JP2015505860A - 量子ドットを有する光源 - Google Patents
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Abstract
Description
ルミネッセンスナノ粒子(本明細書では更に「量子ドット」とも示される)は、スペクトルの可視部分において放射可能な半導体ナノ粒子からなる群から選択され、
ルミネッセンスナノ粒子は、ナノ粒子の半導体材料とは異なる第1のコーティング材料を含む第1のコーティングを含み、第1のコーティング材料は、M1x−M2y−M3z−A(x+2y+3z)/2化合物からなる群から選択され、M1はNa、Li、Mg、Cu、Ag及びAu、特にCu、Ag及びAuからなる群から選択され、M2はZn及びCdからなる群から選択され、M3はGa、As、In及びTl、特にGa、In及びTlからなる群から選択され、AはO、S、Se、As、P及びTe、特にS、Se及びTeからなる群から選択され、xは0乃至1の範囲内であり、yは0乃至1の範囲内であり、zは0乃至1の範囲内であり、x、y及びzのうちの少なくとも1つは0より大きく、
マトリクスは、第1のコーティング材料とは異なる第2のコーティング材料を含む第2のコーティングを含み、第2のコーティング材料は、M4A及びSiO2からなる群から選択され、M4はAl、Ca、Mg、Zn及びCd、特にCa、Mg、Zn及びCdからなる群から選択され、AはCl、F、O、S、Se及びTe、特にS、Se及びTeからなる群から選択される。
被覆されたルミネッセンスナノ粒子、第2のコーティング前駆物質系、及び、任意選択的に界面活性剤を、液体中で混合するステップと、
得られた混合液を加熱するステップと、
を含み、
ルミネッセンスナノ粒子は、スペクトルの可視部分において放射可能な半導体ナノ粒子からなる群から選択され、
被覆されたルミネッセンスナノ粒子は、ナノ粒子の半導体材料とは異なる第1のコーティング材料を含む第1のコーティングを含み、第1のコーティング材料は、M1x−M2y−M3z−A(x+2y+3z)/2化合物からなる群から選択され、M1はNa、Li、Mg、Cu、Ag及びAuからなる群から選択され、M2はZn及びCdからなる群から選択され、M3はGa、As、In及びTlからなる群から選択され、AはO、S、Se、As、P及びTeからなる群から選択され、xは0乃至1の範囲内であり、yは0乃至1の範囲内であり、zは0乃至1の範囲内であり、x、y及びzのうちの少なくとも1つは0より大きく、
第2のコーティング前駆物質系は、被覆されたルミネッセンスナノ粒子上に第2のコーティングを形成する1つ以上の前駆物質を含み、第2のコーティングは、第1のコーティング材料とは異なる第2のコーティング材料を含み、第2のコーティング材料は、M4A及びSiO2からなる群から選択され、M4はAl、Ca、Mg、Zn及びCdからなる群から選択され、AはCl、F、O、S、Se及びTeからなる群から選択される。
以下に、上述の構造を有するCdSe/CdS/ZnSナノ複合材料を得るための例示実験と、調製されたままの材料の構造と光学的特性評価を示す。
CdSe/CdSドット・イン・ロッドナノ粒子が、文献に記載される方法に従って調製され、5マイクロMの濃度を有する1−オクタデセン(ODE)中に分散される。2mlの上述のQR溶液、0.1mmolのジエチルジチオカルバミン酸亜鉛、及び0.05mmolのヘキシデシルアミン(hexydecylamine)が、N2下で100mlのフラスコ内の10mlのODEに混入される。混合液は、攪拌されつつ、180℃までゆっくりと加熱され、10分間維持された。次に、溶液は、240℃まで更に加熱され、20分間維持された。合成後、溶液は、室温まで冷却され、エタノールとトルエンで2回ずつ洗浄された。洗浄された粒子は、3mlのトルエン中に分散され、密閉ボトル内に保存された。ガラス板上に一滴の粒子溶液を直接キャスティングし、当該一滴を空気中で乾燥させることによって、粒子のドロップ・キャスト・フィルムが調製された。
生成物の構造及び光学特性は、容易に検出される。構造は、形状、成分の種類、成分の結晶構造、及び成分の比率について、TEM、EDXS、XRD、ICPMS、及びXPSの特性評価方法を介して特徴付けられる。ここでは、コア−シェルマトリクスの構造及び形状を検出するためにHRTEMを使用した。
ルミネッセンスナノ粒子(本明細書では更に「量子ドット」とも示される)は、スペクトルの可視部分において放射可能な半導体ナノ粒子からなる群から選択され、
ルミネッセンスナノ粒子は、ナノ粒子の半導体材料とは異なる第1のコーティング材料を含む第1のコーティングを含み、第1のコーティング材料は、M1x−M2y−M3z−A(x+2y+3z)/2化合物からなる群から選択され、M1はNa、Li、Mg、Cu、Ag及びAu、特にCu、Ag及びAuからなる群から選択され、M2はZn及びCdからなる群から選択され、M3はGa、As、In及びTl、特にGa、In及びTlからなる群から選択され、AはO、S、Se、As、P及びTe、特にS、Se及びTeからなる群から選択され、xは0乃至1の範囲内であり、yは0乃至1の範囲内であり、zは0乃至1の範囲内であり、x、y及びzのうちの少なくとも1つは0より大きく、
マトリクスは、第1のコーティング材料とは異なる第2のコーティング材料を含む第2のコーティングを含み、第2のコーティング材料は、M4Aからなる群から選択され、M4はAl、Ca、Mg、Zn及びCd、特にCa、Mg、Zn及びCdからなる群から選択され、AはCl、F、O、S、Se及びTe、特にS、Se及びTeからなる群から選択され、前記相互接続され、被覆されたルミネッセンスナノ粒子のマトリクスは、球状接合構造体を含み、1つ以上の球状部分が、1つ以上の被覆されたルミネッセンスナノ粒子を含み、前記1つ以上の球状部分は、前記M1x−M2y−M3z−A(x+2y+3z)/2化合物、及び前記M4Aの化合物からなる群から選択される材料を含む接合部で相互接続される。
Claims (15)
- 相互接続され、被覆されたルミネッセンスナノ粒子のマトリクスを含むルミネッセンスナノ粒子ベースのルミネッセンス材料であって、
前記ルミネッセンスナノ粒子は、スペクトルの可視部分において放射可能な半導体ナノ粒子からなる群から選択され、
前記ルミネッセンスナノ粒子は、前記ルミネッセンスナノ粒子の半導体材料とは異なる第1のコーティング材料を含む第1のコーティングを含み、前記第1のコーティング材料は、M1x−M2y−M3z−A(x+2y+3z)/2化合物からなる群から選択され、M1はNa、Li、Mg、Cu、Ag及びAuからなる群から選択され、M2はZn及びCdからなる群から選択され、M3はGa、As、In及びTlからなる群から選択され、AはO、S、Se、As、P及びTeからなる群から選択され、xは0乃至1の範囲内であり、yは0乃至1の範囲内であり、zは0乃至1の範囲内であり、x、y及びzのうちの少なくとも1つは0より大きく、
前記マトリクスは、前記第1のコーティング材料とは異なる第2のコーティング材料を含む第2のコーティングを含み、前記第2のコーティング材料は、M4Aからなる群から選択され、M4はAl、Ca、Mg、Zn及びCdからなる群から選択され、AはCl、F、O、S、Se及びTeからなる群から選択される、ルミネッセンス材料。 - 前記ルミネッセンスナノ粒子は、InP、CuInS2、CuInSe2、CdTe、CdSe、CdSeTe、AgInS2、AgInSe2及びZnSe:Mnからなる群から選択される、請求項1の記載のルミネッセンス材料。
- 前記第1のコーティングは、CuxZnyInzS(x+2y+3z)/2、CuxZnyInzSe(x+2y+3z)/2、ZnTeSe及びCdSからなる群から選択される材料を含む、請求項1又は2に記載のルミネッセンス材料。
- 前記マトリクスは、CdSe/CdSドット・イン・ロッドナノ粒子を含む、請求項1乃至3の何れか一項に記載のルミネッセンス材料。
- 前記マトリクスは、CdSe/CdSコア−シェルナノ粒子を含む、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のルミネッセンス材料。
- 前記相互接続され、被覆されたルミネッセンスナノ粒子のマトリクスは、球状接合構造体を含み、1つ以上の球状部分が、1つ以上の被覆されたルミネッセンスナノ粒子を含み、前記1つ以上の球状部分は、M1x−M2y−M3z−A(x+2y+3z)/2、M4A化合物からなる群から選択される材料を含む接合部で相互接続される、請求項1乃至5の何れか一項に記載のルミネッセンス材料。
- 前記第2のコーティング材料は、MgS、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnSSe、ZnSO4、Zn1−xMgxSySe1−y及びTiO2からなる群から選択される、請求項1乃至6の何れか一項に記載のルミネッセンス材料。
- 前記ルミネッセンスナノ粒子はCdSeを含み、前記第1のコーティング材料はCdSを含み、前記第2のコーティング材料はZnSを含む、請求項1乃至7の何れか一項に記載のルミネッセンス材料。
- 隣接するルミネッセンスナノ粒子は、少なくとも5nmの最短距離を有し、前記第2のコーティングは、1乃至50nmの範囲内のコーティング厚さを有する、請求項1乃至8の何れか一項に記載のルミネッセンス材料。
- 25℃において少なくとも80%の量子効率を有し、25℃における前記量子効率に比べ、100℃において最大20%の量子効率のクエンチを有する、請求項1乃至9の何れか一項に記載のルミネッセンス材料。
- ルミネッセンスナノ粒子ベースのルミネッセンス材料を製造する方法であって、
被覆されたルミネッセンスナノ粒子、第2のコーティング前駆物質系、及び、任意選択的に界面活性剤を、液体中で混合するステップと、
前記得られた混合液を加熱するステップと、
を含み、
前記被覆されたルミネッセンスナノ粒子は、スペクトルの可視部分において放射可能な半導体ナノ粒子からなる群から選択され、
前記被覆されたルミネッセンスナノ粒子は、前記被覆されたルミネッセンスナノ粒子の半導体材料とは異なる第1のコーティング材料を含む第1のコーティングを含み、前記第1のコーティング材料は、M1x−M2y−M3z−A(x+2y+3z)/2化合物からなる群から選択され、M1はNa、Li、Mg、Cu、Ag及びAuからなる群から選択され、M2はZn及びCdからなる群から選択され、M3はGa、As、In及びTlからなる群から選択され、AはO、S、Se、As、P及びTeからなる群から選択され、xは0乃至1の範囲内であり、yは0乃至1の範囲内であり、zは0乃至1の範囲内であり、x、y及びzのうちの少なくとも1つは0より大きく、
前記第2のコーティング前駆物質系は、前記被覆されたルミネッセンスナノ粒子上に第2のコーティングを形成する1つ以上の前駆物質を含み、前記第2のコーティングは、前記第1のコーティング材料とは異なる第2のコーティング材料を含み、前記第2のコーティング材料は、M4Aからなる群から選択され、M4はAl、Ca、Mg、Zn及びCdからなる群から選択され、AはCl、F、O、S、Se及びTeからなる群から選択される、方法。 - 前記得られたルミネッセンス材料を前記液体から分離するステップと、前記ルミネッセンス材料を乾燥するステップとを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記第2のコーティング前駆物質系は、ビス[ビス(2−ヒドロキシエチル)ジチオカルバマト]亜鉛(II)、2−メルカプトピリジンN−オキシド亜鉛塩、(トルエン−3,4−ジチオラト)亜鉛(II)、ジベンジルジチオカルバミン酸亜鉛(II)塩、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛(II)、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛塩、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ビス(テトラブチルアンモニウム)ビス(1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオラト)亜鉛錯体のうちの1つ以上を含む、請求項11又は12に記載の方法。
- 可視スペクトルのUV又は青色部分における光源光を提供する光源と、前記光源光の少なくとも一部を吸収する、請求項1乃至10の何れか一項に記載のルミネッセンス材料とを含む、照明ユニット。
- 前記ルミネッセンス材料はコーティング内に含まれ、前記コーティングは前記光源光の少なくとも一部を透過させ、前記光源はLEDを含む、請求項13に記載の照明ユニット。
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