RU2013115237A - Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния - Google Patents
Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013115237A RU2013115237A RU2013115237/05A RU2013115237A RU2013115237A RU 2013115237 A RU2013115237 A RU 2013115237A RU 2013115237/05 A RU2013115237/05 A RU 2013115237/05A RU 2013115237 A RU2013115237 A RU 2013115237A RU 2013115237 A RU2013115237 A RU 2013115237A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polishing composition
- composition according
- aqueous polishing
- aqueous
- group
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims abstract 8
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims abstract 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract 6
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims abstract 6
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims abstract 4
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims abstract 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 claims abstract 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract 2
- 125000005341 metaphosphate group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 229910052700 potassium Chemical group 0.000 claims 1
- 239000011591 potassium Chemical group 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/06—Other polishing compositions
- C09G1/14—Other polishing compositions based on non-waxy substances
- C09G1/18—Other polishing compositions based on non-waxy substances on other substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
1. Водная полирующая композиция, содержащая(A) по меньшей мере, один тип абразивных частиц, содержащих или состоящих из диоксида церия, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (C) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью;(B) по меньшей мере, один растворимый в воде полимер, выбранный из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов; и(C) по меньшей мере, один анионный фосфатный диспергирующий агент,где композиция содержит растворимый в воде полимер (В) в количествах от 0,001 до 5 мас.%.2. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что абразивные частицы (А) состоят из диоксида церия.3. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что она содержит, в пересчете на полную массу указанной полирующей композиции, от 0,005 до 10 мас.% абразивных частиц (A).4. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что линейные и разветвленные гомополимеры и сополимеры алкиленоксидов (B) выбирают из группы, состоящей из гомополимеров и сополимеров этиленоксида и пропиленоксида.5. Водная полирующая композиция по п.4, отличающаяся тем, что она содержит полиэтиленгликоль ПЭГ в качестве гомополимера этиленоксида (B).6. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что анионный фосфатный диспергирующий агент (C) выбирают из группы растворимых в воде конденсированных фосфатов.7. Водная полирующая композиция по п.6, отличающаяся тем, что растворимый в воде конденсированный фосфат (C) выбирают из группы, состоящей из метафосфатов общей формулы I:и полифосфатов общей формулы II и III:;,где M явл
Claims (13)
1. Водная полирующая композиция, содержащая
(A) по меньшей мере, один тип абразивных частиц, содержащих или состоящих из диоксида церия, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (C) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью;
(B) по меньшей мере, один растворимый в воде полимер, выбранный из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов; и
(C) по меньшей мере, один анионный фосфатный диспергирующий агент,
где композиция содержит растворимый в воде полимер (В) в количествах от 0,001 до 5 мас.%.
2. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что абразивные частицы (А) состоят из диоксида церия.
3. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что она содержит, в пересчете на полную массу указанной полирующей композиции, от 0,005 до 10 мас.% абразивных частиц (A).
4. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что линейные и разветвленные гомополимеры и сополимеры алкиленоксидов (B) выбирают из группы, состоящей из гомополимеров и сополимеров этиленоксида и пропиленоксида.
5. Водная полирующая композиция по п.4, отличающаяся тем, что она содержит полиэтиленгликоль ПЭГ в качестве гомополимера этиленоксида (B).
6. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что анионный фосфатный диспергирующий агент (C) выбирают из группы растворимых в воде конденсированных фосфатов.
8. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит, по меньшей мере, один агент, регулирующий pH, или буферный агент (E), отличный от компонентов (A), (B) и (C).
9. Водная полирующая композиция по любому из пп.1-8, отличающаяся тем, что величина pH составляет от 3 до 10.
10. Способ полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств путем контактирования подложки, по меньшей мере, один раз с водной полирующей композицией и полирования подложки до получения желаемой плоскостности, отличающийся тем, что применяют водную полирующую композицию, определенную в любом из пп.1-9.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что подложки содержат, по меньшей мере, один слой, содержащий или состоящий из, по меньшей мере, одного диэлектрического материала, представляющего собой оксид кремния, и, по меньшей мере, один слой, содержащий или состоящий из поликремния, и селективность оксид/поликремний составляет более 50.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что материал подложки дополнительно содержит, по меньшей мере, один слой, содержащий или состоящий из нитрида кремния, и селективность оксид/нитрид находится в интервале от 3 до 6.
13. Способ по любому из пп.10-12, отличающийся тем, что электрические устройства представляют собой устройства с интегральными схемами.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US38071910P | 2010-09-08 | 2010-09-08 | |
US61/380,719 | 2010-09-08 | ||
PCT/IB2011/053867 WO2012032451A1 (en) | 2010-09-08 | 2011-09-05 | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013115237A true RU2013115237A (ru) | 2014-10-20 |
RU2573672C2 RU2573672C2 (ru) | 2016-01-27 |
Family
ID=44773986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013115237/05A RU2573672C2 (ru) | 2010-09-08 | 2011-09-05 | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130168348A1 (ru) |
EP (1) | EP2428541B1 (ru) |
JP (1) | JP5965906B2 (ru) |
KR (1) | KR101906135B1 (ru) |
CN (1) | CN103080256B (ru) |
IL (1) | IL224645A (ru) |
MY (1) | MY175638A (ru) |
RU (1) | RU2573672C2 (ru) |
SG (2) | SG10201606566SA (ru) |
TW (1) | TWI525164B (ru) |
WO (1) | WO2012032451A1 (ru) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY158489A (en) | 2010-10-07 | 2016-10-14 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers |
JP6096670B2 (ja) | 2010-12-10 | 2017-03-15 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 酸化ケイ素誘電体膜およびポリシリコン膜を含有する基板を化学的機械的に研磨するための水性研磨組成物および方法 |
EP2753670B1 (en) | 2011-09-07 | 2016-06-22 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a glycoside |
EP2794733B1 (en) * | 2011-12-21 | 2019-05-15 | Basf Se | Method for manufacturing cmp composition and application thereof |
CN104178033A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 天津西美半导体材料有限公司 | 纳米二氧化铈抛光液组合物 |
US20150104940A1 (en) | 2013-10-11 | 2015-04-16 | Air Products And Chemicals Inc. | Barrier chemical mechanical planarization composition and method thereof |
EP3080240A4 (en) * | 2013-12-11 | 2017-07-19 | FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
US9303189B2 (en) * | 2014-03-11 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition for tungsten CMP |
US9551075B2 (en) * | 2014-08-04 | 2017-01-24 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of alumina |
JP6879995B2 (ja) * | 2015-07-13 | 2021-06-02 | シーエムシー マテリアルズ,インコーポレイティド | 誘電体基板を加工するための方法及び組成物 |
KR101628878B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2016-06-16 | 영창케미칼 주식회사 | Cmp용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
KR101693278B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2017-01-05 | 유비머트리얼즈주식회사 | 슬러리 및 이를 이용한 기판 연마 방법 |
KR101871569B1 (ko) * | 2016-02-25 | 2018-08-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치 |
KR101827366B1 (ko) * | 2016-05-16 | 2018-02-09 | 주식회사 케이씨텍 | 고단차 연마용 슬러리 조성물 |
US10253216B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-04-09 | Versum Materials Us, Llc | Additives for barrier chemical mechanical planarization |
KR102677797B1 (ko) * | 2016-12-22 | 2024-06-24 | 주식회사 케이씨텍 | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 |
JP6761339B2 (ja) | 2016-12-28 | 2020-09-23 | 花王株式会社 | 酸化セリウム砥粒 |
WO2018125905A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Fujifilm Planar Solutions, LLC | Polishing compositions |
US10294399B2 (en) * | 2017-01-05 | 2019-05-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing silicon carbide |
WO2018179061A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 |
CN108587478B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-09-25 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种改性纳米二氧化硅复合抛光液及其应用 |
KR102296085B1 (ko) | 2019-07-01 | 2021-09-01 | 남기호 | 스마트 트램폴린 및 스마트 트램폴린을 이용한 건강관리 시스템 |
CN114341287B (zh) * | 2019-09-04 | 2024-03-15 | Cmc材料有限责任公司 | 用于多晶硅化学机械抛光的组合物及方法 |
TWI767355B (zh) * | 2019-10-24 | 2022-06-11 | 美商慧盛材料美國責任有限公司 | 高氧化物移除速率的淺溝隔離化學機械平坦化組合物、系統及方法 |
CN113549399B (zh) * | 2021-08-03 | 2022-02-15 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 适用于硅片粗抛光的化学机械抛光组合物及其应用 |
CN115160933B (zh) * | 2022-07-27 | 2023-11-28 | 河北工业大学 | 一种用于钴互连集成电路钴cmp的碱性抛光液及其制备方法 |
CN116000782B (zh) * | 2022-12-27 | 2023-09-19 | 昂士特科技(深圳)有限公司 | 用于金属合金cmp的化学机械抛光组合物 |
Family Cites Families (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2610705C3 (de) | 1976-03-13 | 1978-10-19 | Henkel Kgaa, 4000 Duesseldorf | Saure galvanische Kupferbäder |
US5478882A (en) | 1987-09-21 | 1995-12-26 | The Geon Company | Articles from reinforced plasticized polyvinyl halide resin |
US5057560A (en) | 1987-10-05 | 1991-10-15 | Ciba-Geigy Corporation | Thermotropic copolymer hydrogels from N,N-dimethylacrylamide and methoxy-ethyl (meth) acrylate |
FR2694939B1 (fr) | 1992-08-20 | 1994-12-23 | Schlumberger Cie Dowell | Polymères thermoviscosifiants, leur synthèse et leurs applications notamment dans l'industrie pétrolière. |
US5738800A (en) | 1996-09-27 | 1998-04-14 | Rodel, Inc. | Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride |
US6132637A (en) | 1996-09-27 | 2000-10-17 | Rodel Holdings, Inc. | Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride |
US6068787A (en) | 1996-11-26 | 2000-05-30 | Cabot Corporation | Composition and slurry useful for metal CMP |
US6110396A (en) | 1996-11-27 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Dual-valent rare earth additives to polishing slurries |
US5759917A (en) | 1996-12-30 | 1998-06-02 | Cabot Corporation | Composition for oxide CMP |
ATE266071T1 (de) | 1998-02-24 | 2004-05-15 | Showa Denko Kk | Schleifmittelzusammensetzung zum polieren eines halbleiterbauteils und herstellung des halbleiterbauteils mit derselben |
US7547669B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-06-16 | Ekc Technology, Inc. | Remover compositions for dual damascene system |
US6299659B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-10-09 | Showa Denko K.K. | Polishing material composition and polishing method for polishing LSI devices |
JP2000109816A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-18 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨剤スラリ−の調製方法 |
US6740590B1 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing |
US6110832A (en) * | 1999-04-28 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for slurry polishing |
US7425581B2 (en) | 1999-07-30 | 2008-09-16 | Universiteit Utrecht | Temperature sensitive polymers |
US6468910B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-10-22 | Ramanathan Srinivasan | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
US6491843B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-12-10 | Eastman Kodak Company | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
DE10006538C2 (de) | 2000-02-15 | 2002-11-28 | Forsch Pigmente Und Lacke E V | Verfahren zur Beschichtung von Partikeln mit LCST-Polymeren |
JP2001240850A (ja) | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Sanyo Chem Ind Ltd | 研磨用砥粒分散剤および研磨用スラリー |
KR100378180B1 (ko) | 2000-05-22 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
TWI281493B (en) | 2000-10-06 | 2007-05-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | Polishing material |
DE60123189T2 (de) | 2000-10-13 | 2007-10-11 | Shipley Co., L.L.C., Marlborough | Keimschichtreparatur und Elektroplattierungsbad |
US7037352B2 (en) * | 2000-12-12 | 2006-05-02 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Polishing particle and method for producing polishing particle |
FR2824832B1 (fr) | 2001-05-16 | 2005-05-27 | Oreal | Polymeres hydrosolubles a squelette hydrosoluble et a unites laterales a lcst, leur procede de preparation, compositions aqueuses les contenant, et leur utilisation dans le domaine cosmetique |
DE10152993A1 (de) | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Bayer Ag | Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen mit hoher Selektivität |
US7011930B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-03-14 | The Penn State Research Foundation | Method for control of temperature-sensitivity of polymers in solution |
JP3516446B2 (ja) | 2002-04-26 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト剥離方法 |
US6616514B1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-09-09 | Ferro Corporation | High selectivity CMP slurry |
JP4443864B2 (ja) | 2002-07-12 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
US6645265B1 (en) | 2002-07-19 | 2003-11-11 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Polishing formulations for SiO2-based substrates |
GB2393447B (en) * | 2002-08-07 | 2006-04-19 | Kao Corp | Polishing composition |
DE10243438A1 (de) | 2002-09-18 | 2004-03-25 | Merck Patent Gmbh | Oberflächenmodifizierte Effektpigmente |
DE10254430A1 (de) | 2002-11-21 | 2004-06-03 | Süd-Chemie AG | LCST-Polymere |
EP1422320A1 (en) | 2002-11-21 | 2004-05-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating bath |
DE10254432A1 (de) | 2002-11-21 | 2004-06-03 | Süd-Chemie AG | LCST-Polymere |
US7300601B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization |
US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
US7071105B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
US6910951B2 (en) * | 2003-02-24 | 2005-06-28 | Dow Global Technologies, Inc. | Materials and methods for chemical-mechanical planarization |
WO2004094581A1 (en) | 2003-04-18 | 2004-11-04 | Ekc Technology, Inc. | Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices |
JP4363890B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2009-11-11 | 共栄社化学株式会社 | 水系研磨加工液 |
KR100539983B1 (ko) | 2003-05-15 | 2006-01-10 | 학교법인 한양학원 | Cmp용 세리아 연마제 및 그 제조 방법 |
KR101123210B1 (ko) | 2003-07-09 | 2012-03-19 | 다이니아 케미컬스 오이 | 화학적 기계적 평탄화용 비-중합성 유기 입자 |
BRPI0412515A (pt) * | 2003-07-11 | 2006-09-19 | Grace W R & Co | partìculas abrasivas para polimento quìmico mecánico |
KR100574225B1 (ko) | 2003-10-10 | 2006-04-26 | 요업기술원 | 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 화학적 기계적 연마용연마재 및 그 제조방법 |
DE10358092A1 (de) | 2003-12-10 | 2005-07-14 | Merck Patent Gmbh | Oberflächenmodifizierte Partikel |
KR100640600B1 (ko) | 2003-12-12 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학기계적연마공정를포함하는 반도체 소자의 제조방법 |
WO2005110679A1 (ja) * | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 研磨用組成物 |
JP4420391B2 (ja) | 2004-05-28 | 2010-02-24 | 三井金属鉱業株式会社 | セリウム系研摩材 |
US7026441B2 (en) | 2004-08-12 | 2006-04-11 | Intel Corporation | Thermoresponsive sensor comprising a polymer solution |
US20070218811A1 (en) | 2004-09-27 | 2007-09-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp polishing slurry and method of polishing substrate |
CN101333418B (zh) * | 2004-09-28 | 2011-05-25 | 日立化成工业株式会社 | Cmp抛光剂以及衬底的抛光方法 |
US7504044B2 (en) * | 2004-11-05 | 2009-03-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios |
TW200632147A (ru) | 2004-11-12 | 2006-09-16 | ||
KR100674927B1 (ko) | 2004-12-09 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | Cmp용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한기판 연마 방법 |
CN100375770C (zh) * | 2005-01-17 | 2008-03-19 | 上海大学 | 核/壳型纳米粒子研磨剂抛光液组合物及其制备方法 |
JP4131270B2 (ja) | 2005-03-01 | 2008-08-13 | トヨタ自動車株式会社 | 車輌の制駆動力制御装置 |
US20060213780A1 (en) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electroplating composition and method |
US20060216935A1 (en) | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Ferro Corporation | Composition for oxide CMP in CMOS device fabrication |
JP3929481B2 (ja) * | 2005-04-04 | 2007-06-13 | 昭和電工株式会社 | 酸化セリウム系研磨材、その製造方法及び用途 |
FR2889194A1 (fr) | 2005-07-27 | 2007-02-02 | Rhodia Chimie Sa | Copolymere a blocs comprenant un bloc lcst presentant une temperature inferieur critique de solubilite, formulations comprenant le copolymere et utilisation pour vectoriser un ingredient actif |
JP2009503910A (ja) | 2005-08-05 | 2009-01-29 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 金属フィルム平坦化用高スループット化学機械研磨組成物 |
WO2007040118A1 (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toyama Prefecture | 感熱応答性高分子を用いた穴パタン付き膜を有するチップ及びその製造方法 |
US20070077865A1 (en) | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
EP2410558A3 (en) | 2005-11-11 | 2012-04-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing slurry for silicon oxide, additive liquid and polishing method |
CN101374922B (zh) | 2006-01-25 | 2013-06-12 | Lg化学株式会社 | 用于抛光半导体晶片的cmp浆料及使用该浆料的方法 |
JP4985409B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-07-25 | 日立化成工業株式会社 | 絶縁膜研磨用cmp研磨剤、研磨方法、該研磨方法で研磨された半導体電子部品 |
US20070264827A1 (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Promos Technologies Pte. Ltd. | Method for achieving uniform chemical mechanical polishing in integrated circuit manufacturing |
KR100829594B1 (ko) | 2006-10-10 | 2008-05-14 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체메모리 소자의 제조 방법 |
US9120952B2 (en) | 2006-10-27 | 2015-09-01 | University Of South Florida | Polymeric microgels for chemical mechanical planarization (CMP) processing |
JP2008186898A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Nissan Chem Ind Ltd | 研磨用組成物 |
JP4367494B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2009-11-18 | 住友電気工業株式会社 | GaAsウエハの化学機械研磨方法 |
WO2008117592A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Jsr Corporation | 化学機械研磨用水系分散体、および半導体装置の化学機械研磨方法 |
KR101202720B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2012-11-19 | 주식회사 엘지화학 | 화학적 기계적 연마용 수계 슬러리 조성물 및 화학적 기계적 연마 방법 |
-
2011
- 2011-09-05 SG SG10201606566SA patent/SG10201606566SA/en unknown
- 2011-09-05 RU RU2013115237/05A patent/RU2573672C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-09-05 MY MYPI2015002194A patent/MY175638A/en unknown
- 2011-09-05 JP JP2013527714A patent/JP5965906B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-05 WO PCT/IB2011/053867 patent/WO2012032451A1/en active Application Filing
- 2011-09-05 KR KR1020137008876A patent/KR101906135B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-05 EP EP11179985.4A patent/EP2428541B1/en not_active Not-in-force
- 2011-09-05 US US13/821,746 patent/US20130168348A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-05 CN CN201180041503.8A patent/CN103080256B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-05 SG SG11201606187RA patent/SG11201606187RA/en unknown
- 2011-09-06 TW TW100132009A patent/TWI525164B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-02-10 IL IL224645A patent/IL224645A/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG10201606566SA (en) | 2016-09-29 |
JP2013540849A (ja) | 2013-11-07 |
EP2428541B1 (en) | 2019-03-06 |
RU2573672C2 (ru) | 2016-01-27 |
WO2012032451A1 (en) | 2012-03-15 |
US20130168348A1 (en) | 2013-07-04 |
IL224645A (en) | 2017-11-30 |
TWI525164B (zh) | 2016-03-11 |
CN103080256B (zh) | 2015-06-24 |
SG11201606187RA (en) | 2016-09-29 |
TW201226491A (en) | 2012-07-01 |
CN103080256A (zh) | 2013-05-01 |
MY175638A (en) | 2020-07-03 |
KR20130102587A (ko) | 2013-09-17 |
JP5965906B2 (ja) | 2016-08-10 |
EP2428541A1 (en) | 2012-03-14 |
KR101906135B1 (ko) | 2018-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2013115237A (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния | |
JP2013540849A5 (ru) | ||
RU2013115239A (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств | |
EP3007213B1 (en) | Use of a composition for silicon wafer polishing | |
JP5689581B2 (ja) | ポリシリコンの除去を制御するための方法 | |
EP2957613B1 (en) | Polishing composition, method for producing polishing composition and method for producing polished article | |
RU2661571C2 (ru) | Композиция для смр, содержащая абразивные частицы, содержащие диоксид церия | |
CN101622326B (zh) | 包含表面活性剂的能稀释的化学机械抛光组合物 | |
JP5689970B2 (ja) | 高速及び低欠陥性のシリコン研磨組成物 | |
US10119048B1 (en) | Low-abrasive CMP slurry compositions with tunable selectivity | |
KR20160114709A (ko) | 폴리(아미노산)을 포함하는 화학 기계적 연마(cmp) 조성물 | |
EP3053978B1 (en) | Polishing composition and method for producing same | |
EP3366746B1 (en) | Polishing composition | |
US8916061B2 (en) | CMP compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity | |
RU2631875C2 (ru) | Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок | |
US9816010B2 (en) | Polishing composition | |
US20180244532A1 (en) | Increased wetting of colloidal silica as a polishing slurry | |
JP2009272601A (ja) | 研磨剤、これを用いた基板の研磨方法並びにこの研磨方法に用いる溶液及びスラリー | |
KR20080047291A (ko) | 연마용 조성물 및 연마 방법 | |
US20110121224A1 (en) | Polishing composition | |
KR102029977B1 (ko) | 연마용 조성물 | |
JP2015199840A (ja) | 研磨用組成物 | |
US11459486B2 (en) | Polishing composition containing amphoteric surfactant | |
CN116333599A (zh) | 一种化学机械抛光液及其使用方法 | |
JP2013197211A (ja) | 研磨用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190906 |