JP2009224814A - コンデンサの陽極用焼結体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
ニオブ窒化物、ニオブ炭化物およびニオブホウ化物の中から選ばれた少なくとも一種の化合物を含み、その含有量がニオブ粉末中の結合窒素量、結合炭素量および結合ホウ素量として50重量ppm〜200,000重量ppmであるニオブ粉末の焼結体からなるコンデンサ用陽極。
【選択図】なし
Description
本発明者は、鋭意検討の結果、LC値の低いニオブ焼結体の開発に成功し、本発明を完成するに至った。
上記のコンデンサ用ニオブ焼結体は、好ましくは、容量と電解電圧の積であるCV値が1gあたり40,000[μF・V/g]以上を有し、また、ニオブ窒化物、ニオブ炭化物およびニオブホウ化物の中から選ばれた少なくとも一種を含むニオブ焼結体からなるものである。
第3の発明は、上記第1の発明であるニオブ焼結体を一方の電極とし、その表面に形成された誘電体と、他方の電極とから構成されたコンデンサである。
円形度 = 4π×S/L2
式中、S:粉粒体を平面上に投影した時の平面上の投影面積
L:上記投影図の外周長
その結果、電解酸化皮膜の安定性を保つことが可能となり、LCを低下させる効果が得られるものと推定される。
ニオブ焼結体を陽極とした場合、陰極としては、アルミ電解コンデンサ業界で公知である電解液、有機半導体および無機半導体の中から選ばれた少なくとも一種が使用される。
有機半導体としては、例えば、ベンゾピロリン四量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記一般式(1)または(2)で表わされる高分子にドーパントをドープした電導性高分子を主成分とした有機半導体などが挙げられる。
無機半導体としては、例えば、二酸化鉛または二酸化マンガンを主成分とする無機半導体、四三酸化鉄からなる無機半導体などが挙げられる。
なお、ニオブ粉末、ニオブ焼結体およびコンデンサの特性は以下の方法により測定した。
(イ)粉末の平均粒径 粒度分布測定器(商品名「マイクロトラック」)を用いて測定したD50値(累積重量%が50重量%である粒径値)をニオブ粉末の平均粒径(単位:μm)とした。
(ロ)粉末の結合窒素量、結合炭素量および結合ホウ素量 粉末の結合窒素量は、熱伝導度から窒素量を求めるLECO社製酸素窒素量測定器を用いて求めた。粉末の結合ホウ素量は、島津製作所製ICP分光測定器を用いて求めた。また、結合炭素量は、堀場製作所製EMIA110炭素量測定器を用いて求めた。測定された結合窒素量、結合炭素量および結合ホウ素量は、別途測定した粉末の質量との比として表示した。
粉粒体のSEM写真(2,000倍)を撮り、粒子映像を拡大して、粉粒体の面積Sと外周長Lを測定し、式:円形度 = 4π×S/L2に従って円形度を求めた。1,000個の粉粒体の円形度を求め、その平均値を算出した。
(ニ)焼結体の空孔率
焼結体の空孔率(%)は島津製作所製気孔分布測定器により水銀圧入方式で測定した。
(ホ)焼結体の容量 室温において、30%硫酸中に浸漬させた焼結体と硫酸液中に入れたタンタル材の電極との間にHP製LCR測定器を接続して測定した120kHzでの容量(単位:μF/g)を焼結体の容量とした。
なお、コンデンサの容量(単位:μF)は、コンデンサの電極と測定器の端子とを直接接続して測定した(実施例5)。
室温において、20%リン酸水溶液中に浸漬させた焼結体とリン酸水溶液中に入れた電極との間に誘電体作製時の化成電圧の70%に相当する直流電圧(本測定においては14[V]の電圧)を3分間印加し続けた後に測定された電流値(単位:μA/g)を焼結体の漏れ電流値とした。
コンデンサの漏れ電流値(μA)は、コンデンサの電極と測定器の端子とを直接接続し、10Vの電圧を印加して測定した(実施例5)。
(ト)コンデンサの耐電圧 コンデンサに印加する電圧を1Vから段階的に1V間隔で順次昇圧し、それぞれの電圧において1分間ずつ放置した。その状態で測定したコンデンサのLC値が50μAを超える直前の印加電圧を耐電圧(V)とした。
平均粒径3μmのニオブ粉末を窒素雰囲気中において400℃で3時間放置し、結合窒素量約3,000重量ppmである一部窒素化されたニオブ粉末とした。次いで該ニオブ粉末0.1gとニオブリード線を同時に成型して大きさ3×3.5×1.8mmの成型体を得た。引き続き該成型体を真空中(5×10-5Torr)1,100℃で焼結させニオブ焼結体とした。このニオブ焼結体を20本用意し、それらの半数を20Vで、残りを40Vの電圧で、それぞれ電解酸化して表面に電解酸化皮膜を形成した。電解酸化は、タンタル板を陰極として用い、0.1重量%リン酸水溶液中で80℃にて200分間行った。
実施例1で用いたものと同様なニオブ粉末を炭素るつぼに入れ減圧下1,500℃で30分間放置し、室温に取り出した後、ボルテックスミルで粉砕した後、結合炭素量約1,000重量ppmである一部炭化されたニオブ粉末とした。ついで実施例1と同様な方法により、ニオブ焼結体とし、さらに表面に電解酸化皮膜を形成した。
実施例2と同様に一部炭化されたニオブを得た後、実施例1と同様な窒化方法を採り、結合炭素量約1,000重量ppm、結合窒素量約2,500重量ppmである一部炭化と窒化がされたニオブ粉末を得た。ついで実施例1と同様な方法により、ニオブ焼結体とし、さらに表面に電解酸化皮膜を形成した。
実施例1で用いたものと同様なニオブ粉末にトリフルオロホウ素を加えて減圧下に300℃で1時間放置し、結合ホウ素量約1,800重量ppmである一部ホウ化されたニオブ粉末とした。ついで実施例1と同様な方法により、ニオブ焼結体とし、さらに表面に電解酸化皮膜を形成した。
実施例1でニオブ粉末を窒化しなかった以外は、実施例1と同様な方法により、ニオブ粉末からニオブ焼結体を作製し、さらに表面に電解酸化皮膜を形成した。
実施例1で用いたニオブ粉末のかわりに同粒径のタンタル粉末を用い、窒化せずに、タンタルリード線を用いて成型体を作製し、ついで1,700℃で真空焼結してタンタル焼結体とした。さらに実施例1と同様にして表面に電解酸化皮膜を形成した。
各具体例で得られた、電解酸化皮膜を形成した焼結体の単位重量あたりの容量およびLC値の平均値を求め、それらの結果を表1に示した。電解電圧と容量から求めたCV値、およびLCとCVから求めた比漏れ電流値を表1に示した。
この実施例では、ニオブ粉末の円形度が、焼結体の空孔率および充填密度、ならびにコンデンサの耐電圧および漏れ電流に及ぼす影響を検討した。
市販のニオブ粉末(平均円形度0.72、平均粒径40μm)をジェットミル(試料No.1〜8)または振動ミル(試料No.9〜12)中に入れ、ニオブどうしを衝突させることにより表2に示す平均円形度を有するニオブ粉末を得た。ジェットミル中の滞留時間を変えて、所定の平均円形度とした。分級して、平均粒径を平均7〜8μmとした。次いで、各ニオブ粉末を600℃で3時間窒素中に放置して、一部が窒素化したニオブ粉末(結合窒素量約3,000ppm)を得た。一部窒素化後において、各ニオブ粉末の円形度に変化は見られなかった。
引き続き、焼結体をリン酸水溶液中で65V化成することにより表面に酸化ニオブの誘電体を形成し、次いで、硝酸マンガン水溶液中に浸漬し、引き上げて250℃で分解する工程を繰り返えすことによって、誘電体皮膜上に二酸化マンガンの半導体層を形成した。さらに、カーボンペースト、銀ペーストを積層し、次いで、エポキシ樹脂で封口してコンデンサを作成した。
ニオブ粉末の平均円形度、焼結体の空孔率および充填密度、ならびに、作成したコンデンサの容量、耐電圧および10Vでの漏れ電流値を表2に示す。
特に、平均円形度が高いニオブ粉末から得た焼結体は、比較的大きい空孔率を保持して良好な充填密度を有し、この焼結体から作成されるコンデンサは容量が大きく、耐電圧特性が良好である。
Claims (5)
- ニオブ窒化物、ニオブ炭化物およびニオブホウ化物の中から選ばれた少なくとも一種の化合物を含み、その含有量がニオブ粉末中の結合窒素量、結合炭素量および結合ホウ素量として50重量ppm〜200,000重量ppmであるニオブ粉末の焼結体からなるコンデンサ用陽極。
- 焼結体の1gあたりのCV値が、40,000[μF・V/g]以上である請求項1に記載のコンデンサ用陽極。
- ニオブ粉末の平均粒径が、3μm〜30μmである請求項1または請求項2に記載のコンデンサ用陽極。
- ニオブ粉末の下記式で定義される円形度が、0.8以上である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のコンデンサ用陽極。
円形度 = 4π×S/L2
式中、S:粉粒体を平面上に投影した時の平面上の投影面積
L:上記投影図の外周長 - 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の陽極を具えたコンデンサ。
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KR101257278B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2013-04-23 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 콘덴서용 전극 |
KR100434215B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-06-04 | 파츠닉(주) | 니오븀 전해 캐패시터의 제조 방법 |
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TWI382264B (zh) * | 2004-07-27 | 2013-01-11 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜電晶體陣列面板及包括此面板之顯示器裝置 |
US20060260437A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-11-23 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, niobium granulated powder, niobium sintered body, capacitor and production method thereof |
US7501991B2 (en) * | 2007-02-19 | 2009-03-10 | Laird Technologies, Inc. | Asymmetric dipole antenna |
KR20120028376A (ko) * | 2009-06-15 | 2012-03-22 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 알루미늄 전해 커패시터 전극 재료 및 그 제조 방법 |
CN102800480B (zh) * | 2012-08-24 | 2016-01-13 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 | 一种铌电容器阴极制备方法 |
CN114853016B (zh) * | 2022-05-25 | 2023-08-25 | 内蒙古科技大学 | 由含铌矿物制备碳化铌钛的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60152016A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-08-10 | ヘルマン・ツエ−・スタルク・ベルリン | バルブ金属表面をカルコ−ゲン類で処理する方法 |
WO1997038433A1 (en) * | 1996-04-05 | 1997-10-16 | California Institute Of Technology | Sub-micron chemical imaging with near-field laser desorption |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1219748A (en) | 1969-06-13 | 1971-01-20 | Standard Telephones Cables Ltd | Producing niobium or tantalum powder |
US4084965A (en) | 1977-01-05 | 1978-04-18 | Fansteel Inc. | Columbium powder and method of making the same |
DE3140248C2 (de) * | 1981-10-09 | 1986-06-19 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden |
DE3820960A1 (de) | 1988-06-22 | 1989-12-28 | Starck Hermann C Fa | Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung |
US5448447A (en) | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
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US6165623A (en) * | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
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WO2000008662A1 (fr) * | 1998-08-05 | 2000-02-17 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Agglomere de niobium pour condensateur et procede de production |
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WO1997038433A1 (en) * | 1996-04-05 | 1997-10-16 | California Institute Of Technology | Sub-micron chemical imaging with near-field laser desorption |
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