RU2008145803A - Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii группы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii группы - Google Patents

Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii группы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii группы Download PDF

Info

Publication number
RU2008145803A
RU2008145803A RU2008145803/02A RU2008145803A RU2008145803A RU 2008145803 A RU2008145803 A RU 2008145803A RU 2008145803/02 A RU2008145803/02 A RU 2008145803/02A RU 2008145803 A RU2008145803 A RU 2008145803A RU 2008145803 A RU2008145803 A RU 2008145803A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
group iii
iii nitride
semiconductor crystal
growing
semiconductor
Prior art date
Application number
RU2008145803/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Такудзи ОКАХИСА (JP)
Такудзи ОКАХИСА
Томохиро КАВАСЕ (JP)
Томохиро КАВАСЕ
Томоки УЕМУРА (JP)
Томоки УЕМУРА
Мунейюки НИСИОКА (JP)
Мунейюки НИСИОКА
Сатоси АРАКАВА (JP)
Сатоси АРАКАВА
Original Assignee
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp)
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp), Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. filed Critical Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp)
Publication of RU2008145803A publication Critical patent/RU2008145803A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02389—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02433—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы, включающий следующие стадии: ! приготовление нижней подложки и ! выращивание первого полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием при использовании газообразного тетрафторида кремния в качестве легирующего газа, на указанной нижней подложке выращиванием из паровой фазы. ! 2. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы гидридной эпитаксией из паровой фазы. ! 3. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.2, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы при температуре по меньшей мере 900°C и не более 1300°C. ! 4. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 5×1016 см-3 и не превышает 5×1020 см-3. ! 5. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.4, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 3×1018 см-3 и не превышает 5×1019 см-3. ! 6. Спос�

Claims (23)

1. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы, включающий следующие стадии:
приготовление нижней подложки и
выращивание первого полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием при использовании газообразного тетрафторида кремния в качестве легирующего газа, на указанной нижней подложке выращиванием из паровой фазы.
2. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы гидридной эпитаксией из паровой фазы.
3. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.2, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы при температуре по меньшей мере 900°C и не более 1300°C.
4. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 5×1016 см-3 и не превышает 5×1020 см-3.
5. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.4, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 3×1018 см-3 и не превышает 5×1019 см-3.
6. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы таким образом, что удельное сопротивление составляет по меньшей мере 1×10-4 Ом·см и не превышает 0,1 Ом·см.
7. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия приготовления включает этап приготовления указанной нижней подложки, образованной из материала, включающего по меньшей мере один вид материала из группы, состоящей из кремния, сапфира, арсенида галлия, карбида кремния, нитрида галлия и нитрида алюминия.
8. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия приготовления включает стадию приготовления кристаллической подложки со структурой шпинели в качестве указанной нижней подложки.
9. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанный первый полупроводниковый кристалл нитрида III группы является кристаллом AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1).
10. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанный первый полупроводниковый кристалл является кристаллом нитрида галлия.
11. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация кислорода в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы не превышает 5×1016 см-3.
12. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, также включающий стадию выращивания на указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы второго полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием, при использовании газообразного тетрафторида кремния в качестве легирующего газа.
13. Способ изготовления полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида III группы, включающий следующие стадии:
выращивание полупроводникового кристалла нитрида III группы на указанной нижней подложке способом выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1 и
удаление по меньшей мере указанной нижней подложки, чтобы сформировать полупроводниковую кристаллическую подложку из нитрида III группы, образованную указанным полупроводниковым кристаллом нитрида III группы, толщиной по меньшей мере 100 мкм.
14. Способ изготовления полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида III группы по п.13, также включающий стадию резки указанного полупроводникового кристалла нитрида III группы на пластины в направлении толщины, чтобы образовать несколько полупроводниковых кристаллических подложек из нитрида III группы, состоящих из полупроводникового кристалла нитрида III группы, толщиной по меньшей мере 100 мкм и не более 1000 мкм.
15. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы, изготовленная способом изготовления полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.13 и имеющая диаметр по меньшей мере 25 мм и не более 160 мм, которая имеет
удельное сопротивление по меньшей мере 1×10-4 Ом·см и не более 0,1 Ом·см,
распределение удельного сопротивления в диаметральном направлении по меньшей мере -20% и не более 20% и
распределение удельного сопротивления в направлении толщины по меньшей мере -10% и не более 10%.
16. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, имеющая толщину по меньшей мере 2 мм и не более 160 мм.
17. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, имеющая толщину по меньшей мере 100 мкм и не более 1000 мкм.
18. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, удельное сопротивление которой составляет по меньшей мере 1×10-3 Ом·см и не превышает 8×10-3 Ом·см.
19. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 5×1016 см-3 и не превышает 5×1020 см-3.
20. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 3×1018 см-3 и не превышает 5×1019 см-3.
21. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой плотность дислокаций составляет не более 1×107 см-2.
22. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой основная поверхность расположена под углом по меньшей мере -5° и не более 5° по отношению к любой плоскости из плоскости (0001), плоскости (1-100), плоскости (11-20) и плоскости (11-22).
23. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, для которой полная ширина на половине высоты кривой качания при дифракции рентгеновского излучения составляет по меньшей мере 10 угловых секунд и не превышает 500 угловых секунд.
RU2008145803/02A 2007-11-20 2008-11-19 Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii группы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii группы RU2008145803A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007300459A JP5045388B2 (ja) 2007-11-20 2007-11-20 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法
JP2007-300459 2007-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008145803A true RU2008145803A (ru) 2010-05-27

Family

ID=40325785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008145803/02A RU2008145803A (ru) 2007-11-20 2008-11-19 Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii группы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii группы

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090127663A1 (ru)
EP (1) EP2063457A3 (ru)
JP (1) JP5045388B2 (ru)
KR (1) KR101467579B1 (ru)
CN (1) CN101440521A (ru)
RU (1) RU2008145803A (ru)
TW (1) TW200940756A (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2705516C1 (ru) * 2019-03-12 2019-11-07 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ изготовления полупроводниковой структуры

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5018423B2 (ja) 2007-11-20 2012-09-05 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス
JP5365454B2 (ja) * 2009-09-30 2013-12-11 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイス
JP2011256082A (ja) 2010-06-10 2011-12-22 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法
CN101997068B (zh) * 2010-08-25 2012-01-04 山东华光光电子有限公司 一种制备GaN基LED的方法
US8975165B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Soitec III-V semiconductor structures with diminished pit defects and methods for forming the same
JP5818853B2 (ja) * 2013-10-15 2015-11-18 株式会社トクヤマ ｎ型窒化アルミニウム単結晶基板を用いた縦型窒化物半導体デバイス
JP6625536B2 (ja) * 2014-08-01 2019-12-25 株式会社トクヤマ ｎ型窒化アルミニウム単結晶基板
JP6885547B2 (ja) 2016-03-15 2021-06-16 三菱ケミカル株式会社 ＧａＮ結晶の製造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0379770A (ja) * 1989-08-19 1991-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 窒化ホウ素の作製方法
JPH0379769A (ja) * 1989-08-19 1991-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 窒化ホウ素の作製方法
JP2623466B2 (ja) 1990-02-28 1997-06-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
US6617235B2 (en) * 1995-03-30 2003-09-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Method of manufacturing Group III-V compound semiconductor
US7578582B2 (en) * 1997-07-15 2009-08-25 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet nozzle chamber holding two fluids
JP3788104B2 (ja) * 1998-05-28 2006-06-21 住友電気工業株式会社 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
TW417315B (en) * 1998-06-18 2001-01-01 Sumitomo Electric Industries GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same
JP3279528B2 (ja) 1998-09-07 2002-04-30 日本電気株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法
JP3659101B2 (ja) * 1999-12-13 2005-06-15 富士ゼロックス株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法
JP4734786B2 (ja) * 2001-07-04 2011-07-27 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法
US6835947B2 (en) * 2002-01-31 2004-12-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Emitter and method of making
US7494904B2 (en) * 2002-05-08 2009-02-24 Btu International, Inc. Plasma-assisted doping
US7786503B2 (en) * 2002-12-27 2010-08-31 Momentive Performance Materials Inc. Gallium nitride crystals and wafers and method of making
TWI240969B (en) * 2003-06-06 2005-10-01 Sanken Electric Co Ltd Nitride semiconductor device and method for manufacturing same
JP4423011B2 (ja) * 2003-06-23 2010-03-03 日本碍子株式会社 高比抵抗ＧａＮ層を含む窒化物膜の製造方法
JP2005101475A (ja) * 2003-08-28 2005-04-14 Hitachi Cable Ltd Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法
JP3661871B2 (ja) * 2003-09-22 2005-06-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム化合物半導体の製造方法
JP2005223243A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Hitachi Cable Ltd Ｉｉｉ族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置
KR100541102B1 (ko) * 2004-02-13 2006-01-11 삼성전기주식회사 오믹 접촉을 개선한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP4301564B2 (ja) * 2004-04-27 2009-07-22 株式会社山寿セラミックス 圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法、および帯電抑制処理装置
JP2005333090A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Sumco Corp Ｐ型シリコンウェーハおよびその熱処理方法
JP2006193348A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法
JP4849296B2 (ja) * 2005-04-11 2012-01-11 日立電線株式会社 ＧａＮ基板
US7405430B2 (en) * 2005-06-10 2008-07-29 Cree, Inc. Highly uniform group III nitride epitaxial layers on 100 millimeter diameter silicon carbide substrates
JP4529846B2 (ja) * 2005-09-06 2010-08-25 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法
JP4720441B2 (ja) * 2005-11-02 2011-07-13 日立電線株式会社 青色発光ダイオード用ＧａＮ基板
JP5656401B2 (ja) * 2006-05-08 2015-01-21 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ Ｉｉｉ−ｎバルク結晶及び自立型ｉｉｉ−ｎ基板の製造方法、並びにｉｉｉ−ｎバルク結晶及び自立型ｉｉｉ−ｎ基板
US8853065B2 (en) * 2006-05-16 2014-10-07 Cree, Inc. Methods for fabricating semiconductor devices having reduced implant contamination
US7772097B2 (en) * 2007-11-05 2010-08-10 Asm America, Inc. Methods of selectively depositing silicon-containing films
JP5018423B2 (ja) * 2007-11-20 2012-09-05 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス
JP2009126723A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2705516C1 (ru) * 2019-03-12 2019-11-07 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ изготовления полупроводниковой структуры

Also Published As

Publication number Publication date
KR101467579B1 (ko) 2014-12-01
JP2009126721A (ja) 2009-06-11
KR20090052279A (ko) 2009-05-25
US20090127663A1 (en) 2009-05-21
TW200940756A (en) 2009-10-01
EP2063457A2 (en) 2009-05-27
JP5045388B2 (ja) 2012-10-10
CN101440521A (zh) 2009-05-27
EP2063457A3 (en) 2012-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008145801A (ru) Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii руппы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii руппы
RU2008145803A (ru) Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii группы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii группы
TWI429797B (zh) 第 iii 族氮化物半導體結晶基板及半導體元件
US8829489B2 (en) Nitride semiconductor template and light-emitting diode
US9343525B2 (en) Aluminum nitride substrate and group-III nitride laminate
JP2009177167A (ja) 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス
EP2047501A1 (en) Deposition of group iii-nitrides on ge
US20180053649A1 (en) Method to grow a semi-conducting sic layer
JP4468744B2 (ja) 窒化物半導体薄膜の作製方法
JP5045955B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板
JP2007142003A (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶の作製方法、エピタキシャル基板における反り低減方法、エピタキシャル基板、および半導体素子
JP2004115305A (ja) 窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード
JP2004119423A (ja) 窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード
JP6527667B2 (ja) 窒化物半導体基板の製造方法
JP2023096845A (ja) 窒化物半導体膜を作製するためのテンプレート及びその製造方法
Feng et al. SiC based Si/SiC heterojunction and its rectifying characteristics
CN112018199B (zh) 一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法
JP2014208564A (ja) エピタキシャルウエハ及びその製造方法
TW202210669A (zh) GaN結晶及GaN基板
JP6108609B2 (ja) 窒化物半導体基板
CN106910807A (zh) 一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法
JP2014192246A (ja) 半導体基板およびそれを用いた半導体素子
JP7487726B2 (ja) 窒化物半導体基板及びその製造方法
JP2012232884A (ja) 窒化物半導体基板及びその製造方法並びにそれを用いた素子
JP2011168490A (ja) 結晶成長方法および結晶基板

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20111226