RU2011129439A - Композиция для электролитического металла, содержащая выравнивающий агент - Google Patents
Композиция для электролитического металла, содержащая выравнивающий агент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011129439A RU2011129439A RU2011129439/04A RU2011129439A RU2011129439A RU 2011129439 A RU2011129439 A RU 2011129439A RU 2011129439/04 A RU2011129439/04 A RU 2011129439/04A RU 2011129439 A RU2011129439 A RU 2011129439A RU 2011129439 A RU2011129439 A RU 2011129439A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition according
- alkoxylation
- radicals
- polyalkanolamine
- composition
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims abstract 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N Styrene oxide Chemical compound C1OC1C1=CC=CC=C1 AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000029936 alkylation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000005804 alkylation reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000005588 protonation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000005956 quaternization reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000019635 sulfation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000005670 sulfation reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims 1
- 229950004864 olamine Drugs 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/02—Polyamines
- C08G73/024—Polyamines containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/02—Polyamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Fertilizers (AREA)
Abstract
1. Композиция, содержащая источник ионов металлов и по меньшей мере один выравнивающий агент, получаемыйконденсацией по меньшей мере одного триалканоламина общей формулы N(R-OH)(Ia) и/или по меньшей мере одного диалканоламина общей формулы R-N(R-OH)(Ib) с получением полиалканоламина (II), в котором- радикалы Rкаждый независимо выбраны из двухвалентного линейного или разветвленного алифатического углеводородного радикала, имеющего от 2 до 6 атомов углерода, и- радикалы Rкаждый выбраны из водорода и линейных или разветвленных алифатических, циклоалифатических и ароматических углеводородных радикалов, имеющих от 1 до 30 атомов углерода,или производные, получаемые алкоксилированием, замещением или алкоксилированием и замещением указанного полиалканоламина (II).2. Композиция по п.1, в которой ион металла представляет собой ион меди.3. Композиция по п.1, в которой выравнивающим агентом является алкоксилированный полиалканоламин, получаемый алкоксилированием полученного полиалканоламина (II) С-С-алкиленоксидами, оксидом стирола, глицидолом или глицидиловыми простыми эфирами.4. Композиция по п.3, в которой алкиленоксиды выбраны из группы, включающей этиленоксид, пропиленоксид, бутиленоксид или их комбинации.5. Композиция по п.3, в которой степень алкоксилирования составляет от 0,1 до 200, в частности от 0,5 до 20.6. Композиция по п.1, в которой замещением является кватернизация, протонирование, алкилирование, сульфатирование, фосфатирование или их комбинации.7. Композиция по п.1, в которой выравнивающий агент получают путем соконденсации соединения, выбранного из N-гидроксиалкиламинов формул (Ia) и (Ib), по меньшей мере с одним соединением (Ic), �
Claims (16)
1. Композиция, содержащая источник ионов металлов и по меньшей мере один выравнивающий агент, получаемый
конденсацией по меньшей мере одного триалканоламина общей формулы N(R1-OH)3 (Ia) и/или по меньшей мере одного диалканоламина общей формулы R2-N(R1-OH)2 (Ib) с получением полиалканоламина (II), в котором
- радикалы R1 каждый независимо выбраны из двухвалентного линейного или разветвленного алифатического углеводородного радикала, имеющего от 2 до 6 атомов углерода, и
- радикалы R2 каждый выбраны из водорода и линейных или разветвленных алифатических, циклоалифатических и ароматических углеводородных радикалов, имеющих от 1 до 30 атомов углерода,
или производные, получаемые алкоксилированием, замещением или алкоксилированием и замещением указанного полиалканоламина (II).
2. Композиция по п.1, в которой ион металла представляет собой ион меди.
3. Композиция по п.1, в которой выравнивающим агентом является алкоксилированный полиалканоламин, получаемый алкоксилированием полученного полиалканоламина (II) С2-С12-алкиленоксидами, оксидом стирола, глицидолом или глицидиловыми простыми эфирами.
4. Композиция по п.3, в которой алкиленоксиды выбраны из группы, включающей этиленоксид, пропиленоксид, бутиленоксид или их комбинации.
5. Композиция по п.3, в которой степень алкоксилирования составляет от 0,1 до 200, в частности от 0,5 до 20.
6. Композиция по п.1, в которой замещением является кватернизация, протонирование, алкилирование, сульфатирование, фосфатирование или их комбинации.
7. Композиция по п.1, в которой выравнивающий агент получают путем соконденсации соединения, выбранного из N-гидроксиалкиламинов формул (Ia) и (Ib), по меньшей мере с одним соединением (Ic), содержащим две гидроксигруппы или две аминогруппы, или гидроксигруппу и аминогруппу.
8. Композиция по п.7, в которой по меньшей мере одно соединение (Ic) содержится в количестве, не превышающем 50 мас.% в пересчете на количество всех компонентов, использующихся для конденсации.
9. Композиция по п.3, в которой полиоксиалкиленоксиды имеют блочную, статистическую или градиентную структуру или их комбинации.
10. Композиция по п.1, в которой по меньшей мере один триалканоламин (Ia) выбран из группы, включающей триэтаноламин, триизопропаноламин и три-бутан-2-оламин.
11. Композиция по любому из пп.1-10, дополнительно содержащая ускоряющий агент.
12. Композиция по любому из пп.1-10, дополнительно содержащая подавляющий агент.
13. Применение полиалканоламинов или производных, получаемых их алкоксилированием, замещением или алкоксилированием и замещением, в ванне для осаждения содержащих металл слоев, где полиалканоламины получают путем
конденсации по меньшей мере одного триалканоламина общей формулы N(R1-OH)3 (Ia) и/или по меньшей мере одного диалканоламина общей формулы R2-N(R1-OH)2 (Ib) с получением полиалканоламина (II), в котором
- радикалы R1 каждый независимо выбраны из двухвалентного линейного или разветвленного алифатического углеводородного радикала, имеющего от 2 до 6 атомов углерода, и
- радикалы R2 каждый выбраны из водорода и линейных или разветвленных алифатических, циклоалифатических и ароматических углеводородных радикалов, имеющих от 1 до 30 атомов углерода.
14. Способ осаждения слоя металла на подложку путем
a) взаимодействия ванны для электролитического осаждения металла, содержащей композицию по любому из пп.1-12, с подложкой, и
b) подачи тока определенной плотности на подложку в течение времени, достаточного для осаждения слоя металла на подложку.
15. Способ по п.14, в котором подложка содержит элементы микрометрового или субмикрометрового размера, и осаждение проводят для заполнения элементов микрометрового или субмикрометрового размера.
16. Способ по п.15, в котором элементы микрометрового или субмикрометрового размера обладают размером, равным от 1 до 1000 нм, и/или аспектным отношением, равным 4 или более.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP20080172330 EP2199315B1 (en) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| EP08172330.6 | 2008-12-19 | ||
| PCT/EP2009/066581 WO2010069810A1 (en) | 2008-12-19 | 2009-12-08 | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011129439A true RU2011129439A (ru) | 2013-01-27 |
| RU2547259C2 RU2547259C2 (ru) | 2015-04-10 |
Family
ID=40551920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011129439/04A RU2547259C2 (ru) | 2008-12-19 | 2009-12-08 | Композиция для электролитического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9011666B2 (ru) |
| EP (1) | EP2199315B1 (ru) |
| JP (1) | JP5788804B2 (ru) |
| KR (1) | KR101738701B1 (ru) |
| CN (1) | CN102257035B (ru) |
| IL (1) | IL213251A (ru) |
| MY (1) | MY155370A (ru) |
| RU (1) | RU2547259C2 (ru) |
| SG (1) | SG171904A1 (ru) |
| TW (1) | TWI467062B (ru) |
| WO (1) | WO2010069810A1 (ru) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102639639B (zh) | 2009-11-27 | 2015-06-03 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含流平试剂的金属电镀用组合物 |
| EP2547731B1 (en) | 2010-03-18 | 2014-07-30 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| US8790426B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-07-29 | Basf Se | Quaternized terpolymer |
| CN102939339B (zh) | 2010-06-01 | 2016-02-17 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含流平试剂的金属电镀用组合物 |
| US20120010112A1 (en) | 2010-07-06 | 2012-01-12 | Basf Se | Acid-free quaternized nitrogen compounds and use thereof as additives in fuels and lubricants |
| EP2468927A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| RU2013133648A (ru) | 2010-12-21 | 2015-01-27 | Басф Се | Композиция для электролитического осаждения металлов, содержащая выравнивающий агент |
| RU2598439C2 (ru) | 2010-12-29 | 2016-09-27 | Акцо Нобель Коатингс Интернэшнл Б.В. | Усиливающие адгезию смоляные композиции и композиции для покрытия, содержащие усиливающие адгезию смоляные композиции |
| JP5363523B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2013-12-11 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
| EP2551375A1 (en) | 2011-07-26 | 2013-01-30 | Atotech Deutschland GmbH | Electroless nickel plating bath composition |
| CN103397354B (zh) * | 2013-08-08 | 2016-10-26 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂 |
| CA2971017A1 (en) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | Basf Se | Polyetheramines with low melting point |
| US9932684B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-04-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of alpha amino acids and bisepoxides |
| US10006136B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-06-26 | Dow Global Technologies Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of imidazole compounds, bisepoxides and halobenzyl compounds |
| US10100421B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-10-16 | Dow Global Technologies Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of imidazole and bisepoxide compounds |
| TWI608132B (zh) | 2015-08-06 | 2017-12-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 自含有吡啶基烷基胺及雙環氧化物之反應產物的銅電鍍覆浴液電鍍覆光阻劑限定之特徵的方法 |
| EP3141633B1 (en) | 2015-09-10 | 2018-05-02 | ATOTECH Deutschland GmbH | Copper plating bath composition |
| KR102125240B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2020-06-22 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 | 아민과 폴리아크릴아미드와 설톤의 반응 생성물의 화합물을 함유하는 구리 전기도금욕 |
| WO2017059563A1 (en) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copper electroplating baths containing compounds of reaction products of amines and quinones |
| US20170145577A1 (en) * | 2015-11-19 | 2017-05-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electroplating low internal stress copper deposits on thin film substrates to inhibit warping |
| US11377625B2 (en) * | 2015-12-18 | 2022-07-05 | Basf Se | Cleaning compositions with polyalkanolamines |
| MX2018007518A (es) * | 2015-12-18 | 2018-11-29 | Basf Se | Polieteres alcoxilados subestequiometricos. |
| US10266795B2 (en) * | 2015-12-18 | 2019-04-23 | The Procter & Gamble Company | Cleaning compositions with alkoxylated polyalkanolamines |
| JP6828371B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2021-02-10 | 住友金属鉱山株式会社 | めっき膜の製造方法 |
| WO2018073011A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
| EP3559317A1 (en) * | 2016-12-20 | 2019-10-30 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free filling |
| CN110678583B (zh) | 2017-06-01 | 2022-09-30 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含流平剂的锡合金电镀组合物 |
| KR102641595B1 (ko) | 2017-09-04 | 2024-02-27 | 바스프 에스이 | 평탄화 제제를 포함하는 금속 전기 도금용 조성물 |
| US11459665B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-10-04 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising suppressing agent |
| EP3775325B1 (en) | 2018-03-29 | 2024-08-28 | Basf Se | Composition for tin-silver alloy electroplating comprising a complexing agent |
| CN112135929B (zh) | 2018-04-20 | 2023-12-15 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含抑制剂的用于锡或锡合金电镀的组合物 |
| CN110117801B (zh) * | 2019-06-21 | 2021-04-20 | 通元科技(惠州)有限公司 | 一种印制电路板盲孔填铜用镀铜添加剂及其制备方法 |
| US11335566B2 (en) * | 2019-07-19 | 2022-05-17 | Tokyo Electron Limited | Method for planarization of spin-on and CVD-deposited organic films |
| CN110284162B (zh) * | 2019-07-22 | 2020-06-30 | 广州三孚新材料科技股份有限公司 | 一种光伏汇流焊带无氰碱性镀铜液及其制备方法 |
| KR20220069012A (ko) | 2019-09-27 | 2022-05-26 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
| WO2021058334A1 (en) | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Basf Se | Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent |
| KR20220164496A (ko) | 2020-04-03 | 2022-12-13 | 바스프 에스이 | 폴리아미노아미드 유형 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
| EP3922662A1 (en) * | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Basf Se | Polyalkanolamine |
| CN115720598A (zh) | 2020-07-13 | 2023-02-28 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于在钴晶种上电镀铜的组合物 |
| US11384446B2 (en) | 2020-08-28 | 2022-07-12 | Macdermid Enthone Inc. | Compositions and methods for the electrodeposition of nanotwinned copper |
| CN116113657A (zh) * | 2020-12-16 | 2023-05-12 | 巴斯夫欧洲公司 | 作为润湿剂以及作为消泡剂组合物的组分的烷氧基化聚合n-(羟烷基)胺 |
| CN118043502A (zh) | 2021-10-01 | 2024-05-14 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于铜电沉积的包含聚氨基酰胺型流平剂的组合物 |
| WO2024008562A1 (en) | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Basf Se | Use of a composition comprising a polyaminoamide type compound for copper nanotwin electrodeposition |
| WO2024132828A1 (en) | 2022-12-19 | 2024-06-27 | Basf Se | A composition for copper nanotwin electrodeposition |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2407895A (en) | 1944-10-05 | 1946-09-17 | Petrolite Corp | Processes for resolving oil-in-water emulsions |
| IT1046971B (it) * | 1975-03-11 | 1980-09-10 | Oxy Metal Industries Corp | Begno per l elettrodeposizione di rame e metodo per prepararlo |
| DE3103815A1 (de) | 1981-02-04 | 1982-09-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur nachbehandlung von gefaerbten, filzfrei ausgeruesteten fasermaterialien |
| US4505839A (en) | 1981-05-18 | 1985-03-19 | Petrolite Corporation | Polyalkanolamines |
| DE3416693A1 (de) | 1984-05-05 | 1985-11-07 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur behandlung von cellulosischen fasermaterialien |
| SU1258889A1 (ru) * | 1985-03-11 | 1986-09-23 | Ворошиловградский Сельскохозяйственный Институт | Щелочной электролит блест щего цинковани |
| DE4003243A1 (de) | 1990-02-03 | 1991-08-08 | Basf Ag | Verwendung von trialkanolaminpolyethern als demulgatoren von oel-in-wasser-emulsionen |
| US6024857A (en) | 1997-10-08 | 2000-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating additive for filling sub-micron features |
| DE19758121C2 (de) * | 1997-12-17 | 2000-04-06 | Atotech Deutschland Gmbh | Wäßriges Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten |
| JP2001073182A (ja) | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
| US6610192B1 (en) | 2000-11-02 | 2003-08-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating |
| JP4392168B2 (ja) * | 2001-05-09 | 2009-12-24 | 荏原ユージライト株式会社 | 銅めっき浴およびこれを用いる基板のめっき方法 |
| JP3621370B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2005-02-16 | 株式会社大和化成研究所 | めっき方法による二次電池用電極材料 |
| US7316772B2 (en) | 2002-03-05 | 2008-01-08 | Enthone Inc. | Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications |
| DE10243361A1 (de) | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Basf Ag | Alkoxylatgemische und diese enthaltende Waschmittel |
| TW200401848A (en) | 2002-06-03 | 2004-02-01 | Shipley Co Llc | Leveler compounds |
| US20040094511A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-20 | International Business Machines Corporation | Method of forming planar Cu interconnects without chemical mechanical polishing |
| TW200613586A (en) | 2004-07-22 | 2006-05-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Leveler compounds |
| JP2008088524A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Ebara Udylite Kk | プリント基板用硫酸銅めっき液 |
| RU2334831C2 (ru) * | 2006-10-31 | 2008-09-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств" | Электролит меднения |
| JP2008266722A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Ebara Udylite Kk | パルス銅めっき浴用添加剤およびこれを用いたパルス銅めっき浴 |
| EP2209836B1 (en) | 2007-11-09 | 2016-02-24 | Basf Se | Alkoxylated polyalkanolamines |
-
2008
- 2008-12-19 EP EP20080172330 patent/EP2199315B1/en active Active
-
2009
- 2009-12-08 WO PCT/EP2009/066581 patent/WO2010069810A1/en active Application Filing
- 2009-12-08 MY MYPI2011002579A patent/MY155370A/en unknown
- 2009-12-08 US US13/140,712 patent/US9011666B2/en active Active
- 2009-12-08 CN CN200980151103.5A patent/CN102257035B/zh active Active
- 2009-12-08 KR KR1020117014693A patent/KR101738701B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-08 SG SG2011040011A patent/SG171904A1/en unknown
- 2009-12-08 RU RU2011129439/04A patent/RU2547259C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-12-08 JP JP2011541319A patent/JP5788804B2/ja active Active
- 2009-12-18 TW TW98143733A patent/TWI467062B/zh active
-
2011
- 2011-05-31 IL IL213251A patent/IL213251A/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012512957A (ja) | 2012-06-07 |
| RU2547259C2 (ru) | 2015-04-10 |
| TW201033409A (en) | 2010-09-16 |
| EP2199315A1 (en) | 2010-06-23 |
| WO2010069810A1 (en) | 2010-06-24 |
| MY155370A (en) | 2015-10-15 |
| TWI467062B (zh) | 2015-01-01 |
| CN102257035A (zh) | 2011-11-23 |
| CN102257035B (zh) | 2014-05-21 |
| US9011666B2 (en) | 2015-04-21 |
| SG171904A1 (en) | 2011-07-28 |
| IL213251A0 (en) | 2011-07-31 |
| IL213251A (en) | 2015-10-29 |
| US20110290659A1 (en) | 2011-12-01 |
| EP2199315B1 (en) | 2013-12-11 |
| KR101738701B1 (ko) | 2017-05-22 |
| JP5788804B2 (ja) | 2015-10-07 |
| KR20110104505A (ko) | 2011-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011129439A (ru) | Композиция для электролитического металла, содержащая выравнивающий агент | |
| JP2012512957A5 (ru) | ||
| KR20120089564A (ko) | 무공극 서브미크론 특징부 충전을 위한 억제제를 포함하는 금속 도금용 조성물 | |
| KR101752018B1 (ko) | 무보이드 서브마이크론 피쳐 충전을 위한 억제제를 포함하는 도금용 조성물 | |
| TWI487814B (zh) | 包含供無空隙次微米結構特徵填充之抑制劑的金屬電鍍用組合物 | |
| CN102803389A (zh) | 包含流平剂的金属电镀用组合物 | |
| RU2539895C2 (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| US20120027948A1 (en) | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling | |
| US7771835B2 (en) | Copper electrolytic solution containing quaternary amine compound with specific skeleton and oragno-sulfur compound as additives, and electrolytic copper foil manufactured using the same | |
| WO2007130710B1 (en) | Copper electrodeposition in microelectronics | |
| WO2010115757A1 (en) | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling | |
| CN108699706A (zh) | 蚀刻液和电子基板的制造方法 | |
| CN109952390A (zh) | 在微电子件中的铜的电沉积 | |
| TW200741029A (en) | Electroless plating liquid | |
| TW202214915A (zh) | 用於在鈷晶種上電鍍銅的組合物 | |
| WO2019201623A2 (en) | Composition for cobalt or cobalt alloy electroplating | |
| CN113549962B (zh) | 一种填孔镀铜整平剂分子及其应用 | |
| TWI707989B (zh) | 電鍍銅浴 | |
| KR102502524B1 (ko) | 황산동 도금액 및 이를 이용한 황산동 도금방법 | |
| KR20230022406A (ko) | 폴리알칸올아민 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161209 |