RU2010103236A - Твердотельное устройство съемки изображения и система камеры - Google Patents

Твердотельное устройство съемки изображения и система камеры Download PDF

Info

Publication number
RU2010103236A
RU2010103236A RU2010103236/09A RU2010103236A RU2010103236A RU 2010103236 A RU2010103236 A RU 2010103236A RU 2010103236/09 A RU2010103236/09 A RU 2010103236/09A RU 2010103236 A RU2010103236 A RU 2010103236A RU 2010103236 A RU2010103236 A RU 2010103236A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
solid
photoelectric conversion
image pickup
state image
pixel
Prior art date
Application number
RU2010103236/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Еиити ФУНАЦУ (JP)
Еиити ФУНАЦУ
Хироаки ЭБИХАРА (JP)
Хироаки ЭБИХАРА
Ёсихару КУДОХ (JP)
Ёсихару КУДОХ
Original Assignee
Сони Корпорейшн (JP)
Сони Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сони Корпорейшн (JP), Сони Корпорейшн filed Critical Сони Корпорейшн (JP)
Publication of RU2010103236A publication Critical patent/RU2010103236A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range
    • H04N25/59—Control of the dynamic range by controlling the amount of charge storable in the pixel, e.g. modification of the charge conversion ratio of the floating node capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range
    • H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
    • H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
    • H04N25/585—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with pixels having different sensitivities within the sensor, e.g. fast or slow pixels or pixels having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/186—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors having arrangements for blooming suppression
    • H10F39/1865—Overflow drain structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/813—Electronic components shared by multiple pixels, e.g. one amplifier shared by two pixels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

1. Твердотельное устройство съемки изображения, содержащее: ! модуль пиксела, в котором размещено множество элементов фотоэлектрического преобразования, имеющих разную чувствительность; и ! модуль считывания пиксела, выполненный с возможностью считывания и суммирования выходных сигналов из множества элементов фотоэлектрического преобразования в модуле пиксела и получения выходного сигнала так, как если бы он состоял из одного пиксела, ! в котором модуль пиксела включает в себя модуль поглощения, выполненный с возможностью поглощения перетекающего электрического заряда из элемента фотоэлектрического преобразования с высокой чувствительностью. ! 2. Твердотельное устройство съемки изображения по п.1, в котором модуль пиксела включает в себя плавающую диффузионную область, выполненную с возможностью усиления электрического заряда, передаваемого от множества элементов фотоэлектрического преобразования, и вывода усиленного электрического заряда, и ! в котором модуль поглощения включает в себя путь перетекания заряда, выполненный с возможностью разряда перетекающего электрического заряда от множества элементов фотоэлектрического преобразования в плавающую диффузионную область. ! 3. Твердотельное устройство съемки изображения по п.2, в котором во время периода экспозиции напряжение источника питания подают к плавающей диффузионной области, и перетекающий электрический заряд, который был разряжен на плавающую диффузионную область, перетекает в источник питания. ! 4. Твердотельное устройство съемки изображения по п.2 или 3, в котором модуль считывания пикселей считывает сигналы из множества элементо�

Claims (12)

1. Твердотельное устройство съемки изображения, содержащее:
модуль пиксела, в котором размещено множество элементов фотоэлектрического преобразования, имеющих разную чувствительность; и
модуль считывания пиксела, выполненный с возможностью считывания и суммирования выходных сигналов из множества элементов фотоэлектрического преобразования в модуле пиксела и получения выходного сигнала так, как если бы он состоял из одного пиксела,
в котором модуль пиксела включает в себя модуль поглощения, выполненный с возможностью поглощения перетекающего электрического заряда из элемента фотоэлектрического преобразования с высокой чувствительностью.
2. Твердотельное устройство съемки изображения по п.1, в котором модуль пиксела включает в себя плавающую диффузионную область, выполненную с возможностью усиления электрического заряда, передаваемого от множества элементов фотоэлектрического преобразования, и вывода усиленного электрического заряда, и
в котором модуль поглощения включает в себя путь перетекания заряда, выполненный с возможностью разряда перетекающего электрического заряда от множества элементов фотоэлектрического преобразования в плавающую диффузионную область.
3. Твердотельное устройство съемки изображения по п.2, в котором во время периода экспозиции напряжение источника питания подают к плавающей диффузионной области, и перетекающий электрический заряд, который был разряжен на плавающую диффузионную область, перетекает в источник питания.
4. Твердотельное устройство съемки изображения по п.2 или 3, в котором модуль считывания пикселей считывает сигналы из множества элементов фотоэлектрического преобразования в порядке убывания чувствительности.
5. Твердотельное устройство съемки изображения по п.2, в котором модуль пиксела включает в себя транзисторы передачи, причем каждый транзистор передачи выполнен с возможностью избирательной передачи электрического заряда от соответствующего одного из множества элементов фотоэлектрического преобразования в плавающую диффузионную область, и
в котором путь перетекания заряда сформирован в транзисторах передачи.
6. Твердотельное устройство съемки изображения по п.5, в котором путь перетекания заряда сформирован в более глубоком месте, чем интерфейс транзистора каждого из транзисторов передачи.
7. Твердотельное устройство съемки изображения по п.6, в котором потенциал между каждым из множества элементов фотоэлектрического преобразования и интерфейсом передачи соответствующего одного из транзисторов передачи является наибольшим в пределах пути перетекания.
8. Твердотельное устройство съемки изображения по любому одному из пп.5-7, в котором модуль считывания пиксела управляет включением/выключением пути перетекания заряда путем управления напряжением затвора транзисторов передачи.
9. Твердотельное устройство съемки изображения по п.8, в котором путь перетекания заряда открывают только в элементе фотоэлектрического преобразования, в котором генерируется перетекающий электрический заряд.
10. Твердотельное устройство съемки изображения по любому одному из п.1, в котором модуль поглощения разряжает перетекающий электрический заряд, генерируемый в каждом из множества элементов фотоэлектрического преобразования, используя спуск перетекания в качестве пути перетекания заряда.
11. Твердотельное устройство съемки изображения по п.1, в котором модуль поглощения разряжает перетекающий электрический заряд, генерируемый в каждом из множества элементов фотоэлектрического преобразования, используя транзистор перетекания и спуск перетекания в качестве пути перетекания заряда.
12. Система камеры, содержащая:
твердотельное устройство съемки изображения;
оптическую систему, выполненную с возможностью формирования изображения субъекта фотографирования на твердотельном устройстве съемки изображения; и
схему обработки сигналов, выполненную с возможностью обработки выходного сигнала изображения твердотельного устройства съемки изображения,
в котором твердотельное устройство съемки изображения включает в себя
модуль пиксела, в котором размещено множество элементов фотоэлектрического преобразования, имеющих разные значения чувствительности, и
модуль считывания пиксела, выполненный с возможностью считывания и суммирования выходных сигналов от множества элементов фотоэлектрического преобразования в модуле пиксела и для получения выходного сигнала так, как если бы он состоял из одного пиксела, и
в котором модуль пиксела включает в себя модуль поглощения, выполненный с возможностью поглощения перетекающего электрического заряда от элемента фотоэлектрического преобразования с высокой чувствительностью.
RU2010103236/09A 2009-02-09 2010-02-01 Твердотельное устройство съемки изображения и система камеры RU2010103236A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009027895A JP5584982B2 (ja) 2009-02-09 2009-02-09 固体撮像素子およびカメラシステム
JP2009-027895 2009-02-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010103236A true RU2010103236A (ru) 2011-08-10

Family

ID=42222481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010103236/09A RU2010103236A (ru) 2009-02-09 2010-02-01 Твердотельное устройство съемки изображения и система камеры

Country Status (8)

Country Link
US (3) US8520105B2 (ru)
EP (1) EP2216820A3 (ru)
JP (1) JP5584982B2 (ru)
KR (1) KR20100091109A (ru)
CN (1) CN101800861B (ru)
BR (1) BRPI1002395A2 (ru)
RU (1) RU2010103236A (ru)
TW (2) TW201407758A (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10431622B2 (en) 2015-03-23 2019-10-01 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5688540B2 (ja) * 2010-02-26 2015-03-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP5526928B2 (ja) * 2010-03-30 2014-06-18 ソニー株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP5744463B2 (ja) * 2010-10-14 2015-07-08 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP5664141B2 (ja) * 2010-11-08 2015-02-04 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
FR2971621B1 (fr) * 2011-02-10 2013-02-08 E2V Semiconductors Capteur d'image lineaire a deux lignes et a pixels partages
TWI505453B (zh) * 2011-07-12 2015-10-21 Sony Corp 固態成像裝置，用於驅動其之方法，用於製造其之方法，及電子裝置
WO2013008597A1 (ja) * 2011-07-13 2013-01-17 富士フイルム株式会社 撮像装置、撮像素子及び感度差補正方法
JP2013055500A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP5646421B2 (ja) * 2011-09-22 2014-12-24 株式会社東芝 固体撮像装置および固体撮像システム
JP5907500B2 (ja) * 2011-10-06 2016-04-26 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光電変換装置、光電変換アレイおよび撮像装置
JP2013084851A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Mitsubishi Electric Corp 光電変換回路
CN102595059B (zh) * 2012-02-27 2013-05-22 天津大学 一种多次曝光方法
CN102683368B (zh) * 2012-03-20 2015-01-14 格科微电子（上海）有限公司 Cmos图像传感器及其制造方法
JP6149369B2 (ja) 2012-09-27 2017-06-21 株式会社ニコン 撮像素子
JP6238546B2 (ja) * 2013-04-08 2017-11-29 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
US9305949B2 (en) * 2013-11-01 2016-04-05 Omnivision Technologies, Inc. Big-small pixel scheme for image sensors
JP6317622B2 (ja) * 2014-05-13 2018-04-25 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JP6670451B2 (ja) * 2014-10-01 2020-03-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、信号処理方法、及び、電子機器
US9741755B2 (en) * 2014-12-22 2017-08-22 Google Inc. Physical layout and structure of RGBZ pixel cell unit for RGBZ image sensor
CN104617120B (zh) * 2015-02-15 2018-04-13 格科微电子（上海）有限公司 背照式图像传感器
US9595555B2 (en) * 2015-05-04 2017-03-14 Semiconductor Components Industries, Llc Pixel isolation regions formed with conductive layers
JP6551882B2 (ja) * 2015-06-08 2019-07-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置および信号処理回路
US9683890B2 (en) 2015-06-30 2017-06-20 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor pixels with conductive bias grids
KR102460175B1 (ko) * 2015-08-21 2022-10-28 삼성전자주식회사 쉐어드 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서
US9761624B2 (en) 2016-02-09 2017-09-12 Semiconductor Components Industries, Llc Pixels for high performance image sensor
US10182199B2 (en) * 2016-02-22 2019-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and reproducing device
JP2017162985A (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 キヤノン株式会社 撮像装置
KR102551141B1 (ko) 2016-03-31 2023-07-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
JP2017183563A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 撮像装置、駆動方法、および、電子機器
US9998696B2 (en) * 2016-07-21 2018-06-12 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor floating diffusion boosting by transfer gates
JP6914721B2 (ja) * 2017-05-10 2021-08-04 キヤノン株式会社 判別装置及び画像形成装置
KR102354991B1 (ko) 2017-05-24 2022-01-24 삼성전자주식회사 픽셀 회로 및 이를 포함하는 이미지 센서
TWI633787B (zh) * 2017-07-11 2018-08-21 恆景科技股份有限公司 影像感測器及其操作方法
JP6987562B2 (ja) * 2017-07-28 2022-01-05 キヤノン株式会社 固体撮像素子
JP7043284B2 (ja) * 2018-02-15 2022-03-29 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム、および移動体
KR102446297B1 (ko) 2018-05-02 2022-09-23 에스케이하이닉스 주식회사 엑스트라 트랜스퍼 트랜지스터 및 엑스트라 플로팅 디퓨전 영역을 포함하는 이미지 센서
WO2019229835A1 (ja) * 2018-05-29 2019-12-05 オリンパス株式会社 固体撮像装置および撮像システム
DE102018122798B4 (de) 2018-05-31 2021-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Halbleiter-Bildgebungsvorrichtung mit verbesserter Dunkelstromleistungsfähigkeit
US10797091B2 (en) * 2018-05-31 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor imaging device having improved dark current performance
KR102660132B1 (ko) * 2018-12-11 2024-04-25 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 고체 촬상 장치 및 전자 기기
CN109904183B (zh) * 2019-02-25 2021-08-31 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5751354A (en) * 1994-04-28 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus and method with exposure performed based on focus evaluation values
JP3471928B2 (ja) * 1994-10-07 2003-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置の駆動方法
US5903021A (en) * 1997-01-17 1999-05-11 Eastman Kodak Company Partially pinned photodiode for solid state image sensors
JP3915161B2 (ja) * 1997-03-04 2007-05-16 ソニー株式会社 ブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法とその固体撮像素子
US6107655A (en) * 1997-08-15 2000-08-22 Eastman Kodak Company Active pixel image sensor with shared amplifier read-out
JP3141940B2 (ja) * 1998-05-08 2001-03-07 日本電気株式会社 カラーリニアイメージセンサ
US6727521B2 (en) * 2000-09-25 2004-04-27 Foveon, Inc. Vertical color filter detector group and array
US6307195B1 (en) * 1999-10-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Variable collection of blooming charge to extend dynamic range
JP3724374B2 (ja) 2001-01-15 2005-12-07 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
CN1275454C (zh) * 2001-06-18 2006-09-13 卡西欧计算机株式会社 光电传感器系统和其驱动控制方法
US6777661B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Eastman Kodak Company Interlined charge-coupled device having an extended dynamic range
JP2003298038A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Canon Inc 光電変換素子及びそれを用いた固体撮像装置
US6586789B1 (en) * 2002-10-07 2003-07-01 Lixin Zhao Pixel image sensor
JP3988189B2 (ja) * 2002-11-20 2007-10-10 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2004363193A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Fuji Photo Film Co Ltd Ｃｍｏｓ型固体撮像素子
US7105793B2 (en) * 2003-07-02 2006-09-12 Micron Technology, Inc. CMOS pixels for ALC and CDS and methods of forming the same
JP2005167598A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、固体撮像装置を駆動する駆動装置、駆動方法、及び、固体撮像システム
JP4391843B2 (ja) * 2004-02-06 2009-12-24 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP2006032681A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Sony Corp 半導体装置および物理情報取得装置並びに半導体装置の駆動方法
JP4492250B2 (ja) * 2004-08-11 2010-06-30 ソニー株式会社 固体撮像素子
US7492404B2 (en) * 2004-08-27 2009-02-17 Eastman Kodak Company Fast flush structure for solid-state image sensors
JP4069918B2 (ja) * 2004-09-27 2008-04-02 セイコーエプソン株式会社 固体撮像装置
JP4306603B2 (ja) * 2004-12-20 2009-08-05 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP4416668B2 (ja) * 2005-01-14 2010-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
KR100642753B1 (ko) * 2005-02-11 2006-11-10 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP4794877B2 (ja) * 2005-03-18 2011-10-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
US7361877B2 (en) * 2005-05-27 2008-04-22 Eastman Kodak Company Pinned-photodiode pixel with global shutter
JP4313789B2 (ja) * 2005-07-29 2009-08-12 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体撮像装置およびその製造方法
US7636115B2 (en) * 2005-08-11 2009-12-22 Aptina Imaging Corporation High dynamic range imaging device using multiple pixel cells
JP2007088732A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Fujifilm Corp 固体撮像素子
US7427734B2 (en) * 2005-10-18 2008-09-23 Digital Imaging Systems Gmbh Multiple photosensor pixel
US20070272828A1 (en) 2006-05-24 2007-11-29 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing dark current reduction in an active pixel sensor
JP4293210B2 (ja) * 2006-08-18 2009-07-08 ソニー株式会社 物理量検出装置、物理量検出装置の駆動方法、固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び撮像装置
US7773138B2 (en) * 2006-09-13 2010-08-10 Tower Semiconductor Ltd. Color pattern and pixel level binning for APS image sensor using 2×2 photodiode sharing scheme
JP2008099073A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Sony Corp 固体撮像装置および撮像装置
JP5076528B2 (ja) * 2007-02-06 2012-11-21 株式会社ニコン 光電変換部の連結／分離構造、固体撮像素子及び撮像装置
KR100853195B1 (ko) * 2007-04-10 2008-08-21 삼성전자주식회사 이미지 센서
US8208054B2 (en) * 2007-04-18 2012-06-26 Rosnes Corporation Solid-state imaging device
US20080309840A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Himax Technologies Inc. Pixel element and liquid crystal display
US7825966B2 (en) * 2007-06-29 2010-11-02 Omnivision Technologies, Inc. High dynamic range sensor with blooming drain
US7964929B2 (en) * 2007-08-23 2011-06-21 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing imager pixels with shared pixel components
US8619168B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-31 Regents Of The University Of Minnesota Image sensor with high dynamic range imaging and integrated motion detection
EP2398055B1 (en) * 2008-01-10 2012-12-12 Stmicroelectronics Sa Pixel circuit for global electronic shutter
JP4693863B2 (ja) * 2008-04-30 2011-06-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
EP2133918B1 (en) * 2008-06-09 2015-01-28 Sony Corporation Solid-state imaging device, drive method thereof and electronic apparatus
JP2009303043A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその信号処理方法
JP4661912B2 (ja) * 2008-07-18 2011-03-30 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
KR101467509B1 (ko) * 2008-07-25 2014-12-01 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서 동작 방법
JP4905468B2 (ja) * 2009-01-09 2012-03-28 ソニー株式会社 固体撮像素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10431622B2 (en) 2015-03-23 2019-10-01 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus
US10784304B2 (en) 2015-03-23 2020-09-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN101800861B (zh) 2013-03-27
EP2216820A2 (en) 2010-08-11
KR20100091109A (ko) 2010-08-18
US8520105B2 (en) 2013-08-27
TW201407758A (zh) 2014-02-16
US20130308008A1 (en) 2013-11-21
CN101800861A (zh) 2010-08-11
TWI422021B (zh) 2014-01-01
EP2216820A3 (en) 2012-04-04
US20100134648A1 (en) 2010-06-03
JP5584982B2 (ja) 2014-09-10
US9525835B2 (en) 2016-12-20
US9712765B2 (en) 2017-07-18
JP2010183040A (ja) 2010-08-19
TW201106475A (en) 2011-02-16
BRPI1002395A2 (pt) 2014-02-11
US20170085815A1 (en) 2017-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010103236A (ru) Твердотельное устройство съемки изображения и система камеры
US11012651B2 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
US10186532B2 (en) Image device, image system, and control method of image device
CN101556965B (zh) 固体摄像器件、固体摄像器件的信号处理方法和电子装置
JP2006197382A5 (ru)
JP5968350B2 (ja) 撮像装置、および、撮像システム
JP2015159501A5 (ru)
CN103685999A (zh) 固态图像传感器、用于固态图像传感器的控制方法以及电子装置
JP2008263379A (ja) 光電変換装置及び撮像システム
KR102538715B1 (ko) 고체 촬상 장치, 그 구동 방법 및 전자 기기
CN103208499A (zh) 固态成像器件和电子装置
TW200644229A (en) Solid state imaging device
CN104917942B (zh) 图像捕获装置和图像捕获系统
JP2003189181A5 (ru)
US9924120B2 (en) Pixel unit and image sensor
TW200625611A (en) Solid-state image pickup device
JP2015185855A (ja) 固体撮像装置
TWI251417B (en) Solid state imaging device
WO2004075540A1 (ja) Ｃｍｏｓ固体撮像装置およびその駆動方法
KR101209506B1 (ko) 이미지 센서 및 그 동작 방법
JP2017059875A (ja) 固体撮像装置、カメラモジュールおよび電子機器
JP4366201B2 (ja) 撮像装置
JP5358520B2 (ja) 固体撮像素子、撮像装置、固体撮像素子の駆動方法
JP2009141548A (ja) 基板バイアス発生回路、固体撮像装置および撮像装置
JP4645743B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法および固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20140729