KR100574225B1 - 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 화학적 기계적 연마용연마재 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리카 코어 100 중량부에 대해 제 1쉘로서 세리아 입자가 5 내지 30 중량부의 비율로 코팅한 코어/쉘 입자를 100℃ 이상 350℃ 이하의 온도에서 수열처리하여 코어/쉘 입자의 외부 표면이 제 2쉘인 실리카로서 2 ㎚ 이하의 두께로 얇게 재코팅된 것을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 CMP용 연마재는 첫째 방법으로서는 ⅰ) 질산세륨 수용액에 암모니아수를 첨가하고 교반시켜 세리아 입자가 생성된 현탁액을 제조하는 단계; ⅱ) 상기 ⅰ)에서 제조한 세리아 입자 현탁액에 콜로이달 실리카 슬러리를 첨가하여 교반시켜 세리아 입자가 실리카 코어의 표면에 코팅된 실리카-세리아 코팅 입자를 제조하는 단계; ⅲ) 교반이 끝난 상기 ⅱ)의 반응물을 세척액인 증류수를 사용하여 원심분리 및 필터링하여 슬러리 속에 포함된 과잉의 염을 세척하는 단계; ⅳ) 상기 ⅲ)에서 세척한 슬러리를 수열처리하여 실리카-세리아 입자 표면에 실리카가 얇게 코팅된 입자를 제조하는 단계; 를 거쳐 제조되어진다.
둘째 방법으로서는 ⅰ) 세리아 졸을 실리카 졸과 혼합하여 세리아 입자가 실리카 입자 표면에 정전기적으로 코팅된 현탁액을 제조하는 단계; ⅱ) 상기 ⅰ)의 현탁액을 수열처리하여 세리아 입자 표면에 실리카가 얇게 코팅된 입자를 제조하는 단계; 를 거쳐 제조되어진다.
본 발명의 CMP용 연마재는 실리카 코어에 세리아 입자를 코팅하고, 그리고 수열처리에 의해 실리카 입자와 세리아 입자 간에 결합력이 향상하고, 실리카 표면에 세리아 입자 수와 결정성이 증가하며, 세리아 입자 표면을 실리카로 코팅하므로서 수열처리하지 않은 실리카-세리아 슬러리보다 연마율이 향상될 뿐만 아니라 스크래치가 발생되지 않고, 사용되는 원자재가 저렴하며, 단순한 제조공정으로 인하여 대량생산이 가능하다.
특히, 세리아 입자 표면에 실리카의 코팅으로 넓은 pH 영역에서도 상당히 안정하여 응집이 일어나지 않아 장기간 보관이 가능하고, 웨이퍼의 세척이 용이하며, 슬러리의 분산성이 우수하여 연마공정 동안 웨이퍼들 간 혹은 웨이퍼 내에 거의 동일한 연마율을 나타내어 사용 유효기간이 길다는 장점이 있다.
실리카, 코어, 세리아, 혼합, 쉘, 코팅, CMP용, 연마재, 수열처리, 세륨염
Description
도 1은 본 발명의 제조방법 1에 의한 합성 공정도
도 2는 본 발명의 제조방법 2에 의한 합성 공정도
도 3은 수열처리 전 후의 세리아-코팅된 실리카 입자의 TEM 사진
도 4는 수열처리 전 후의 세리아-코팅된 실리카 입자의 pH에 따른 제타 전위(Zeta potential) 값을 나타낸 그래프
도 5는 수열처리 전 후의 세리아-코팅된 실리카 입자의 XRD 그래프
본 발명은 물리적, 화학적으로 세리아 입자가 코팅된 실리카를 수열 처리한 CMP용 연마재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 실리카 코어에 제 1쉘로서 세리아 입자를 코팅한 코어/쉘 입자를 수열처리하여 그 외부 표면에 제 2쉘로 서 실리카가 얇게 재코팅된 것을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재(이하'실리카-세리아/실리카 코팅 연마재'라 한다) 및 그 제조방법에 관한 것이다.
오늘날 집적회로(IC)의 집적도가 증가함에 따라, 반도체 디바이스의 웨이퍼(wafer)의 광역평탄화의 중요성이 대단히 증대되고 있다. 이런 가운데 새로운 평탄화 기술로서 주목을 받기 시작한 것이 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP, 이하 'CMP'라 한다)이다.
고집적 반도체 소자는 도체의 재료와 절연체의 재료를 반복적으로 증착시키고 패턴을 형성시킴으로서 제작된다. 패턴을 형성시킬 때 표면이 평탄화되어 있지 않으면 새로운 패턴층을 형성시키는데 많은 어려움을 겪게 된다. 집적도가 증가함에 따라 피치 사이즈(Feature Size)의 극소화 및 멀티레벨 인터커넥션(Multilevel Interconnection)이 필요하며, 이를 극복하기 위한 최소 조건 중의 하나가 광역평탄화이다. 마이크로프로세서나 DRAM 등은 구조가 점차 다층 구조로 되어 감에 따라 막층 사이가 균일하지 못한 상태에서 계속 쌓여져 갈 때 구조상의 복잡성 때문에 공정 진행상 문제가 발생할 여지가 커진다. 따라서, 반도체 디바이스의 광역평탄화에 이용되는 연마 공정의 하나로 기계적 연마와 화학적 연마를 혼용하는 연마 방법이 CMP이다. CMP 공정은 단 한번의 연마 및 세정에 의해 연마 공정이 마무리될 수 있고, 다른 평탄화 공정에 비해 100 내지 1,000배의 평탄화 범위를 갖기 때문에 새 로운 평탄화 기술로서 각광을 받고 있다.
이러한 반도체 CMP 공정에 사용되는 슬러리는 금속산화물, 탈이온수, 첨가제 등으로 구성되며, 금속산화물로는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO
2), 지르코니아(ZrO2) 등이 주로 사용된다.
일반적으로 금속산화물 가운데 실리카계를 이용한 연마용 슬러리는 상업적으로 용이하게 입수할 수 있고, 가격이 저렴하며, 반도체 절연층(SiO2)과 동일재질이므로 오염의 우려가 없는 등의 이점을 갖는다. 그러나 실리카를 사용하면 충분한 연마속도를 얻기가 힘들고, STI(Shallow Trench Isolation) CMP용에서는 SiO2와 Si3N4의 선택비를 충분히 얻을 수 없다는 문제점이 있었다.
그리고 세리아를 연마입자로 한 슬러리는 이미 렌즈연마에서 사용되어진 경험이 있으며, CMP 연마속도가 실리카계에 비해 3 내지 4배 빠르고, 중성에서 높은 연마율을 보이는 것이 특징이나 가격이 비싸고, 기존 세리아 입자가 가지는 다각형 형태, 불균일한 입자 크기로부터 큰 입자의 존재 및 응집 입자로 인하여 CMP 공정시 웨이퍼 표면에 스크래치가 발생하고, 웨이퍼 내의 평탄화도를 감소시킨다. 또한 세리아는 입자간 상호 잡아당기는 힘의 척도인 하마커(haymaker) 상수가 실리카(5.99)나 알루미나(15.4) 보다 월등히 높은 27.7의 값을 가져 입자 크기가 증가할수록 입자간의 반발력, 즉 분산성을 유지하는 힘이 거의 존재하지 않기 때문에 자발적으로 재응집하여 침전이 일어날 가능성이 높은 등의 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 본 발명자는 단분산의 콜로이달 실리카 졸에 세리아를 코팅한 슬러리를 개발하였다. 그러나 이러한 슬러리는 중성 영역에서 슬러리의 안정성이 저하되어 침전이 일어나고, 또한, 세리아가 코팅된 실리카 슬러리의 제조에서는 가열에 의해 비정질의 수산화세리아를 결정질 세리아로 변화시키는 과정에서 입자 간의 응집이 발생하는 문제점들이 있었다.
그리고 특허 출원된 것들로서, 미국 공개특허공보 제 95873호에는 '수성 분산, 그 제조를 위한 방법과 사용'으로 알칼리로 처리되어진 평균입자경이 100㎚ 미만인 실리카 연마제를 개시하였고, 미국 특허 제 6,328,944호의'도포된 발열성 산화물'에서는 금속, 비금속 또는 그 산화물과 염으로 금속과 비금속에 도포된 발열성 산화물에 대하여 개시하였다. 그러나 이러한 슬러리 역시 입자 크기의 균일성이 낮아 연마율이 낮고, 스크래치가 발생되는 등의 문제점들이 있었다.
상기와 같은 문제점들을 해결하기 위한 방안으로서, 특허 출원된 미국 공개특허공보 제2003-92271호의 경우 'STI용 혼합 연마 슬러리'로 두 가지 이상의 무기 금속 산화물을 혼합한 연마 슬러리를 제시하였으나, 입자크기의 불균일성이 존재하 여 스크래치 발생의 우려가 있고, 콜로이달 실리카와 세리아의 혼합 졸 사용 시는 연마율이 낮기 때문에 CMP 연마재로의 사용에 문제점들이 발생하였으며, 또한 대한민국공개특허 제 10-2003-0017352호(2003. 3. 3)로 '실리카 코팅된 세리아를 포함하는 연마용 조성물'에 의하면 실리카의 코팅으로 인하여 세리아 슬러리의 안정성은 개선되었으나 평탄화 공정시 스크래치의 발생을 억제하기에는 다분산된 슬러리로서 입도가 불균일하고 입자의 모양이 불규칙하여, 슬러리 및 입자의 불균일한 흐름과 연마입자와 패드와 웨이퍼간의 다양한 형태의 접촉 및 반응으로 동일한 압력을 가하여 연마할 경우 웨이퍼 표면이 불균일하게 연마되는 문제점이 발생하였다.
따라서, 본 발명자는 여러 번의 시도를 통하여 용액법으로 콜로이달 실리카에 세리아를 코팅하여 CMP 연마재로 사용하는 실험을 행한 결과, 균일한 입자의 세리아-코팅된 실리카 슬러리를 얻을 수 있으며, 실리카 단독으로 사용한 것보다 우수한 연마율과 스크래치도 발생되지 않았음을 알게 되었다. 그러나 pH 4 이상에서는 불안정하여 입자들 간에 상호 응집하여 중성 영역에서 연마재로서 사용이 어렵다는 단점을 나타내었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 실리카 코어에 제 1쉘로서 세리아 입자를 코팅한 코어/쉘 입자를 수열처리하여 그 입자의 외부 표면이 제 2쉘인 실리카로서 얇게 재코팅된 것을 특징으로 하는 실리카-세리아/실리 카 코팅 연마재 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
특히 본 발명은 세리아 입자가 코팅된 실리카 입자를 수열처리하여 실리카를 둘러싼 세리아 입자의 표면을 실리카로 얇게 재코팅함으로써, 연마율 향상과 넓은 pH 영역에서도 상당히 안정하여 장기간 보관이 가능한 것을 특징으로 하는 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재 및 그 제조방법을 제공함에 또 다른 목적이 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 입도가 균일하고 입자의 모양이 동일한 완전히 개개의 분리된 입자로 구성된 단분산 슬러리를 제공하여 웨이퍼내 또는 웨이퍼간의 평탄도가 향상되고, 연마 후 낮은 결함율을 갖는 것을 특징으로 하는 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 저렴한 단가의 원자재 사용과 단순 제조 공정을 이용하여 연마율이 우수한 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재를 대량 생산 할 수 있는 것을 특징으로 하는 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명은 실리카에 세리아 입자를 코팅한 코어/쉘 입자를 수열처리하여 그 외부 표면에 제 2쉘로서 실리카를 얇게 재코팅시킨 것을 특징으로 하는 실리카-세 리아/실리카 코팅 연마재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 실리카 코어 100 중량부에 대해 제 1쉘인 세리아 입자가 5 내지 30 중량부의 비율로 코팅된 코어/쉘 입자를 수열처리하여 그 외부 표면을 제 2쉘인 실리카로서 2㎚ 이하의 두께로 얇게 재코팅된 것을 특징으로 하는 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에서 사용되는 실리카 코어는 구형의 콜로이달 실리카로서 직경이 400 nm 크기 이하의 매우 균일하며, 5 내지 20 nm 크기의 결정성 세리아 입자가 응집되지 않고 실리카 표면에 균일하게 코팅됨으로써, 실리카-세리아/실리카 슬러리는 균일한 입자를 얻을 수 있으며, 그리고 우수한 연마율과 스크래치가 발생되지 않는다는 장점이 있다.
본 발명에서 사용되는 제 1쉘인 세리아 입자는 실리카 코어 100 중량부에 대해 5 내지 30 중량부의 비율로 코팅되는데, 실리카 입자가 400 nm로 큰 경우는 세리아 입자의 함량이 약 5 중량부이고, 100 nm인 경우는 약 30 중량부가 코팅된다.
본 발명에서 사용되는 제 2쉘인 실리카는 2 nm 이하의 두께로 코팅되는데, 제 2쉘의 두께가 1 nm 미만일 경우에는 연마율이 증가하나, 2 nm 를 초과할 경우에는 감소한다.
그리고 본 발명에서 실리카 코어에 제 1쉘인 세리아와 제 2쉘인 실리카가 코팅된 입자의 크기는 50 내지 500㎚가 적합하며, 바람직한 입자의 크기는 100 내지 300㎚이다. 입자의 크기가 50 ㎚ 미만일 경우에는 안정성은 우수하나 연마율은 감소하는 반면에, 500 ㎚를 초과할 경우에는 슬러리의 안정성이 감소한다.
본 발명에서 실리카에 세리아를 코팅한 후 수열처리를 하는 것은 실리카 입자와 세리아 입자 간에 결합력을 향상시키고, 실리카 표면에 세리아 입자 수와 결정성을 증가시키며, 세리아 입자 표면에 실리카를 코팅시켜 슬러리의 연마율과 안정성을 동시에 높여주기 위함이다.
본 발명의 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재의 제조방법 1은
ⅰ) 질산세륨 수용액에 암모니아수를 첨가하고 교반시켜 세리아 입자가 생성된 현탁액을 제조하는 단계;
ⅱ) 상기 ⅰ)에서 제조한 세리아 입자 현탁액에 콜로이달 실리카 슬러리를 첨가하여 교반시켜 세리아 입자가 실리카 코어의 표면에 코팅된 실리카-세리아 코팅 입자를 제조하는 단계;
ⅲ) 교반이 끝난 상기 ⅱ)의 반응물을 세척액인 증류수를 사용하여 원심분리 및 필터링하여 슬러리 속에 포함된 과잉의 염을 세척하는 단계;
ⅳ) 상기 ⅲ)에서 세척한 슬러리를 수열처리하여 실리카-세리아 입자 표면에 실리카가 얇게 코팅된 입자를 제조하는 단계;로 이루어진다.
본 발명의 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재의 제조방법을 첨부된 도면을 중심으로 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제조방법 1에 의한 합성 공정도에 관한 것으로서, 다음 방법에 의해 제조되어진다.
(제조방법 1)
ⅰ) 0.2M의 질산세륨 수용액 200㎖에 0.2M의 암모니아수 300㎖를 첨가하여 80 내지 100 ℃에서 격렬하게 교반시켜 10 내지 20 nm 크기의 세리아 입자가 생성된 현탁액을 제조하는 단계;
ⅱ) 상기 ⅰ)에서 제조한 세리아 입자 현탁액을 80 내지 100 ℃로 유지시키면서, 여기에 입자크기가 일정한 구형의 콜로이달 실리카 슬러리(고형분 함량 기준 5g)를 첨가하여 약 2시간 동안 교반시켜 세리아 입자가 실리카 코어의 표면에 골고루 부착 코팅된 실리카-세리아 코팅 입자를 제조하는 단계;
ⅲ) 교반이 끝난 상기 ⅱ)의 반응물을 세척액인 증류수를 사용하여 원심분리 및 필터링하여 슬러리 속에 포함된 과잉의 염을 세척하는 단계;
ⅳ) 상기 ⅲ)에서 세척한 슬러리를 오토-크래브(auto-clave)에서 100 ℃ 내지 350 ℃를 유지시키면서 30분 이상 동안 수열처리하여 실리카-세리아 입자 표면에 실리카가 얇게 코팅된 입자를 제조하는 단계;
를 거쳐 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재가 제조되어진다.
상기에서 ⅰ) 및 ⅱ) 단계는 반응 온도를 80 내지 100℃로 유지시켜야 하는데, 반응온도가 80℃ 미만일 경우에는 세리아 입자의 생성 시간과 생성된 세리아 입자가 코어인 실리카 표면에 코팅되는 시간이 오래 걸려 경제적이지 못하며, ⅱ) 단계에서 100℃를 초과할 경우에는 코팅속도의 조절이 어렵게 된다.
상기에서 ⅲ) 단계는 슬러리의 pH가 3.5 내지 3.9가 되도록 세척하여 과잉의 염을 제거하고, 슬러리의 pH가 3.0 미만이거나, pH가 4.0을 초과하게 되면, 슬러리의 안정성이 저하된다.
상기에서 ⅳ) 단계는 수열온도를 100 ℃ 내지 350℃를 유지시키면서 30 분 이상 동안 가열시키는데, 이는 수열처리 동안 실리카가 세리아 입자 표면을 코팅시키기 위함이다.
상기에서 수열처리 전 후의 시료에 대한 SiO2 및 CeO2 함량을 습식 및 유도상 플라즈마(ICP)에 의해 측정하였고, 그 결과를 [표 1]에 나타내었으며 수열처리 전보다 후가 세리아 함량이 증가되었음을 알 수 있다. 또한 제조 방법에서 실리카의 코팅 여부를 확인하기 위하여 수열처리 전 후의 입자에 대하여 고분해능 투과전자 현미경(Jeol 사 JEM-4010 TEM 400 KV)을 사용하여 세리아 표면을 관찰한 결과를 도 3 에 나타내었다. 수열 처리 후 실리카의 코팅 두께가 약 0.5 nm 로 형성되었다. 그리고 수열처리 전 후의 슬러리에 대하여 Otuska 사의 ELS-8000을 사용하여 제타전위를 pH 에 따라 측정한 결과를 도 4 에 나타내었다. 도 4에서 수열처리 전의 제타전위 변화 그래프는 세리아의 특성을 잘 보여주었으나, 수열처리 후는 제타전위 경향이 완전히 실리카 졸의 전형적 제타전위로 바뀌어 IEP(Isoelectric Point) 약 2 를 나타내었다. 따라서, 상기 수열처리에 의해 세리아 입자의 표면에 실리카 코팅층이 형성되었음이 확인되었다.
또한, 수열처리 전후의 XRD 피크(peak) 변화를 도 5에 나타내었다. 수열처리 후 피크(peak)의 반가폭이 작아짐으로써 결정크기가 조금 증가했음을 알 수 있다.
[표 1]
| 구 분 | 수열처리 전 | 수열처리 후 |
| SiO2 wt% | 91.7 | 83.0 |
| CeO2 wt% | 8.3 | 17.0 |
본 발명의 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재의 제조방법 2는
ⅰ) 세리아 졸을 실리카 졸과 혼합하여 세리아 입자가 실리카 입자 표면에 정전기적으로 코팅된 현탁액을 제조하는 단계;
ⅱ) 상기 ⅰ)의 현탁액을 수열처리하여 세리아 입자 표면에 실리카가 얇게 코팅된 입자를 제조하는 단계;로 이루어진다.
도 2는 본 발명의 제조방법 2에 의한 합성 공정도에 관한 것으로서, 다음 방법에 의해 제조되어진다.
(제조방법 2)
ⅰ) 산성 세리아졸(CeO2-NIT, 미국, Nyacol 사) 20 wt% 5 ㎖와 구형의 콜로이달 실리카졸 4 wt% 300 ㎖ 비이커에 넣고 자석 교반기로 1 시간 혼합하는 단계:
ⅱ) 상기 ⅰ)단계에서 제조된 혼합 슬러리를 오토-크래브(auto-clave)에서 100 ℃ 내지 350 ℃를 유지시키면서 30분 이상 동안 수열처리하여 실리카-세리아가 화학결합으로 강하게 결합하고 입자 표면에 실리카가 얇게 코팅된 입자를 제조하는 단계;
ⅲ) 수열처리가 끝난 슬러리에서 유리 세리아 입자를 제거하기 위하여 원심분리 및 필터링 하여 세척하는 단계:
를 거쳐 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재가 제조되어진다.
상기에서 제조방법 1 과 같이 수열처리 전 후의 슬러리의 물성 변화가 확인되는데, 즉, 도 4에서 제타전위 변화는 실리카가 코팅되었음이 확인되고, 도 5에서 결정성이 증가됨을 나타내었다.
본 발명에서 실리카 코어에 제 1쉘인 세리아를 코팅시키는 방법으로는 기상법 등의 방법을 사용할 수 있으며, 가장 바람직한 사용 방법은 용액법이다.
본 발명에서 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재 슬러리의 pH 4 내지 9 이고, 실리카 입자의 분산에 매우 중요한 역할을 하고, 실리카 입자는 표면전하를 띄고, 전하의 부호와 크기는 슬러리의 pH에 의존하는데 제타 전위(Zeta Potential)는 pH의 증가와 함께 감소하며, 2 이상의 pH에 대하여는 (-)값을 갖는다. 따라서, 이 범위의 pH에서는 실리카 입자가 정전기적 반발하여 잘 분산되지만, pH가 10 이상으로 되면 세리아 표면에 코팅된 실리카 및 코어 실리카가 용해하여 규산염(Silicate)을 형성하고 세리아 입자가 코어 실리카로부터 이탈하기 때문에 막에 대한 연마율은 급격히 감소한다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명하겠는바, 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
비교예 1 및 실시예 1 내지 4
(비교예 1)
93℃로 예열시킨 0.2 M의 질산세륨 수용액에 200 ml에 0.2 M의 암모니아수 300 ml를 첨가하여 교반하면서 고형분이 5 g인 실리카(300 nm) 슬러리를 첨가하여 93 ℃에서 2시간 동안 교반하였다. 교반이 끝난 반응물을 원심분리 및 필터링을 하 여 슬러리의 pH가 3.7이 될 때까지 세척을 하였다. 이 때 얻어진 제조물을 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 4.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
(실시예 1)
제조방법 1과 같은 순서로 93 ℃로 예열시킨 0.2 M의 질산세륨 수용액 200 ml에 0.2 M의 암모니아수 300 ml를 첨가하여 고형분이 5 g인 실리카(300 nm) 슬러리를 첨가하여 93 ℃에서 2시간 동안 교반하였다. 교반이 끝난 반응물을 원심분리 및 필터링을 하여 슬러리의 pH가 3.7이 될 때 까지 세척을 하였다. 세척한 슬러리를 오토-크래브(auto-clave) 장치에서 150 ℃에서 1시간 동안 수열처리 하여 제조물을 얻었다. 이 때 얻어진 제조물은 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 6.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
(실시예 2)
실시예 1과 동일한 방법으로 행하였으나 수열처리 온도를 190 ℃로 온도를 변화시켜 실시하였다. 이때 얻어진 제조물은 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 6.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
(실시예 3)
실시예 1과 동일한 방법이나 세리아-코팅된 실리카를 pH 3.9까지 세척하여 세척조건을 변화시키고, 수열처리 온도를 190 ℃로 변화시켜 실시하였다. 이때 얻어진 제조물은 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 6.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
(실시예 4)
실시예 3과 동일하나 수열처리 온도를 200 ℃로 온도변화를 주어 실시하였다. 이때 얻어진 제조물을 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 6.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
[표2]
| 구 분 | 수열처리 온도 (℃) | 연마율(Å/min) | |
| HDP 막 | Si3N4 막 | ||
| 비교예 1 | 처리안함 | 1,960 | 770 |
| 실시예 1 | 150 | 2,430 | 810 |
| 실시예 2 | 190 | 2,910 | 720 |
| 실시예 3 | 190 | 2,980 | 720 |
| 실시예 4 | 200 | 3,100 | 830 |
상기 [표 2]에서 보는 바와 같이 수열처리하지 않은 비교예 1에 비하여 150 내지 200℃에서 수열처리를 한 실시예 1 내지 4의 경우가 HDP 막과 Si3N4 막의 연마율이 월등히 우수함을 알 수 있다.
비교예 2 및 실시예 5 내지 7
(비교예 2)
고형분이 0.5 g인 세리아 졸(~10 nm)과 고형분이 5 g인 실리카(300 nm) 슬러리를 혼합하였다. 이때 얻어진 제조물을 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 4.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
(실시예 5)
제조방법 2와 같은 순서로 고형분이 0.5 g인 세리아 졸(~10 nm)과 고형분이 5 g인 실리카(300 nm) 슬러리를 혼합하고 2시간 동안 자석교반기로 교반하였다. 충분히 교반된 슬러리를 오토-크래브(auto-clave) 장치에서 150 ℃에서 1시간 동안 수열처리 하여 제조물을 얻었다. 이때 얻어진 제조물은 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 6.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
(실시예 6)
실시예 5와 동일한 방법으로 행하였으나 수열처리 온도를 190 ℃로 온도를 변화시켜 실시하였다. 이때 얻어진 제조물은 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 6.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
(실시예 7)
실시예 5와 동일하나 수열처리 온도를 200 ℃로 온도변화를 주어 실시하였다. 이때 얻어진 제조물을 증류수를 사용하여 초음파로 분산시켜 pH 6.0의 1 중량% 농도의 연마용 슬러리를 제조하였다.
[표3]
| 구 분 | 수열처리 온도 (℃) | 연마율(Å/min) | |
| HDP 막 | Si3N4 막 | ||
| 비교예 2 | 처리안함 | 110 | 30 |
| 실시예 5 | 150 | 1,800 | 550 |
| 실시예 6 | 190 | 2,000 | 650 |
| 실시예 7 | 200 | 2,300 | 760 |
상기와 [표 3]에서 보는 바와 같이 수열처리하지 않은 비교예 2에 비하여 150 내지 200℃에서 수열처리를 한 실시예 5 내지 7의 경우가 HDP 막과 Si3N4 막의 연마율이 월등히 우수함을 알 수 있다.
* 연마조건
1) 연마기 : CNP-POLI-500CE
2) 패드종류 : Rodel IC-1000
3) 헤드속도: 50 rpm
4) 테이블속도 : 50 rpm
5) 압력 : 2.84 psi
6) 온도: 25 ℃
7) 슬러리 속도 : 300 ml/min
본 발명의 실리카-세리아/실리카 코팅 연마재는 실리카 코어에 세리아 입자를 코팅한 코어/쉘 입자를 수열처리하여 실리카 입자와 세리아 입자 간에 결합력이 향상되고, 실리카 표면에 세리아 입자 수와 세리아의 결정성이 증가하며, 세리아 입자 표면을 실리카로 코팅함으로써, 수열처리하지 않은 실리카-세리아를 사용할 때보다 연마율이 향상되고 스크래치가 발생되지 않을 뿐만 아니라 사용되는 원자재가 저렴하고, 단순한 제조공정으로 인하여 대량생산이 가능하다.
특히, 넓은 pH 영역에서도 상당히 안정하여 응집이 일어나지 않아 장기간 보관이 가능하고, 웨이퍼의 세척이 용이하며, 슬러리의 분산성이 우수하여 연마공정 동안 웨이퍼 간의 평탄도가 향상되는 장점이 있다.
또한, 입도가 균일하고 입자의 모양이 동일한 완전히 개개의 분리된 입자로 구성된 단분산 슬러리를 제공하여 웨이퍼 내의 평탄도가 향상되고, 연마 후 낮은 결함율을 갖는다는 장점이 있다.
Claims (12)
- 실리카 코어에 제 1쉘로서 세리아 입자가 코팅된 코어/쉘입자가 수열처리되어 제 2쉘인 실리카로 재코팅됨을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 실리카 코어에 코팅된 세리아 입자의 함량비가 실리카 코어 100 중량부에 대해 세리아 입자가 5 내지 30 중량부 코팅시킨 것을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재.
- 제 1항에 있어서, 제 2쉘인 실리카의 재코팅 두께가 2㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재.
- ⅰ) 질산세륨 수용액에 암모니아수를 첨가하고 교반시켜 세리아 입자가 생성된 현탁액을 제조하는 단계;ⅱ) 상기 ⅰ)에서 제조한 세리아 입자 현탁액에 콜로이달 실리카 슬러리를 첨가하여 교반시켜 세리아 입자가 실리카 코어의 표면에 코팅된 실리카-세리아 코팅 입자를 제조하는 단계;ⅲ) 교반이 끝난 상기 ⅱ)의 반응물을 세척액인 증류수를 사용하여 원심분리 및 필터링하여 슬러리 속에 포함된 과잉의 염을 세척하는 단계;ⅳ) 상기 ⅲ)에서 세척한 슬러리를 수열처리하여 실리카-세리아 입자 표면에 실리카가 얇게 코팅된 입자를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재의 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 질산세륨 수용액에 상기 암모니아수의 첨가와 교반은 80 내지 100℃의 범위에서 행해짐을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재의 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 세리아 입자가 생성된 현탁액은 10 내지 20nm의 세리 아 입자로 이루어짐을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재의 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 세리아 입자 현탁액에 상기 콜로이달 실리카 슬러리의 첨가는 80 내지 100℃의 범위에서 행해짐을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재의 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 수열처리는 100 내지 350℃에서 30분 이상 행해짐을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재의 제조방법.
- ⅰ) 세리아 졸을 실리카 졸과 혼합하여 세리아 입자가 실리카 입자 표면에 정전기적으로 코팅된 현탁액을 제조하는 단계;ⅱ) 상기 ⅰ)의 현탁액을 수열처리하여 세리아 입자 표면에 실리카가 얇게 코팅된 입자를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재의 제조방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 세리아 졸은 20nm 이하임을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재의 제조방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 수열처리는 100 내지 350℃에서 30분 이상 행해짐을 특징으로 하는 실리카에 세리아/실리카가 코팅된 CMP용 연마재의 제조방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101279970B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2013-07-05 | 제일모직주식회사 | 금속 배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100614218B1 (ko) * | 2004-06-21 | 2006-08-21 | 고려대학교 산학협력단 | Ｒｆ 플라즈마를 이용하여 이산화규소 나노 입자상에 이산화세륨을 박막증착시키는 방법 및 이로부터 제조된 연마입자 |
| KR101760529B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2017-07-21 | 바스프 에스이 | 화학 기계적 평탄화(ＣＭＰ)를 위한 ＣｅＯ２ 나노입자 코팅된 라스베리형 금속 산화물 나노구조체 |
| TWI444437B (zh) | 2010-06-18 | 2014-07-11 | Everlight Chem Ind Corp | 藍色、紅色及黃色染料化合物及所組成之黑色墨水組成物 |
| KR101906135B1 (ko) | 2010-09-08 | 2018-10-10 | 바스프 에스이 | 수성 연마 조성물 및 산화규소 유전체 및 폴리실리콘 필름을 함유하는 기판의 화학적 기계적 연마 방법 |
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| SG10201506220PA (en) | 2010-09-08 | 2015-09-29 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices |
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| CN102653633B (zh) * | 2011-03-03 | 2013-12-11 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 蓝色、红色及黄色染料化合物及所组成的黑色墨水组合物 |
| CN103814102B (zh) * | 2011-09-20 | 2017-12-05 | 堺化学工业株式会社 | 玻璃研磨用复合颗粒 |
| US10011752B2 (en) | 2012-09-05 | 2018-07-03 | Konica Minolta, Inc. | Production method for polishing-material particles |
| US20150252237A1 (en) * | 2012-09-19 | 2015-09-10 | Konica Minolta, Inc. | Method for Producing Polishing Material Particles |
| JP2016055352A (ja) * | 2013-02-05 | 2016-04-21 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材スラリー |
| JP2016055351A (ja) * | 2013-02-05 | 2016-04-21 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材スラリー |
| WO2014122992A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | コニカミノルタ株式会社 | コア・シェル型無機粒子 |
| JP2016056215A (ja) * | 2013-02-05 | 2016-04-21 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材の製造方法 |
| EP2826827B1 (en) | 2013-07-18 | 2019-06-12 | Basf Se | CMP composition comprising abrasive particles containing ceria |
| WO2016069244A1 (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-06 | Applied Materials, Inc. | Nanoparticle based cerium oxide slurries |
| JP6510812B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-05-08 | 花王株式会社 | 酸化珪素膜研磨用研磨粒子 |
| WO2016159167A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー |
| JP6588050B2 (ja) * | 2016-04-22 | 2019-10-09 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系複合微粒子を含む研磨用砥粒分散液 |
| SG11201809175PA (en) * | 2016-04-22 | 2018-11-29 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | Silica-based composite fine particle dispersion and method for manufacturing same |
| JP6648064B2 (ja) * | 2016-04-22 | 2020-02-14 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用砥粒分散液 |
| JP6829007B2 (ja) * | 2016-05-18 | 2021-02-10 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系複合微粒子分散液、その製造方法及びシリカ系複合微粒子分散液を含む研磨用スラリー |
| CN109937187B (zh) * | 2016-11-14 | 2022-08-09 | 日挥触媒化成株式会社 | 氧化铈系复合微粒分散液、其制造方法和包含氧化铈系复合微粒分散液的研磨用磨粒分散液 |
| JP6797665B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2020-12-09 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| CN106675519A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-05-17 | 安徽中创电子信息材料有限公司 | 一种无机复合磨料及其制备方法 |
| US10319601B2 (en) | 2017-03-23 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Slurry for polishing of integrated circuit packaging |
| US20190127607A1 (en) | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Versum Materials Us, Llc | Composite Particles, Method of Refining and Use Thereof |
| JP7015200B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-02-02 | 日揮触媒化成株式会社 | セリア系複合微粒子分散液、その製造方法及びセリア系複合微粒子分散液を含む研磨用砥粒分散液 |
| JP2018168063A (ja) * | 2018-07-12 | 2018-11-01 | 日揮触媒化成株式会社 | シリカ系複合粒子分散液の製造方法 |
| US11549034B2 (en) | 2018-08-09 | 2023-01-10 | Versum Materials Us, Llc | Oxide chemical mechanical planarization (CMP) polishing compositions |
| US20230002639A1 (en) * | 2019-11-26 | 2023-01-05 | Rhodia Operations | Liquid dispersion and powder of cerium based core-shell particles, process for producing the same and uses thereof in polishing |
| CN114591687A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-06-07 | 深圳市瑞来稀土材料有限公司 | 一种用于半导体晶圆抛光处理的稀土抛光粉及其制备方法 |
| CN115926746A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-04-07 | 国家纳米科学中心 | 纳米铈硅复合氧化物颗粒及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280309A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | α型窒化けい素粉末の製造方法 |
| US5855841A (en) * | 1991-12-23 | 1999-01-05 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Process for producing dense ceramic product |
| KR950703624A (ko) * | 1992-09-25 | 1995-09-20 | 워렌 리처드 보비 | 알루미나 및 세리아를 함유하는 연마 그레인의 제조 방법(method of making abrasive grain containing alumina and ceria) |
| BR9408041A (pt) * | 1993-11-12 | 1996-12-24 | Minnesota Mining & Mfg | Processo para preparação de grão abrasivo à base de alumina alfa cerâmico cristalino grão abrasivo e artigo abrasivo |
| US6645265B1 (en) * | 2002-07-19 | 2003-11-11 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Polishing formulations for SiO2-based substrates |
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101279970B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2013-07-05 | 제일모직주식회사 | 금속 배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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