RU2013133648A

RU2013133648A - Композиция для электролитического осаждения металлов, содержащая выравнивающий агент

Info

Publication number: RU2013133648A
Application number: RU2013133648/04A
Authority: RU
Inventors: Корнелиа РЕГЕР-ГЕПФЕРТ; Роман Бенедикт РЭТЕР; Харальд ХЕРХАММЕР; Марко АРНОЛЬД; Шарлотте ЭМНЕТ; Дитер Майер
Original assignee: Басф Се
Priority date: 2010-12-21
Filing date: 2011-12-19
Publication date: 2015-01-27
Also published as: JP5981938B2; US20130264213A1; WO2012085811A1; US11486049B2; US20200199767A1; EP2655457B1; MY170653A; EP2655457A1; KR20140005211A; SG190931A1; JP2014505167A; SG10201510522XA; CN103270064A; EP2655457A4; CN103270064B; KR101914022B1; IL226645A

Abstract

1. Композиция, содержащая источник ионов металлов, один или более подавляющих агентов и по меньшей мере одну добавку, содержащую линейное или разветвленное полимерное бигуанидиновое соединение, содержащее структурное звено формулы L1,в которой Rкаждый независимо выбирается из атома водорода (H) или органического радикала, содержащего от 1 до 20 атомов углерода,Rпредставляет собой двухвалентный органический радикал, содержащий от 1 до 20 атомов углерода, необязательно содержащий полимерные бигуанидиновые ветви,n является целым числом, равным 2 или более,или соответствующую соль полимерного бигуанидинового соединения, образованную взаимодействием бигуанидиновых групп с органическими или неорганическими кислотами.2. Композиция по п.1, в которой Rвыбирается из атома Н или замещенных или не замещенных алкильных радикалов с 1-10 атомами углерода.3. Композиция по п.1, в которой Rпредставляет собой атом H.4. Композиция по п.1, в которой Rвыбирается из замещенных или незамещенных линейных алкандиилов с 2-8 атомами углерода.5. Композиция по п.1, в которой n составляет от 2 до 6000.6. Композиция по п.1, в которой среднечисловая молекулярная масса Mполимерного бигуанидинового соединения, определенная посредством гельпроникающей хроматографии, составляет более чем 300 г/моль.7. Композиция по п.1, в которой добавку получают взаимодействием- дицианамидного соединения,- по меньшей мере одного аминосоединения, содержащего по меньшей мере две первичные и/или вторичные аминогруппы, и- неорганической или органической протонсодержащей кислоты.8. Композиция по п.7, в которой по меньшей мере одно аминосоединение является алифатическим или ароматиче

Claims

1. Композиция, содержащая источник ионов металлов, один или более подавляющих агентов и по меньшей мере одну добавку, содержащую линейное или разветвленное полимерное бигуанидиновое соединение, содержащее структурное звено формулы L1

,

в которой R¹ каждый независимо выбирается из атома водорода (H) или органического радикала, содержащего от 1 до 20 атомов углерода,

R² представляет собой двухвалентный органический радикал, содержащий от 1 до 20 атомов углерода, необязательно содержащий полимерные бигуанидиновые ветви,

n является целым числом, равным 2 или более,

или соответствующую соль полимерного бигуанидинового соединения, образованную взаимодействием бигуанидиновых групп с органическими или неорганическими кислотами.

2. Композиция по п.1, в которой R¹ выбирается из атома Н или замещенных или не замещенных алкильных радикалов с 1-10 атомами углерода.

3. Композиция по п.1, в которой R¹ представляет собой атом H.

4. Композиция по п.1, в которой R² выбирается из замещенных или незамещенных линейных алкандиилов с 2-8 атомами углерода.

5. Композиция по п.1, в которой n составляет от 2 до 6000.

6. Композиция по п.1, в которой среднечисловая молекулярная масса M_n полимерного бигуанидинового соединения, определенная посредством гельпроникающей хроматографии, составляет более чем 300 г/моль.

7. Композиция по п.1, в которой добавку получают взаимодействием

- дицианамидного соединения,

- по меньшей мере одного аминосоединения, содержащего по меньшей мере две первичные и/или вторичные аминогруппы, и

- неорганической или органической протонсодержащей кислоты.

8. Композиция по п.7, в которой по меньшей мере одно аминосоединение является алифатическим или ароматическим диамином, триамином, мультиамином или их смесями.

9. Композиция по п.7, в которой по меньшей мере одно аминосоединение является концевым диамином.

10. Композиция по п.1, в которой ионы металлов содержат ионы меди.

11. Композиция по п.1, дополнительно содержащая один или более ускоряющих агентов.

12. Композиция по п.11, в которой ускоряющий агент выбирается из соединений формулы M^AO₃S-R^A1-S-S-R^A1,-SO₃M^A в которой

M^A является водородом или щелочным металлом,

X^A представляет собой P или S,

d является целым числом от 2 до 4,

R^A1 выбирается из алкильной или гетероалкильной группы с 1-8 атомами углерода, арильной группы или гетероароматической группы,

R^A1, выбирается из R^A1, где R^A1, может быть идентичным или отличаться от R^A1,

X^A, выбирается из X^A, где X^A, может быть идентичным или отличаться от X^A, и

M^A, выбирается из M^A где M^A, может быть идентичным или отличаться от M^A.

13. Композиция по п.11, в которой ускоряющим агентом является бис-(3-сульфопропил)-дисульфид.

14. Композиция по любому одному из пп.1-13, дополнительно содержащая ионы галогенов.

15. Композиция по п.14, в которой ионы галогенов являются ионами хлора.

16. Применение добавки, как определено в любом одном из пп.1-9, в ванне для осаждения содержащих металл слоев.

17. Способ осаждения металлического слоя на подложке посредством

a) контакта металлической гальванической ванны, содержащей композицию по любому из пп.1-16, с подложкой, и

b) приложения плотности тока к подложке в течение времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложке.

18. Способ по п.17, в котором подложка содержит дефекты микрометрических или нанометрических размеров, и осаждение осуществляется для заполнения дефектов микрометрических или нанометрических размеров.

19. Способ по п.18, в котором дефекты микрометрических или нанометрических размеров обладают размером от 1 до 1000 нм и/или коэффициентом пропорциональности, равным 4 или более.

20. Способ по п.18 или 19, в котором дефекты микрометрических или нанометрических размеров обладают размером от 1 до 100 нм.