JP4533367B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4533367B2
JP4533367B2 JP2006307759A JP2006307759A JP4533367B2 JP 4533367 B2 JP4533367 B2 JP 4533367B2 JP 2006307759 A JP2006307759 A JP 2006307759A JP 2006307759 A JP2006307759 A JP 2006307759A JP 4533367 B2 JP4533367 B2 JP 4533367B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixels
capacitance
addition mode
solid
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006307759A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007166600A (ja
JP2007166600A5 (ja
Inventor
智之 野田
秀和 高橋
文洋 乾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2006307759A priority Critical patent/JP4533367B2/ja
Priority to KR1020060112522A priority patent/KR100842513B1/ko
Priority to RU2006140751/09A priority patent/RU2337502C2/ru
Publication of JP2007166600A publication Critical patent/JP2007166600A/ja
Publication of JP2007166600A5 publication Critical patent/JP2007166600A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4533367B2 publication Critical patent/JP4533367B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本発明は、スキャナ、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等に用いられる固体撮像装置に関するものである。
近年では、デジタルカメラ、ビデオカメラ、イメージリーダ等の画像入力装置がある。画像入力装置には、CCDイメージセンサや、バイポーラトランジスタ型イメージセンサ、電界効果トランジスタ型イメージセンサやCMOSイメージセンサ等の非CCD型のイメージセンサと呼ばれる固体撮像装置が設けられる。固体撮像装置は光学的画像情報を電気信号に変換する。この変換された電気信号は、各種の信号処理が施され、表示器に表示されたり、記憶媒体に記録されたりする。
現在の増幅型MOSセンサを用いた固体撮像装置は、行方向の画素信号を順序よく読み出すプログレッシブ走査が一般的である。NTSC方式やPAL方式のような現行テレビ方式に対応させるために、撮像装置内で垂直方向の画素信号を加算する手段が提案されている。また、高解像度の固体撮像装置では、電子ビューファインダーやモニター用の小画面などに比較的低い解像度の画像信号を高速に読み出すために、固体撮像装置内で垂直方向及び水平方向の画素信号を加算する手段が提案されている。
加算する手段を設けているCMOSセンサ回路が、日本国公開特許公報である特開2003−018469号公報に開示されている。
特開2003−018469号公報
しかしながら、上記の固体撮像装置では加算する画素数が多くなるとメモリにたまる電荷が大きくなり、出力電圧も大きくなってしまう。そのため出力レンジが非加算時と加算時とで異なるという問題が生じていた。
そこで本発明は、複数の画素の信号を加算する場合でも非加算時と同じ出力レンジを保ち、加算時と非加算で同じダイナミックレンジを有する固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の固体撮像装置は、各々が光電変換素子を有する複数の画素と、前記複数の画素が共通に接続されるとともに、前記画素から出力される電気信号が伝達される信号線と、入力端子が第一の容量素子を介して前記信号線と接続される増幅器と、前記増幅器の前記入力端子と出力端子とを接続する第二の容量素子と、を有し、前記複数の画素から出力される前記電気信号を加算するモードと、前記複数の画素から出力される前記電気信号を加算しない非加算モードと、を実行し、前記加算モードにおける前記第一の容量素子の容量値の前記第二の容量素子の容量値に対する比が、前記非加算モードにおける前記第一の容量素子の容量値の前記第二の容量素子の容量値に対する比よりも小さく、前記第一および第二の容量素子は、それぞれ複数の容量を含んで成ることを特徴とする。
複数の画素の信号を加算する場合でも非加算時と同じダイナミックレンジを実現することができる。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態による固体撮像装置を以下に示す。本実施形態では垂直2画素加算の場合を述べる。
図1は、第1の実施形態の固体撮像装置の等価回路図であり、2次元的に画素を配列したうちのある2×1画素にかかわる部分を図示している。単位画素は、光電変換素子であるフォトダイオード101と、フォトダイオード101で光電変換により発生した電荷による信号を増幅する増幅MOSFET105と、フォトダイオード101で発生した電荷を増幅MOSFET105のゲート電極に転送するスイッチ102と、を有する。更に、単位画素は、増幅MOSFET105のゲート電極を所定電圧にリセットするリセットスイッチ103、および増幅MOSFET105のソース電極と信号線である垂直出力線106との導通を制御する行選択スイッチ104を有する。垂直走査回路119により行が選択される。
107a、107bはクランプ容量であり、本実施形態では垂直出力線106につき同じ容量C0のものを2個備える。108はクランプ容量切り替えスイッチである。109は演算増幅器、110a〜110bは帰還容量Cf、111a〜111bは帰還容量切り替え兼加算用スイッチである。クランプ容量107a、107b及びスイッチ108は、第1の容量素子であるクランプ容量素子を構成する。クランプ容量素子を構成する各クランプ容量の各々は、第1の電極が垂直出力線106に接続され、第2の電極が増幅器109の反転入力端子に接続される。2個の帰還容量110a、110b及び2個のスイッチ111a、111bの対は、第2の容量素子である帰還容量素子を構成する。帰還容量素子は、増幅器109の反転入力端子及び出力端子間に接続される。108、111a、111bを切り替えることでクランプ容量素子と帰還容量素子の比を変化させることができ、増幅器109のゲインを変えることができる。増幅器109のゲインGはG=c0/cF(cF:帰還容量素子の容量値 c0:クランプ容量素子の容量値)で表される。112はクランプスイッチである。
114はサンプルホールド容量、113はSH転送用スイッチで、スイッチ113をオンすることにより、増幅器109で増幅された信号を容量114で保持する。115は水平転送スイッチであり、水平走査回路116により選択された列のスイッチ115がオンすることで画素信号が水平出力線117に転送され、ユニティ・ゲインの出力アンプ118を介して外部に出力される。
非加算モード時と加算モード時の読み出し方を次に説明する。クランプ容量107a及び107bの容量値はともにC0、帰還容量110a及び110bの容量値はともにCfとする。
非加算モード時のタイミングを図2に示す。非加算モード時はクランプ容量107a、107bの2個を使用する。読み出し動作に先立って、所定の露光時間が経過し、各フォトダイオード101には光電荷が蓄積されているものとする。また信号pvadd1、pvadd2、pgainは非加算モードでの動作中は常時ハイレベルであり、増幅器109のゲインはC0/Cfに設定されている。信号pgainがハイレベルであるので、スイッチ108がオンし、2個のクランプ容量107a及び107bが並列に接続される。このときのクランプ容量素子の容量値は、2×C0である。また、信号pvadd1、pvadd2がハイレベルであるので、2個の帰還容量110a及び110bが並列に接続される。このときの帰還容量素子の容量値は、2×Cfである。増幅器109のゲインをC0/Cfにする手法は上記に限られない。第1の容量素子であるクランプ容量素子の容量値と第2の容量素子である帰還容量素子の容量値を等しくすればよく、例えば、pgainを常時ローレベルにし、pvadd1とpvadd2のうち一方を常時ローレベルに、他方を常時ハイレベルにすることでも実現できる。
まず、垂直走査回路119の信号res1のハイレベルにより、画素Pix1の増幅MOSFET105のゲートがリセットされる。次に、垂直走査回路119の信号sel1のハイレベルによって、画素Pix1の行が選択される。信号pc0rのパルスがハイレベルになり、画素Pix1のノイズがクランプされる。信号tx1のパルスがハイレベルになり、画素Pix1のフォトダイオード101の信号が転送される。これにより、画素の増幅MOSFET105に起因するノイズが除去された信号が増幅器109には入力される。信号ptsをハイレベルにすることにより、容量114に画素Pix1の信号を保持させる。この後、水平走査回路116の信号h1のハイレベルにより選択された列の信号が水平信号線117に転送され、出力アンプ118から出力される。
次に、垂直2画素加算時のタイミングを図3に示す。2画素加算時はクランプ容量107aを1つだけ使用する。読み出し動作に先立って、所定の露光時間が経過し、各フォトダイオード101には光電荷が蓄積されているものとする。また信号pgainは加算モードでの動作中は常時ローレベルであるので、スイッチ108がオフし、1個のクランプ容量107aのみが接続される。このときの増幅器109のゲインは(1/2)×(C0/Cf)になる。クランプ容量素子の容量値は、C0である。このときの増幅器109のゲインは(1/2)×(C0/Cf)になる。また、信号pvadd1、pvadd2がハイレベルであるので、2個の帰還容量110a及び110bが並列に接続される。帰還容量素子の容量値は、2×Cfである。
まず、垂直走査回路119の信号res1及びres2のハイレベルにより、画素Pix1及びPix2の増幅MOSFET105のゲートがリセットされる。次に、垂直走査回路119の信号sel1のハイレベルによって、画素Pix1の行が選択される。信号pc0rのパルスがハイレベルになり、画素Pix1のノイズがクランプされる。信号tx1のパルスがハイレベルになり、画素Pix1のフォトダイオード101の信号が転送される。このとき帰還容量110a、110bには画素Pix1の信号が保持されている。次に垂直走査回路119の信号sel2のハイレベルにより、画素Pix2の行が選択される。次に、信号pvadd1、pvadd2がともにローレベルにされた状態で信号pc0rのパルスがハイレベルになり、画素Pix2のノイズがクランプされる。帰還容量110a、110bには画素Pix1の信号が保持されたままである。信号pvadd1、pvadd2がともにハイレベルになった後に信号tx2のパルスがハイレベルになり、画素Pix2のフォトダイオード101の信号が転送される。このとき帰還容量110a、110bには“Pix1の信号+Pix2の信号”が保持される。信号ptsをハイレベルにすることにより、容量114に“Pix1の信号+Pix2の信号”を転送する。この後、水平走査回路116の信号h1のハイレベルによりスイッチ115が選択されて、容量114に保持された信号が水平信号線117に転送され、出力アンプ118から出力される。
2画素加算の場合、加算モード時に増幅器109のゲインを非加算モード時の1/2にすることにより、非加算モード時でも加算モード時でも出力アンプの入力レンジを同じに保つことができ、これにより、加算モード時でも非加算モード時と同じダイナミックレンジを実現することができる。
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態による固体撮像装置を以下に示す。本実施形態では垂直3画素加算の場合を述べる。
図4は、第2の実施形態の固体撮像装置の等価回路図であり、2次元的に画素を配列したうちのある3×1画素にかかわる部分を図示している。図1と同じ符号を付したものは説明を省略する。
第2の実施形態は3画素加算なので切り替えスイッチによりクランプ容量の容量値を帰還容量の容量値の1倍と1/3倍に設定できるようになっている。
(非加算モード)時と加算時の読み出し方を次に説明する。クランプ容量107a及び107bの容量値はそれぞれ(2/3)×C0、(4/3)×C0であり、帰還容量110a及び110bの容量値はともにCfとする。
非加算モード時のタイミングは図2で示した第1の実施形態と同様の動作であり、pvadd1及びpvadd2は常時ハイレベル、pgainは常時ハイレベルのまま3行分の画素を順次読み出す。非加算モード時はクランプ容量及び帰還容量をそれぞれ2個ずつ使用するので増幅器109のゲインはC0/Cfである。増幅器109のゲインをC0/Cfにする手法は上記に限られない。第1の容量素子であるクランプ容量素子の容量値と第2の容量素子である帰還容量素子の容量値を等しくすれば実現できる。
垂直3画素加算時のタイミングを図5に示す。3画素加算時はクランプ容量107aのみを使用するので増幅器109のゲインは(1/3)×(C0/Cf)である。読み出し動作に先立って、所定の露光時間が経過し、各フォトダイオード101には光電荷が蓄積されているものとする。また信号pgainは加算モードでの動作中は常時ローレベルであり、増幅器109のゲインは(1/3)×(C0/Cf)に設定されている。信号pvadd1、pvadd2がハイレベルであるとき、2個の帰還容量110a、110bが並列に接続される。
まず、垂直走査回路119の信号res1、res2、res3のハイレベルにより、画素Pix1、Pix2、Pix3の増幅MOSFET105のゲートがリセットされる。次に、垂直走査回路119の信号sel1のハイレベルによって、画素Pix1の行が選択される。信号pc0rのパルスがハイレベルになり、画素Pix1のノイズがクランプされる。信号tx1のパルスがハイレベルになり、画素Pix1のフォトダイオード101の信号が転送される。このとき、帰還容量110a、110bには画素Pix1のフォトダイオード101の信号が保持される。次に、垂直走査回路119の信号sel2のハイレベルにより、画素Pix2の行が選択される。信号pvadd1、pvadd2がともにローレベルにされた状態で信号pc0rのパルスがハイレベルになり、画素Pix2のノイズがクランプされる。帰還容量110a、110bには、画素Pix1の信号が保持されたままである。信号pvadd1、pvadd2がともにハイレベルにされてから信号tx2のパルスをハイレベルにし、画素Pix2のフォトダイオード101の信号が転送される。このとき帰還容量110a、110bには“Pix1の信号+Pix2の信号”が保持される。次に、垂直走査回路119の信号sel3のハイレベルにより、画素Pix3の行が選択される。信号pvadd1、pvadd2がともにローレベルにされた状態で信号pc0rのパルスがハイレベルになり、画素Pix3のノイズがクランプされる。帰還容量110a、110bには“Pix1の信号+Pix2の信号”が保持されたままである。信号pvadd1、pvadd2がともにハイレベルにされてから信号tx3のパルスをハイレベルにし、画素Pix3のフォトダイオード101の信号が転送される。このとき帰還容量110a、110bには“Pix1の信号+Pix2の信号+Pix3の信号”が保持される。信号ptsをハイレベルにすることにより、容量114に“Pix1の信号+Pix2の信号+Pix3の信号”を転送する。この後、水平走査回路116の信号h1のハイレベルにより選択された列の信号が水平信号線106に転送され、出力アンプ118から出力される。
3画素加算の場合、加算モード時に増幅器109のゲインを非加算モード時の1/3にすることにより、非加算モード時でも加算モード時でも出力アンプの入力レンジを同じに保つことができ、これにより、加算モード時でも非加算モード時と同じダイナミックレンジを実現することができる。
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態による固体撮像装置を以下に示す。本実施形態では垂直2画素をフローティングディフュージョン(以下FDという)部で加算する場合を述べる。
図6は、第3の実施形態の固体撮像装置の等価回路図であり、2次元的に画素を配列したうちのある2×1画素にかかわる部分を図示している。図1と同じ番号を付したものは説明を省略する。本実施形態の画素はFD部が2画素で共通のタイプである。単位画素内は、フォトダイオード601a、601bと、フォトダイオード601a、601bで発生した電荷を検出部である増幅MOSFET605のゲートに転送するスイッチ602、603と、フォトダイオード601a、601bで発生した信号を増幅する増幅MOSFET605を有する。更に、増幅MOSFET605の入力を所定電圧にリセットするリセットスイッチ604、および増幅MOSFET605のソース電極と垂直出力線106との導通を制御する行選択スイッチ606を有する。フォトダイオード601a、601bは、光電変換を行う光電変換素子である。垂直走査回路119により行が選択される。
非加算モード時と加算モード時の読み出し方を次に説明する。クランプ容量107a及び107bの容量値はともにC0、帰還容量110a及び110bの容量値はともにCfとする。
非加算モード時のタイミングは図2で第1の実施形態と同じ動作である。非加算モード時はクランプ容量及び帰還容量をそれぞれ2個ずつ使用するので増幅器109のゲインはC0/Cfである。
垂直2画素FD部加算時のタイミングを図7に示す。2画素加算時はクランプ容量107aだけを使用するので増幅器109のゲインは(1/2)×(C0/Cf)である。読み出し動作に先立って、所定の露光時間が経過し、フォトダイオード601a及び601bには光電荷が蓄積されているものとする。また信号pgainは加算動作中は常時ローレベルであり、増幅器109のゲインは(1/2)×(C0/Cf)に設定されている。また、信号pvadd1、pvadd2がハイレベルであるので、2個の帰還容量110a及び110bが並列に接続される。
まず、垂直走査回路119の信号resのハイレベルにより、画素Pix1の増幅MOSFET105のゲートがリセットされる。次に、垂直走査回路119の信号selのハイレベルによって、フォトダイオード601a、601bの画素の行が選択される。信号pc0rのパルスがハイレベルになり、画素のノイズがクランプされる。信号tx1、tx2のスイッチが同時にオンし、フォトダイオード601a、601bに蓄積された電荷がフローティングディフュージョン部に転送される。信号ptsをハイレベルにすることにより、容量114に画素の信号を保持する。この後、水平走査回路116の信号h1のハイレベルにより選択された列の信号が水平信号線117に転送され、ユニティ・ゲインである出力アンプ118から出力される。
2画素FD部加算の場合、加算モード時に増幅器109のゲインを非加算モード時の1/2にすることにより、非加算モード時でも加算モード時でも出力アンプの入力レンジを同じに保つことができ、これにより、加算モード時でも非加算モード時と同じダイナミックレンジを実現することができる。
一般に、加算する画素の数をnとした場合、増幅器の増幅率を、加算モード時には非加算モード時の1/nに設定することになる。これにより加算モード時でも非加算モード時でも出力アンプの入力レンジを同じに保つことができ、加算モード時でも非加算モード時と同じダイナミックレンジを実現することができる。
(第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態による固体撮像装置を以下に示す。本実施形態では垂直2画素加算する場合を述べる。
図8は、第4の実施形態の固体撮像装置の等価回路図であり、2次元的に画素を配列したうちのある2×1画素にかかわる部分を図示している。図1と同じ番号を付したものは説明を省略する。901は増幅率変更可能な出力アンプである。
非加算時の動作タイミングは図2に示したものと同じである。加算時の動作タイミングは図3に示したものと同じである。
ところで、固体撮像装置中の各素子には製造上のばらつきが存在する。そのため、増幅器109のゲインを変えても、加算モードでの動作時と非加算モードでの動作時の出力振幅範囲は、実際には一致しないことがある。このような場合には、本実施例のように増幅率可変の出力アンプ901を用いることでより精度良く、出力振幅を同じに保つことができ、これにより、加算モード時でも非加算モード時と同じダイナミックレンジを実現することができる。
また、図には示されないが、固体撮像装置は複数列の画素を有し、各画素列につき増幅器109を有する。この増幅器109もそれぞればらつきを有しており、画素列ごとに出力振幅範囲が異なる場合がある。そのような場合でも、本実施例の如く増幅率可変の出力アンプ901を用いることで、画素列内の出力振幅範囲を一致させることに加えて、異なる画素列同士の出力振幅範囲も一致させることができる。
また、容量を多く設けることはチップ面積の増大につながるので、各列に設けるクランプ容量や帰還容量の数にも制限が生ずる場合がある。こうした場合においても、本実施例の如く増幅率可変の出力アンプを備えることで、増幅率可変の出力アンプのない場合に比べて出力振幅範囲を幅広く制御することができるという利点を有する。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の回路を示した図である。 第1の実施形態に係る非加算時のタイミングを示した図である。 第1の実施形態に係る加算時のタイミングを示した図である。 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の回路を示した図である。 第2の実施形態に係る加算時のタイミングを示した図である。 本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の回路を示した図である。 第3の実施形態に係る加算時のタイミングを示した図である。 本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の回路を示した図である。
符号の説明
101 フォトダイオード
102 転送スイッチ
103 リセットスイッチ
104 選択スイッチ
105 増幅MOSFET
106 垂直出力線
107a,107b クランプ容量
108 スイッチ
109 差動増幅器
110a,110b 帰還容量
111a,111b,112,113 スイッチ
114 容量
115 水平転送スイッチ
116 水平走査回路
117 水平出力線
118 出力アンプ
119 垂直走査回路

Claims (9)

  1. 各々が光電変換素子を有する複数の画素と、
    前記複数の画素が共通に接続されるとともに、前記画素から出力される電気信号が伝達される信号線と、
    入力端子が第一の容量素子を介して前記信号線と接続される増幅器と、
    前記増幅器の前記入力端子と出力端子とを接続する第二の容量素子と、を有し、
    前記複数の画素から出力される前記電気信号を加算するモードと、前記複数の画素から出力される前記電気信号を加算しない非加算モードと、を実行し、
    前記加算モードにおける前記第一の容量素子の容量値の前記第二の容量素子の容量値に対する比が、前記非加算モードにおける前記第一の容量素子の容量値の前記第二の容量素子の容量値に対する比よりも小さく、
    前記第一および第二の容量素子は、それぞれ複数の容量を含んで成ること
    を特徴とする固体撮像装置。
  2. 複数の画素と、
    前記複数の画素が共通に接続されるとともに、前記画素から出力される電気信号が伝達される信号線と、
    入力端子が第一の容量素子を介して前記信号線と接続される増幅器と、
    前記増幅器の前記入力端子と出力端子とを接続する第二の容量素子と、を有する固体撮像装置であって、
    前記複数の画素の各々は、複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子がそれぞれ共通に接続され、前記複数の光電変換素子で発生した信号を増幅する画素増幅部と、を備え、
    共通の前記画素増幅部に接続された複数の前記光電変換素子で発生した信号を加算する加算モードと、共通の前記画素増幅部に接続された複数の前記光電変換素子で発生した信号を加算しない非加算モードと、を実行し、
    前記加算モードにおける前記第一の容量素子の容量値の前記第二の容量素子の容量値に対する比が、前記非加算モードにおける前記第一の容量素子の容量値の前記第二の容量素子の容量値に対する比よりも小さく、
    前記第一および第二の容量素子は、それぞれ複数の容量を含んで成ること
    を特徴とする固体撮像装置。
  3. 前記加算モードにおいて加算に関与する前記光電変換素子の数をnとして、前記加算モードにおける前記第一の容量素子の容量値の前記第二の容量素子の容量値に対する比が、前記非加算モードにおける前記第一の容量素子の容量値の前記第二の容量素子の容量値に対する比の1/n倍とすることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第一および前記第二の容量素子が有する前記複数の容量は、1個以上のスイッチを介して互いに並列に接続されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の固体撮像装置。
  5. 複数の前記画素に係る複数の前記光電変換素子は共通の検出部に接続され、前記複数の光電変換素子で発生した電荷が前記検出部において加算されることを特徴とする請求項に記載の固体撮像装置。
  6. 複数の前記画素から出力される電気信号は、前記増幅器の前記第二の容量素子において加算されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の固体撮像装置。
  7. 前記複数の画素は行列状に配列され、
    前記増幅器は前記画素の列毎に設けられたことを特徴とする請求項1にないし6のいずれかに記載の固体撮像装置。
  8. 前記画素は、前記光電変換素子で発生した信号を増幅する画素増幅部を備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  9. 前記増幅器の出力端子の後段に、増幅率が変更可能な第2の増幅器をさらに有することを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の固体撮像装置。
JP2006307759A 2005-11-18 2006-11-14 固体撮像装置 Expired - Fee Related JP4533367B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006307759A JP4533367B2 (ja) 2005-11-18 2006-11-14 固体撮像装置
KR1020060112522A KR100842513B1 (ko) 2005-11-18 2006-11-15 고체촬상장치
RU2006140751/09A RU2337502C2 (ru) 2005-11-18 2006-11-17 Твердотельное устройство захвата изображения

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005334810 2005-11-18
JP2006307759A JP4533367B2 (ja) 2005-11-18 2006-11-14 固体撮像装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010050755A Division JP2010141928A (ja) 2005-11-18 2010-03-08 固体撮像装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007166600A JP2007166600A (ja) 2007-06-28
JP2007166600A5 JP2007166600A5 (ja) 2009-12-24
JP4533367B2 true JP4533367B2 (ja) 2010-09-01

Family

ID=38248921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006307759A Expired - Fee Related JP4533367B2 (ja) 2005-11-18 2006-11-14 固体撮像装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4533367B2 (ja)
KR (1) KR100842513B1 (ja)
RU (1) RU2337502C2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5151507B2 (ja) * 2008-01-29 2013-02-27 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の信号読み出し方法および撮像装置
JP5266884B2 (ja) * 2008-05-30 2013-08-21 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置、画素駆動方法
JP5340643B2 (ja) * 2008-06-03 2013-11-13 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP5262512B2 (ja) * 2008-09-25 2013-08-14 ソニー株式会社 撮像素子およびその制御方法並びにカメラ
JP5422985B2 (ja) * 2008-12-08 2014-02-19 ソニー株式会社 画素回路、固体撮像素子、およびカメラシステム
JP5406554B2 (ja) * 2009-02-20 2014-02-05 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5656484B2 (ja) * 2010-07-07 2015-01-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP5451547B2 (ja) * 2010-07-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置
TWI521965B (zh) * 2012-05-14 2016-02-11 Sony Corp Camera and camera methods, electronic machines and programs
JP6463002B2 (ja) * 2014-05-08 2019-01-30 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法、撮像システムの駆動方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10257389A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Toshiba Corp 増幅型固体撮像装置及びその動作方法
JP2004236305A (ja) * 2003-01-10 2004-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびカメラ
JP2005175517A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Sony Corp 半導体装置の制御方法および信号処理方法並びに半導体装置および電子機器
JP2006310933A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3916901B2 (ja) 2001-09-05 2007-05-23 独立行政法人科学技術振興機構 イメージセンシング方法及びそのためのディジタルcmosイメージセンサ
JP4315032B2 (ja) 2004-03-22 2009-08-19 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10257389A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Toshiba Corp 増幅型固体撮像装置及びその動作方法
JP2004236305A (ja) * 2003-01-10 2004-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびカメラ
JP2005175517A (ja) * 2003-12-05 2005-06-30 Sony Corp 半導体装置の制御方法および信号処理方法並びに半導体装置および電子機器
JP2006310933A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
RU2337502C2 (ru) 2008-10-27
KR100842513B1 (ko) 2008-07-01
RU2006140751A (ru) 2008-05-27
JP2007166600A (ja) 2007-06-28
KR20070053117A (ko) 2007-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010141928A (ja) 固体撮像装置
JP4533367B2 (ja) 固体撮像装置
US11375145B2 (en) Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus
JP5546257B2 (ja) 固体撮像装置
JP5965674B2 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP3734717B2 (ja) イメージセンサ
US6914227B2 (en) Image sensing apparatus capable of outputting image by converting resolution by adding and reading out a plurality of pixels, its control method, and image sensing system
JP4290066B2 (ja) 固体撮像装置および撮像システム
JP5953028B2 (ja) 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法
US20160057372A1 (en) Solid-state imaging apparatus and imaging system
US20130092820A1 (en) Solid-state imaging device and imaging device
US20130070133A1 (en) Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading method
JP2008167004A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
JP2006310933A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
JP2006217213A (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
JP4510523B2 (ja) 固体撮像装置および撮像システム
JP2003051989A (ja) 光電変換装置、固体撮像装置及びシステム
JP2005348041A (ja) 固体撮像装置および撮像システム
JP6049304B2 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP4438437B2 (ja) 固体撮像装置
JP2008042289A (ja) 光電変換装置および光電変換装置を用いた撮像システム
WO2017085848A1 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP5835963B2 (ja) 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法
JP2006135480A (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
JP4665544B2 (ja) 増幅型固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090819

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091105

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20091105

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20091124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100105

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100601

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4533367

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees