RU2012157535A - Композиция для нанесения металлического покрытия посредством электролитического осаждения, содержащая выравнивающий агент - Google Patents
Композиция для нанесения металлического покрытия посредством электролитического осаждения, содержащая выравнивающий агент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012157535A RU2012157535A RU2012157535/05A RU2012157535A RU2012157535A RU 2012157535 A RU2012157535 A RU 2012157535A RU 2012157535/05 A RU2012157535/05 A RU 2012157535/05A RU 2012157535 A RU2012157535 A RU 2012157535A RU 2012157535 A RU2012157535 A RU 2012157535A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition according
- compound
- composition
- additive
- imidazolium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/0605—Polycondensates containing five-membered rings, not condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
- C08G73/0616—Polycondensates containing five-membered rings, not condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms with only two nitrogen atoms in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/58—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
1. Композиция, содержащая источник ионов меди и по меньшей мере одну добавку, содержащую линейное или разветвленное полимерное соединение имидазолия, содержащее структурную единицы формулы L1,где R, R, Rкаждый независимо выбирается из атома водорода (Н) и органического радикала, имеющего от 1 до 20 атомов углерода,Rпредставляет собой двухвалентных, трехвалентных или мультивалентный органический радикал, который не содержит гидроксильную группу в α или β положении относительно атома азота имидазольных колец.n представляет собой целое число.2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что Rи Rпредставляют собой атомы водорода.3. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что Rпредставляет собой атом водорода.4. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что Rпредставляет собой замещенный или незамещенный C2-C20 алкандиил.5. Композиция по п.4, отличающаяся тем, что Rне содержит гидроксильных групп.6. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна добавка содержит противоион Y, где о представляет собой целое число.7. Композиция по п.6, отличающаяся тем, что противоионом Yявляется хлорид, сульфат или ацетат.8. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что среднечисловая молекулярная масса Mполимерного соединения имидазолия, определенная с помощью гельпроникающей хроматографии, больше 500 г/моль.9. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что полимерное соединение имидазолия содержит более 80 мас.% структурных единиц формулы L1.10. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что добавку получают путем реакции- α-дикарбонильного соединения R-CO-CO-R,- альдегида R-CHO,- по меньшей мере одного аминосоединения (NH-)R- протонной кислоты (H)Y,где R, R, R, R, Y и o имеют ранее описанные зн�
Claims (17)
1. Композиция, содержащая источник ионов меди и по меньшей мере одну добавку, содержащую линейное или разветвленное полимерное соединение имидазолия, содержащее структурную единицы формулы L1
где R1, R2, R3 каждый независимо выбирается из атома водорода (Н) и органического радикала, имеющего от 1 до 20 атомов углерода,
R4 представляет собой двухвалентных, трехвалентных или мультивалентный органический радикал, который не содержит гидроксильную группу в α или β положении относительно атома азота имидазольных колец.
n представляет собой целое число.
2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что R1 и R2 представляют собой атомы водорода.
3. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что R3 представляет собой атом водорода.
4. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что R4 представляет собой замещенный или незамещенный C2-C20 алкандиил.
5. Композиция по п.4, отличающаяся тем, что R4 не содержит гидроксильных групп.
6. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна добавка содержит противоион Yo-, где о представляет собой целое число.
7. Композиция по п.6, отличающаяся тем, что противоионом Yo- является хлорид, сульфат или ацетат.
8. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что среднечисловая молекулярная масса Mn полимерного соединения имидазолия, определенная с помощью гельпроникающей хроматографии, больше 500 г/моль.
9. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что полимерное соединение имидазолия содержит более 80 мас.% структурных единиц формулы L1.
10. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что добавку получают путем реакции
- α-дикарбонильного соединения R1-CO-CO-R2,
- альдегида R3-CHO,
- по меньшей мере одного аминосоединения (NH2-)mR4
- протонной кислоты (H+)oYo-,
где R1, R2, R3, R4, Y и o имеют ранее описанные значения.
11. Композиция по п.10, отличающаяся тем, что аминосоединением является алифатический или ароматический диамин, триамин, мультиамин или их смеси.
12. Композиция по любому из пп.1-11, дополнительно содержащая один или более ускоряющих агентов.
13. Композиция по любому из пп.1-11, дополнительно содержащая один или более подавляющих агентов.
14. Применение добавки, как определено в любом из пп.1-13, в электролитической ванне для осаждения содержащих металл слоев.
15. Способ осаждения металлического слоя на подложку путем:
a) контакта электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-13, с подложкой, и
b) создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что подложка содержит элементы поверхности микрометрового или субмикрометрового размера, и осаждение осуществляется с заполнением элементов поверхности микрометрового или субмикрометрового размера.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что элементы поверхности микрометрового или субмикрометрового размера имеют размер отверстия от 1 до 1000 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35004510P | 2010-06-01 | 2010-06-01 | |
US61/350,045 | 2010-06-01 | ||
PCT/IB2011/052385 WO2011151785A1 (en) | 2010-06-01 | 2011-05-31 | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012157535A true RU2012157535A (ru) | 2014-07-20 |
RU2603675C2 RU2603675C2 (ru) | 2016-11-27 |
Family
ID=45066252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012157535/05A RU2603675C2 (ru) | 2010-06-01 | 2011-05-31 | Композиция для нанесения металлического покрытия посредством электролитического осаждения, содержащая выравнивающий агент |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9683302B2 (ru) |
EP (1) | EP2576696B1 (ru) |
JP (1) | JP5933532B2 (ru) |
KR (3) | KR101829866B1 (ru) |
CN (1) | CN102939339B (ru) |
IL (1) | IL223183B (ru) |
MY (1) | MY164464A (ru) |
RU (1) | RU2603675C2 (ru) |
SG (2) | SG10201504251WA (ru) |
TW (1) | TWI539036B (ru) |
WO (1) | WO2011151785A1 (ru) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5981938B2 (ja) | 2010-12-21 | 2016-08-31 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | レベリング剤を含有する金属電解めっき組成物 |
US9243339B2 (en) * | 2012-05-25 | 2016-01-26 | Trevor Pearson | Additives for producing copper electrodeposits having low oxygen content |
EP3068819B1 (en) | 2013-11-06 | 2019-03-27 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Nitrogen containing polymers as levelers |
JP2017523996A (ja) * | 2014-08-06 | 2017-08-24 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | イオン性ポリマーイミダゾリウム化合物の改良された製造方法 |
US10221281B2 (en) * | 2014-08-06 | 2019-03-05 | Basf Se | Process for preparing polymeric, ionic imidazolium compounds of high molecular weight |
JP2018517793A (ja) | 2015-04-28 | 2018-07-05 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 電気めっき浴用の添加剤としてのビス無水物及びジアミンの反応生成物 |
US10006136B2 (en) * | 2015-08-06 | 2018-06-26 | Dow Global Technologies Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of imidazole compounds, bisepoxides and halobenzyl compounds |
TWI608132B (zh) | 2015-08-06 | 2017-12-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 自含有吡啶基烷基胺及雙環氧化物之反應產物的銅電鍍覆浴液電鍍覆光阻劑限定之特徵的方法 |
US9932684B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-04-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of alpha amino acids and bisepoxides |
US10100421B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-10-16 | Dow Global Technologies Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of imidazole and bisepoxide compounds |
US20170067173A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Acid copper electroplating bath and method for electroplating low internal stress and good ductility copper deposits |
CA3005231C (en) * | 2015-11-20 | 2021-02-09 | Hexion Inc. | Chemical products for surface protection |
US10100420B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-10-16 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limtied | Plating leveler for electrodeposition of copper pillar |
US10519557B2 (en) * | 2016-02-12 | 2019-12-31 | Macdermid Enthone Inc. | Leveler compositions for use in copper deposition in manufacture of microelectronics |
US10190228B2 (en) * | 2016-03-29 | 2019-01-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copper electroplating baths and electroplating methods capable of electroplating megasized photoresist defined features |
CN114420633A (zh) * | 2016-09-22 | 2022-04-29 | 麦克德米德乐思公司 | 集成电路的晶圆级封装中的铜沉积 |
WO2018073011A1 (en) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
US11926918B2 (en) | 2016-12-20 | 2024-03-12 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free filing |
CN110678583B (zh) * | 2017-06-01 | 2022-09-30 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含流平剂的锡合金电镀组合物 |
US11387108B2 (en) | 2017-09-04 | 2022-07-12 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
EP3511444B1 (en) | 2018-01-16 | 2020-07-22 | ATOTECH Deutschland GmbH | Metal or metal alloy deposition composition and plating compound |
KR102483615B1 (ko) * | 2018-01-24 | 2023-01-03 | 삼성전기주식회사 | 비스-아릴 암모늄 화합물을 포함하는 도금용 평탄제 및 이를 이용한 구리 도금 방법 |
KR102662397B1 (ko) * | 2018-10-23 | 2024-05-02 | 솔브레인 주식회사 | 전기도금 조성물 및 전기도금 방법 |
KR20220069012A (ko) | 2019-09-27 | 2022-05-26 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
WO2021058334A1 (en) | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Basf Se | Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent |
CN110938847B (zh) * | 2019-10-30 | 2021-11-12 | 苏州清飙科技有限公司 | 电镀铜整平剂及其制备方法、以及电镀液 |
EP4127025A1 (en) | 2020-04-03 | 2023-02-08 | Basf Se | Composition for copper bump electrodeposition comprising a polyaminoamide type leveling agent |
EP3922662A1 (en) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Basf Se | Polyalkanolamine |
WO2022012932A1 (en) | 2020-07-13 | 2022-01-20 | Basf Se | Composition for copper electroplating on a cobalt seed |
KR102339868B1 (ko) * | 2021-07-30 | 2021-12-16 | 와이엠티 주식회사 | 레벨링제 및 이를 포함하는 비아홀 충진을 위한 전기도금 조성물 |
CN118043502A (zh) | 2021-10-01 | 2024-05-14 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于铜电沉积的包含聚氨基酰胺型流平剂的组合物 |
WO2024008562A1 (en) | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Basf Se | Use of a composition comprising a polyaminoamide type compound for copper nanotwin electrodeposition |
WO2024132828A1 (en) | 2022-12-19 | 2024-06-27 | Basf Se | A composition for copper nanotwin electrodeposition |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3108006A (en) * | 1959-07-13 | 1963-10-22 | M & T Chemicals Inc | Plating on aluminum |
JPS55122892A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Plating bath for tin, tin-lead alloy |
US5077414A (en) * | 1990-03-29 | 1991-12-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Preparation of 1,3-disubstituted imidazolium salts |
JPH04202305A (ja) | 1990-11-29 | 1992-07-23 | Sanyo Chem Ind Ltd | 4級塩変性スチレン系樹脂 |
JPH0754188A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-28 | Nippon Steel Corp | アルミ−クロム合金めっき鋼板の製造法 |
US5607570A (en) * | 1994-10-31 | 1997-03-04 | Rohbani; Elias | Electroplating solution |
JP3655388B2 (ja) * | 1996-04-08 | 2005-06-02 | ディップソール株式会社 | 錫めっき及び錫−鉛合金めっき用非酸性浴、及び該めっき浴を用いためっき方法 |
US6024857A (en) | 1997-10-08 | 2000-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating additive for filling sub-micron features |
FR2773991B1 (fr) | 1998-01-26 | 2000-05-26 | Oreal | Utilisation a titre d'agent protecteur des fibres keratiniques de polymeres de polyammonium quaternaire heterocyclique et compositions cosmetiques |
JP2001073182A (ja) | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
US20050006245A1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-13 | Applied Materials, Inc. | Multiple-step electrodeposition process for direct copper plating on barrier metals |
WO2001096632A2 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Applied Materials, Inc. | A method and apparatus for conditioning electrochemical baths in plating technology |
US6610192B1 (en) | 2000-11-02 | 2003-08-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating |
US8002962B2 (en) | 2002-03-05 | 2011-08-23 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
US7316772B2 (en) * | 2002-03-05 | 2008-01-08 | Enthone Inc. | Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications |
US20030201191A1 (en) * | 2002-04-29 | 2003-10-30 | Applied Materials, Inc. | Electrochemical method for direct organic additives analysis in copper baths |
JP2004217565A (ja) | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Shikoku Chem Corp | 殺菌剤及び活性汚泥のバルキングならびにスカム解消方法 |
US7128822B2 (en) | 2003-06-04 | 2006-10-31 | Shipley Company, L.L.C. | Leveler compounds |
DE10333239A1 (de) * | 2003-07-21 | 2005-03-10 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von gereinigten 1,3- substituierten Imidazoliumsalzen |
TW200613586A (en) | 2004-07-22 | 2006-05-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Leveler compounds |
JP4973829B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2012-07-11 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
JP4202305B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2008-12-24 | ファナック株式会社 | 3次元レーザ加工機 |
US7771579B2 (en) | 2004-12-03 | 2010-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Electro chemical plating additives for improving stress and leveling effect |
US7662981B2 (en) | 2005-07-16 | 2010-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Leveler compounds |
KR101223386B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2013-01-16 | 에스케이종합화학 주식회사 | 이미다졸린계 부식억제제 조성물 |
RU2334831C2 (ru) * | 2006-10-31 | 2008-09-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств" | Электролит меднения |
JP2008195990A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Dipsol Chem Co Ltd | 電気アルミニウムめっき浴及びそれを用いためっき方法 |
US9096540B2 (en) * | 2007-12-12 | 2015-08-04 | Basf Se | Method for the production of disubstituted imidazolium salts |
EP2093278A1 (de) * | 2008-02-05 | 2009-08-26 | Evonik Goldschmidt GmbH | Performance-Additive zur Verbesserung der Benetzungseigenschaften von ionischen Flüssigkeiten auf festen Oberflächen |
EP2199315B1 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-11 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
ES2702453T3 (es) | 2008-12-22 | 2019-03-01 | Basf Se | Procedimiento para la preparación de compuestos iónicos poliméricos de imidazolio |
-
2011
- 2011-05-31 CN CN201180027324.9A patent/CN102939339B/zh active Active
- 2011-05-31 KR KR1020137000075A patent/KR101829866B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-31 KR KR1020187004069A patent/KR101891473B1/ko active Application Filing
- 2011-05-31 KR KR1020187023375A patent/KR101955869B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-31 MY MYPI2012005096A patent/MY164464A/en unknown
- 2011-05-31 JP JP2013513029A patent/JP5933532B2/ja active Active
- 2011-05-31 SG SG10201504251WA patent/SG10201504251WA/en unknown
- 2011-05-31 US US13/701,217 patent/US9683302B2/en active Active
- 2011-05-31 SG SG2012086377A patent/SG185736A1/en unknown
- 2011-05-31 TW TW100119130A patent/TWI539036B/zh active
- 2011-05-31 EP EP11789339.6A patent/EP2576696B1/en active Active
- 2011-05-31 WO PCT/IB2011/052385 patent/WO2011151785A1/en active Application Filing
- 2011-05-31 RU RU2012157535/05A patent/RU2603675C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-11-22 IL IL223183A patent/IL223183B/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102939339A (zh) | 2013-02-20 |
EP2576696A1 (en) | 2013-04-10 |
RU2603675C2 (ru) | 2016-11-27 |
JP2013527325A (ja) | 2013-06-27 |
EP2576696B1 (en) | 2017-10-04 |
KR20180094140A (ko) | 2018-08-22 |
IL223183A0 (en) | 2013-02-03 |
US20130068626A1 (en) | 2013-03-21 |
KR20130112018A (ko) | 2013-10-11 |
SG185736A1 (en) | 2012-12-28 |
KR101829866B1 (ko) | 2018-02-20 |
EP2576696A4 (en) | 2014-07-16 |
TWI539036B (zh) | 2016-06-21 |
KR101891473B1 (ko) | 2018-08-27 |
CN102939339B (zh) | 2016-02-17 |
WO2011151785A1 (en) | 2011-12-08 |
US9683302B2 (en) | 2017-06-20 |
TW201211321A (en) | 2012-03-16 |
MY164464A (en) | 2017-12-15 |
SG10201504251WA (en) | 2015-07-30 |
IL223183B (en) | 2018-03-29 |
JP5933532B2 (ja) | 2016-06-15 |
KR101955869B1 (ko) | 2019-03-07 |
KR20180017244A (ko) | 2018-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2012157535A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия посредством электролитического осаждения, содержащая выравнивающий агент | |
RU2013133648A (ru) | Композиция для электролитического осаждения металлов, содержащая выравнивающий агент | |
JP2013527325A5 (ru) | ||
JP2021008618A5 (ru) | ||
CN102365396B (zh) | 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物 | |
EP2922985B1 (en) | Copper plating bath composition | |
KR101203217B1 (ko) | 레벨러 화합물 | |
TWI428326B (zh) | 鍍覆浴及方法 | |
CN103547631B (zh) | 包含用于自下向上填充硅穿孔和互联件特征的添加剂的金属电镀用组合物 | |
RU2011144618A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
RU2015121797A (ru) | Композиция для электролитического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент | |
WO2007130710B1 (en) | Copper electrodeposition in microelectronics | |
RU2011144619A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
WO2004009876A1 (ja) | 特定骨格を有するアミン化合物及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 | |
JP2012524674A5 (ru) | ||
KR102661578B1 (ko) | 금속 또는 금속 합금 침착 조성물 및 도금 화합물 | |
JP2012172195A (ja) | 銅電解液 | |
KR880011027A (ko) | 아미노포스폰산을 사용한 급수 시스템내의 망간-유발된 스케일 형성 및 부식의 억제방법 | |
TWI703177B (zh) | 咪唑脲聚合物及彼等於金屬或金屬合金鍍浴組合物之用途 | |
KR870002293A (ko) | 수 전도시스템용 금속부식억제 조성물 | |
WO2007086454A1 (ja) | 含リン銅をアノードとする電解銅めっき液用添加剤、電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 | |
TWI788498B (zh) | 伸脲基添加劑、其用途及製備方法 | |
CN108441898B (zh) | 一种电镀溶液及方法 | |
US20200149176A1 (en) | Copper electroplating baths containing compounds of reaction products of amines, polyacrylamides and sultones | |
CN101437983A (zh) | 用于将铜电沉积在表面上的表面活性的条件性抑制剂 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170601 |