RU2009109161A - Полуфабрикаты со структурированной активной в агломерации поверхностью и способ их производства - Google Patents
Полуфабрикаты со структурированной активной в агломерации поверхностью и способ их производства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009109161A RU2009109161A RU2009109161/07A RU2009109161A RU2009109161A RU 2009109161 A RU2009109161 A RU 2009109161A RU 2009109161/07 A RU2009109161/07 A RU 2009109161/07A RU 2009109161 A RU2009109161 A RU 2009109161A RU 2009109161 A RU2009109161 A RU 2009109161A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semi
- finished product
- high capacity
- product according
- structured
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31—Surface property or characteristic of web, sheet or block
Abstract
1. Полуфабрикат со структурированной активной в агломерации поверхностью, причем полуфабрикат имеет окисленную и затем заново восстановленную поверхность, содержащую, по меньшей мере, один тугоплавкий металл. ! 2. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что полуфабрикат представляет собой анодный проводник с поверхностью из титана, молибдена, вольфрама, ниобия, тантала или сплава, содержащего один или несколько этих металлов. ! 3. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что полуфабрикат и/или его покрытие легированы различными металлами и/или металлическими ионами и/или одним или несколькими элементами из фосфора, азота, кремния или бора. ! 4. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что структурированная поверхность имеет толщину между 50 нм и 50 мкм. ! 5. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что удельная поверхность полуфабриката после его окисления и последующего восстановления по сравнению с удельной поверхностью полуфабриката перед обработкой, включающей окисление и последующее восстановление, больше примерно на коэффициент от 10 до 100000. ! 6. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что при формировании с напряжением 20 В структурированная поверхность с толщиной между 50 нм и 10 мкм имеет емкость между 1 мкФ и 50 мкФ на см2 площади основы. ! 7. Полуфабрикат по одному из пп.1-6 для покрытия агломерацией материалами с высокой емкостью. ! 8. Компонент с высокой емкостью, содержащий полуфабрикат по одному из пп.1-7. ! 9. Компонент с высокой емкостью по п.8, содержащий полуфабрикат по одному из пп.1-7, на который в дальнейшем агломерируют материал с высокой емкостью. ! 10. Компонент с высокой емкостью по п.9, отличающийся тем, что материал с выс
Claims (20)
1. Полуфабрикат со структурированной активной в агломерации поверхностью, причем полуфабрикат имеет окисленную и затем заново восстановленную поверхность, содержащую, по меньшей мере, один тугоплавкий металл.
2. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что полуфабрикат представляет собой анодный проводник с поверхностью из титана, молибдена, вольфрама, ниобия, тантала или сплава, содержащего один или несколько этих металлов.
3. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что полуфабрикат и/или его покрытие легированы различными металлами и/или металлическими ионами и/или одним или несколькими элементами из фосфора, азота, кремния или бора.
4. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что структурированная поверхность имеет толщину между 50 нм и 50 мкм.
5. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что удельная поверхность полуфабриката после его окисления и последующего восстановления по сравнению с удельной поверхностью полуфабриката перед обработкой, включающей окисление и последующее восстановление, больше примерно на коэффициент от 10 до 100000.
6. Полуфабрикат по п.1, отличающийся тем, что при формировании с напряжением 20 В структурированная поверхность с толщиной между 50 нм и 10 мкм имеет емкость между 1 мкФ и 50 мкФ на см2 площади основы.
7. Полуфабрикат по одному из пп.1-6 для покрытия агломерацией материалами с высокой емкостью.
8. Компонент с высокой емкостью, содержащий полуфабрикат по одному из пп.1-7.
9. Компонент с высокой емкостью по п.8, содержащий полуфабрикат по одному из пп.1-7, на который в дальнейшем агломерируют материал с высокой емкостью.
10. Компонент с высокой емкостью по п.9, отличающийся тем, что материал с высокой емкостью представляет собой порошок с высокой емкостью или полуфабрикат с высокой емкостью.
11. Компонент с высокой емкостью по п.9, отличающийся тем, что материал с высокой емкостью содержит тугоплавкий металл.
12. Способ производства поверхностно-структурированного полуфабриката по одному из пп.1-7, включающий
а) окисление поверхности, содержащей, по меньшей мере, один тугоплавкий металл и
б) последующее восстановление окисленной поверхности.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что поверхность полуфабриката, по меньшей мере, частично маскируют перед обработкой так, чтобы только немаскированная область обрабатывается по п.11.
14. Способ по п.12, отличающийся тем, что окисление представляет собой термическое окисление, анодное окисление или химическое окисление.
15. Способ по п.12, отличающийся тем, что восстановление проводят с помощью лития, магния, кальция, бария, стронция, алюминия, их гидридов или водорода.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что восстановление проводят с помощью паров лития, магния, кальция, бария, стронция или алюминия, причем восстановление проводят при температуре между 650°С и 3000°С, в зависимости от используемого металла.
17. Способ по одному из пп.12-16, отличающийся тем, что используют термически обработанный полуфабрикат.
18. Способ производства компонента с высокой емкостью, отличающийся тем, что материал с высокой емкостью связывают способом агломерации на поверхностно-структурированном полуфабрикате по одному из пп.11-16.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что агломерацию материала с высокой емкостью, содержащего, по меньшей мере, один тугоплавкий металл, на поверхностно-структурированный полуфабрикат проводят при температуре ниже 1500°С.
20. Применение поверхностно-структурированных полуфабрикатов по одному из пп.1-6 для производства компонентов с высокой емкостью агломерацией с материалом с высокой емкостью.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006038502 | 2006-08-16 | ||
DE102006038502.0 | 2006-08-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009109161A true RU2009109161A (ru) | 2010-09-27 |
RU2439731C2 RU2439731C2 (ru) | 2012-01-10 |
Family
ID=38672692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009109161/07A RU2439731C2 (ru) | 2006-08-16 | 2007-08-10 | Полуфабрикаты со структурированной активной в агломерации поверхностью и способ их производства |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8999500B2 (ru) |
EP (1) | EP2054901B1 (ru) |
JP (1) | JP5124578B2 (ru) |
KR (1) | KR101451443B1 (ru) |
CN (2) | CN101501797B (ru) |
AU (1) | AU2007286284A1 (ru) |
BR (1) | BRPI0715961A2 (ru) |
CA (1) | CA2658690A1 (ru) |
DK (1) | DK2054901T3 (ru) |
HK (1) | HK1177811A1 (ru) |
IL (1) | IL195932A (ru) |
MX (1) | MX2009001523A (ru) |
PT (1) | PT2054901T (ru) |
RU (1) | RU2439731C2 (ru) |
TW (1) | TWI447767B (ru) |
WO (1) | WO2008019992A1 (ru) |
ZA (1) | ZA200900660B (ru) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090239071A1 (en) * | 2006-07-19 | 2009-09-24 | Uwe Stueven | Method for Producing Water-Absorbent Polymer Particles with a Higher Permeability by Polymerising Droplets of a Monomer Solution |
WO2012157461A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | 旭硝子株式会社 | 導電性マイエナイト化合物の製造方法 |
US20150340159A1 (en) * | 2012-06-22 | 2015-11-26 | Showa Denko K.K. | Anode body for capacitor |
CN103147036B (zh) * | 2012-12-20 | 2015-04-22 | 浙江易锋机械有限公司 | 汽车空调压缩机配件的局部渗碳方法 |
CN105828980A (zh) * | 2013-12-20 | 2016-08-03 | 昭和电工株式会社 | 钨粉、电容器的阳极体和电解电容器 |
JP5750200B1 (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-15 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体、及び電解コンデンサ |
JP6011593B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2016-10-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅多孔質焼結体の製造方法及び銅多孔質複合部材の製造方法 |
JP6065059B2 (ja) | 2015-06-12 | 2017-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅多孔質体、銅多孔質複合部材、銅多孔質体の製造方法、及び、銅多孔質複合部材の製造方法 |
JP6107888B2 (ja) | 2015-06-12 | 2017-04-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅多孔質体、銅多孔質複合部材、銅多孔質体の製造方法、及び、銅多孔質複合部材の製造方法 |
JP6733286B2 (ja) * | 2016-04-27 | 2020-07-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅多孔質体の製造方法、及び、銅多孔質複合部材の製造方法 |
JP6249060B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2017-12-20 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅多孔質複合部材 |
WO2018088574A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ素子、固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサ素子の製造方法 |
WO2020075733A1 (ja) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | 東洋アルミニウム株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極材の製造方法 |
US11289276B2 (en) | 2018-10-30 | 2022-03-29 | Global Advanced Metals Japan K.K. | Porous metal foil and capacitor anodes made therefrom and methods of making same |
MX2021011682A (es) * | 2019-04-29 | 2021-10-22 | Global Advanced Metals Inc | Un polvo de aleacion de ti-zr y un anodo que contiene el mismo. |
CN110648849B (zh) * | 2019-09-26 | 2021-12-14 | 宇启材料科技南通有限公司 | 一种阀金属多孔体涂层电极箔及制作方法和电解电容器 |
CN111872401B (zh) * | 2020-07-30 | 2022-11-08 | 合肥工业大学 | 一种odsw/tzm合金的放电等离子扩散连接方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US651044A (en) * | 1896-05-23 | 1900-06-05 | Warren D King | Time-damper-operating mechanism. |
US3997341A (en) * | 1974-10-17 | 1976-12-14 | Universal Oil Products Company | Reduced temperature sintering process |
SU851511A1 (ru) | 1979-10-02 | 1981-07-30 | Предприятие П/Я Г-4816 | Лини дл изготовлени оксидно-полу-пРОВОдНиКОВыХ КОНдЕНСАТОРОВ |
JPH04107807A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-09 | Elna Co Ltd | タンタル固体電解コンデンサ |
JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH09237742A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Hitachi Aic Inc | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US5954856A (en) * | 1996-04-25 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom |
US6051326A (en) * | 1997-04-26 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Valve metal compositions and method |
DE19817405A1 (de) * | 1998-04-20 | 1999-10-21 | Becromal Spa | Verfahren zur Herstellung einer Anode für elektrolytische Kondensatoren und so hergestellte Anoden |
WO2000067936A1 (en) | 1998-05-06 | 2000-11-16 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
CN1258417C (zh) | 1998-05-06 | 2006-06-07 | H·C·施塔克公司 | 金属粉末的制备方法 |
JP5035814B2 (ja) | 1998-09-10 | 2012-09-26 | エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシュレンクテル・ハフツング | 焼結された耐火性金属層、特に土酸金属電解コンデンサーまたは陽極を製造するためのペースト |
US6416730B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
US6226173B1 (en) * | 1999-01-26 | 2001-05-01 | Case Western Reserve University | Directionally-grown capacitor anodes |
FR2788877B1 (fr) * | 1999-01-27 | 2001-11-09 | Nichicon Corp | Condensateur electrolytique d'aluminium |
EP1162636A1 (de) * | 1999-06-18 | 2001-12-12 | H.C. Starck GmbH | Erdsäuremetall-Elektrolytkondensatoren oder -anoden |
EP1269547A4 (en) * | 2000-02-03 | 2006-02-01 | Univ Case Western Reserve | HIGH POWER CAPACITORS MADE FROM THIN POWDER LAYERS OF METAL OR METAL SPONG PARTICLES |
DE10307716B4 (de) | 2002-03-12 | 2021-11-18 | Taniobis Gmbh | Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung |
BR0204587A (pt) | 2002-11-04 | 2004-06-29 | Cbmm Sa | Processo de produção de pó de nióbio e/ou de tântalo de elevada área superficial |
US7713466B2 (en) * | 2003-04-28 | 2010-05-11 | Showa Denko K.K. | Valve acting metal sintered body, production method therefor and solid electrolytic capacitor |
WO2004103906A2 (en) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
DE102004049039B4 (de) * | 2004-10-08 | 2009-05-07 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung feinteiliger Ventilmetallpulver |
-
2007
- 2007-08-10 CA CA002658690A patent/CA2658690A1/en not_active Abandoned
- 2007-08-10 RU RU2009109161/07A patent/RU2439731C2/ru active
- 2007-08-10 PT PT77883510T patent/PT2054901T/pt unknown
- 2007-08-10 EP EP07788351.0A patent/EP2054901B1/en active Active
- 2007-08-10 CN CN2007800301401A patent/CN101501797B/zh active Active
- 2007-08-10 MX MX2009001523A patent/MX2009001523A/es active IP Right Grant
- 2007-08-10 BR BRPI0715961-7A patent/BRPI0715961A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-08-10 KR KR1020097001327A patent/KR101451443B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-10 CN CN201210273715.5A patent/CN102832048B/zh active Active
- 2007-08-10 DK DK07788351.0T patent/DK2054901T3/da active
- 2007-08-10 JP JP2009524177A patent/JP5124578B2/ja active Active
- 2007-08-10 WO PCT/EP2007/058293 patent/WO2008019992A1/en active Application Filing
- 2007-08-10 US US12/377,714 patent/US8999500B2/en active Active
- 2007-08-10 AU AU2007286284A patent/AU2007286284A1/en not_active Abandoned
- 2007-08-15 TW TW096130072A patent/TWI447767B/zh active
-
2008
- 2008-12-15 IL IL195932A patent/IL195932A/en active IP Right Grant
-
2009
- 2009-01-28 ZA ZA200900660A patent/ZA200900660B/xx unknown
-
2013
- 2013-04-22 HK HK13104845.4A patent/HK1177811A1/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101501797A (zh) | 2009-08-05 |
AU2007286284A1 (en) | 2008-02-21 |
TWI447767B (zh) | 2014-08-01 |
EP2054901A1 (en) | 2009-05-06 |
ZA200900660B (en) | 2010-04-28 |
EP2054901B1 (en) | 2019-11-06 |
IL195932A (en) | 2014-02-27 |
BRPI0715961A2 (pt) | 2013-08-06 |
RU2439731C2 (ru) | 2012-01-10 |
IL195932A0 (en) | 2009-09-01 |
KR101451443B1 (ko) | 2014-10-15 |
US20100068510A1 (en) | 2010-03-18 |
DK2054901T3 (da) | 2020-01-20 |
PT2054901T (pt) | 2020-01-16 |
TW200834622A (en) | 2008-08-16 |
CN101501797B (zh) | 2012-12-26 |
CA2658690A1 (en) | 2008-02-21 |
WO2008019992A1 (en) | 2008-02-21 |
HK1177811A1 (zh) | 2013-08-30 |
CN102832048B (zh) | 2016-04-13 |
US8999500B2 (en) | 2015-04-07 |
CN102832048A (zh) | 2012-12-19 |
JP2010500771A (ja) | 2010-01-07 |
MX2009001523A (es) | 2009-02-18 |
JP5124578B2 (ja) | 2013-01-23 |
KR20090040301A (ko) | 2009-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009109161A (ru) | Полуфабрикаты со структурированной активной в агломерации поверхностью и способ их производства | |
RU2007116852A (ru) | Способ получения порошков клапанных металлов | |
AU770489B2 (en) | Capacitor powder | |
CN102714098B (zh) | 铝电解电容用电极材料及其制备方法 | |
JP5408823B2 (ja) | 金属微粒子の製造方法 | |
TW201440103A (zh) | 鋁電解電容器用電極材之製造方法及鋁電解電容器用電極材 | |
WO2007058242A1 (ja) | コンデンサ用電極シートおよびその製造方法 | |
US20150321254A1 (en) | Method for producing ultrafine tungsten powder | |
JPS60152016A (ja) | バルブ金属表面をカルコ−ゲン類で処理する方法 | |
JP5222438B1 (ja) | タングステン細粉の製造方法 | |
JP5266427B1 (ja) | コンデンサの陽極体の製造方法 | |
JP6058017B2 (ja) | Taシート/Nbシートにステンシル印刷された歪みのない陽極 | |
CN104094370B (zh) | 制造铝电解电容器的电极材料的方法 | |
JP6412501B2 (ja) | ニオブ造粒粉末の製造方法 | |
WO2002045108A1 (en) | Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body | |
JP5844953B2 (ja) | タングステンコンデンサ用陽極体 | |
WO2015029631A1 (ja) | タングステン粉及びコンデンサの陽極体 | |
JP4993730B2 (ja) | 蒸着用アルミニウム箔材の製造方法 | |
JPWO2004045794A1 (ja) | 電解コンデンサ用Nb−Al合金粉末及びその製造方法、並びに電解コンデンサ | |
WO2013190885A1 (ja) | 固体電解コンデンサの陽極体 | |
WO2014104177A1 (ja) | ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法 | |
JP2010265549A (ja) | コンデンサ用ニオブ粉 | |
JP2003342603A (ja) | ニオブ粉末及び固体電解コンデンサ | |
JP5750201B1 (ja) | タングステン粉、コンデンサの陽極体、及び電解コンデンサ | |
RU2349423C2 (ru) | Способ получения волокнистого порошка тантала и волокнистый порошок тантала |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20180919 |
|
PD4A | Correction of name of patent owner |