TWI643500B - 攝像元件、攝像方法及電子機器 - Google Patents
攝像元件、攝像方法及電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI643500B TWI643500B TW104105423A TW104105423A TWI643500B TW I643500 B TWI643500 B TW I643500B TW 104105423 A TW104105423 A TW 104105423A TW 104105423 A TW104105423 A TW 104105423A TW I643500 B TWI643500 B TW I643500B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- potential
- pixel
- signal
- signal line
- reading
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 55
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 31
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 20
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 11
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 101100191136 Arabidopsis thaliana PCMP-A2 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100041125 Arabidopsis thaliana RST1 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100443250 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG1 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100048260 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UBX2 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 5
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 5
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 5
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 101100149754 Homo sapiens SNHG12 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100038667 Putative uncharacterized protein SNHG12 Human genes 0.000 description 3
- 101100443251 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100422768 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUL2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100041128 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) rst2 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 208000003098 Ganglion Cysts Diseases 0.000 description 2
- 208000005400 Synovial Cyst Diseases 0.000 description 2
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 210000001508 eye Anatomy 0.000 description 2
- 210000002287 horizontal cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 101001018097 Homo sapiens L-selectin Proteins 0.000 description 1
- 102100033467 L-selectin Human genes 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 description 1
- 210000001328 optic nerve Anatomy 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本技術係關於可提高畫質之攝像元件、攝像方法及電子機器。
本技術之攝像元件係包含:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於像素之每行為複數條;及固定部,其將信號線之電位固定於特定電位;在自複數條信號線中之特定信號線開始讀取信號前之時點,固定部係固定複數條信號線之電位。固定部係於像素之重設動作前,固定信號線之電位。在讀取來自像素之信號前,可始終將信號線之電位設為特定之電位,而可防止因讀取開始時之電位之不均致使畫質劣化。本技術可應用於影像感測器。
Description
本技術係關於攝像元件、攝像方法及電子機器。詳細而言,係關於有助於提高畫質之攝像元件、攝像方法及電子機器。
在逐漸成為近年來主流之背面照射型之攝像元件中,可實現每像素行之垂直信號線之多條數化。隨之,來自像素部之高速信號讀取或使用垂直信號線之信號加算等之體系結構亦進化。
另一方面,在每像素行具有複數條垂直信號線之電路中,存在由垂直信號線之電壓狀態差或個體差引起畫質劣化之可能性。於專利文獻1中,提出於每像素行具有1條垂直信號線之電路中,為了抑制Sub波動雜訊而固定於中間電位,藉此抑制畫質劣化。
[專利文獻1]日本特開2005-311932號公報
在每行具有複數條垂直信號線,且存在於任意時間未被讀取之垂直信號線之像素讀取電路中,若剛讀入重設前之垂直信號線之電位於複數條垂直信號線間具有偏差,則有可能產生重設信號讀取時自垂直信號線向浮動擴散區之耦合量偏差或讀入信號之穩定時間偏差,而於讀取之信號量產生階差。
如專利文獻1,於每像素行具有1條垂直信號線之電路中,為了
抑制Sub波動雜訊而固定於中間電位之情形時,若適應於單位行具有複數條垂直信號線之像素讀取電路,則因複數條垂直信號線之阻抗不同,導致各垂直信號線之中間電壓值產生偏差,而有可能無法降低於上述讀取信號量產生階差之可能性。
本技術係鑑於此種狀況而完成者,能夠避免於讀取信號量產生階差。
本技術之一態樣之攝像元件係具備:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位;且在自上述複數條信號線中之特定信號線開始讀取信號前之時點,上述固定部係固定上述複數條信號線之電位。
上述固定部係可於上述像素之重設動作前,固定上述信號線之電位。
上述固定部係可由電位固定元件與開關構成,於上述複數條信號線之各者設置上述開關,且上述開關為主動時,藉由連接上述電位固定元件與上述複數條信號線,將上述複數條信號線之電位固定於特定電位。
上述固定部係可由電位固定元件與開關構成,於上述複數條信號線之各者設置上述開關,且於第1像素之讀取結束,第2像素之讀取開始為止之期間內,上述開關設為主動。
上述固定部係可採用包含電位固定元件之構成,且上述電位固定元件連接於上述複數條信號線之各者,在第1像素之讀取結束,第2像素之讀取開始為止之期間內,上述電位固定元件設為導通之狀態。
本技術之一態樣之攝像方法係攝像元件之攝像方法,該攝像元件具備:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,
且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位之;且該攝像方法包含如下步驟:在自上述複數條信號線中之特定信號線開始信號之讀取前之時點,上述固定部固定上述複數條信號線之電位。
本技術之一態樣之電子機器係具備:攝像元件,其具備:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位;且在自上述複數條信號線中之特定信號線開始信號之讀取前之時點,上述固定部固定上述複數條信號線之電位;及信號處理部,其係對自上述攝像元件輸出之信號進行信號處理。
於本技術之一態樣之攝像元件、攝像方法中具備:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於像素之每行為複數條;及固定部,其將信號線之電位固定於特定電位。且,在自複數條信號線中之特定信號線開始信號之讀取前之時點,藉由固定部固定複數條信號線之電位。
根據本技術之一態樣,可降低讀取之信號量產生階差之可能性。
另,此處所記述之效果並非完全受限定,亦可為本揭示中記述之任一者之效果。
10‧‧‧攝像裝置
21‧‧‧透鏡群
22‧‧‧固體攝像元件(攝像裝置)
23‧‧‧DSP電路
24‧‧‧訊框記憶體
25‧‧‧顯示部
26‧‧‧記錄部
27‧‧‧操作部
28‧‧‧電源部
29‧‧‧匯流排線
100‧‧‧CMOS影像感測器
111‧‧‧像素陣列部
112‧‧‧垂直驅動部
113‧‧‧行處理部
114‧‧‧水平驅動部
115‧‧‧系統控制部
116‧‧‧像素驅動線
117‧‧‧垂直信號線
117-1~117-2‧‧‧垂直信號線
118‧‧‧信號處理部
119‧‧‧資料儲存部
201-1~201-4‧‧‧光電二極體
202-1~202-4‧‧‧傳送電晶體
203-1~203-2‧‧‧重設電晶體
204-1~204-2‧‧‧放大電晶體
205-1~205-2‧‧‧選擇電晶體
211-1~211-2‧‧‧重設配線
212-1~212-4‧‧‧傳送配線
213-1~213-2‧‧‧選擇配線
221-1~221-2‧‧‧電晶體
222-1~222-2‧‧‧電晶體
223‧‧‧恆定電流源
224-1~224-2‧‧‧選擇配線
225‧‧‧ADC
301‧‧‧電位固定元件
302‧‧‧開關
303‧‧‧開關
304‧‧‧開關配線
400A‧‧‧膠囊型內視鏡相機
400B‧‧‧插入型內視鏡相機
410‧‧‧光學系統
420‧‧‧快門裝置
430‧‧‧信號處理電路
440‧‧‧驅動電路
450‧‧‧資料發送部
460‧‧‧驅動用電池
470‧‧‧陀螺儀電路
480‧‧‧驅動部
480a‧‧‧機械臂
490‧‧‧電纜
490A‧‧‧配線
490B‧‧‧配線
500‧‧‧視覺晶片
510‧‧‧信號處理電路
520‧‧‧刺激電極部
A~D‧‧‧像素
C1‧‧‧神經節細胞
C2‧‧‧水平細胞
C3‧‧‧視覺細胞
CTL‧‧‧機械臂控制信號
D1‧‧‧影像信號
D2‧‧‧姿勢感知信號
Dout‧‧‧影像信號
E1‧‧‧眼球
E2‧‧‧視網膜
FD‧‧‧浮動擴散區
I‧‧‧恆定電流
LSEL1~LSEL2‧‧‧選擇脈衝
RST‧‧‧重設脈衝
RST1‧‧‧重設脈衝
RST2‧‧‧重設脈衝
SEL‧‧‧選擇脈衝
SEL1‧‧‧選擇脈衝
SEL2‧‧‧選擇脈衝
SHORT‧‧‧開關脈衝
Ta‧‧‧時間
Ta'‧‧‧時間
Ta"‧‧‧時間
Tb‧‧‧時間
Tb'‧‧‧時間
Tb"‧‧‧時間
Tc‧‧‧時間
Tc'‧‧‧時間
Tc"‧‧‧時間
Td‧‧‧時間
Td'‧‧‧時間
Td"‧‧‧時間
TRF11‧‧‧傳送脈衝
TRG10‧‧‧傳送脈衝
TRG11‧‧‧傳送脈衝
TRG22‧‧‧傳送脈衝
TRG23‧‧‧傳送脈衝
Va‧‧‧電位
Va'‧‧‧電位
Vb‧‧‧電位
Vb'‧‧‧電位
Vc‧‧‧電位
Vc'‧‧‧電位
Vd‧‧‧電位
Vd'‧‧‧電位
VDD‧‧‧電源電位
圖1係顯示攝像裝置之構成之圖。
圖2係顯示固體攝像元件之構成之圖。
圖3係攝像元件之電路圖。
圖4係用以說明攝像元件之動作之時序圖。
圖5係攝像元件之其他電路圖。
圖6係攝像元件之其他電路圖。
圖7係用以說明攝像元件之動作之時序圖。
圖8係顯示對內視鏡之應用例之圖。
圖9係顯示對內視鏡之應用例之圖。
圖10係顯示對視覺晶片之應用例之圖。
以下,針對用以實施本技術之形態(以下稱為實施形態)進行說明。另,說明係根據以下順序進行。
1.關於攝像裝置之構成
2.關於攝像元件之構成
3.關於具有電位固定元件之攝像元件之構成
4.應用例
以下說明之本技術係可對數位靜態相機或攝像機等攝像裝置、或行動電話等具有攝像功能之可攜式終端裝置、於圖像讀取部使用攝像裝置之複印機等,所有於圖像取得部(光電轉換部)使用攝像元件之電子機器進行應用。
圖1係顯示本技術之電子機器、例如攝像裝置之構成之一例之方塊圖。如圖1所示,本技術之攝像裝置10具有:包含透鏡群21等之光學系統、固體攝像元件(攝像設備)22、DSP(Digital Signal Processor:數位訊號處理器)電路23、訊框記憶體24、顯示部25、記錄部26、操作部27及電源部28等。且,DSP電路23、訊框記憶體24、顯示部25、記錄部26、操作部27及電源部28經由匯流排線29彼此連接。
透鏡群21取得來自被攝物體之入射光(像光)而成像於固體攝像元件22之攝像面上。固體攝像元件22係將藉由透鏡群21成像於攝像面上之入射光之光量以像素單位轉換成電性信號而作為像素信號輸出。
DSP電路23處理來自固體攝像元件22之信號。例如,細節係予以後述,於固體攝像元件22具有用以檢測焦點之像素,且處理來自此種像素之信號,進行檢測焦點之處理。又,於固體攝像元件22具有用以構築所拍攝之被攝物體之圖像之像素,亦進行處理來自此種像素之信號,並展開於訊框記憶體24之處理。
顯示部25係包含液晶顯示裝置或有機EL(electro luminescence:電致發光)顯示裝置等之面板型顯示裝置,顯示固體攝像元件22所拍攝之動畫或靜畫。記錄部26係將固體攝像元件22所拍攝之動畫或靜畫記錄於錄影帶或DVD(Digital Versatile Disk:數位多功能光碟)等之記錄媒體。
操作部27係在使用者之操作下,針對本攝像裝置具有之各種功能發出操作指令。電源部28係將成為DSP電路23、訊框記憶體24、顯示部25、記錄部26及操作部27之動作電源之各種電源,對該等供給對象適當供給。
上述構成之攝像裝置係可用為攝像機或數位靜態相機,進而用作行動電話等適於移動機器之相機模組等之攝像裝置。
圖2係顯示固體攝像元件22之構成之圖,係顯示例如X-Y位址方式攝像裝置之一種即CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互補金屬氧化物半導體)影像感測器之構成之概略之系統構成圖。此處,所謂CMOS影像感測器係應用或部分使用CMOS製程而製作之影像感測器。
圖2之CMOS影像感測器100係採用具有形成於未圖示之半導體基板上之像素陣列部111、及與該像素陣列部111同樣積體於半導體基板上之周邊電路部之構成。周邊電路部係例如由垂直驅動部112、行處理部113、水平驅動部114及系統控制部115構成。
CMOS影像感測器100進而具備信號處理部118、及資料儲存部119。關於信號處理部118及資料儲存部119,可搭載於與CMOS影像感測器100相同之基板上,亦可配置於與CMOS影像感測器100不同之基板上。又,關於信號處理部118及資料儲存部119之各處理,亦可藉由與CMOS影像感測器100設置於不同基板之外部信號處理部、例如DSP(Digital Signal Processor:數位訊號處理器)電路或軟體進行處理。
像素陣列部111係採用將具有產生且累積與受光之光量相應之光電荷之光電轉換部之單位像素(以下,亦有簡單記述為「像素」之情形)沿列方向及行方向、即列行狀地2維配置之構成。此處,所謂之列方向係指像素列之像素之排列方向(即,水平方向),所謂之行方向係指像素行之像素之排列方向(即,垂直方向)。
於像素陣列部111中,對於列行狀之像素排列,於每像素列將像素驅動線116沿列方向配線,於每像素行將垂直信號線117沿行方向配線。像素驅動線116傳送用以進行自像素讀取信號時之驅動之驅動信號。於圖1中,關於像素驅動線116,顯示為1條配線,但並非限定於1條。像素驅動線116之一端係連接於與垂直驅動部112之各列對應之輸出端。
垂直驅動部112係由位移暫存器或位址解碼器等構成,所有像素同時地或以列單位等驅動像素陣列部111之各像素。即,垂直驅動部112構成控制該垂直驅動部112之系統控制部115,且構成驅動像素陣列部111之各像素之驅動部。該垂直驅動部112係省略關於其具體構成之圖示,一般而言,採用具有讀取掃描系統與掃出掃描系統之2個掃描系統之構成。
讀取掃描系統係為了自單位像素讀取信號,而以列單位依序選擇掃描像素陣列部111之單位像素。自單位像素讀取之信號為類比信
號。掃出掃描系統係對藉由讀取掃描系統進行讀取掃描之讀取列,較該讀取掃描提前快門速度之時間量進行掃出掃描。
藉由該掃出掃描系統之掃出掃描,而自讀取列之單位像素之光電轉換部掃出無用電荷,藉此重設該光電轉換部。且,藉由該掃出掃描系統掃出(重設)無用電荷,而進行所謂電子快門動作。此處,所謂之電子快門動作係指捨棄光電轉換部之光電荷,重新開始曝光(開始光電荷之累積)之動作。
藉由讀取掃描系統之讀取動作而讀取之信號係與其上一個之讀取動作或電子快門動作以後受光之光量對應者。且,自上一個之讀取動作之讀取時序或電子快門動作之掃出時序,至本次讀取動作之讀取時序為止之期間成為單位像素之光電荷之曝光期間。
自藉由垂直驅動部112選擇掃描之像素列之各單位像素輸出之信號係於各像素行通過垂直信號線117之各者輸入至行處理部13。行處理部113係於像素陣列部111之各像素行,對自選擇列之各像素通過垂直信號線117輸出之信號進行特定之信號處理,且暫時保持信號處理後之像素信號。
具體而言,行處理部113係作為信號處理,至少進行雜訊去除處理、例如CDS(Correlated Double Sampling;相關二重取樣)處理。藉由該行處理部113之CDS處理,而去除重設雜訊或像素內之放大電晶體之臨限值偏差等之像素特有之固定圖案雜訊。除了於行處理部113進行雜訊去除處理以外,例如,亦可使其具有AD(類比-數位)轉換功能,將類比之像素信號轉換成數位信號而輸出。
水平驅動部114係由位移暫存器或位址解碼器等構成,且依序選擇與行處理部113之像素行對應之單位電路。藉由該水平驅動部114之選擇掃描,而依序輸出行處理部113中於各單位電路進行信號處理之像素信號。
系統控制部115係由產生各種時序信號之時序產生器等構成,且基於該時序產生器所產生之各種時序,進行垂直驅動部112、行處理部113、及水平驅動部114等之驅動控制。
信號處理部118係至少具有運算處理功能,對於自行處理部113輸出之像素信號進行運算處理等多種信號處理。資料儲存部119係於信號處理部118中之信號處理時,暫時儲存該處理所必要之資料。
圖3係顯示攝像元件所具備之像素之電路之構成例之圖。於圖3中,例舉4像素,且例舉說明2像素連接於1條垂直信號線之2像素共有之情形。
於圖3中,1像素係採用除了光電轉換元件、例如光電二極體(PD)201-1之外,具有傳送電晶體202-1、重設電晶體203-1、放大電晶體204-1、及選擇電晶體205-1之4個電晶體之構成。
此處,作為傳送電晶體202-1、重設電晶體203-1、放大電晶體204-1、及選擇電晶體205-1,顯示使用NchMOS電晶體之例,亦可使用PchMOS電晶體。
光電二極體201-1其陽極為第1電源電位、例如連接於地面,將入射光光電轉換成與其光量相應之電荷量之信號電荷(光電子),且累積該信號電荷。
傳送電晶體202-1其汲極、源極、閘極分別連接於浮動擴散區FD、光電二極體201-1之陰極、傳送配線212-1,且若傳送脈衝TRF自垂直驅動部112通過傳送配線212-1施加於閘極,則成為接通(導通)狀態,而將累積於光電二極體201-1之信號電荷傳送至浮動擴散區FD。
重設電晶體203-1其汲極、源極、閘極分別連接於第2電源電位、例如電源電位VDD之電源配線(未圖示)、浮動擴散區FD、重設配線211-1,且若重設脈衝RST自垂直驅動部112通過重設配線211-1施加於
閘極,則成為接通狀態,且將浮動擴散區FD之信號電荷捨棄於電源配線,藉此重設該浮動擴散區FD。
放大電晶體204-1其汲極、閘極分別連接於電源配線、浮動擴散區FD,且輸出與該浮動擴散區FD之電位對應之信號。
選擇電晶體205-1其汲極、源極、閘極分別連接於放大電晶體204-1之源極、垂直信號線117-1、選擇配線213-1,且若選擇脈衝SEL自垂直驅動部112通過選擇配線213-1施加於閘極,則成為接通狀態,且選擇該像素,將自放大電晶體204輸出之像素之信號讀取至垂直信號線117-1。
於垂直信號線117-1,亦連接有包含光電二極體201-2之像素。此處,將包含光電二極體201-1之像素、包含光電二極體201-2之像素、包含光電二極體201-3之像素、包含光電二極體201-4之像素適當記述為像素A、像素B、像素C、像素D。
於垂直信號線117-1連接有像素A與像素B,像素A與像素B係基本上具有相同構成。像素B係採用包含光電二極體201-2與傳送電晶體202-1之構成。又,像素A與像素B係採用共有重設電晶體203-1、放大電晶體204-1、及選擇電晶體205-1之構成。
於垂直信號線117-2,連接有像素C與像素D。像素C與像素D亦基本上具有與像素A相同之構成。像素C採用包含光電二極體201-3與傳送電晶體202-3之構成。像素D係採用包含光電二極體201-4與傳送電晶體202-4之構成。
又,像素C與像素D係採用共有重設電晶體203-2、放大電晶體204-2、及選擇電晶體205-2之構成。選擇電晶體205-2係連接於垂直信號線117-2。
於垂直信號線117-1與垂直信號線117-2連接有恆定電流源223。恆定電流源223係用以於垂直信號線117-1與垂直信號線117-2分別穩
定流動恆定電流I之電路。
於垂直信號線117-1連接有電晶體221-1與電晶體222-1。自垂直信號線117-1讀取像素信號之情形時,於該等電晶體,通過選擇配線224-1供給選擇脈衝LSEL1。
同樣,於垂直信號線117-2連接有電晶體221-2與電晶體222-2。自垂直信號線117-2讀取像素信號之情形時,於該等電晶體,通過選擇配線224-2供給選擇脈衝LSEL2。
來自所選擇之垂直信號線117-1或垂直信號線117-2之像素信號係以ADC225自類比信號轉換為數位信號。
圖4係顯示圖3所示之CMOS影像感測器之驅動時序之時序圖。自圖4之上側依序,重設脈衝RST1係表示重設配線211-1之信號,傳送脈衝TRG10係表示傳送配線212-1之信號,傳送脈衝TRG11係表示傳送配線212-2之信號,選擇脈衝SEL1係表示選擇配線213-1之信號。
又,重設脈衝RST2係表示重設配線211-2之信號,傳送脈衝TRG22係表示傳送配線212-3之信號,傳送脈衝TRG23係表示傳送配線212-4之信號,選擇脈衝SEL2係表示選擇配線213-2之信號。
又,選擇脈衝LSEL1係表示選擇配線224-1之信號,選擇脈衝LSEL2係表示選擇配線224-2之信號。又,垂直信號線1係表示垂直信號線117-1之電位之信號,垂直信號線2係表示垂直信號線117-2之電位之信號。
圖4中係為了說明而使縱軸比例尺不同。關於選擇脈衝SEL、重設脈衝RST、傳送脈衝TRG、及選擇脈衝LSEL,係將“H”位準之狀態設為主動狀態。
於時間Ta中,進行來自像素A之讀取。在選擇脈衝LSEL1與選擇脈衝SEL1成為主動之同時,輸入重設脈衝RST1,藉此像素A之浮動擴散區FD藉由重設電晶體203-1而重設,該重設後之浮動擴散區FD之
電位作為重設位準藉由放大電晶體204-1放大後,藉由選擇電晶體205-1,輸出至垂直信號線117-1。
該重設位準之輸出後,輸入傳送脈衝TRF10,藉此光電二極體201-1之信號電荷(光電子)藉由傳送電晶體202-1而傳送至浮動擴散區FD,該傳送後之浮動擴散區FD之電位作為信號位準藉由放大電晶體204-1放大後,藉由選擇電晶體205-1輸出至垂直信號線117-1。該等重設位準及信號位準係依序通過垂直信號線117-1發送至行處理部113(圖2)。
若來自像素A之讀取結束,則於下一個時間即時間Tb中,進行來自像素B之讀取。選擇垂直信號線117-1之選擇脈衝LSEL1係自像素A之讀取時維持主動狀態。
選擇脈衝LSEL1為主動時,在選擇脈衝SEL1再次成為主動之同時,輸入重設脈衝RST1,藉此,像素B之浮動擴散區FD藉由重設電晶體203-1重設,該重設後之浮動擴散區FD之電位作為重設位準藉由放大電晶體204-1放大後,藉由選擇電晶體205-1,輸出至垂直信號線117-1。
於該重設位準之輸出後,輸入傳送脈衝TRF11,藉此,光電二極體201-2之信號電荷(光電子)藉由傳送電晶體202-2而傳送至浮動擴散區FD,該傳送後之浮動擴散區FD之電位作為信號位準藉由放大電晶體204-1放大後,藉由選擇電晶體205-1而輸出至垂直信號線117-1。該等重設位準及信號位準係依序通過垂直信號線117-1而發送至行處理部113(圖2)。
如此,連接於同一垂直信號線117-1之像素A與像素B係錯開時序而進行讀取。
其後,進行來自連接於垂直信號線117-2之像素C與像素D之信號之讀取。對像素C之讀取係於時間Tc中進行,對像素D之讀取係於時
間Td中進行。來自像素C與像素D之讀取係基本上與像素A及像素B之讀取同樣進行,因而省略詳細說明。
於行處理部113中,例如進行藉由獲得重設位準與信號位準之差而除去像素特有之固定圖案雜訊之CDS處理、CDS處理後之信號之保持、或放大等之多種信號處理。
此處,再度參照圖3、圖4。如圖3所示,在每行具有複數條垂直信號線且存在於任意時間未被讀取之垂直信號線之像素讀取電路中,若剛讀入重設前之垂直信號線之電位於複數條垂直信號線間具有偏差,則有可能產生重設信號之讀取時自垂直信號線向浮動擴散區FD之耦合量偏差或讀入信號之穩定時間偏差,而於讀取之信號量產生階差。
圖4之時序圖採用例如拍攝相同黑位準之圖像時獲得之圖。利用上述之產生機制,由像素A至D之各者讀取且AD轉換後之結果,存在產生差分之可能性。因本來係拍攝相同黑位準之圖像時,故自像素A至D之各者讀取之信號位準相同。
參照圖4,來自像素A之讀取開始之時點之垂直信號線117-1之電位為電位Va,來自像素B之讀取開始之時點之垂直信號線117-1之電位為電位Vb。同樣,來自像素C之讀取開始之時點之垂直信號線117-2之電位為電位Vc,來自像素D之讀取開始之時點之垂直信號線117-2之電位為電位Vd。
藉由上述理由,電位Va、電位Vb、電位Vc、電位Vd係具有分別為不同值之可能性。如此,若讀取開始之時點之電位存在偏差,則最終AD轉換後獲得之值亦存在產生偏差之可能性。因此,如上所述,即使拍攝相同黑位準之圖像,亦存在來自像素之信號位準產生偏差,而成為具有斑點之圖像之可能性。
例如,只要充分確保複數垂直信號線間之電位偏差收斂為止之
穩定時間,即有朝著改善方向之可能性。然而,若穩定時間較長,則讀取所耗費時間變長相應量,而無法進行高速讀取動作。
因此,針對一方面實現高速讀取動作,亦不產生如上所述之像素信號之偏差之攝像元件進行說明。
圖5係顯示應用本技術之攝像元件之一實施形態之構成之圖。於圖5所示之攝像元件之構成中,對與圖3所示之攝像元件相同之構成之部分標註相同符號,且省略其說明。
圖5所示之攝像元件係與圖3所示之攝像元件相同,採用如下之構成:對配置成1行之像素,於該情形時,為像素A至D,設置有複數條垂直信號線,於該情形時,為垂直信號線117-1與垂直信號線117-2。
比較圖5所示之攝像元件、與圖3所示之攝像元件。圖5所示之攝像元件係採用於圖3所示之攝像元件追加電位固定元件301與連接開關302之構成,其他構成相同。
電位固定元件301係用以施加用於將垂直信號線117-1與垂直信號線117-2之電位固定於特定值之電壓之元件。電位固定元件301之電壓係在開關302與開關303關閉時,施加於垂直信號線117-1與垂直信號線117-2。
圖5所示之開關302與開關303為NMOS開關,亦可為CMOS開關。
此處,因已例舉說明相對於配置於1行之像素A至像素D,具有垂直信號線117-1與垂直信號線117-2之2條垂直信號線之情形,故開關亦例舉說明具有開關302與開關303之2個之情形,垂直信號線為N條之情形時,採用開關亦與該等垂直信號線相應而具有N個之構成。
開關302、開關303係根據通過開關配線304供給之開關脈衝
SHORT而進行開關。開關302係與垂直信號線117-1連接,開關303係與垂直信號線117-2連接。
因此,若關閉開關302,則成為於垂直信號線117-1施加來自電位固定元件301之電壓之狀態。同樣,若關閉開關303,則成為於垂直信號線117-2施加來自電位固定元件301之電壓之狀態。如以下說明,開關302與開關303係以相同時序關閉,且以相同時序開啟。
通過開關配線304供給之開關脈衝SHORT係驅動開關302、303之脈衝,於每列之讀入重設開始前以特定時間成為主動狀態。
將開關設為主動狀態之時間係可採用直至成為上述之黑位準階差不成問題之位準為止所必要之垂直信號線之穩定時間。又,開關脈衝SHORT成為非主動之時序係可擴展至不影響讀入重設之穩定之範圍。
於關於具有此種構成之攝像元件之電路中,開關脈衝SHORT為主動之期間,藉由關閉開關302、開關303,垂直信號線117-1與垂直信號線117-2短路,成為同電位。
又,藉由位於開關302、303前之電位固定元件301,亦決定主動期間之絕對電壓值。該電位固定元件301亦可以任意電壓產生源電路構成。
又,於垂直信號線117-1、117-2,具有與由電位固定元件301與開關302、303構成之電路相同主旨之電路、例如將垂直信號線箝位之電路之情形時,亦可採用削除電位固定元件301之構成。
圖6中係顯示攝像元件之其他電路構成。如圖6所示,亦可採用不設置開關之構成。圖6所示之攝像元件之電路構成係採用自圖5所示之攝像元件之電路構成削除開關302、開關303之構成,且採用將電位固定元件301直接連接於垂直信號線117-1與垂直信號線117-2之構成。
電位固定元件301為可供給具有急劇上升之電壓之元件之情形時,換言之,只要為可將複數條垂直信號線之電位於特定時間內設為特定電位之元件,即可採用藉由控制電位固定元件301之接通、斷開而能獲得與設置有開關時相同效果之電路構成。
此處,例舉具有圖5所示之開關之構成之情形繼續說明。
圖7係顯示圖6所示之CMOS影像感測器之驅動時序之時序圖。於圖7所示之時序圖中,重設脈衝RST1、傳送脈衝TRG10、傳送脈衝TRG11、選擇脈衝SEL1、重設脈衝RST2、傳送脈衝TRG22、傳送脈衝TRG23、選擇脈衝SEL2、選擇脈衝LSEL1、及選擇脈衝LSEL2係與圖4所示之時序圖相同。
即,於圖5所示之攝像元件中,自像素A至像素D之讀取動作亦與圖3所示之攝像元件同樣進行。然而,於圖5所示之攝像元件中,在於讀取開始前(讀入重設開始前),所有垂直信號線設為相同電位之方面不同。對此方面追加說明。
於時間Ta,進行來自像素A(光電二極體201-1)之讀取,於進行該讀取前之時間Ta"中,若開關脈衝SHORT通過開關配線304施加於開關302與開關303,則成為主動狀態,垂直信號線117-1與垂直信號線117-2之電位設定為電位固定元件301所規定之電位。
於圖7所示之例中,垂直信號線117-1之電位為電位Va'。又,垂直信號線117-2之電位亦為電位Va'。如此,在開始來自像素A之讀取之時點,垂直信號線117-1之電位為電位Va'。該電位Va'與電位固定元件301之電位相同。
若來自像素A之讀取結束,則開始來自像素B之讀取,於直至來自像素B之讀取開始為止之時間Tb"之期間內,藉由執行與時間Ta"時相同之處理,而設定垂直信號線117-1之電位。
於進行來自像素A之讀取之時間Ta、與進行來自像素B之讀取之
時間Tb之間之時間即時間Tb"中,開關脈衝SHORT通過開關配線304施加於開關302與開關303,成為主動狀態。其結果,垂直信號線117-1與垂直信號線117-2之電位係設定為電位固定元件301所規定之電位。
於圖7所示之例中,垂直信號線117-1之電位為電位Vb',垂直信號線117-2之電位亦為電位Vb'。如此,在來自像素B之讀取開始之時點,垂直信號線117-1之電位為電位Vb'。該電位Vb'係與電位固定元件301之電位相同。因此,電位Va'與電位Vb'成為相同電位。
再者,同樣進行像素C與像素D之讀取。在像素C之讀取開始前之時間Tc"中,與時間Ta"或時間Tb"時相同,垂直信號線117-1與垂直信號線117-2之電位設定為電位Vc'。又,同樣於時間Td"中,垂直信號線117-1與垂直信號線117-2之電位設定為電位Vd'。
電位Vc'與電位Vd'亦與電位固定元件301之電位相同。因此,電位Vc'與電位Vd'為相同電位。
該情形時,像素A之讀取開始時之垂直信號線117-1之電位Va'、像素B之讀取開始時之垂直信號線117-1之電位Vb'、像素C之讀取開始時之垂直信號線117-2之電位Vc'、及像素D之讀取開始時之垂直信號線117-2之電位Vd'全部為相同電位。
如此,於圖5所示之攝像元件之電路中,來自特定像素之讀取開始前,必須執行使垂直信號線之電位成為特定值之初始化處理。因此,在來自特定像素之讀取開始前,垂直信號線之電位必須為特定值。
藉此,在所有像素中,讀取開始時點(讀入重設開始時點)之垂直信號線之電位可自相同電位之狀態開始讀取。即,可消除於讀取開始時,產生讀取開始時之電位因像素而異之狀況。
如此,根據本技術,可將複數條垂直信號線之讀入開始時之初
始電壓值於短時間內始終固定於特定值,從而可降低以任意垂直信號線讀入時產生之對浮動擴散區FD之耦合量、及讀入讀取所必要之穩定時間之偏差。
藉此,可消除依存於讀入動作前之垂直信號線之電位狀態而產生之畫質劣化。
又,根據本技術,可短時間內將讀入重設前之複數條垂直信號線間電壓差高精度(10mV以下)地抑制為較小。
另,於上述之實施形態中,顯示對垂直信號線117設置有開關302等之例,亦可對垂直信號線以外之線應用本技術。例如,可於欲將讀取某些信號之信號線之電位,在開始讀取之時點始終設為相同電位之情形等時,應用本技術。
以下,針對包含上述之相位差檢測像素之焦點檢測裝置之應用例進行說明。上述實施形態之固體攝像元件22係任一者皆可應用於多種領域之電子機器,除了圖1所示之攝像裝置(相機)之外,此處,作為其一例,針對內視鏡相機、視覺晶片(人工視網膜)進行說明。
圖8係表示應用例之內視鏡相機(膠囊型內視鏡相機400A)之整體構成之功能方塊圖。膠囊型內視鏡相機400A具備光學系統410、快門裝置420、固體攝像元件22、驅動電路440、信號處理電路430、資料發送部450、驅動用電池460、姿勢(方向、角度)感知用之陀螺儀電路470。
光學系統410係包含使來自被攝物體之像光(入射光)成像於固體攝像元件22之攝像面上之1個或複數個攝像透鏡者。快門裝置420係控制對固體攝像元件22之光照射期間(曝光期間)及遮光期間者。驅動電路440係進行快門裝置420之開關驅動,且驅動固體攝像元件22之曝光動作及信號讀取動作者。
信號處理電路430係對來自固體攝像元件22之輸出信號,實施特定之信號處理、例如解拼處理或白平衡調整處理等之各種修正處理者。
光學系統410係期望可進行於4維空間之複數個方位(例如全方位)之攝影,且由1個或複數個透鏡構成。但,於本例中,信號處理電路430之信號處理後之影像信號D1及自陀螺儀電路470輸出之姿勢感知信號D2係通過資料發送部450藉由無線通信而向外部之機器發送。
另,作為可應用上述實施形態之影像感測器之內視鏡相機,並未限定於如上述之膠囊型者,亦可為例如圖9所示之插入型之內視鏡相機(插入型內視鏡相機400B)。
插入型內視鏡相機400B係與上述膠囊型內視鏡相機400A之一部分之構成相同,具備光學系統410、快門裝置420、固體攝像元件22、驅動電路440、信號處理電路430及資料發送部450。但,該插入型內視鏡相機400B係進而附設有可儲存於裝置內部之機械臂480a、及驅動該機械臂480a之驅動部480。此種插入型內視鏡相機400B係連接於具有用以對驅動部480傳送機械臂控制信號CTL之配線490A、及用以傳送基於攝像圖像之影像信號Dout之配線490B之電纜490。
圖10係表示其他應用例之視覺晶片(視覺晶片500)之整體構成之功能方塊圖。視覺晶片500係嵌入人眼之眼球E1之內側之壁(具有視覺神經之視網膜E2)之一部分而使用之人工視網膜。該視覺晶片500係嵌設於例如視網膜E2之神經節細胞C1、水平細胞C2及視覺細胞C3中任一者之一部分,且具備例如固體攝像元件22、信號處理電路510、及刺激電極部520。
藉此,於固體攝像元件22中取得基於對眼之入射光之電性信號,且於信號處理電路510中處理該電性信號,藉此對刺激電極部520供給特定之控制信號。刺激電極部520係具有根據所輸入之控制信號
而對視覺神經施加刺激(電性信號)之功能者。
本技術亦可對此種裝置進行應用。
於本說明書中,所謂系統係表示由複數個裝置構成之裝置整體者。
另,本說明書所記述之效果僅為例示,並非受限定,亦可為其他效果。
另,本技術之實施形態並非限定於上述實施形態,在未脫離本技術之主旨之範圍內可進行多種變更。
另,本技術亦可採取如以下之構成。
一種攝像元件,其具備:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位;且在自上述複數條信號線中之特定信號線開始讀取信號前之時點,上述固定部係固定上述複數條信號線之電位。
如上述技術方案(1)之攝像元件,其中上述固定部係於上述像素之重設動作前,固定上述信號線之電位。
如上述技術方案(1)或(2)之攝像元件,其中上述固定部係由電位固定元件與開關構成;於上述複數條信號線之各者設置上述開關;且上述開關為主動時,藉由連接上述電位固定元件與上述複數條信號線,可將上述複數條信號線之電位固定於特定電位。
如上述技術方案(1)或(2)之攝像元件,其中上述固定部係由電位固定元件與開關構成;於上述複數條信號線之各者設置上述開關;且於第1像素之讀取結束,第2像素之讀取開始為止之期間內,上述開關設為主動。
如上述技術方案(1)或(2)之攝像元件,其中上述固定部係採用包含電位固定元件之構成;且上述電位固定元件連接於上述複數條信號線之各者;在第1像素之讀取結束,第2像素之讀取開始為止之期間內,上述電位固定元件設為導通之狀態。
一種攝像方法,其係攝像元件之攝像方法,該攝像元件具備:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位;且該攝像方法包含如下步驟:在自上述複數條信號線中之特定信號線開始信號之讀取前之時點,上述固定部固定上述複數條信號線之電位。
一種電子機器,其具備:攝像元件,該攝像元件具備:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位;且
在自上述複數條信號線中之特定信號線開始信號之讀取前之時點,上述固定部固定上述複數條信號線之電位;及信號處理部,其係對自上述攝像元件輸出之信號進行信號處理。
Claims (7)
- 一種攝像元件,其包含:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位;且在自上述複數條信號線中之特定信號線開始讀取信號前之時點,上述固定部係固定上述複數條信號線之電位。
- 如請求項1之攝像元件,其中上述固定部係於上述像素之重設動作前,固定上述信號線之電位。
- 如請求項1之攝像元件,其中上述固定部係由電位固定元件與開關構成;於上述複數條信號線之各者設置上述開關;且上述開關為主動時,藉由連接上述電位固定元件與上述複數條信號線,將上述複數條信號線之電位固定於特定電位。
- 如請求項1之攝像元件,其中上述固定部係由電位固定元件與開關構成;於上述複數條信號線之各者設置上述開關;且於第1像素之讀取結束,第2像素之讀取開始為止之期間內,上述開關設為主動。
- 如請求項1之攝像元件,其中上述固定部採用包含電位固定元件之構成;且上述電位固定元件連接於上述複數條信號線之各者;在第1像素之讀取結束,第2像素之讀取開始為止之期間內,上述電位固定元件設為導通之狀態。
- 一種攝像方法,其係攝像元件之攝像方法,該攝像元件包含:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位;該攝像方法包含如下步驟:在自上述複數條信號線中之特定信號線開始信號之讀取前之時點,上述固定部固定上述複數條信號線之電位。
- 一種電子機器,其包含:攝像元件,該攝像元件具備:信號線,其係讀取來自包含光電轉換元件之像素之信號者,且於上述像素之每行為複數條;及固定部,其將上述信號線之電位固定於特定電位;且在自上述複數條信號線中之特定信號線開始信號之讀取前之時點,上述固定部固定上述複數條信號線之電位;及信號處理部,其係對自上述攝像元件輸出之信號進行信號處理。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014071171 | 2014-03-31 | ||
JP2014-071171 | 2014-03-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201537984A TW201537984A (zh) | 2015-10-01 |
TWI643500B true TWI643500B (zh) | 2018-12-01 |
Family
ID=54240125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104105423A TWI643500B (zh) | 2014-03-31 | 2015-02-16 | 攝像元件、攝像方法及電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9930275B2 (zh) |
JP (1) | JP6528766B2 (zh) |
KR (2) | KR102378036B1 (zh) |
CN (1) | CN106105180B (zh) |
TW (1) | TWI643500B (zh) |
WO (1) | WO2015151793A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6274904B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-02-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
TWI643500B (zh) * | 2014-03-31 | 2018-12-01 | 日商新力股份有限公司 | 攝像元件、攝像方法及電子機器 |
JP6929833B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2021-09-01 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
FR3091113B1 (fr) * | 2018-12-21 | 2021-03-05 | Trixell | Détecteur matriciel à conducteurs de ligne d’impédance maitrisée |
JP7566578B2 (ja) * | 2020-10-23 | 2024-10-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の駆動方法 |
JP2023090117A (ja) * | 2021-12-17 | 2023-06-29 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005354568A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Sony Corp | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 |
JP2009077345A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
US20100079611A1 (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, imaging apparatus, and ad conversion gain adjusting method |
JP2011166394A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Sony Corp | 撮像デバイス、撮像方法および画像入力装置 |
US20110205416A1 (en) * | 2008-12-08 | 2011-08-25 | Sony Corporation | Pixel circuit, solid-state image pickup device, and camera |
US20110279724A1 (en) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and camera system |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3796412B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP4403387B2 (ja) | 2004-04-26 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
JP4828914B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP2008124866A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
JP5181840B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2013-04-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
KR101094246B1 (ko) * | 2009-03-16 | 2011-12-19 | 이재웅 | 넓은 동적범위를 갖는 씨모스 이미지 센서 |
US8817154B2 (en) * | 2012-08-30 | 2014-08-26 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with fixed potential output transistor |
JP6176990B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2017-08-09 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP6278730B2 (ja) * | 2014-02-20 | 2018-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
TWI643500B (zh) * | 2014-03-31 | 2018-12-01 | 日商新力股份有限公司 | 攝像元件、攝像方法及電子機器 |
-
2015
- 2015-02-16 TW TW104105423A patent/TWI643500B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-03-17 KR KR1020217028188A patent/KR102378036B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-17 JP JP2016511515A patent/JP6528766B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-17 CN CN201580015154.0A patent/CN106105180B/zh active Active
- 2015-03-17 WO PCT/JP2015/057839 patent/WO2015151793A1/ja active Application Filing
- 2015-03-17 US US15/127,179 patent/US9930275B2/en active Active
- 2015-03-17 KR KR1020167026162A patent/KR20160138036A/ko not_active Application Discontinuation
-
2018
- 2018-01-23 US US15/877,693 patent/US10021323B2/en active Active
- 2018-05-30 US US15/993,062 patent/US10270994B2/en active Active
-
2019
- 2019-02-28 US US16/288,927 patent/US10516839B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005354568A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Sony Corp | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 |
JP2009077345A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
US20100079611A1 (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, imaging apparatus, and ad conversion gain adjusting method |
US20110205416A1 (en) * | 2008-12-08 | 2011-08-25 | Sony Corporation | Pixel circuit, solid-state image pickup device, and camera |
JP2011166394A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Sony Corp | 撮像デバイス、撮像方法および画像入力装置 |
US20110279724A1 (en) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and camera system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10516839B2 (en) | 2019-12-24 |
US10021323B2 (en) | 2018-07-10 |
KR102378036B1 (ko) | 2022-03-24 |
KR20160138036A (ko) | 2016-12-02 |
US20170111602A1 (en) | 2017-04-20 |
US10270994B2 (en) | 2019-04-23 |
US20190199949A1 (en) | 2019-06-27 |
JP6528766B2 (ja) | 2019-06-12 |
JPWO2015151793A1 (ja) | 2017-04-13 |
US9930275B2 (en) | 2018-03-27 |
CN106105180A (zh) | 2016-11-09 |
WO2015151793A1 (ja) | 2015-10-08 |
KR20210113416A (ko) | 2021-09-15 |
US20180278870A1 (en) | 2018-09-27 |
CN106105180B (zh) | 2019-09-13 |
TW201537984A (zh) | 2015-10-01 |
US20180152654A1 (en) | 2018-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI643500B (zh) | 攝像元件、攝像方法及電子機器 | |
JP6607187B2 (ja) | 信号処理装置、制御方法、撮像素子、並びに、電子機器 | |
US20170118433A1 (en) | Solid-state image sensing device and electronic device | |
US11159757B2 (en) | Image sensor and image capturing apparatus | |
JP7243805B2 (ja) | 撮像素子、及び撮像装置 | |
JP2018501708A (ja) | 撮像装置、駆動方法、電子機器 | |
US20200260041A1 (en) | Image capturing apparatus | |
CN106817534B (zh) | 控制陀螺仪传感器的图像传感器及包括其的移动装置 | |
JP6153676B1 (ja) | 撮像素子および内視鏡 | |
US20110037882A1 (en) | Solid-state imaging device, method of driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
US9094626B2 (en) | Solid-state imaging device, method for controlling solid-state imaging device, and imaging device | |
US8300122B2 (en) | Solid-state imaging device, camera system, and signal reading method | |
US9036066B2 (en) | Solid-state image pickup device, method of controlling solid-state image pickup device, and image pickup device | |
WO2015186509A1 (ja) | 信号処理装置、制御方法、撮像素子、並びに、電子機器 | |
JP5222029B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法 | |
JP6676317B2 (ja) | 撮像装置、および、撮像システム | |
JP2014013852A (ja) | リニアセンサ、撮像素子、および電子機器 | |
JP2016103701A (ja) | 撮像素子及びその制御方法 | |
US12108179B2 (en) | Photoelectric conversion device and imaging system | |
JP6128776B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |