RU2011121157A - Схема пикселя, полупроводниковое устройство формирования изображения и система камеры - Google Patents
Схема пикселя, полупроводниковое устройство формирования изображения и система камеры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011121157A RU2011121157A RU2011121157/07A RU2011121157A RU2011121157A RU 2011121157 A RU2011121157 A RU 2011121157A RU 2011121157/07 A RU2011121157/07 A RU 2011121157/07A RU 2011121157 A RU2011121157 A RU 2011121157A RU 2011121157 A RU2011121157 A RU 2011121157A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- effect transistor
- field effect
- pixel
- electric charge
- photoelectric conversion
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract 78
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 37
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract 35
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract 35
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract 27
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/59—Control of the dynamic range by controlling the amount of charge storable in the pixel, e.g. modification of the charge conversion ratio of the floating node capacitance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
1. Схема пиксела, содержащая:осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент;схему усиления; итранзистор передачи для передачи электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, на входной узел схемы усиления,при этом транзистор передачи содержит первый, второй и третий полевые транзисторы, объединенные и соединенные последовательно между осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и одной стороной схемы усиления,первый и второй полевые транзисторы содержат электроды затворов, подлежащие одновременному совместному возбуждению, причем пороговое напряжение первого полевого транзистора установлено выше порогового напряжения второго полевого транзистора, ипри поэтапном возбуждении электродов затворов электрический заряд, генерируемый осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемый через первый полевой транзистор, накапливается в канальной области второго полевого транзистора, иэлектрический заряд, накапливаемый в канальной области, передается на вход схемы усиления через третий полевой транзистор,при этом схема усиления выполнена с возможностью возбуждения сигнальной линии так, что осуществляется считывание накопленного электрического заряда.2. Схема пиксела по п.1,в которой электрод затвора третьего полевого транзистора имеет фиксированный потенциал.3. Схема пиксела по п.1,в которой третий полевой транзистор выполнен с возможностью передачи электрического заряда от канальной области второго полевого транзистора на вход схемы усиления при приложении импульса к электроду затвора.4. Схема пикс�
Claims (17)
1. Схема пиксела, содержащая:
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент;
схему усиления; и
транзистор передачи для передачи электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, на входной узел схемы усиления,
при этом транзистор передачи содержит первый, второй и третий полевые транзисторы, объединенные и соединенные последовательно между осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и одной стороной схемы усиления,
первый и второй полевые транзисторы содержат электроды затворов, подлежащие одновременному совместному возбуждению, причем пороговое напряжение первого полевого транзистора установлено выше порогового напряжения второго полевого транзистора, и
при поэтапном возбуждении электродов затворов электрический заряд, генерируемый осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемый через первый полевой транзистор, накапливается в канальной области второго полевого транзистора, и
электрический заряд, накапливаемый в канальной области, передается на вход схемы усиления через третий полевой транзистор,
при этом схема усиления выполнена с возможностью возбуждения сигнальной линии так, что осуществляется считывание накопленного электрического заряда.
2. Схема пиксела по п.1,
в которой электрод затвора третьего полевого транзистора имеет фиксированный потенциал.
3. Схема пиксела по п.1,
в которой третий полевой транзистор выполнен с возможностью передачи электрического заряда от канальной области второго полевого транзистора на вход схемы усиления при приложении импульса к электроду затвора.
4. Схема пиксела по п.2,
в которой транзистор передачи выполнен с возможностью удержания электрического заряда, накапливаемого в канальной области второго полевого транзистора, в течение заданного промежутка времени, когда напряжение электродов затворов первого и второго полевых транзисторов поддерживаются на промежуточном уровне.
5. Схема пиксела по п.3,
в которой транзистор передачи выполнен с возможностью удержания электрического заряда, накапливаемого в канальной области второго полевого транзистора, путем совместного поддержания электродов затворов первого и второго полевых транзисторов и электрода затвора третьего полевого транзистора на заданном уровне.
6. Схема пиксела по п.1,
в которой транзистор передачи выполнен с возможностью
накопления электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, путем поддержания первого полевого транзистора в открытом состоянии и путем непосредственной передачи электрического заряда в канальную область второго полевого транзистора, и
осуществления считывания, заключающегося в передаче накапливаемого электрического заряда в схему усиления через третий полевой транзистор.
7. Схема пиксела по п.1,
в которой
транзистор передачи выполнен с возможностью накопления первого накапливаемого сигнала, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, путем передачи первого накапливаемого сигнала в канальную область второго полевого транзистора через первый полевой транзистор,
первый полевой транзистор выполнен с возможностью закрываться с началом второго накопления, осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, и второй накапливаемый сигнал генерируется в состоянии, когда электрический заряд накоплен в канальной области второго полевого транзистора,
транзистор передачи выполнен с возможностью осуществления первого считывания, при котором осуществляется передача первого накапливаемого сигнала на вход схемы усиления через третий полевой транзистор, и
транзистор передачи выполнен с возможностью осуществления второго считывания, при котором осуществляется передача второго накапливаемого сигнала на вход схемы усиления через первый, второй и третий полевые транзисторы.
8. Схема пиксела по п.1,
в которой
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент и транзистор передачи, содержащий первый, второй и третий полевые транзисторы, расположены в каждом пикселе из множества пикселов, и
схема усиления выполнена с возможностью ее совместного использования множеством пикселов.
9. Схема пиксела, содержащая:
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент;
схему усиления; и
транзистор передачи для передачи электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, на входной узел схемы усиления,
при этом транзистор передачи содержит первый и второй полевые транзисторы, объединенные и соединенные последовательно между осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и одной стороной схемы усиления,
первый и второй полевые транзисторы содержат электроды затворов, подлежащие одновременному совместному возбуждению, причем пороговое напряжение первого полевого транзистора установлено выше порогового напряжения второго полевого транзистора, и
при поэтапном возбуждении электродов затворов заданная величина электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемого через первый полевой транзистор, накапливается в канальной области второго полевого транзистора, и
электрический заряд, накапливаемый в канальной области, передается на вход схемы усиления,
при этом схема усиления выполнена с возможностью возбуждения сигнальной линии так, что осуществляется считывание накопленного электрического заряда.
10. Схема пиксела по п.9,
в которой
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент и транзистор передачи, содержащий первый и второй полевые транзисторы, расположены в каждом пикселе из множества пикселов, и
схема усиления выполнена с возможностью ее совместного использования множеством пикселов.
11. Полупроводниковое устройство формирования изображения, содержащее:
модуль пикселов, в котором расположено множество схем пикселов; и
модуль возбуждения пикселов для считывания сигнала пиксела путем возбуждения схемы пиксела в модуле пикселов,
при этом каждая схема пиксела содержит:
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент;
схему усиления; и
транзистор передачи для передачи электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, на входной узел схемы усиления,
при этом транзистор передачи содержит первый, второй и третий полевые транзисторы, объединенные и соединенные последовательно между осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и одной стороной схемы усиления,
первый и второй полевые транзисторы содержат электроды затворов, подлежащие одновременному совместному возбуждению, причем пороговое напряжение первого полевого транзистора установлено выше порогового напряжения второго полевого транзистора, и
при поэтапном возбуждении электродов затворов модулем возбуждения пикселов электрический заряд, генерируемый осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемый через первый полевой транзистор, накапливается в канальной области второго полевого транзистора, и
электрический заряд, накапливаемый в канальной области, передается на вход схемы усиления через третий полевой транзистор,
при этом схема усиления выполнена с возможностью возбуждения сигнальной линии так, что осуществляется считывание накопленного электрического заряда.
12. Полупроводниковое устройство формирования изображения по п.11,
в котором
транзистор передачи выполнен с возможностью накопления электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемого через первый полевой транзистор в канальную область второго полевого транзистора, при поэтапном возбуждении электродов затворов модулем возбуждения пикселов,
первый полевой транзистор выполнен с возможностью одновременного закрывания для всех эффективных пикселов, находящихся в состоянии, в котором электрический заряд накоплен в канальной области второго полевого транзистора,
затем электрический заряд последовательно передается на вход схемы усиления через третий полевой транзистор для каждой строки, и
схема усиления выполнена с возможностью возбуждения сигнальной линии так, что осуществляется считывание накопленного электрического заряда.
13. Полупроводниковое устройство формирования изображения по п.11,
в котором
транзистор передачи выполнен с возможностью накопления первого накапливаемого сигнала, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, путем передачи первого накапливаемого сигнала в канальную область второго полевого транзистора через первый полевой транзистор,
первый полевой транзистор выполнен с возможностью закрываться с началом второго накопления, осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, и второй накапливаемый сигнал вырабатывается в состоянии, когда электрический заряд накоплен в канальной области второго полевого транзистора,
транзистор передачи выполнен с возможностью осуществления первого считывания, при котором осуществляется передача первого накапливаемого сигнала на вход схемы усиления через третий полевой транзистор, и
транзистор передачи выполнен с возможностью осуществления второго считывания, при котором осуществляется передача второго накапливаемого сигнала на вход схемы усиления через первый, второй и третий полевые транзисторы.
14. Полупроводниковое устройство формирования изображения, содержащее:
модуль пикселов, в котором расположено множество схем пикселов; и
модуль возбуждения пикселов для считывания сигнала пиксела путем возбуждения схемы пиксела в модуле пикселов,
при этом каждая схема пиксела содержит:
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент;
схему усиления; и
транзистор передачи для передачи электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, на входной узел схемы усиления,
при этом транзистор передачи содержит первый и второй полевые транзисторы, объединенные и соединенные последовательно между осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и одной стороной схемы усиления,
первый и второй полевые транзисторы содержат электроды затворов, подлежащие одновременному совместному возбуждению, причем пороговое напряжение первого полевого транзистора установлено выше порогового напряжения второго полевого транзистора, и
при поэтапном возбуждении электродов затворов модулем возбуждения пикселов заданная величина электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемого через первый полевой транзистор, накапливается в канальной области второго полевого транзистора, и
электрический заряд, накапливаемый в канальной области, передается на вход схемы усиления,
при этом схема усиления выполнена с возможностью возбуждения сигнальной линии так, что осуществляется считывание накопленного электрического заряда.
15. Полупроводниковое устройство формирования изображения по п.11,
в котором
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент и транзистор передачи, содержащий первый и второй полевые транзисторы, расположены в каждом пикселе из множества пикселов, и
схема усиления выполнена с возможностью ее совместного использования множеством пикселов.
16. Система камеры, содержащая
полупроводниковое устройство формирования изображения;
оптическую систему для формирования изображения объекта на устройстве формирования изображения; и
схему обработки сигналов для обработки выходного сигнала изображения устройства формирования изображения,
при этом полупроводниковое устройство формирования изображения содержит:
модуль пикселов, в котором расположено множество схем пикселов; и
модуль возбуждения пикселов для считывания сигнала пиксела путем возбуждения схемы пиксела в модуле пикселов,
при этом каждая схема пиксела содержит:
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент;
схему усиления; и
транзистор передачи для передачи электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, на входной узел схемы усиления,
при этом транзистор передачи содержит первый, второй и третий полевые транзисторы, объединенные и соединенные последовательно между осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и одной стороной схемы усиления,
первый и второй полевые транзисторы содержат электроды затворов, подлежащие одновременному совместному возбуждению, причем пороговое напряжение первого полевого транзистора установлено выше порогового напряжения второго полевого транзистора, и
при поэтапном возбуждении электродов затворов модулем возбуждения пикселов электрический заряд, генерируемый осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемый через первый полевой транзистор, накапливается в канальной области второго полевого транзистора, и
электрический заряд, накапливаемый в канальной области, передается на вход схемы усиления через третий полевой транзистор,
при этом схема усиления выполнена с возможностью возбуждения сигнальной линии так, что осуществляется считывание накопленного электрического заряда.
17. Система камеры, содержащая:
полупроводниковое устройство формирования изображения;
оптическую систему для формирования изображения объекта на устройстве формирования изображения; и
схему обработки сигналов для обработки выходного сигнала изображения устройства формирования изображения,
при этом полупроводниковое устройство формирования изображения содержит:
модуль пикселов, в котором расположено множество схем пикселов; и
модуль возбуждения пикселов для считывания сигнала пиксела путем возбуждения схемы пиксела в модуле пикселов,
при этом каждая схема пиксела содержит:
осуществляющий фотоэлектрическое преобразование элемент;
схему усиления; и
транзистор передачи для передачи электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом, на входной узел схемы усиления,
при этом транзистор передачи содержит первый и второй полевые транзисторы, объединенные и соединенные последовательно между осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и одной стороной схемы усиления,
первый и второй полевые транзисторы содержат электроды затворов, подлежащие одновременному совместному возбуждению, причем пороговое напряжение первого полевого транзистора установлено выше порогового напряжения второго полевого транзистора, и
при поэтапном возбуждении электродов затворов модулем возбуждения пикселов заданная величина электрического заряда, генерируемого осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемого через первый полевой транзистор, накапливается в канальной области второго полевого транзистора, и
электрический заряд, накапливаемый в канальной области, передается на вход схемы усиления,
при этом схема усиления выполнена с возможностью возбуждения сигнальной линии так, что осуществляется считывание накопленного электрического заряда.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008312413A JP5422985B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 画素回路、固体撮像素子、およびカメラシステム |
| JP2008-312413 | 2008-12-08 | ||
| PCT/JP2009/069848 WO2010067705A1 (ja) | 2008-12-08 | 2009-11-25 | 画素回路、固体撮像素子、およびカメラシステム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011121157A true RU2011121157A (ru) | 2012-11-27 |
| RU2494565C2 RU2494565C2 (ru) | 2013-09-27 |
Family
ID=42242695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011121157/07A RU2494565C2 (ru) | 2008-12-08 | 2009-11-25 | Схема пиксела, полупроводниковое устройство формирования изображения и система камеры |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8605184B2 (ru) |
| EP (1) | EP2357797B1 (ru) |
| JP (1) | JP5422985B2 (ru) |
| KR (1) | KR101611646B1 (ru) |
| CN (1) | CN102224730B (ru) |
| BR (1) | BRPI0920930A2 (ru) |
| RU (1) | RU2494565C2 (ru) |
| TW (1) | TWI445400B (ru) |
| WO (1) | WO2010067705A1 (ru) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5258551B2 (ja) | 2008-12-26 | 2013-08-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム |
| JP5511541B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
| US9473714B2 (en) * | 2010-07-01 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state imaging device and semiconductor display device |
| JP5755111B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2015-07-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の駆動方法 |
| JP5657516B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-01-21 | 本田技研工業株式会社 | 画素駆動装置及び画素駆動方法 |
| CN102572323B (zh) * | 2011-12-28 | 2014-12-10 | 中国科学院上海高等研究院 | 图像传感器像素电路 |
| JP6327779B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2018-05-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、焦点検出装置および撮像システム |
| JP6021360B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2016-11-09 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法。 |
| US8817154B2 (en) * | 2012-08-30 | 2014-08-26 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with fixed potential output transistor |
| JP6021613B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2016-11-09 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、撮像装置、および、撮像システム |
| US9369648B2 (en) * | 2013-06-18 | 2016-06-14 | Alexander Krymski | Image sensors, methods, and pixels with tri-level biased transfer gates |
| US10134788B2 (en) * | 2013-09-17 | 2018-11-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Dual VPIN HDR image sensor pixel |
| JP6354221B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2018-07-11 | 株式会社リコー | 撮像装置及び電子機器 |
| EP2924979B1 (en) * | 2014-03-25 | 2023-01-18 | IMEC vzw | Improvements in or relating to imaging sensors |
| JP6541347B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| TWI643500B (zh) * | 2014-03-31 | 2018-12-01 | 日商新力股份有限公司 | 攝像元件、攝像方法及電子機器 |
| JP6548391B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-07-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
| JP6634017B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2020-01-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 画素回路、半導体光検出装置および放射線計数装置 |
| US10205894B2 (en) * | 2015-09-11 | 2019-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device and imaging system |
| US9521351B1 (en) | 2015-09-21 | 2016-12-13 | Rambus Inc. | Fractional-readout oversampled image sensor |
| US10141356B2 (en) * | 2015-10-15 | 2018-11-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor pixels having dual gate charge transferring transistors |
| JP6774224B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2020-10-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| CN112868223B (zh) * | 2018-10-27 | 2022-06-10 | 华为技术有限公司 | 传感器和显示设备 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576763A (en) * | 1994-11-22 | 1996-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Single-polysilicon CMOS active pixel |
| JP4366846B2 (ja) * | 2000-08-22 | 2009-11-18 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2002330345A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Canon Inc | 撮像装置 |
| US6777660B1 (en) * | 2002-02-04 | 2004-08-17 | Smal Technologies | CMOS active pixel with reset noise reduction |
| US6888122B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | High dynamic range cascaded integration pixel cell and method of operation |
| JP4403687B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動制御方法 |
| JP4418720B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び方法、並びに放射線撮像システム |
| US7443437B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate |
| US7332786B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Anti-blooming storage pixel |
| JP2005229159A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅型固体撮像装置とその駆動方法およびカメラ |
| JP4533367B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4650249B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2011-03-16 | 船井電機株式会社 | 撮像装置 |
| KR100776147B1 (ko) * | 2006-05-04 | 2007-11-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 운송 게이트를 전위 웰과 통합하여 확장된 화소의 동적범위를 갖는 이미지센서 센서 |
| JP2008004692A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Nikon Corp | 固体撮像装置 |
| JP4375364B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2009-12-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JP4847828B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2011-12-28 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| JP4967801B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2012-07-04 | ソニー株式会社 | 電源装置および電源装置の動作方法 |
| US8723094B2 (en) * | 2010-12-21 | 2014-05-13 | Sionyx, Inc. | Photodetecting imager devices having correlated double sampling and associated methods |
-
2008
- 2008-12-08 JP JP2008312413A patent/JP5422985B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-25 US US13/126,790 patent/US8605184B2/en active Active
- 2009-11-25 KR KR1020117011850A patent/KR101611646B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-11-25 CN CN200980146674.XA patent/CN102224730B/zh active Active
- 2009-11-25 BR BRPI0920930A patent/BRPI0920930A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-11-25 WO PCT/JP2009/069848 patent/WO2010067705A1/ja active Application Filing
- 2009-11-25 RU RU2011121157/07A patent/RU2494565C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-11-25 EP EP09831810.8A patent/EP2357797B1/en not_active Not-in-force
- 2009-12-03 TW TW098141410A patent/TWI445400B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010136281A (ja) | 2010-06-17 |
| RU2494565C2 (ru) | 2013-09-27 |
| KR101611646B1 (ko) | 2016-04-11 |
| WO2010067705A1 (ja) | 2010-06-17 |
| US8605184B2 (en) | 2013-12-10 |
| CN102224730A (zh) | 2011-10-19 |
| EP2357797B1 (en) | 2018-01-24 |
| EP2357797A1 (en) | 2011-08-17 |
| TWI445400B (zh) | 2014-07-11 |
| BRPI0920930A2 (pt) | 2015-12-29 |
| CN102224730B (zh) | 2014-06-25 |
| TW201027989A (en) | 2010-07-16 |
| KR20110093810A (ko) | 2011-08-18 |
| EP2357797A4 (en) | 2012-12-12 |
| US20110205416A1 (en) | 2011-08-25 |
| JP5422985B2 (ja) | 2014-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011121157A (ru) | Схема пикселя, полупроводниковое устройство формирования изображения и система камеры | |
| US11012651B2 (en) | Solid-state imaging device and electronic apparatus | |
| US8816266B2 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
| JP3018546B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US20180191983A1 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system | |
| US9426402B2 (en) | Solid-state image pickup device, image pickup device, and signal reading method | |
| US8792037B2 (en) | Solid-state imaging device and method of driving the same where three levels of potentials including a negative potential are applied in the transfer gate | |
| RU2010103236A (ru) | Твердотельное устройство съемки изображения и система камеры | |
| JP2017055322A (ja) | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法 | |
| JP4442590B2 (ja) | 固体撮像素子およびその駆動装置、撮像装置、並びに、固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP2011199816A5 (ru) | ||
| US20150103219A1 (en) | Solid-state imaging device | |
| JP2006319951A (ja) | 増幅型固体撮像装置 | |
| TW201103322A (en) | Solid-state image capturing apparatus, driving method thereof and electronic apparatus | |
| RU2009137358A (ru) | Твердотельное устройство для съемки изображения | |
| WO2016027682A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
| US20130161487A1 (en) | Solid-state image pickup device, image pickup device, and signal reading method | |
| JP2013090274A5 (ru) | ||
| US20150281610A1 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system | |
| JP2011119911A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US8300122B2 (en) | Solid-state imaging device, camera system, and signal reading method | |
| US9241119B2 (en) | Image pickup apparatus, method of driving image pickup apparatus, and image pickup system | |
| JP5448208B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| TW200631412A (en) | Driving method for solid-state pickup device and solid-state pickup device | |
| US20040252215A1 (en) | Solid state imaging device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151126 |