CN103208499A - 固态成像器件和电子装置 - Google Patents

固态成像器件和电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103208499A
CN103208499A CN2013100020585A CN201310002058A CN103208499A CN 103208499 A CN103208499 A CN 103208499A CN 2013100020585 A CN2013100020585 A CN 2013100020585A CN 201310002058 A CN201310002058 A CN 201310002058A CN 103208499 A CN103208499 A CN 103208499A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
focus detection
photomask
imaging element
phase difference
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013100020585A
Other languages
English (en)
Inventor
守谷仁
山下和芳
森裕之
石渡宏明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN103208499A publication Critical patent/CN103208499A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
    • G02B7/36—Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals
    • G02B7/365—Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals by analysis of the spatial frequency components of the image
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60—Control of cameras or camera modules
    • H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
    • H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Focusing (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

本发明提供固态成像器件和包括该固态成像器件的电子装置，所述成像器件包括：焦点检测像素，其具有遮光膜，对接收的光束执行光瞳分割和光电转换，并获取相位差检测信号，所述遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上，并在所述光接收表面的一部分中遮蔽光。所述遮光膜形成为避开用于从所述光电转换部读取信号电荷的读取栅部的栅极。根据本发明，能够在保持高的相位差检测精度的同时实现作为相位差检测方法的优点的快速AF操作。

Description

固态成像器件和电子装置
技术领域
本发明涉及固态成像器件和电子装置。
背景技术
在成像器件中，用于形成自动调整焦距(焦点)状态的自动聚焦(AF)方法(即，自动形成聚焦状态AF方法)被大致分类成对比度检测方法和相位差检测方法。相位差检测方法优于对比度检测方法在于其能够实现快速的AF操作。作为此类相位差检测方法，光瞳分割型(pupil-division-type)相位差检测方法是众所周知的。
光瞳分割型相位差检测方法是指以下方法：通过使用与成像像素分开设置的焦点检测像素来获取用于表示离焦方向和离焦量的相位差检测信号。此种光瞳分割型相位差检测方法中所使用的焦点检测像素的示例包括以下像素结构类型，该像素结构类型对来自成像透镜的出射光瞳(exit pupil)区域的光束进行光瞳分割，并在光电转换部上选择性地接收光(例如，参见日本专利公开第2009-99817号)。
在上述现有技术的焦点检测像素的像素结构中，为了增大相位差检测精度，即为了精确地对来自成像透镜的出射光瞳区域的光束进行光瞳分割，在光电转换部正上方设置遮光部件。在此种像素结构中，遮光部件被形成为覆盖用于从光电转换部读取信号电荷的读取栅部(readinggate portion)的栅极。
然而，通过将遮光部件设置成覆盖栅极，会在遮光部件与栅极之间形成电容，并因此不可避免地增大了栅极的电容(即，附接至栅极的电容)。此种栅极电容对焦点检测像素的信号电荷的读取速度具有不利影响，具体地，对读取速度具有延迟影响。因此，相位差检测速度受到延迟，并因此可削弱作为相位差检测方法的优点的快速AF操作。
发明内容
因此，在本发明的实施例中，期望提供一种在光瞳分割型相位差检测方法中进行相位差检测时能够在保持高的相位差检测精度的同时实现快速AF操作的固态成像器件，以及一种包括所述固态成像器件作为成像部(或图像捕获部)的电子装置。
鉴于上述内容，期望提供一种固态成像器件，所述成像器件包括：焦点检测像素，其具有遮光膜，对接收的光束执行光瞳分割和光电转换，并获取相位差检测信号，所述遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上，并在所述光接收表面的一部分中遮蔽光。所述遮光膜被形成为避开用于自所述光电转换部读取信号电荷的读取栅部的栅极。
本发明实施例的固态成像器件是适于在采用自动聚焦方法、尤其是光瞳分割型相位差检测方法的电子装置中用作成像部(图像捕获部)的固态成像器件，所述电子装置包括具有成像功能的移动信息终端，例如数字照相机、摄像机和移动电话器件。
由于遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上，所以能够可靠地遮蔽入射到光电转换部的入射光束的光，并因此可保持高的相位差检测精度。此时，通过将遮光膜形成为避开读取栅部的栅极，能够避免在栅极的上表面与遮光膜的上表面之间形成电容。因此，即使遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上，但由于未增大栅极电容，所以与遮光膜覆盖栅极的像素构造相比，也能够提高从光电转换部读取信号电荷的读取速度，并进一步提高相位差检测速度。
在本发明的实施例中，即使在光电转换部的光接收表面上形成遮光膜，也不会使栅极电容增大，且因此与遮光膜覆盖栅极的像素结构相比能够提高相位差检测速度。因此，能够在保持高的相位差检测精度的同时实现作为相位差检测方法的优点的快速AF操作。
附图说明
图1是简要表示本发明的CMOS图像传感器的系统构造的系统构造视图；
图2是表示单元像素的电路构造示例的电路图；
图3是表示焦点检测像素在像素阵列部中以图案化方式布置的示例的示意性平面图；
图4A和4B表示焦点检测像素的像素构造，图4A是焦点检测像素的示意性平面图，且图4B是沿图4A中的X-X线的箭头剖视图；
图5A和5B是对现有技术的遮光膜覆盖栅极的像素构造A和实施例的遮光膜不覆盖栅极的像素构造B进行比较的剖视图；
图6是表示由一对焦点检测像素中的遮光膜形成的遮光图案示例1的示意性平面图；
图7是表示由一对焦点检测像素中的遮光膜形成的遮光图案示例2的示意性平面图；
图8是表示针对遮光膜与栅极之间的间隙采取对策的像素构造1的示意性平面图；
图9是表示针对遮光膜与栅极之间的间隙采取对策的像素构造2的示意性平面图；以及
图10是表示本发明实施例的作为电子装置的成像器件的构造示例的方框图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图来详细说明本发明的优选实施例。应注意，在本说明书和附图中，具有实质上相同功能和结构的结构元件具有相同的附图标记，且不对这些结构元件进行重复说明。此外，将按以下顺序进行说明。
1.本发明的固态成像器件和电子装置的整体说明
2.实施例
2-1.系统构造
2-2.单元像素的电路构造
2-3.焦点检测像素的布置示例
2-4.焦点检测像素的像素构造
2-5.示例1
2-6.示例2
3.电子装置(成像器件)
4.本发明的构造
1.本发明的固态成像器件和电子装置的总体说明
本发明实施例的固态成像器件可用作电子装置的成像部(或图像捕获部)，所述电子装置例如是采用自动聚焦(AF)方法、尤其是采用光瞳分割型相位差检测方法的成像器件。采用光瞳分割型相位差检测方法的成像器件的示例包括数字照相机和摄像机。
此外，除诸如数字照相机和摄像机等成像器件之外，本发明实施例的电子装置的示例还包括诸如移动电话器件等具有成像功能的移动终端器件。此外，除诸如数字照相机和摄像机等成像器件以及诸如移动电话器件等具有成像功能的移动终端器件之外，本发明的技术还适用于采用光瞳分割型相位差检测方法并使用固态成像器件作为成像部(或图像捕获部)的所有电子装置。
为实现光瞳分割型相位差检测，本发明实施例的固态成像器件包括焦点检测像素，焦点检测像素对所接收的光束执行光瞳分割和光电转换，并从而获取相位差检测信号。此处，相位差检测信号是指用于表示离焦方向和离焦量的信号，即焦点检测信号。
为实现光瞳分割型相位差检测，优选地使用多个焦点检测像素，例如使用成对的两个焦点检测像素。通过利用从所述多个焦点检测像素(例如上述一对焦点检测像素)输出的相位差检测信号，可以检测离焦方向和离焦量。
焦点检测像素与用于采集成像信号的成像像素分开设置，优选地，期望将焦点检测像素与成像像素混合在通过以矩阵方式二维布置成像像素而形成的像素阵列部中。为了在像素阵列部中设置焦点检测像素，例如，可以将成对的两个焦点检测像素以适当的间隔设置在像素阵列部的行方向上，或者以适当的间隔设置在像素阵列部的列方向上。
此处，“行方向”是指在通过以矩阵方式二维布置成像像素而形成的像素阵列部中沿像素行的方向，即像素行中的像素的布置方向。此外，“列方向”是指沿像素列的方向，即像素列中的像素的布置方向。此外，例如，不仅可以在行方向和列方向上设置成对的两个焦点检测像素，还可以在对角线方向上设置成对的两个焦点检测像素。
在本发明实施例的固态成像器件中，焦点检测像素形成在光电转换部的光接收表面上，并包括用于对光接收表面的一部分进行遮光的遮光膜。当遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上时，可以可靠地对入射到光电转换部的入射光束进行遮光，并因此可保持高的相位差检测精度。
优选地，期望使用焦点检测像素的光接收表面侧上层叠的多个膜中的最下层膜作为遮光膜。由于遮光膜是最下层膜，所以能够更可靠地对入射到光电转换部的入射光束进行遮光。此外，遮光膜的材料的示例包括钨(W)和钛(Ti)。此处，遮光膜的材料并非仅限于这些材料，也可以使用任何材料，只要其是能够对入射光束进行光瞳分割的遮光材料即可。
本发明实施例的固态成像器件具有如下特征：遮光膜(其形成于光电转换部的光接收表面上，并对光接收表面的一部分进行遮光)被形成为避开用于从光电转换部读取信号电荷的读取栅部的栅极。因此，通过将遮光膜形成为避开读取栅部的栅极，可以避免在栅极的上表面与遮光膜的上表面之间形成电容。
因此，即使在光电转换部的光接收表面上形成遮光膜以保持高的相位差检测精度，也不会使栅极电容增大。于是，与遮光膜覆盖栅极的像素构造相比，可以提高从光电转换部读取信号电荷的读取速度且可以提高相位差检测速度。
如果遮光膜未被形成为覆盖栅极的状态，则会出现在光电转换部的光接收表面上的遮光膜的侧表面与栅极的侧表面之间形成间隙的情形。优选地，期望使用以下布线来覆盖该间隙，该布线属于比遮光膜更高的层。通过使用属于比遮光膜更高的层的布线来覆盖遮光膜的侧表面与栅极的侧表面之间的间隙，可以更可靠地对入射到光电转换部的入射光束进行遮光。
此外，从旨在稳定光电转换部的光接收表面的电位的观点来看，就形成在光接收表面上的遮光膜而言，优选地被施加有地电位或电源电位。
2.实施例
在说明本发明实施例的焦点检测像素的像素构造之前，将说明本发明的固态成像器件的构造，例如将说明作为一种放大型固态成像器件的CMOS图像传感器的构造。
2-1.系统构造
图1是简要表示CMOS图像传感器的系统构造的系统构造视图。此处，CMOS图像传感器是应用CMOS工艺或部分使用CMOS工艺而形成的固态成像器件。
本应用示例的CMOS图像传感器10采用如下构造，该构造包括形成在半导体基板(以下可被称为“芯片”)11上的像素阵列部12和与像素阵列部12集成在同一芯片11上的外围电路部。在本示例中，例如设置有行扫描部13、列处理部14、列扫描部15和系统控制部16，以作为外围电路部。
在像素阵列部12中，以矩阵方式二维布置有具有光电转换部的单元像素(在下文中被简称为“像素”)，光电转换部用于产生光电荷并在其内部积累光电荷，所产生的光电荷的电荷量对应于入射光的光量。此处，“单元像素”是指用于获取成像信号的成像像素。稍后将说明单元像素(或成像像素)的具体电路构造。
此外，在像素阵列部12中，沿着矩阵像素布置的每一像素行的行方向(即，像素行的像素布置方向)布线有像素驱动线17，且沿着每一像素列的列方向(即，像素列的像素布置方向)布线有垂直信号线18。像素驱动线17以行为单位传输从行扫描部13输出的用于驱动像素的驱动信号。尽管图1将像素驱动线17图示成一条布线，但其并非仅限于一条布线。像素驱动线17的一个端部连接至与行扫描部13的每一行相对应的输出端子。
例如，行扫描部13是指包括移位寄存器、地址解码器等并以行为单位驱动像素阵列部12的每一像素的像素驱动部。尽管未图示行扫描部13的具体构造，然而其通常采用以下构造，该构造包括读取式扫描系统(reading scanning system)和扫除式扫描系统(sweeping scanning system)这两个扫描系统。
读取式扫描系统以行为单位选择性地、依序扫描像素阵列部12的单元像素，以从单元像素读取信号。从单元像素读取的信号是模拟信号。扫除式扫描系统对在读取式扫描系统中经过读取式扫描的读取行执行扫除式扫描，且所述扫除式扫描比所述读取式扫描早了快门速度的时间。
通过在此种扫除式扫描系统中进行扫除式扫描，从读取行的单元像素的光电转换元件中扫除不必要的电荷，并因此使光电转换元件复位。接着，通过在此种扫除式扫描系统中进行不必要的电荷的扫除(复位)，来执行所谓的电子快门操作。此处，电子快门操作是指丢弃光电转换元件的光电荷并重新开始曝光(开始积累光电荷)的操作。
在读取式扫描系统中通过读取操作读取的信号对应于在前一读取操作或电子快门操作之后进入的光的量。接着，从前一读取操作的读取时刻或电子快门操作的扫除时刻到当前读取操作的读取时刻的时间段是在单元像素中积累光电荷的时间段(即，曝光时间段)。
从行扫描部13选择性扫描的像素行的每一单元像素输出的信号经由每一垂直信号线18被提供至列处理部14。针对像素阵列部12的每一像素列，列处理部14对经垂直信号线18从所选行的每一像素输出的信号执行预定的信号处理，并在信号处理之后临时保持像素信号。
更具体而言，列处理部14接收单元像素信号并对信号执行信号处理，上述信号处理例如为由相关双采样(Correlated Double Sampling)实现的噪声移除、信号放大和模拟数字(AD)转换。通过噪声移除处理，将像素特有的复位噪声和诸如放大晶体管的阈值差异等固定模式噪声移除。此处，所举例说明的信号处理仅为示例，而并非仅限于这些信号处理。
列扫描部15包括移位寄存器、地址解码器等，并依序选择与列处理部14的像素列相对应的单元电路。通过列扫描部15进行选择性的扫描，在列处理部14中经过信号处理的像素信号被依序输出至水平总线19，并经由水平总线19被传输至芯片11的外部。
系统控制部16接收从芯片11外部提供的时钟或用于指示操作模式的数据，并输出诸如CMOS图像传感器10的内部信息等数据。此外，系统控制部16具有用于产生各种时序信号的时序发生器，并根据时序发生器中所产生的各种时序信号来执行对诸如行扫描部13、列处理部14和列扫描部15等外围电路部的驱动控制。
2-2.单元像素的电路构造
图2是表示单元像素20的电路构造示例的电路图。如图2所示，例如，本电路示例的单元像素20使用光电二极管21作为光电转换部。除光电二极管21之外，单元像素20例如还包括四个晶体管，这四个晶体管分别为传输晶体管(读取栅部)22、复位晶体管23、放大晶体管24和选择晶体管25。
此处，例如使用N沟道MOS晶体管作为这四个晶体管。然而，此处所举例说明的这些传输晶体管22、复位晶体管23、放大晶体管24和选择晶体管25的导电类型组合仅为示例，而并非仅限于此种组合。
在单元像素20中，例如对同一像素行的每一像素共同设置传输线171、复位线172和选择线173这三条驱动线作为像素驱动线17。这些传输线171、复位线172和选择线173的每一端部均以像素行为单位连接至与列扫描部13的每一像素行相对应的输出端子，以传送传输脉冲
Figure BDA00002702571700081
复位脉冲
Figure BDA00002702571700082
和选择脉冲
Figure BDA00002702571700083
作为用于驱动像素20的驱动信号。
在光电二极管21中，阳极连接至负侧电源(例如，地面)，以将所接收的光(例如入射光)转换成光电荷(在此例中为光电子)并积累这些光电荷，这些光电荷的电荷量取决于光量。光电二极管21的阴极经由传输晶体管22电连接至放大晶体管24的栅极。电连接至放大晶体管24的栅极的节点26被称为“FD”部(浮动扩散部/浮动扩散区域)。
传输晶体管22连接在光电二极管21的阴极与FD部26之间。传输晶体管22的栅极经由传输线171被提供有传输脉冲
Figure BDA00002702571700084
在输脉冲
Figure BDA00002702571700091
中，高电平(例如Vdd电平)是有效的(在下文中被称为“高态有效(High active)”)。相应地，传输晶体管22进入导通状态，并将在光电二极管21中经过光电转换的光电荷传输至FD部26。
在复位晶体管23中，漏极连接至像素电源Vdd，且源极连接至FD部26。复位晶体管23的栅极经由复位线172提供有高态有效的复位脉冲
Figure BDA00002702571700092
相应地，复位晶体管23进入导通状态，并通过丢弃FD部26的电荷而将FD部26复位至像素电源Vdd。
在放大晶体管24中，栅极连接至FD部26，且漏极连接至像素电源Vdd。接着，放大晶体管24输出FD部26在被复位晶体管23复位之后的电位，以作为复位信号(复位电平)Vreset。此外，放大晶体光24输出FD部26的在传输晶体管22传输信号电荷之后的电位，以作为光积累信号(信号电平)Vsig。
在选择晶体管25中，例如，漏极连接至放大晶体管24的源极，且源极连接至垂直信号线18。选择晶体管25的栅极经由选择线173被提供有高态有效的选择脉冲
Figure BDA00002702571700093
相应地，选择晶体管25进入导通状态，并通过使用单元像素20作为选择性状态将从放大晶体管24输出的信号输出至垂直信号线18。
此处，尽管选择晶体管25采用在放大晶体管24的源极与垂直信号线18之间进行连接的电路构造，然而其也可采用在像素电源Vdd与晶体管24的漏极之间进行连接的电路构造。
此外，单元像素20并非仅限于由具有以上构造的四个晶体管所形成的像素构造。例如，它可采用由放大晶体管24和选择晶体管25构成的三个晶体管所形成的像素构造，且像素电路构造不会产生影响。
2-3.焦点检测像素的布置示例
上述CMOS图像传感器10包括用于获取相位差检测信号的焦点检测像素，以便实现光瞳分隔型相位差检测。相位差检测信号是指用于表示离焦方向和离焦量的焦点检测信号。因此，焦点检测像素可被称为“相位差检测像素”。
焦点检测像素设置在图1所示的包括二维布置成矩阵状态的成像像素的像素阵列部12中，即设置在有效像素区域中。换言之，成像像素与焦点检测像素混合在像素阵列部12中。图3典型地表示焦点检测像素在像素阵列部12中的布置示例。
如图3所示，CMOS图像传感器10包括像素阵列部12的中心区域121、位于中心区域121左侧的区域122、位于中心区域121右侧的区域123、上侧区域124和下侧区域125以作为焦点检测像素的布置区域。此外，在这些区域121至125中，设置多个焦点检测像素以作为群组。
然而，图3所示的焦点检测像素的布置示例仅为示例，而并非仅限于此。例如，在像素阵列部12中，焦点检测像素可以周期性地设置在行方向和列方向上，使得它们在中心部分中相互交叉，或者可以周期性地设置在整个有效像素区域上。
2-4.焦点检测像素的像素构造
接下来，将参照图4A和4B来说明焦点检测像素的像素构造。在图4A和4B中，图4A是焦点检测像素的示意性平面图，图4B是沿图4A的X-X线截取的箭头剖视图。此外，在图4A中省略了焦点检测像素的用于捕获入射光的布线层侧构造。
焦点检测像素40采用如下构造：作为光电转换部的光电二极管21形成在半导体基板11的表面层部分上，且用于执行光瞳分割的遮光膜41形成在光电二极管21的光接收表面上。在焦点检测像素40中，光电二极管21的光接收表面上依次层叠有包括布线层42的层间绝缘膜43、绝缘膜44、滤光片45、平坦化膜46和片上透镜47。
此处，遮光膜41形成在光电二极管21的光接收表面上以作为层叠在所述光接收表面侧上的所述多个膜中的最下层膜，并通过在光接收表面的一部分中遮光来执行光瞳分割。遮光膜41可由诸如钨(W)和钛(Ti)等遮光材料形成。此处，遮光膜41的材料并非仅限于这些材料，而是可使用任何材料，只要其为能够对入射光束进行光瞳分割的遮光材料即可。
遮光膜41被形成为避开对应于读取栅部的传输晶体管22的栅极221。换言之，遮光膜41被形成为根本不覆盖栅极221。此外，从能够更可靠地对光电二极管21的入射光束进行遮光的观点来看，遮光膜41优选地被形成为处于靠近光电二极管21的光接收表面的状态。此外，例如，为了稳定光接收表面的电位，对遮光膜41施加地电位或电源电位。
在具有以上构造的焦点检测像素40中，位于光电二极管21的光接收表面上的遮光膜41对穿过片上透镜47和滤光片45的光束进行光瞳分割。接着，仅一侧上的经光瞳分割的光束从不被遮光膜41遮光的开口区域进入光电二极管21。另一侧上的经光瞳分割的光束被遮光膜41限制进入光电二极管21，即，光被遮蔽。在上述一侧上进入光电二极管21的光束在光电二极管21中被进行光电转换，且信号电荷积累于光电二极管21中。通过传输晶体管(读取栅部)22将积累于光电二极管21中的信号电荷传输至FD部26。
如上所述，形成在光电二极管21的光接收表面上并对光接收表面的一部分进行遮光的遮光膜41被形成为避开传输晶体管(读取栅部)22的栅极221，并因此可获得以下操作和效果。换言之，通过将遮光膜41形成为避开栅极221，可避免在栅极221的上表面与遮光膜41的上表面之间形成电容。
因此，即使在光电二极管21的光接收表面上形成遮光膜41以保持高的相位差检测精度，也不会使栅极221的电容增大。因此，与现有技术的遮光膜41覆盖栅极221的像素构造相比，可以提高从光电二极管21读取信号电荷的读取速度。此外，由于可以提高信号电荷的读取速度，因此可以提高相位差检测信号的检测速度(即，相位差检测速度)，所述相位差检测信号是基于这些所读取的信号电荷而检测的，并用于表示离焦方向和离焦量。
此外，将参照图5A和5B通过与现有技术的遮光膜41覆盖栅极221的像素构造A进行比较来说明本实施例的遮光膜41不覆盖栅极221的像素构造B的操作和效果。
在遮光膜41覆盖栅极221的像素构造A的情形中，当在形成遮光膜41之后形成层间绝缘膜43时，层间绝缘膜43的膜厚度会由于位于栅极221上的遮光膜41而部分地变厚。此外，由于在像素阵列部(有效像素区域)12中同时存在具有遮光膜41的焦点检测像素和不具有遮光膜41的成像像素，所以会使层间绝缘膜43的膜厚度产生变化(不均匀)，并因此可能成为妨碍具有焦点检测像素的固态成像器件获得高图像品质的因素。
与此相反，通过采用本实施例的遮光膜41不覆盖栅极221的像素构造B，由于普通成像像素与焦点检测像素之间在高度方向上的构造差异较小，所以层间绝缘膜43的膜厚度的变化减小，从而抑制了不均匀度。因此，具有焦点检测像素的固态成像器件可以获得高图像品质。
此外，在本实施例的最初具有高平整度的像素构造B中，即使在形成遮光膜41之后在平坦化工艺中应用研磨处理，也会对层间绝缘膜43的膜厚度不均匀度产生较小影响。与此相反，在遮光膜41覆盖栅极221的像素构造A中，由于需要根据栅极221上的遮光膜41的高度来核查平坦化工艺的裕度，所以本实施例的像素构造B即使针对较低层也是有利的。
因此，能够有助于普通成像像素和焦点检测像素的灵敏度和F-值灵敏度。此外，工艺稳定性高，且在形成遮光膜41之后形成并研磨层间绝缘膜43的处理中可减少步骤的数目。此处，在图4A和4B中，不具有遮光膜41的像素构造是普通成像像素的像素构造。
使用多个焦点检测像素40，例如使用成对的两个焦点检测像素40(40A，40B)来检测相位差检测信号。在这对焦点检测像素40A和40B中，焦点检测像素40A接收一侧上的经光瞳分割的光束，焦点检测像素40B接收另一侧上的经光瞳分割的光束。
接着，通过检测由这对焦点检测像素40A和40B所获得的物体图像的相对位置(即，相位差)，可以检测用于表示离焦方向和离焦量的相位差检测信号。
2-5.示例1
接下来，在所述一对焦点检测像素40A和40B中，将说明由形成在光电二极管21的光接收表面上的遮光膜41所形成的遮光图案的具体示例作为示例1。
遮光图案示例1
图6是表示由所述一对焦点检测像素40A和40B中的遮光膜41形成的遮光图案示例1的示意性平面图。
如图6所示，所述一对焦点检测像素40A和40B在行方向上左右相邻地设置，且除光电二极管21之外，它们中的每一者还包括传输晶体管22、复位晶体管23、放大晶体管24、选择晶体管25和FD部26。
换言之，所述一对焦点检测像素40A和40B均采用包括FD部(扩散层部)26的所谓FD-非共享设计(FD-unshared scheme)的像素构造。此处，焦点检测像素40A和40B的像素构造并非仅限于FD-非共享设计，且本实施例的像素构造也适用于在焦点检测像素40A和40B之间共享FD部26的所谓FD-共享设计的像素构造。
遮光膜41A被形成为使得在所述一对焦点检测像素40A和40B中的位于左侧的焦点检测像素40A对光电二极管21的光接收表面上的处于焦点检测像素40B侧(即，图的右侧)的大致一半区域进行遮光。同时，遮光膜41B被形成为使得位于右侧的焦点检测像素40B对光电二极管21的光接收表面上的处于焦点检测像素40A侧(即，图的左侧)的大致一半区域进行遮光。
在焦点检测像素40A和40B中的任一者中，遮光膜41A和41B被形成为避开传输晶体管22的栅极221。在图3的区域122、121和123中布置并使用具有此种像素构造的所述一对焦点检测像素40A和40B，并因此能够沿行方向执行光瞳分割。
遮光图案示例2
图7是表示由所述一对焦点检测像素40A和40B中的遮光膜41形成的遮光图案示例2的示意性平面图。
如图7所示，所述一对焦点检测像素40A和40B在行方向上左右相邻地设置并采用包括FD部26的FD-非共享设计的像素构造。如上所述，它也可为FD-共享设计的像素构造。
遮光膜41A被形成为使得在所述一对焦点检测像素40A和40B中的位于左侧的焦点检测像素40A对与光电二极管21的光接收表面上的像素电路所处的侧相反的侧(即，图中的上侧)上的大致一半区域进行遮光。同时，遮光膜41B被形成为使得位于右侧的焦点检测像素40B对与光电二极管21的光接收表面上的像素电路所处的侧(即，图中的下侧)上的大致一半区域进行遮光。此处，像素电路是指包括传输晶体管22、复位晶体管23、放大晶体管24和选择晶体管25的电路。
在焦点检测像素40A和40B中的任一者中，遮光膜41A和41B被形成为避开传输晶体管22的栅极221。在图3的区域124、121和125中布置并使用具有此种像素构造的所述一对焦点检测像素40A和40B，并因此可沿列方向来执行光瞳分割。
尽管上述遮光图案示例1和2举例说明了沿行方向或列方向来执行光瞳分割，然而遮光图案示例并非仅限于此，但例如也可以沿行方向和列方向来执行光瞳分割，并可以沿对角线方向来执行光瞳分割。
2-6.示例2
顺便而言，当遮光膜41(41A，41B)未被形成为处于覆盖栅极221的状态时，在光电二极管21的光接收表面上的遮光膜41的侧表面与栅极221的侧表面之间可形成间隙，并因此令人担忧的是，光会通过间隙泄露至光电二极管21中。示例2的像素构造是指针对遮光膜41与栅极21之间的间隙采取对策而创建的像素构造。
像素构造1
图8是表示针对遮光膜41与栅极21之间的间隙采取对策的像素构造1的示意性平面图。像素构造1对应于遮光图案示例1。换言之，像素构造1是指为了防止光通过栅极221的侧表面与左侧焦点检测像素40A和右侧焦点检测像素40B的遮光膜41A和41B的侧表面之间的间隙泄漏而创建的像素构造。更具体而言，像素构造被设置成使得属于比遮光膜41A和41B更高的层的布线48(在图中通过虚线表示)覆盖遮光膜41A和41B与栅极221之间的间隙。布线48对应于例如图4B中的布线层42的布线。
像素构造2
图9是表示针对遮光膜41与栅极221之间的间隙采取对策的像素构造2的示意性平面图。像素构造2对应于遮光图案示例2。换言之，像素构造2是指为了防止光通过右侧焦点检测像素40B的遮光膜41B的侧表面与栅极221的侧表面之间的间隙泄漏而创建的像素构造。更具体而言，像素构造被设置成使得属于比遮光膜41B更高的层的布线48(在图中通过虚线表示)覆盖遮光膜41B与栅极221之间的间隙。布线48对应于例如图4B中的布线层42的布线。
类似于上述像素构造1和2，通过使用属于比遮光膜41更高的层的布线48来覆盖遮光膜41(41A，41B)的侧表面与栅极221的侧表面之间的间隙，能够更可靠地对光电二极管21的入射光束进行遮光。
3.电子装置
本发明并非限制性地适用于固态成像器件，也适用于采用光瞳分割型相位差检测方法并使用固态成像器件作为成像部(或图像捕获部)的所有电子装置，这些电子装置包括诸如数字照相机和摄像机等成像器件和诸如移动电话器件等具有成像功能的移动终端器件。
成像器件
图10是表示本发明实施例的作为电子装置示例的成像器件的构造示例的方框图。
如图10所示，本发明实施例的成像器件包括：包括成像透镜51的光学系统、摄像器件52、作为照相机信号处理部的数字信号处理器(DSP)电路53、帧存储器54、显示器件55、记录器件56、操作系统57和电源系统58。此外，它具有如下构造：DSP电路53、帧存储器54、显示器件55、记录器件56、操作系统57和电源系统58经由总线59相互连接。
成像透镜51捕获来自物体的入射光(图像)，并在摄像器件52的成像表面上形成图像。摄像器件52将通过成像透镜51形成于成像表面上的入射光的光量转换成像素单元中的电信号，并输出这些信号以作为像素信号。作为此种摄像器件52，可以使用以上实施例的包括焦点检测像素的CMOS图像传感器。
显示器件55包括例如液晶显示器件和有机电致发光(EL)显示器件，并显示由摄像器件52成像的动态图片或静态图片。记录器件56将由摄像器件52成像的动态图片或静态图片记录于诸如录像带和数字多用盘(DVD)等记录媒体中。
操作系统57在用户操作下向该成像器件所保持的各种功能发出操作指令。电源系统58适当地将作为DSP电路53、帧存储器54、显示器件55、记录器件56和操作系统57的工作电源的各种电源地提供至这些供应目标。
本发明实施例的成像器件50还包括用于在成像透镜51的光轴方向上驱动成像透镜51的透镜驱动部60。透镜驱动部60与成像透镜51形成用于调整焦距的聚焦系统。此外，本发明实施例的成像器件50通过系统控制器61来执行各种控制，例如对聚焦系统的控制和对以上组件的每一者的控制。
就聚焦系统控制而言，基于从上述实施例的CMOS图像传感器的焦点检测像素输出的相位差检测信号，例如在DSP电路53中执行用于计算离焦方向和离焦量的计算处理。响应于计算结果，系统控制器61执行聚焦控制，以通过由透镜驱动部60在成像透镜51的光轴方向上移动成像透镜51来调整焦距(焦点)。
4.本发明的构造
另外，也可以如下方式构造本技术。
(1)一种固态成像器件，其包括：
焦点检测像素，其具有遮光膜，对接收的光束执行光瞳分割和光电转换，并获取相位差检测信号，所述遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上，并在所述光接收表面的一部分中遮蔽光，
其中，所述遮光膜被形成为避开用于从所述光电转换部读取信号电荷的读取栅部的栅极。
(2)如(1)所述的固态成像器件，其还包括：
通过布置成像像素形成的像素阵列部，所述成像像素用于获取成像信号，
其中，所述成像像素和所述焦点检测像素混合在所述像素阵列部中。
(3)如(1)或(2)所述的固态成像器件，其中，
所述遮光膜是在所述焦点检测像素的所述光接收表面上层叠的多个膜中的最下层膜。
(4)如(3)所述的固态成像器件，其中，
位于所述光电转换部的所述光接收表面上的所述遮光膜的侧表面与所述栅极的侧表面之间的间隙被布线覆盖，所述布线属于比所述遮光膜更高的层。
(5)如(1)至(4)中的任一项所述的固态成像器件，其中，
所述遮光膜被施加有地电位或电源电位。
(6)，如(1)至(5)中的任一项所述的固态成像器件，其中，
所述焦点检测像素包括多个焦点检测像素；以及
使用从所述多个焦点检测像素输出的相位差检测信号来检测离焦方向和离焦量。
(7)一种电子装置，包括：
固态成像器件，其包括焦点检测像素，所述焦点检测像素具有遮光膜，对接收的光束执行光瞳分割和光电转换，并获取相位差检测信号，所述遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上，并在所述光接收表面的一部分中遮蔽光；以及
聚焦机构，其基于从所述焦点检测像素输出的相位差检测信号来调整焦距，
其中，所述遮光膜被形成为避开用于从所述光电转换部读取信号电荷的读取栅部的栅极。
本申请包含与2012年1月13日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2012-004799的公开内容相关的主题，在这里将该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其它因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。

Claims (9)

1.一种固态成像器件，其包括：
焦点检测像素，其具有遮光膜，所述焦点检测像素对接收的光束执行光瞳分割和光电转换并获取相位差检测信号，所述遮光膜形成在光电转换部的光接收表面上并对所述光接收表面的一部分进行遮光，
其中，所述遮光膜被形成为避开用于从所述光电转换部读取信号电荷的读取栅部的栅极。
2.如权利要求1所述的固态成像器件，其还包括：
通过布置成像像素而形成的像素阵列部，所述成像像素用于获取成像信号，
其中，所述成像像素和所述焦点检测像素混合在所述像素阵列部中。
3.如权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述遮光膜是在所述焦点检测像素的所述光接收表面上层叠的多个膜中的最下层膜。
4.如权利要求3所述的固态成像器件，其中，位于所述光电转换部的所述光接收表面上的所述遮光膜的侧表面与所述栅极的侧表面之间的间隙被布线覆盖，所述布线属于比所述遮光膜更高的层。
5.如权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述遮光膜被施加有地电位或电源电位。
6.如权利要求1所述的固态成像器件，其中，
所述焦点检测像素包括多个焦点检测像素；并且
使用从所述多个焦点检测像素输出的相位差检测信号来检测离焦方向和离焦量。
7.如权利要求2-6中任一项所述的固态成像器件，其中，所述焦点检测像素沿所述像素阵列部的行方向和/或列方向来执行所述光瞳分割。
8.如权利要求2-6中任一项所述的固态成像器件，其中，所述焦点检测像素沿所述像素阵列部的对角线方向来执行所述光瞳分割。
9.一种电子装置，其包括：
权利要求1-8中任一项所述的固态成像器件；以及
聚焦机构，其基于从所述固态成像器件的所述焦点检测像素输出的相位差检测信号来调整焦距。
CN2013100020585A 2012-01-13 2013-01-04 固态成像器件和电子装置 Pending CN103208499A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012004799A JP2013145779A (ja) 2012-01-13 2012-01-13 固体撮像装置及び電子機器
JP2012-004799 2012-01-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103208499A true CN103208499A (zh) 2013-07-17

Family

ID=48755670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013100020585A Pending CN103208499A (zh) 2012-01-13 2013-01-04 固态成像器件和电子装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9148591B2 (zh)
JP (1) JP2013145779A (zh)
CN (1) CN103208499A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104519327A (zh) * 2013-10-07 2015-04-15 联咏科技股份有限公司 图像传感器及图像采集系统
CN105280654A (zh) * 2014-06-02 2016-01-27 佳能株式会社 图像拾取装置和图像拾取系统
CN106210506A (zh) * 2015-05-29 2016-12-07 佳能株式会社 图像传感器和摄像装置
CN107026182A (zh) * 2016-01-29 2017-08-08 台湾积体电路制造股份有限公司 图像传感器及其制造方法
CN108550599A (zh) * 2013-08-05 2018-09-18 苹果公司 具有掩埋光屏蔽件和垂直栅极的图像传感器
CN111479067A (zh) * 2013-09-26 2020-07-31 株式会社尼康 摄像元件以及摄像装置
CN113542639A (zh) * 2013-12-12 2021-10-22 索尼公司 固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子设备

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8547428B1 (en) * 2006-11-02 2013-10-01 SeeScan, Inc. Pipe mapping system
JP2013145779A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
JP2013157883A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
US10924697B2 (en) * 2013-02-27 2021-02-16 Nikon Corporation Image sensor and electronic device having imaging regions for focus detection extending in first and second different directions
CN105074928B (zh) * 2013-03-29 2019-05-10 索尼公司 图像拾取元件和图像拾取装置
JP6162999B2 (ja) * 2013-04-15 2017-07-12 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
TWI623232B (zh) * 2013-07-05 2018-05-01 Sony Corp 固體攝像裝置及其驅動方法以及包含固體攝像裝置之電子機器
JP6355362B2 (ja) * 2014-02-28 2018-07-11 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
CN111799285B (zh) * 2014-12-18 2024-05-14 索尼公司 成像装置
JP6518071B2 (ja) * 2015-01-26 2019-05-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US10401611B2 (en) * 2015-04-27 2019-09-03 Endochoice, Inc. Endoscope with integrated measurement of distance to objects of interest
US10154234B2 (en) * 2016-03-16 2018-12-11 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with peripheral 3A-control sensors and associated imaging system
CN106684102B (zh) * 2017-02-16 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN110520996B (zh) * 2017-04-06 2023-08-08 新唐科技日本株式会社 摄像装置、以及在其中使用的固体摄像装置
JP6946045B2 (ja) * 2017-04-28 2021-10-06 キヤノン株式会社 焦点検出装置及び撮像システム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311662A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Canon Inc 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び焦点検出システム
CN102110702A (zh) * 2009-12-28 2011-06-29 索尼公司 固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置
US20110279727A1 (en) * 2010-02-25 2011-11-17 Nikon Corporation Backside illumination image sensor and image-capturing device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3434740B2 (ja) * 1999-06-30 2003-08-11 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP5451111B2 (ja) * 2008-03-11 2014-03-26 キヤノン株式会社 焦点検出装置およびそれを有する撮像装置
KR101786069B1 (ko) * 2009-02-17 2017-10-16 가부시키가이샤 니콘 이면 조사형 촬상 소자, 그 제조 방법 및 촬상 장치
JP5434761B2 (ja) * 2010-04-08 2014-03-05 株式会社ニコン 撮像デバイスおよび撮像装置
JP5693082B2 (ja) * 2010-08-09 2015-04-01 キヤノン株式会社 撮像装置
JP5664270B2 (ja) * 2011-01-21 2015-02-04 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
JP5861257B2 (ja) * 2011-02-21 2016-02-16 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
JP5825817B2 (ja) * 2011-04-01 2015-12-02 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP5814626B2 (ja) * 2011-05-27 2015-11-17 キヤノン株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
KR20130038035A (ko) * 2011-10-07 2013-04-17 삼성전자주식회사 촬상소자
JP2013145779A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311662A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Canon Inc 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び焦点検出システム
CN102110702A (zh) * 2009-12-28 2011-06-29 索尼公司 固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置
US20110279727A1 (en) * 2010-02-25 2011-11-17 Nikon Corporation Backside illumination image sensor and image-capturing device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108550599A (zh) * 2013-08-05 2018-09-18 苹果公司 具有掩埋光屏蔽件和垂直栅极的图像传感器
CN108550599B (zh) * 2013-08-05 2022-08-23 苹果公司 具有掩埋光屏蔽件和垂直栅极的图像传感器
CN111479067A (zh) * 2013-09-26 2020-07-31 株式会社尼康 摄像元件以及摄像装置
CN104519327A (zh) * 2013-10-07 2015-04-15 联咏科技股份有限公司 图像传感器及图像采集系统
CN113542639A (zh) * 2013-12-12 2021-10-22 索尼公司 固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子设备
CN113542639B (zh) * 2013-12-12 2024-05-14 索尼公司 固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子设备
CN105280654A (zh) * 2014-06-02 2016-01-27 佳能株式会社 图像拾取装置和图像拾取系统
CN109686750A (zh) * 2014-06-02 2019-04-26 佳能株式会社 图像拾取装置和图像拾取系统
US10389930B2 (en) 2014-06-02 2019-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device and image pickup system
CN106210506A (zh) * 2015-05-29 2016-12-07 佳能株式会社 图像传感器和摄像装置
CN107026182A (zh) * 2016-01-29 2017-08-08 台湾积体电路制造股份有限公司 图像传感器及其制造方法
CN107026182B (zh) * 2016-01-29 2022-05-03 台湾积体电路制造股份有限公司 图像传感器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9491351B2 (en) 2016-11-08
US9148591B2 (en) 2015-09-29
US20130182156A1 (en) 2013-07-18
JP2013145779A (ja) 2013-07-25
US20160037054A1 (en) 2016-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103208499A (zh) 固态成像器件和电子装置
US10586818B2 (en) Solid-state imaging device, camera module and electronic apparatus
US11621285B2 (en) Light detecting device with light shielding films, and electronic apparatus
US10015426B2 (en) Solid-state imaging element and driving method therefor, and electronic apparatus
EP2618376B1 (en) Solid-state image sensor
JP5959829B2 (ja) 固体撮像装置
CN108389871B (zh) 摄像器件
US8068158B2 (en) Solid state imaging device capable of parallel reading of data from a plurality of pixel cells
JP5813047B2 (ja) 撮像装置、および、撮像システム。
US20180277588A1 (en) Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device
JP5219555B2 (ja) 撮像装置及び撮像装置を用いた撮像システム
JP6238558B2 (ja) 撮像装置、および、撮像システム。
JP2014033047A (ja) 固体撮像装置、及び撮像装置
JP2018191040A (ja) 焦点検出装置及び撮像システム
JP6676317B2 (ja) 撮像装置、および、撮像システム
JP5436642B2 (ja) 撮像装置及び撮像装置を用いた撮像システム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130717