколько сферических частей (51) содержат одну или несколько люминесцентных наночастиц (20) с покрытием, в которых сферические части связаны друг с другом с помощью сочленений (52), содержащих материал, выбранный из группы, состоящей из соединений формул M1-M2-M3-Aи M4A с

Claims (15)

1. Люминесцентный материал (100) на основе люминесцентных наночастиц, содержащий матрицу (10) из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц (20) с покрытием,
- причем люминесцентные наночастицы (20) выбраны из группы, состоящей из полупроводниковых наночастиц, которые способны излучать в видимой части спектра;
- причем люминесцентные наночастицы (20) содержат первое покрытие (25), содержащее материал первого покрытия (125), отличающийся от полупроводникового материала наночастиц; причем материал первого покрытия (125) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M1x-M2y-M3z-A(X+2y+3Z)/2, в которой M1 выбран из группы, состоящей из Na, Li, Mg, Cu, Ag и Au; причем M2 выбран из группы, состоящей из Zn и Cd; причем M3 выбран из группы, состоящей из Ga, As, In и Tl; причем A выбран из группы, состоящей из O, S, Se, As, P и Te; причем x находится в диапазоне 0-1; причем y находится в диапазоне 0-1; z находится в диапазоне 0-1; и причем по меньшей мере, один из x, y и z больше 0;
- причем матрица (10) содержит второе покрытие (35), содержащее материал второго покрытия (135), отличающийся от материала первого покрытия (125), причем материал второго покрытия (135) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M4A, в которой M4 выбран из группы, состоящей из Al, Ca, Mg, Zn и Cd; и A выбран из группы, состоящей из Cl, F, O, S, Se и Te; и
- причем матрица (10) из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц (20) содержит структуры (50) типа сферического сочленения, причем одна или несколько сферических частей (51) содержат одну или несколько люминесцентных наночастиц (20) с покрытием, в которых сферические части связаны друг с другом с помощью сочленений (52), содержащих материал, выбранный из группы, состоящей из соединений формул M1x-M2y-M3z-A(х+2y+3z)/2 и M4A с М1, М2, М3, М4, А, х, y и z, указанными выше.
2. Люминесцентный материал (100) по п. 1, в котором люминесцентные наночастицы (20) выбраны из группы, состоящей из InP, CuInS2, CuInSe2, CdTe, CdSe, CdSeTe, AgInS2, AgInSe2 и ZnSe:Mn.
3. Люминесцентный материал (100) по любому из предыдущих пунктов, в котором первое покрытие (125) содержит материал, выбранный из группы, состоящей из CuxZnyInzS(x+2y+3z)/2, CuxZnyInzSe(x+2y+3z)/2, ZnTeSe и CdS.
4. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором матрица (10) содержит наночастицы CdSe/CdS (41) типа "точки-в-стержнях".
5. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором матрица (10) содержит наночастицы CdSe/CdS (42) типа "ядро-оболочка".
6. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором второе покрытие выбрано из группы, состоящей из ZnS, SiO2, MgS, ZnSe, ZnO, Zn1-xMgxSySe1-y, ZnSO3, ZnSO4.
7. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором материал второго покрытия (135) выбран из группы, состоящей из MgS, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnSSe, ZnSO4 и Zn1-xMgxSySe1-y.
8. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором люминесцентные наночастицы (10) содержат CdSe, причем материал первого покрытия (125) содержит CdS, и причем материал второго покрытия (135) содержит ZnS.
9. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором соседние люминесцентные наночастицы имеют наиболее короткое расстояние (d), по меньшей мере, 5 нм, и причем второе покрытие (35) имеет толщину (d2) в диапазоне 1-50 нм.
10. Люминесцентный материал по любому из пп. 1 или 2, имеющий квантовую эффективность, по меньшей мере, 80% при 25°C и гашение квантовой эффективности при 100°C, не превышающее 20% в сравнении с квантовой эффективностью при 25°C.
11. Способ производства люминесцентного материала (100) на основе люминесцентных наночастиц по любому из пп. 1-10, причем способ содержит:
смешивание люминесцентных наночастиц (20) с покрытием, системы предшественника для получения второго покрытия и необязательно поверхностно-активного вещества в жидкости; и
нагревание полученной при этом смеси;
причем люминесцентные наночастицы (20) выбраны из группы, состоящей из полупроводниковых наночастиц, которые способны излучать в видимой части спектра,
причем люминесцентные наночастицы (20) с покрытием содержат первое покрытие (25), содержащее материал первого покрытия (125), отличающийся от полупроводникового материала наночастиц, причем материал первого покрытия (125) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M1x-M2y-M3z-A(х+2y+3z)/2, в которой M1 выбран из группы, состоящей из Na, Li, Mg, Cu, Ag и Au; M2 выбран из группы, состоящей из Zn и Cd; причем M3 выбран из группы, состоящей из Ga, As, In и Tl; причем A выбран из группы, состоящей из O, S, Se, As, P, и Te, причем x находится в диапазоне 0-1, причем y находится в диапазоне 0-1, причем z находится в диапазоне 0-1, и причем по меньшей мере, один из x, y и z больше 0; и
причем система предшественника для получения второго покрытия содержит один или несколько предшественников для формирования второго покрытия (35) на люминесцентных наночастицах (20) с покрытием; причем второе покрытие (35) содержит материал второго покрытия (135), отличающийся от материала первого покрытия (125), причем материал второго покрытия (135) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M4A, в которой M4 выбран из группы, состоящей из Al, Ca, Mg, Zn и Cd; и причем A выбран из группы, состоящей из Cl, F, O, S, Se и Te.
12. Способ по п. 11, дополнительно содержащий выделение полученного таким образом люминесцентного материала (100) из жидкости и сушку люминесцентного материала (100).
13. Способ по любому из пп. 11 и 12, в котором система предшественника для получения второго покрытия содержит одно или несколько следующих соединений: бис[бис(2-гидроксиэтил)дитиокарбамато]цинк(II), цинковая соль N-оксида 2-меркаптопиридина, (толуол-3,4-дитиолато)цинк(II), цинковая (II) соль дибензилдитиокарбаминовой кислоты, дибутилдитиокарбамат цинка (II), цинковая соль диэтилдитиокарбаминовой кислоты, диметилдитиокарбамат цинка, комплекс бис(1,3-дитиол-2-тион-4,5-дитиолато)цинка с бис(тетрабутиламмонием).
14. Осветительное устройство (1), содержащее источник света(2), выполненный с возможностью обеспечивать свет источника света (12) в УФ- или синей части видимого спектра; и люминесцентный материал (100) по любому из п.п. 1-10, выполненный с возможностью поглощать, по меньшей мере, часть света источника света (12).
15. Осветительное устройство (1) по п. 14, в котором люминесцентный материал (100) содержится в покрытии (45), и причем покрытие (45) выполнено с возможностью переизлучать, по меньшей мере, часть света источника света (12), и причем источник света (2) содержит LED.
RU2014110509A 2011-10-20 2012-10-19 Источник света с квантовыми точками RU2616080C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161549329P 2011-10-20 2011-10-20
US61/549,329 2011-10-20
PCT/IB2012/055725 WO2013057702A1 (en) 2011-10-20 2012-10-19 Light source with quantum dots

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014110509A true RU2014110509A (ru) 2015-11-27
RU2616080C2 RU2616080C2 (ru) 2017-04-12

Family

ID=47278916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014110509A RU2616080C2 (ru) 2011-10-20 2012-10-19 Источник света с квантовыми точками

Country Status (7)

Country Link
US (3) US9412916B2 (ru)
EP (1) EP2768925B1 (ru)
JP (1) JP5809756B2 (ru)
KR (1) KR101484462B1 (ru)
CN (1) CN103890134B (ru)
RU (1) RU2616080C2 (ru)
WO (1) WO2013057702A1 (ru)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5809756B2 (ja) * 2011-10-20 2015-11-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 量子ドットを有する光源
US20160333268A1 (en) * 2014-01-17 2016-11-17 Pacific Light Technologies Corp. Irregular Large Volume Semiconductor Coatings for Quantum Dots (QDs)
CN105940081B (zh) * 2014-02-04 2020-06-09 亮锐控股有限公司 用于量子点的基于配位氧和配位羟的复合无机配体
JP6434039B2 (ja) * 2014-02-04 2018-12-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 無機マトリクス内に無機リガンドを有する量子ドット
US9376616B2 (en) * 2014-04-30 2016-06-28 Sharp Kabushiki Kaisha Nanoparticle phosphor and method for manufacturing the same, semiconductor nanoparticle phosphor and light emitting element containing semiconductor nanoparticle phosphor, wavelength converter and light emitting device
US10670229B2 (en) 2014-06-26 2020-06-02 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Emitting film with improved light-out coupling
CN104062807B (zh) * 2014-07-15 2017-01-18 纳晶科技股份有限公司 发光单元及具有其的侧发光式液晶显示器
WO2016016134A1 (en) * 2014-07-28 2016-02-04 Koninklijke Philips N.V. Silica coated quantum dots with improved quantum efficiency
TWI690585B (zh) * 2014-08-11 2020-04-11 德商漢高股份有限及兩合公司 電激發光之經交聯奈米晶體薄膜
TWI690630B (zh) * 2014-08-11 2020-04-11 德商漢高股份有限及兩合公司 叢生奈米晶體網狀物與奈米晶體合成物
TWI690631B (zh) * 2014-08-11 2020-04-11 德商漢高股份有限及兩合公司 反應性膠狀奈米晶體及奈米晶體合成物
US10181538B2 (en) 2015-01-05 2019-01-15 The Governing Council Of The University Of Toronto Quantum-dot-in-perovskite solids
WO2016185933A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 富士フイルム株式会社 コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム
JP6513193B2 (ja) * 2015-05-15 2019-05-15 富士フイルム株式会社 マルチコアシェル粒子、ナノ粒子分散液およびフィルム
JP6293710B2 (ja) * 2015-07-22 2018-03-14 国立大学法人名古屋大学 半導体ナノ粒子およびその製造方法
KR20180027629A (ko) * 2015-07-30 2018-03-14 퍼시픽 라이트 테크놀로지스 코포레이션 카드뮴 함량이 낮은 나노결정질 양자점 헤테로구조물
EP3162874A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-03 ETH Zurich Luminescent semiconductor nanocrystals and methods for making same
DE102015121720A1 (de) * 2015-12-14 2017-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements
JP6687915B2 (ja) * 2016-01-19 2020-04-28 株式会社村田製作所 発光体、発光体の製造方法、及び生体物質標識剤
CN105733570B (zh) * 2016-03-16 2018-07-13 南京工业大学 一种银离子掺杂的绿色荧光量子点的制备方法
US20170352779A1 (en) * 2016-06-07 2017-12-07 Sharp Kabushiki Kaisha Nanoparticle phosphor element and light emitting element
JP2017218574A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 シャープ株式会社 ナノ粒子蛍光体素子および発光素子
EP3275967A1 (en) * 2016-07-28 2018-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
KR102640897B1 (ko) * 2016-09-13 2024-02-26 엘지디스플레이 주식회사 양자막대, 그 합성 방법 및 양자막대 표시장치
DE102016117189A1 (de) * 2016-09-13 2018-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR20180077503A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 퀀텀 로드, 퀀텀 로드 필름 및 퀀텀 로드 표시장치
CN108728099A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 Tcl集团股份有限公司 一种核壳结构量子点材料及其制备方法
US20190198720A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Particle systems and patterning for monolithic led arrays
KR102154072B1 (ko) * 2018-04-11 2020-09-09 고려대학교 산학협력단 복사냉각에서 색상 구현이 가능한 냉각재 및 이를 이용한 색상 구현 방법
WO2019233975A1 (en) * 2018-06-07 2019-12-12 Merck Patent Gmbh Nanoparticles
JPWO2020054764A1 (ja) * 2018-09-12 2021-08-30 Ｎｓマテリアルズ株式会社 赤外線センサ及びその製造方法
CN109735847B (zh) * 2019-02-02 2020-12-22 青岛大学 用于光生阴极保护的AgInS2/石墨烯/TiO2纳米复合膜光阳极及制备和应用
KR20200122717A (ko) 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 리튬 함유 무카드뮴 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
KR20200122719A (ko) * 2019-04-18 2020-10-28 삼성전자주식회사 코어쉘 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
CN112582556B (zh) * 2019-09-30 2022-04-01 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2021065782A1 (ja) * 2019-10-03 2021-04-08 Ｎｓマテリアルズ株式会社 量子ドット、及び、その製造方法
WO2021075613A1 (ko) * 2019-10-18 2021-04-22 한국과학기술원 복사냉각에서 색상 구현이 가능한 냉각재 및 이를 이용한 색상 구현 방법
CN111518540B (zh) * 2020-05-20 2022-04-19 温州大学 Zn-CuInSe2/ZnSe核壳量子点的合成方法
CN111965469B (zh) * 2020-09-11 2023-05-05 陕西世翔电子科技有限公司 一种通过温度传感器进行避雷器在线监测的方法
WO2022179876A1 (en) 2021-02-23 2022-09-01 Signify Holding B.V. Narrow-band light system having a maximum color consistency across observers and test samples
EP4298374A1 (en) 2021-02-23 2024-01-03 Signify Holding B.V. Tunable narrow-band light system having a high cri across a wide ctt range
CN118020388A (zh) 2021-09-14 2024-05-10 昕诺飞控股有限公司 光生成系统
WO2024079906A1 (ja) * 2022-10-14 2024-04-18 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置
WO2024106775A1 (ko) * 2022-11-17 2024-05-23 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
WO2024106776A1 (ko) * 2022-11-17 2024-05-23 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7534488B2 (en) 2003-09-10 2009-05-19 The Regents Of The University Of California Graded core/shell semiconductor nanorods and nanorod barcodes
ES2283674T3 (es) * 2003-04-30 2007-11-01 Centrum Fur Angewandte Nanotechnologie (Can) Gmbh Nanoparticulas de cucleos/recubrimientos luminiscentes.
WO2007034877A1 (ja) 2005-09-22 2007-03-29 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 半導体ナノ粒子分散ガラス微粒子及びその作製方法
US7972694B2 (en) 2006-01-30 2011-07-05 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Triple-layer semiconductor nanoparticle and triple-layer semiconductor nanorod
CN101397137A (zh) 2007-09-27 2009-04-01 刘文红 一类球形无机氧化物材料及其合成方法,改性方法和用途
WO2009108235A2 (en) 2007-12-07 2009-09-03 Tekmira Pharmaceuticals Corporation Compositions and methods for modulating immune responses to nucleic acids
KR101421619B1 (ko) * 2008-05-30 2014-07-22 삼성전자 주식회사 나노결정-금속산화물-폴리머 복합체 및 그의 제조방법
KR100982991B1 (ko) 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
CN101381600B (zh) * 2008-10-22 2012-02-01 中国科学院上海技术物理研究所 一种生物相容的水相量子点的制备方法
JP4936338B2 (ja) 2008-12-26 2012-05-23 シャープ株式会社 半導体ナノ粒子蛍光体
US7600882B1 (en) * 2009-01-20 2009-10-13 Lednovation, Inc. High efficiency incandescent bulb replacement lamp
KR101028304B1 (ko) * 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP5749327B2 (ja) 2010-03-19 2015-07-15 日東電工株式会社 発光装置用ガーネット系蛍光体セラミックシート
DE102011082774A1 (de) 2010-09-16 2012-03-22 Technische Universität Dresden Mischkristalle enthaltend Halbleitermaterialien, Verfahren zu deren Herstellung und deren Anwendungen
EP2718611B1 (en) * 2011-06-10 2015-08-12 Koninklijke Philips N.V. A phosphor enhanced light source for presenting a visible pattern and a luminaire
JP5809756B2 (ja) * 2011-10-20 2015-11-11 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 量子ドットを有する光源

Also Published As

Publication number Publication date
US20160268484A1 (en) 2016-09-15
US9412916B2 (en) 2016-08-09
KR101484462B1 (ko) 2015-01-20
WO2013057702A1 (en) 2013-04-25
EP2768925B1 (en) 2014-12-31
EP2768925A1 (en) 2014-08-27
US20170110633A1 (en) 2017-04-20
KR20140064996A (ko) 2014-05-28
CN103890134A (zh) 2014-06-25
JP5809756B2 (ja) 2015-11-11
US9537059B2 (en) 2017-01-03
CN103890134B (zh) 2015-12-23
JP2015505860A (ja) 2015-02-26
US20140326949A1 (en) 2014-11-06
US10090443B2 (en) 2018-10-02
RU2616080C2 (ru) 2017-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014110509A (ru) Источник света с квантовыми точками
CN102086396B (zh) 一种CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点的制备方法及其在发光器件中的应用
US11912919B2 (en) Core-shell quantum dot, preparation method thereof, and electroluminescent light-emitting device containing the same
CN104520419B (zh) 增强光合作用生物体中的生长的量子点led
CN103597622A (zh) 用于发光二极管、光电子显示器等中的半导体纳米粒子基材料
WO2020048527A1 (zh) 一种复合材料与量子点发光二极管
JP2020528100A (ja) 蛍光体および組成物
CN105940082A (zh) 在无机基质中具有无机配体的量子点
CN104037310B (zh) 基于碳量子点和ZnCuInS量子点的三原色匹配白光LED及其制备方法
CN107903901B (zh) 核壳量子点、其制备方法及含其的发光器件
CN104736662A (zh) 用于固态照明的高度稳定qd-复合物和通过无引发剂的聚合制作所述qd-复合物的方法
CN108395892B (zh) 一种具备多重发光的单一量子点材料及其制备方法
CN113366084A (zh) 用于控制植物的状态的方法
JP2017025220A (ja) 酸化防止性配位子含有半導体ナノ粒子およびこれを含有する分散液、ならびに酸化防止性配位子含有半導体ナノ粒子の製造方法
US8471290B2 (en) Compositions and methods for generating white light
Jiang et al. Cd-free Cu–Zn–In–S/ZnS quantum dots@ SiO2 multiple cores nanostructure: Preparation and application for white LEDs
WO2021036211A1 (zh) 量子点膜的封装方法以及封装量子点膜和应用
KR20210115612A (ko) 양자점 및 이를 포함한 복합체와 표시소자
US20200095498A1 (en) Semiconducting light emitting nanoparticle
KR101415727B1 (ko) 혼합금속산화물-양자점 복합체 및 이를 이용한 발광 소자
CN108269891A (zh) 一种纳米复合材料、制备方法及半导体器件
CN114981385A (zh) ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置
CN112912460A (zh) 纳米粒子
CN109810688A (zh) 量子点复合颗粒及其制备方法和应用
Armaselu et al. Application of quantum dots in light-emitting diodes

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190823

PD4A Correction of name of patent owner