JPS60152016A - バルブ金属表面をカルコ−ゲン類で処理する方法 - Google Patents
バルブ金属表面をカルコ−ゲン類で処理する方法Info
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- JPS60152016A JPS60152016A JP59208392A JP20839284A JPS60152016A JP S60152016 A JPS60152016 A JP S60152016A JP 59208392 A JP59208392 A JP 59208392A JP 20839284 A JP20839284 A JP 20839284A JP S60152016 A JPS60152016 A JP S60152016A
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- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/14—Treatment of metallic powder
- B22F1/142—Thermal or thermo-mechanical treatment
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、添付特許請求の範囲に記載のごとく、高真空
または不活性気体雰囲気中で酸素を排除して少量のカル
コーグンまたはカルコ−ｒン化合物の作用によシ、元素
周期律表第５亜族のパルプ金属、特定的にはニオブ及び
タンタルの表面を処理して構造的に修飾することに関す
る。パルプ金属は好ましくは粉末まだは箔の形である。
または不活性気体雰囲気中で酸素を排除して少量のカル
コーグンまたはカルコ−ｒン化合物の作用によシ、元素
周期律表第５亜族のパルプ金属、特定的にはニオブ及び
タンタルの表面を処理して構造的に修飾することに関す
る。パルプ金属は好ましくは粉末まだは箔の形である。
特許請求の範囲に記載された方法によシ有利な形でパル
プ金属の活性な表面積が増大し、従って該パルプ金属を
電解コンデンサーの陽極材料として用いた場合、コンデ
ンサーの電気特性が改善される。
プ金属の活性な表面積が増大し、従って該パルプ金属を
電解コンデンサーの陽極材料として用いた場合、コンデ
ンサーの電気特性が改善される。
タンタル金属を、電解コンデンサーの陽極材料として、
捲き型コンデンサー用の薄埴箔の形でま ゛たは多孔性
焼結成形体用の金属粉末の形で用いる場合、陽極的に施
された誘電体層に対する容量艇定基質として作用する表
面活性度は確実に出来るだけ大きくなるようにすること
が重要である。パルプ金属箔の表面積を増大させるため
の最も重要な方法として機械的粗面化法または化学的エ
ツチング法が知られている。然しなから、これらの公知
の方法は常に摩耗または溶解の損失を伴いそして粉砕ま
たはマスキングに用いる研摩剤及び化学物質の残留物の
両者によシ生ずる箔表面の望ましく彦い不純物の随伴を
招き、弗化水素酸処理の場合には、通常水素化物の生成
及び脆化崩落も起る。
捲き型コンデンサー用の薄埴箔の形でま ゛たは多孔性
焼結成形体用の金属粉末の形で用いる場合、陽極的に施
された誘電体層に対する容量艇定基質として作用する表
面活性度は確実に出来るだけ大きくなるようにすること
が重要である。パルプ金属箔の表面積を増大させるため
の最も重要な方法として機械的粗面化法または化学的エ
ツチング法が知られている。然しなから、これらの公知
の方法は常に摩耗または溶解の損失を伴いそして粉砕ま
たはマスキングに用いる研摩剤及び化学物質の残留物の
両者によシ生ずる箔表面の望ましく彦い不純物の随伴を
招き、弗化水素酸処理の場合には、通常水素化物の生成
及び脆化崩落も起る。
化学的エツチング法による粉末状ニオブまたはタンタル
金属表面の粗面化は問題があシそして殆んど用いられず
、その理由は通常の広い粒度範囲の金属粉末に対して所
望の且つ特定の処理を制御することが困難であるからで
ある。この場合溶解損失及び汚染の問題もある。
金属表面の粗面化は問題があシそして殆んど用いられず
、その理由は通常の広い粒度範囲の金属粉末に対して所
望の且つ特定の処理を制御することが困難であるからで
ある。この場合溶解損失及び汚染の問題もある。
コンデンサー用のタンタル粉末の製造において粒度に対
して特定の作用を有する添加剤は金属粉末の表面積（比
表面積：１ｒＬ”／ｖ）に対して直接的効果を有するが
、この技術の現状では、添加剤はホウ素、燐、窒素及び
珪素の諸元素に限定して用いられている。例えば西ドイ
ツ国特許出願公開明細書第３．１４０．２４８号には、
タンタル粉末の製造の前、間または後にホウ素を「ドー
ピング剤」として用いることが記載されている。然しな
から、これらの方法は金属粒子表面の表面構造には顕著
な効果は示さず、恐らく金属表面に陽極的に施された誘
電性酸化物層の電気特性に特に有利な効果を有する金属
間合金相として作用するものである。
して特定の作用を有する添加剤は金属粉末の表面積（比
表面積：１ｒＬ”／ｖ）に対して直接的効果を有するが
、この技術の現状では、添加剤はホウ素、燐、窒素及び
珪素の諸元素に限定して用いられている。例えば西ドイ
ツ国特許出願公開明細書第３．１４０．２４８号には、
タンタル粉末の製造の前、間または後にホウ素を「ドー
ピング剤」として用いることが記載されている。然しな
から、これらの方法は金属粒子表面の表面構造には顕著
な効果は示さず、恐らく金属表面に陽極的に施された誘
電性酸化物層の電気特性に特に有利な効果を有する金属
間合金相として作用するものである。
例えば西ドイツ国特許出願公開明細書第３． ＯＯ５゜
２０７号、第３．２’：（０，２１９°号または第４６
１６゜３６７号に記載されているごとく、ビー２ング元
素として燐を用いる場合に°も同様の状況がある。
２０７号、第３．２’：（０，２１９°号または第４６
１６゜３６７号に記載されているごとく、ビー２ング元
素として燐を用いる場合に°も同様の状況がある。
元素周期律表■ｂ、Ｖｂ及びＶｌｂ族の金属の化合物を
基底とする無機潤滑剤を用いることが西ドイツ国特許第
４６１０．２２４号に記載されている。
基底とする無機潤滑剤を用いることが西ドイツ国特許第
４６１０．２２４号に記載されている。
この特許に従えば、そこに記載されている金属化合物が
タンタル粉末の粉末冶金法における緻密化ダイス型の使
用期間を長くすることにおいて潤滑剤として有益な効果
を有することが見出された。
タンタル粉末の粉末冶金法における緻密化ダイス型の使
用期間を長くすることにおいて潤滑剤として有益な効果
を有することが見出された。
該潤滑剤を用いる場合、その目的は緻密化したものを直
ちに減圧下において陽極の多孔度を増大させることであ
る。該発表においては、タンタル粉末粒子またはタンタ
ル金属箔のこの表面の性質について何ら記述されていな
い。
ちに減圧下において陽極の多孔度を増大させることであ
る。該発表においては、タンタル粉末粒子またはタンタ
ル金属箔のこの表面の性質について何ら記述されていな
い。
粒度を下げることによシタンタル金属コンデンサー粉末
の比表面積（ｒｒＬ“／１）を大きくすることには限界
がある。例えば西ドイツ国特許第２，５１７、１８０号
に明示されているごとき不規則な粒子形を有する極めて
細かいタンタル粉末を得るための従来公知の方法は、コ
ンデンサーを比較的高い作動電圧にて用いる用途には殆
んど適しない粒度を与え、その理由はある場合には誘電
性酸化物層の層厚さの増大が粒度の寸法を超え、従って
タンタル粉末粒子の一部が金属導電性の欠如のために荷
電担体として有効でなくなるからである。
の比表面積（ｒｒＬ“／１）を大きくすることには限界
がある。例えば西ドイツ国特許第２，５１７、１８０号
に明示されているごとき不規則な粒子形を有する極めて
細かいタンタル粉末を得るための従来公知の方法は、コ
ンデンサーを比較的高い作動電圧にて用いる用途には殆
んど適しない粒度を与え、その理由はある場合には誘電
性酸化物層の層厚さの増大が粒度の寸法を超え、従って
タンタル粉末粒子の一部が金属導電性の欠如のために荷
電担体として有効でなくなるからである。
従って、本発明の一つの目的は、表面積を大きくする意
味においてパルプ金属粉末の粒度に着目した改良（また
は改善）とは無関係に、金属表面をエツチング屋の方法
によシ粗面化しそしてそれによって表面積を溶解または
摩耗の過程により起る物質の損失が伴うことなく同様に
大きくすることによる方法を見出すことである。
味においてパルプ金属粉末の粒度に着目した改良（また
は改善）とは無関係に、金属表面をエツチング屋の方法
によシ粗面化しそしてそれによって表面積を溶解または
摩耗の過程により起る物質の損失が伴うことなく同様に
大きくすることによる方法を見出すことである。
この目的は本発明に従い、凝集または非凝集粉末、薄い
Ｗｉまたは粉末から製造された成形物の形のパルプ金属
、特にニオブまたはタンタルを、酸素を排除したカルコ
ーグン類またはカルコーグン化合物の存在“のもとて不
活性気体（保護気体）雰囲気中または高真空下で３００
乃至２０００℃の温度にである時間加熱することによシ
達成される。
Ｗｉまたは粉末から製造された成形物の形のパルプ金属
、特にニオブまたはタンタルを、酸素を排除したカルコ
ーグン類またはカルコーグン化合物の存在“のもとて不
活性気体（保護気体）雰囲気中または高真空下で３００
乃至２０００℃の温度にである時間加熱することによシ
達成される。
特に記載すべきカルコ−ｒン類は硫黄、セレン、テルル
であシ、カルコ−ｒン化合物は特定的にはこれらの元素
の容易に入手し得る化合物である。
であシ、カルコ−ｒン化合物は特定的にはこれらの元素
の容易に入手し得る化合物である。
これらのカルコーグン類またはカルコ−ｒン化合物は好
ましくは元素を基準にして且つ用いる金属に対して２０
乃至ｓ、 ｏ ｏ ｏ ｐｐｍ、好ましくは３０乃至２
，０００７）１）ｔｎの量にて用いられる。
ましくは元素を基準にして且つ用いる金属に対して２０
乃至ｓ、 ｏ ｏ ｏ ｐｐｍ、好ましくは３０乃至２
，０００７）１）ｔｎの量にて用いられる。
カルコーグン類またはカルコーグン化合物をパルプ金属
に作用させるための本発明に従う方法は種々の方汎で行
うことが出来る。
に作用させるための本発明に従う方法は種々の方汎で行
うことが出来る。
例えば、本発明に従う熱化学的後処理は、カルコ−ｒン
類例えば硫黄を金属中に出来るだけ均一に分布させるよ
うにするために、カルコ−ｒン類例えば硫黄をドーピン
グ添加剤として製造工程中、即ち°還元の前または間に
パルプ金属粉末に導入することによシ行うことが出来る
。
類例えば硫黄を金属中に出来るだけ均一に分布させるよ
うにするために、カルコ−ｒン類例えば硫黄をドーピン
グ添加剤として製造工程中、即ち°還元の前または間に
パルプ金属粉末に導入することによシ行うことが出来る
。
然しなから、（特に金属箔の場合のようＫ）純粋のまた
は極めて純粋のパルプ金属から出発することが必要な場
合には、気体状カルコ−ｒン化合物（カルコーグン硫黄
の場合にはこれは好ましくは硫化水素である）を用いて
金属の処理を行うことも本発明の態様の範囲内で可能で
ある。これは好ましくは最初金属の熱処理中真空または
不活性気体中に気体状カルコ−ｒン化合物のある分圧を
与えセしてこの分圧を処理時間中保つことにより行われ
る。
は極めて純粋のパルプ金属から出発することが必要な場
合には、気体状カルコ−ｒン化合物（カルコーグン硫黄
の場合にはこれは好ましくは硫化水素である）を用いて
金属の処理を行うことも本発明の態様の範囲内で可能で
ある。これは好ましくは最初金属の熱処理中真空または
不活性気体中に気体状カルコ−ｒン化合物のある分圧を
与えセしてこの分圧を処理時間中保つことにより行われ
る。
タンタル粉末の本発明に従う処理の最も簡単な具体例は
例えばカルコ−ｒン化合物特定的には硫黄化合物とまた
は例えばコロイド状にて非常に容易に得石ことが出来る
微細な元素硫黄とタンタル金属粉末を混合することにあ
る。
例えばカルコ−ｒン化合物特定的には硫黄化合物とまた
は例えばコロイド状にて非常に容易に得石ことが出来る
微細な元素硫黄とタンタル金属粉末を混合することにあ
る。
然しなから、本発明に従うパルプ金属粉末の処理はまた
付随的手段として公知の熱的凝集法の一つの過程におい
て効果的に行うことも出来る。これは例えば、測シとっ
た量の気体状硫黄化合物を粉末組成物上に通すと生によ
シ行うことが出来る。
付随的手段として公知の熱的凝集法の一つの過程におい
て効果的に行うことも出来る。これは例えば、測シとっ
た量の気体状硫黄化合物を粉末組成物上に通すと生によ
シ行うことが出来る。
然しなからまた、凝集に先立って含浸または混合によシ
硫黄化合物または元素状硫黄をパルプ金属粉末に付与す
ることも可能である。
硫黄化合物または元素状硫黄をパルプ金属粉末に付与す
ることも可能である。
本発明に従う方法において気体状カルコ−ｒン化合物を
用いる場合、硫化水素が好ましい。
用いる場合、硫化水素が好ましい。
更に１本発明に従うパルプ金属の処理はパルプ金属陽極
に対する焼結法の付随的方法として行うことも出来る。
に対する焼結法の付随的方法として行うことも出来る。
例えは、これはパルプ金属粉末、特定的にはタンタル粉
末の未処理のまたは予め焼結した陽極にカルコ−ｒン類
特に硫黄を含む溶液を含浸させそして該陽極を乾燥させ
るか、または測った量の気体状硫黄化合物、物足的には
硫化水素を添加しつつ陽極を焼結する方法を行う仁とに
よシ行うことが出来る。
末の未処理のまたは予め焼結した陽極にカルコ−ｒン類
特に硫黄を含む溶液を含浸させそして該陽極を乾燥させ
るか、または測った量の気体状硫黄化合物、物足的には
硫化水素を添加しつつ陽極を焼結する方法を行う仁とに
よシ行うことが出来る。
最後に１本発明の方法はｔｆｃ＝トイレ国特許出願公開
明細書第％１３０，３９２号に前記されたごとき脱酸素
熱処理、例えば還元用金属の存在下での凝集法と組合わ
せることも出来る。この型の具体例の場合、用いるカル
コ−ダン化合物中の酸素及び／またはアルカリ金属の可
能な含量を無視することも可能であシ、即ち例えば、カ
ルコ−ｒン類の酸素酸塩を用い、同時に比例して脱酸素
剤（還元用金属）の量を増加して、酸素含量を一段の操
作で減少させることも可能である。
明細書第％１３０，３９２号に前記されたごとき脱酸素
熱処理、例えば還元用金属の存在下での凝集法と組合わ
せることも出来る。この型の具体例の場合、用いるカル
コ−ダン化合物中の酸素及び／またはアルカリ金属の可
能な含量を無視することも可能であシ、即ち例えば、カ
ルコ−ｒン類の酸素酸塩を用い、同時に比例して脱酸素
剤（還元用金属）の量を増加して、酸素含量を一段の操
作で減少させることも可能である。
本発明に従う熱処理のために選ばれる温度は用いられる
カルコ−ｒン化合物の性質に依存し、その熱分解が成る
条件下での方法に対して決定凶手である０本発明に従え
ば、温度は３００と２０００℃の間であ１．５０Ｇ乃至
１８００℃が好ましい。
カルコ−ｒン化合物の性質に依存し、その熱分解が成る
条件下での方法に対して決定凶手である０本発明に従え
ば、温度は３００と２０００℃の間であ１．５０Ｇ乃至
１８００℃が好ましい。
例えば硫化水素を用いる場合、約６００乃至１２００℃
の温度が好ましい。
の温度が好ましい。
この方法においては、これらの温度での処理を少くとも
一段階行えば十分であシ、即ちこの加熱を少くとも一回
の処理段階にて行えば十分である。
一段階行えば十分であシ、即ちこの加熱を少くとも一回
の処理段階にて行えば十分である。
パルプ金属をカルコ−ｒンを用いて処理する本発明の方
法においては、如何なる所望の種類の熱処理の前に、通
常の型の且つ通常選ばれる他のドーピング剤をすでに含
むかｔたはこの型の他のドーピング剤をカルコーグン化
合物と共に添加したこれらのパルプ金属粉末、特定的に
はニオブまたはタンタル金属粉末を用いることも可能で
ある。
法においては、如何なる所望の種類の熱処理の前に、通
常の型の且つ通常選ばれる他のドーピング剤をすでに含
むかｔたはこの型の他のドーピング剤をカルコーグン化
合物と共に添加したこれらのパルプ金属粉末、特定的に
はニオブまたはタンタル金属粉末を用いることも可能で
ある。
この型の公知のドーピング剤の例として燐、ホウ素、窒
素及び珪素をあげることが出来る。
素及び珪素をあげることが出来る。
下記の実施例は本発明を例示するものであり、本発明の
適用を何ら限定するものではない。
適用を何ら限定するものではない。
実施例１
再結晶による粗製塩の精製に逸當用いられるごとき、弗
化水素酸に弗化カリウムタンタルの熱飽和溶液に１０％
濃度のチオ硫酸す） ＩＪウム溶溶液１景景を加え、但
しチオ硫酸す） ＩＪＪウム量は用いられる粗製塩（Ｋ
、 Ｔ ａＦ、 ）の量に対してである。
化水素酸に弗化カリウムタンタルの熱飽和溶液に１０％
濃度のチオ硫酸す） ＩＪウム溶溶液１景景を加え、但
しチオ硫酸す） ＩＪＪウム量は用いられる粗製塩（Ｋ
、 Ｔ ａＦ、 ）の量に対してである。
溶液を混合したときＳＯｌの臭いが発生し、そして溶液
は細かい元素状硫黄のために徐々に濁って来た。公知の
方法で溶液から、結晶を析出させ；そして結晶泥状物を
機械的に傾斜法で分離した。
は細かい元素状硫黄のために徐々に濁って来た。公知の
方法で溶液から、結晶を析出させ；そして結晶泥状物を
機械的に傾斜法で分離した。
硫黄を含む乾燥弗化カリウムタンタルを西ドイツ国喘＃
！ｆ第２，５１７，１８０号の実施例１の方法に従って
微粉タンタル粉末の製造に用い、最終生成物として約１
２００ｐｐｍの硫黄を含むタンタル金属粉末が得られた
。この粉末を硫黄を含まない粉末と比較して電気的試験
にかけ、即ちそれを圧縮成形し、第１表に示された条件
下で高真空中で焼結し、陽極的に活性化しそして電気的
測定にかけた。この測定結果は数字１及び数字１２′と
して第■表に示されておシ、硫黄を含ま力い比較試料は
Ａで示されている。
！ｆ第２，５１７，１８０号の実施例１の方法に従って
微粉タンタル粉末の製造に用い、最終生成物として約１
２００ｐｐｍの硫黄を含むタンタル金属粉末が得られた
。この粉末を硫黄を含まない粉末と比較して電気的試験
にかけ、即ちそれを圧縮成形し、第１表に示された条件
下で高真空中で焼結し、陽極的に活性化しそして電気的
測定にかけた。この測定結果は数字１及び数字１２′と
して第■表に示されておシ、硫黄を含ま力い比較試料は
Ａで示されている。
実施例２
タンタル陽極を焼結する工程中に硫化反応を行うことに
よシ本発明の方法を適用した。この目的のために、緻密
化して円筒形成形物を作ることによシタンタル金属粉末
から製造された一群のタンタル陽極を気体状硫黄化合物
と反応させ、そのあと９００乃至１１００℃にて起る脱
気体段階にかけ、これはＨ，５５０ｍ ｂを真空受器中
に３分量計シ込み、その間温度を１１００℃に一定に保
つことにより行われた。次に一定の高真空になるまで残
留気体をポンプで引き、そして陽極の焼結を公知の方法
で行った（第１表参照）。硫黄を用いて処理された焼結
成形体を陽極的に処理しそして未処理陽極と比較して電
気的測定を行った。試験条件及び測定結果を第１表及び
第■表に示す（硫黄を含まない比較試料は記号２Ａで示
されている）。
よシ本発明の方法を適用した。この目的のために、緻密
化して円筒形成形物を作ることによシタンタル金属粉末
から製造された一群のタンタル陽極を気体状硫黄化合物
と反応させ、そのあと９００乃至１１００℃にて起る脱
気体段階にかけ、これはＨ，５５０ｍ ｂを真空受器中
に３分量計シ込み、その間温度を１１００℃に一定に保
つことにより行われた。次に一定の高真空になるまで残
留気体をポンプで引き、そして陽極の焼結を公知の方法
で行った（第１表参照）。硫黄を用いて処理された焼結
成形体を陽極的に処理しそして未処理陽極と比較して電
気的測定を行った。試験条件及び測定結果を第１表及び
第■表に示す（硫黄を含まない比較試料は記号２Ａで示
されている）。
実施例３
西ドイツ国特許出願公開明細書第３，１３０，３９２号
実施例２に記載されたようにマグネシウム金属を用いて
タンタル金属粉末を通常の方法で凝集させたものに本発
明に従ってＮａ、５ｉｔｅ４の形のセレンを加えた。Ｔ
α含量に対するＳｅの量は２０００ｐｐｍであった。脱
酸素剤の量の計算においては、Ｎａ！５ｅＯ４によシ付
加的に導入された酸素を考慮して計算された。
実施例２に記載されたようにマグネシウム金属を用いて
タンタル金属粉末を通常の方法で凝集させたものに本発
明に従ってＮａ、５ｉｔｅ４の形のセレンを加えた。Ｔ
α含量に対するＳｅの量は２０００ｐｐｍであった。脱
酸素剤の量の計算においては、Ｎａ！５ｅＯ４によシ付
加的に導入された酸素を考慮して計算された。
脱酸素されたセレン含有粉末を焼結しそしてセレンを含
まない同様に脱酸素したタンタル粉末と比較して電気的
試験にかけた。この試験の実験条件は第１表に示されて
いる。
まない同様に脱酸素したタンタル粉末と比較して電気的
試験にかけた。この試験の実験条件は第１表に示されて
いる。
これらの測定の結果は第■表に示されておシ、セレンを
含まない比較試料は記号３Ａで示されている。
含まない比較試料は記号３Ａで示されている。
実施例４
コンデンサー用のニオブ箔を（硫黄蒸気を発生させるた
めの媒質として）硫化ニオブの平たい層を含むタンタル
カート上に拡げた。アルゴン雰囲気下で１２００℃にて
３０分熱処理した後、箔は僅かに鈍い表面光沢を示した
。走査型電子顕微鏡写真（第１ａ図及び第１ｂ図参照）
は、未処理箔（第１α図）と比較して、箔表面の顕著な
粗面化が起っている（第１ｂ図）ことを明確に示してい
る。
めの媒質として）硫化ニオブの平たい層を含むタンタル
カート上に拡げた。アルゴン雰囲気下で１２００℃にて
３０分熱処理した後、箔は僅かに鈍い表面光沢を示した
。走査型電子顕微鏡写真（第１ａ図及び第１ｂ図参照）
は、未処理箔（第１α図）と比較して、箔表面の顕著な
粗面化が起っている（第１ｂ図）ことを明確に示してい
る。
第１表 焼結及び測定の条件
実施例 実施例 実施例
１＋１，４ ２＋Ｌ４ ３＋３／（
焼結温度（’Ｃ） １，５００ １，６００ １．５５
０焼結時間（分） ２０ ２０ ２０ 陽極の重量（ｆ） ０．２ ０．２ ０．２陽極の直径
（ｗ） ４．６ ４．０ ４．６圧縮密度（ｆ／ｃＪ）
４．５ ４．５ ４．０陽極処理電圧（Ｖ） ７０
７０ ７０（時間） ２ ２ ２ 電解質浴（Ｈｓ Ｐ ０４ の％） ０．１ ０．１ ０．０１ 浴温度（℃） 、 、ａｏ ９．ｏ ９゜第■表 実施
例１〜３における測定結果化荷電量 漏えい電流 破壊
電圧 ｍｃ／ｌ ｔｓＡ／ｌｎｃ ポルト 実施例１ ３０ ０．３ １４５ １．４ ２４ １．４ １２０ 実施例２ １９．５ ０．２’ １８０２Ａ １６ ０
．３ １４０ 実施例３ ２０ ０．３ １６０ ３Ａ Ｉ８ ０．３ １２０
０焼結時間（分） ２０ ２０ ２０ 陽極の重量（ｆ） ０．２ ０．２ ０．２陽極の直径
（ｗ） ４．６ ４．０ ４．６圧縮密度（ｆ／ｃＪ）
４．５ ４．５ ４．０陽極処理電圧（Ｖ） ７０
７０ ７０（時間） ２ ２ ２ 電解質浴（Ｈｓ Ｐ ０４ の％） ０．１ ０．１ ０．０１ 浴温度（℃） 、 、ａｏ ９．ｏ ９゜第■表 実施
例１〜３における測定結果化荷電量 漏えい電流 破壊
電圧 ｍｃ／ｌ ｔｓＡ／ｌｎｃ ポルト 実施例１ ３０ ０．３ １４５ １．４ ２４ １．４ １２０ 実施例２ １９．５ ０．２’ １８０２Ａ １６ ０
．３ １４０ 実施例３ ２０ ０．３ １６０ ３Ａ Ｉ８ ０．３ １２０
添付図面の第１α図（Ｆｉｇ、１α）は、 コンデンサ
ー用ニオブ箔の表面の走査型電子顕微°鐘写真である。 第１ｂ図（Ｆｉｇ、１ ｂ ）は、コンデンサー用ニオ
ブ箔を硫化ニオブの存在下且つアルゴン雰囲気下、１２
００℃で処理したのちの表面の走査型電子顕微鏡写真で
ある。 ％許出Ｈ人 ヘルマン・ラニー・スタルク・ベルリン 第１頁の続き ０発 明 者 リュデイガー・ボルフ ドイ イツ連邦共和国デー−３３８７フイーネンブルク３・ア
ムハリゲンベルク ８ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年特ＷＦ顧第２０８．３９２号２、発明の名称 パルプ金属表面をカルコーダン類で処理する方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代 理 人〒１０７ ・５．補正命令の日付 昭和６０年 １ 月、２９日（
発送日）−１ζ、 Ｉ′ｉピ＼ （１） 明細書第２０頁３行目の「表面の」のすぐ後に
、「金属組織の」を加入する。 Ｑ） 同第“２０頁７行目の「表面の」のすぐ後に・、
「金属組織の」を加入する。 以上
ー用ニオブ箔の表面の走査型電子顕微°鐘写真である。 第１ｂ図（Ｆｉｇ、１ ｂ ）は、コンデンサー用ニオ
ブ箔を硫化ニオブの存在下且つアルゴン雰囲気下、１２
００℃で処理したのちの表面の走査型電子顕微鏡写真で
ある。 ％許出Ｈ人 ヘルマン・ラニー・スタルク・ベルリン 第１頁の続き ０発 明 者 リュデイガー・ボルフ ドイ イツ連邦共和国デー−３３８７フイーネンブルク３・ア
ムハリゲンベルク ８ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年特ＷＦ顧第２０８．３９２号２、発明の名称 パルプ金属表面をカルコーダン類で処理する方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代 理 人〒１０７ ・５．補正命令の日付 昭和６０年 １ 月、２９日（
発送日）−１ζ、 Ｉ′ｉピ＼ （１） 明細書第２０頁３行目の「表面の」のすぐ後に
、「金属組織の」を加入する。 Ｑ） 同第“２０頁７行目の「表面の」のすぐ後に・、
「金属組織の」を加入する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電解コンデンサー用の電極として用いるだめの、凝
集または非凝集粉末の形態、薄い箔の形態または粉末か
ら製造された成形物の形態にあるパルプ（ｖａｌｖｅ
）金属、特にニオノ及びタンタルの表面を処４理する方
法であって、これらの金属を酸素を排除したカルコ−ｒ
ン類またはカルコ−ｒ′ン化合物類の存在のもとて不活
性気体雰囲気中または高真空下で３００乃至２０００℃
の温度まで少くとも一段階で加熱することを特徴とする
方法。 ２ 用いるカルコーグン類が硫黄、セレンもしくはテル
ルまたはこれらの元素の化合物である特許請求の範囲第
１項記載の方法。 ユ カルコーグン類またはその化合物を元素を基準にし
て且つ金属に対して２０乃至５０００ｐｐ錫の量にて用
いる特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方法。 本 用いるパルプ金属が、その製造方法の結果として、
ドーピング剤として２０乃至５０００ｐｐｍの量にてす
でにカルコーグン類を含むタンタル金属粉末である特許
請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の方法。 ５、金属粉末が得られた後、カルコーグン類またはカル
コーグン化合物を元素を基準にして２０乃至５０００ｐ
ｐｍの量にて該金属粉末に混合または含浸によシ添加す
る特許請求の範囲第１項〜第８項のいずれかに記載の方
法。 ６、 カルコ−ｒン類またはカルコ−ｒン化合物を金属
粉末に凝集段階の前またはその間に加える特許請求の範
囲第１項〜第３項のいずれかに記載の方法。 ７． カルコ−ｒン類またはカルコ−ｒン化合物をパル
プ金属粉末から製造された成形物に熱処理の前またはそ
の間に加える特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか
に記載の方法。 ８、上記したカルコ−ｒン類またはカルコ−ｒン化合物
の他にさらに他の通常のドーピング剤を含むパルプ金属
を用いる特許請求の範囲第１項〜第７項のいずれかに記
載の方法。 ９、当該技術分野において公知の更に他のドーピング剤
を、そのままでまたは混合物として、カルコ−ｒン類ま
たはカルコ−ｒン化合物と同時に加える特許請求の範囲
第１項〜第７項のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3336453.2 | 1983-10-06 | ||
| DE3336453A DE3336453C2 (de) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | Verfahren zur Oberflächenvergrößerung von Niob und Tantal in Form von agglomerierten oder nicht agglomerierten Pulvern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152016A true JPS60152016A (ja) | 1985-08-10 |
| JPH0449773B2 JPH0449773B2 (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=6211206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208392A Granted JPS60152016A (ja) | 1983-10-06 | 1984-10-05 | バルブ金属表面をカルコ−ゲン類で処理する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4548672A (ja) |
| JP (1) | JPS60152016A (ja) |
| DE (1) | DE3336453C2 (ja) |
| GB (1) | GB2147611B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119068A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-05-07 | American Teleph & Telegr Co <Att> | ニオブカルコゲン化物から成る非水系セルの製造方法 |
| JPH03229801A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-10-11 | Cabot Corp | タンタル材料の酸素含量を調節する方法 |
| WO2000008662A1 (en) * | 1998-08-05 | 2000-02-17 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Sinter of niobium for capacitor, and method of manufacture thereof |
| WO2002015208A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-21 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, sinter thereof, and capacitor employing the same |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE4042596C2 (en) * | 1990-02-03 | 1993-09-02 | H.C. Starck Gmbh & Co Kg, 3380 Goslar, De | High capacitance valve metal powder |
| US5098485A (en) * | 1990-09-19 | 1992-03-24 | Evans Findings Company | Method of making electrically insulating metallic oxides electrically conductive |
| US6165623A (en) | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US5869196A (en) * | 1996-12-20 | 1999-02-09 | Composite Material Technology, Inc. | Constrained filament electrolytic anode and process of fabrication |
| CZ302587B6 (cs) * | 1997-04-26 | 2011-07-27 | Cabot Corporation | Tantalový drát, ventilový kov, výrobek a zpusob pridávání druhého kovu do ventilového kovu |
| US6051326A (en) * | 1997-04-26 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Valve metal compositions and method |
| US6051044A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| ID27391A (id) * | 1998-05-06 | 2001-04-05 | H C Starch Inc Cs | Serbuk logam yang diproduksi oleh penurunan oksida dengan gas-gas magnesium |
| AU768524B2 (en) | 1999-03-19 | 2003-12-18 | Cabot Corporation | Making niobium and other metal powders by milling |
| US6375704B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
| US6652619B2 (en) * | 2000-08-10 | 2003-11-25 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same |
| ATE554490T1 (de) * | 2003-11-10 | 2012-05-15 | Showa Denko Kk | Niobpulver für einen kondensator, niob- gesinterter körper und kondensator |
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| JPS6059005A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-04-05 | ゲー・エフ・エー、ゲゼルシヤフト、フユール、エレクトロメタルルギー、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング | 電解コンデンサ等用のバルブメタル粉末の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2517180C3 (de) * | 1975-04-18 | 1979-04-19 | Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren |
| US4009007A (en) * | 1975-07-14 | 1977-02-22 | Fansteel Inc. | Tantalum powder and method of making the same |
| DE3005207C2 (de) * | 1980-02-12 | 1986-06-12 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur Herstellung eines Phosphor-dotierten Alkalimetall-Erdsäuremetall-Doppelfluorides und dessen Verwendung |
| US4356028A (en) * | 1981-08-24 | 1982-10-26 | Fansteel Inc. | In situ phosphorus addition to tantalum |
| DE3140248C2 (de) * | 1981-10-09 | 1986-06-19 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden |
-
1983
- 1983-10-06 DE DE3336453A patent/DE3336453C2/de not_active Expired
-
1984
- 1984-09-28 US US06/655,635 patent/US4548672A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-05 JP JP59208392A patent/JPS60152016A/ja active Granted
- 1984-10-05 GB GB08425209A patent/GB2147611B/en not_active Expired
Patent Citations (2)
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| US6521013B1 (en) | 1998-08-05 | 2003-02-18 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium sintered body for capacitor and replace with process for producing same |
| US6656245B2 (en) * | 1998-08-05 | 2003-12-02 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium sintered body for capacitor and process for producing same |
| JP2009224814A (ja) * | 1998-08-05 | 2009-10-01 | Showa Denko Kk | コンデンサの陽極用焼結体 |
| WO2002015208A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-21 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, sinter thereof, and capacitor employing the same |
| JPWO2002015208A1 (ja) * | 2000-08-10 | 2004-01-15 | 昭和電工株式会社 | ニオブ粉、その焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
| JP4562986B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-10-13 | 昭和電工株式会社 | ニオブ粉、その焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2147611A (en) | 1985-05-15 |
| US4548672A (en) | 1985-10-22 |
| DE3336453C2 (de) | 1985-11-28 |
| GB8425209D0 (en) | 1984-11-14 |
| DE3336453A1 (de) | 1985-05-02 |
| JPH0449773B2 (ja) | 1992-08-12 |
| GB2147611B (en) | 1986-05-21 |
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