RU2008145801A - Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii руппы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii руппы - Google Patents
Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii руппы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii руппы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008145801A RU2008145801A RU2008145801/15A RU2008145801A RU2008145801A RU 2008145801 A RU2008145801 A RU 2008145801A RU 2008145801/15 A RU2008145801/15 A RU 2008145801/15A RU 2008145801 A RU2008145801 A RU 2008145801A RU 2008145801 A RU2008145801 A RU 2008145801A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- group iii
- iii nitride
- semiconductor crystal
- growing
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 56
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Abstract
1. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы, включающий следующие стадии: ! приготовление нижней подложки и ! выращивание первого полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием при использовании газообразного тетрахлорида кремния в качестве легирующего газа, на указанной нижней подложке выращиванием из паровой фазы, ! в котором скорость роста указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы составляет по меньшей мере 200 мкм/ч и не превышает 2000 мкм/ч. ! 2. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы гидридной эпитаксией из паровой фазы. ! 3. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.2, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы при температуре по меньшей мере 1050°C и не более 1300°C. ! 4. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 5×1016 см-3 и не превышает 5×1020 см-3. ! 5. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.4, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация
Claims (23)
1. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы, включающий следующие стадии:
приготовление нижней подложки и
выращивание первого полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием при использовании газообразного тетрахлорида кремния в качестве легирующего газа, на указанной нижней подложке выращиванием из паровой фазы,
в котором скорость роста указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы составляет по меньшей мере 200 мкм/ч и не превышает 2000 мкм/ч.
2. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы гидридной эпитаксией из паровой фазы.
3. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.2, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы при температуре по меньшей мере 1050°C и не более 1300°C.
4. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 5×1016 см-3 и не превышает 5×1020 см-3.
5. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.4, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 3×1018 см-3 и не превышает 5×1019 см-3.
6. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы таким образом, что удельное сопротивление составляет по меньшей мере 1×10-4 Ом·см и не превышает 0,1 Ом·см.
7. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия приготовления включает этап приготовления указанной нижней подложки, образованной из материала, включающего по меньшей мере один вид материала из группы, состоящей из кремния, сапфира, арсенида галлия, карбида кремния, нитрида галлия и нитрида алюминия.
8. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия приготовления включает стадию приготовления кристаллической подложки со структурой шпинели в качестве указанной нижней подложки.
9. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанный первый полупроводниковый кристалл нитрида III группы является кристаллом AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1).
10. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанный первый полупроводниковый кристалл нитрида III группы является кристаллом нитрида галлия.
11. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация кислорода в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы не превышает 5×1016 см-3.
12. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, также включающий стадию выращивания на указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы второго полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием, при использовании газообразного тетрахлорида кремния в качестве легирующего газа.
13. Способ изготовления полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида III группы, включающий следующие стадии:
выращивание полупроводникового кристалла нитрида III группы на указанной нижней подложке способом выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1 и
удаление по меньшей мере указанной нижней подложки, чтобы сформировать полупроводниковую кристаллическую подложку из нитрида III группы, образованную указанным полупроводниковым кристаллом нитрида III группы, толщиной по меньшей мере 100 мкм.
14. Способ изготовления полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида III группы по п.13, также включающий стадию резки указанного полупроводникового кристалла нитрида III группы на пластины в направлении толщины, чтобы образовать несколько полупроводниковых кристаллических подложек из нитрида III группы, состоящих из полупроводникового кристалла нитрида III группы, толщиной по меньшей мере 100 мкм и не более 1000 мкм.
15. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы, изготовленная способом изготовления полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида III группы по п.13 и имеющая диаметр по меньшей мере 25 мм и не более 160 мм, которая имеет
удельное сопротивление по меньшей мере 1×10-4 Ом·см и не более 0,1 Ом·см,
распределение удельного сопротивления в диаметральном направлении по меньшей мере -30% и не более 30% и
распределение удельного сопротивления в направлении толщины по меньшей мере -16% и не более 16%.
16. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, имеющая толщину по меньшей мере 2 мм и не более 160 мм.
17. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, имеющая толщину по меньшей мере 100 мкм и не более 1000 мкм.
18. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, которая имеет удельное сопротивление по меньшей мере 1×10-3 Ом.см и не более 8×10-3 Ом.см.
19. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 5×1016 см-3 и не превышает 5×1020 см-3.
20. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 3×1018 см-3 и не превышает 5×1019 см-3.
21. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой плотность дислокаций составляет не более 1×107 см-2.
22. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой основная поверхность расположена под углом по меньшей мере -5° и не более 5° по отношению к любой плоскости из плоскости (0001), плоскости (1-100), плоскости (11-20) и плоскости (11-22).
23. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, для которой полная ширина на половине высоты кривой качания при дифракции рентгеновского излучения составляет по меньшей мере 10 угловых секунд и не превышает 500 угловых секунд.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007300461A JP2009126723A (ja) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板 |
| JP2007-300461 | 2007-11-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008145801A true RU2008145801A (ru) | 2010-05-27 |
Family
ID=40325823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008145801/15A RU2008145801A (ru) | 2007-11-20 | 2008-11-19 | Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii руппы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii руппы |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090127664A1 (ru) |
| EP (1) | EP2063458A2 (ru) |
| JP (1) | JP2009126723A (ru) |
| KR (1) | KR20090052292A (ru) |
| CN (1) | CN101440520A (ru) |
| RU (1) | RU2008145801A (ru) |
| TW (1) | TW200943390A (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2705516C1 (ru) * | 2019-03-12 | 2019-11-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5045388B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2012-10-10 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法 |
| JP5018423B2 (ja) | 2007-11-20 | 2012-09-05 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス |
| US8598685B2 (en) * | 2009-09-04 | 2013-12-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN single crystal substrate and method of manufacturing thereof and GaN-based semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| EP2500451B1 (en) * | 2009-11-10 | 2019-01-30 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for producing laminate |
| JP2011199187A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Hitachi Cable Ltd | 窒化ガリウム系半導体ダイオード |
| US20110263111A1 (en) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | Yuriy Melnik | Group iii-nitride n-type doping |
| JP2012012292A (ja) * | 2010-05-31 | 2012-01-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法、および該製造方法により得られるｉｉｉ族窒化物結晶、ｉｉｉ族窒化物結晶基板 |
| JP5808208B2 (ja) * | 2011-09-15 | 2015-11-10 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体基板の製造方法 |
| JP6036155B2 (ja) * | 2011-10-21 | 2016-11-30 | 三菱化学株式会社 | ＧａＮ結晶 |
| EP2770089A4 (en) | 2011-10-21 | 2015-09-02 | Mitsubishi Chem Corp | METHOD FOR PRODUCING A NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF A GROUP 13 METAL OF THE PERIODIC TABLE AND A NITRIDE SEMI-CONDUCTIVE CRYSTAL OF A GROUP 13 METAL OF THE PERIODIC TABLE PRODUCED BY SAID PRODUCTION PROCESS |
| JP6437736B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2018-12-12 | 古河機械金属株式会社 | 自立基板の製造方法および自立基板 |
| WO2016125890A1 (ja) | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 三菱化学株式会社 | ＧａＮ単結晶およびＧａＮ単結晶製造方法 |
| JP6578570B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2019-09-25 | 国立大学法人大阪大学 | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法 |
| JP6376600B2 (ja) | 2015-03-20 | 2018-08-22 | 株式会社タムラ製作所 | 結晶積層構造体の製造方法 |
| KR102426231B1 (ko) * | 2016-08-08 | 2022-07-29 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 도전성 C면 GaN 기판 |
| JP6356315B1 (ja) * | 2017-05-29 | 2018-07-11 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶基板、半導体積層物、半導体積層物の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| JP6824829B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2021-02-03 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体積層物の製造方法、窒化物半導体自立基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| WO2019008663A1 (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム結晶体およびヒ化ガリウム結晶基板 |
| TW202020940A (zh) * | 2018-08-17 | 2020-06-01 | 日商三菱化學股份有限公司 | n型GaN結晶、GaN晶圓、及GaN結晶、GaN晶圓和氮化物半導體裝置的製造方法 |
| JP7101736B2 (ja) * | 2020-10-21 | 2022-07-15 | 株式会社サイオクス | ＧａＮ単結晶基板および半導体積層物 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW417315B (en) * | 1998-06-18 | 2001-01-01 | Sumitomo Electric Industries | GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same |
| JP3279528B2 (ja) | 1998-09-07 | 2002-04-30 | 日本電気株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 |
| JP4734786B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2011-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法 |
| JP3801125B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-07-26 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法 |
| US7494904B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-02-24 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted doping |
| US7786503B2 (en) * | 2002-12-27 | 2010-08-31 | Momentive Performance Materials Inc. | Gallium nitride crystals and wafers and method of making |
| JP2006193348A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法 |
| CN101443488B (zh) * | 2006-05-08 | 2013-03-27 | 弗赖贝格化合物原料有限公司 | 制备ⅲ-n体晶和自支撑ⅲ-n衬底的方法以及ⅲ-n体晶和自支撑ⅲ-n衬底 |
| JP4899911B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-03-21 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板 |
| US7655931B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-02-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source with gas mixing |
-
2007
- 2007-11-20 JP JP2007300461A patent/JP2009126723A/ja not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-11-18 US US12/273,179 patent/US20090127664A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-18 TW TW097144553A patent/TW200943390A/zh unknown
- 2008-11-19 KR KR1020080115335A patent/KR20090052292A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-11-19 RU RU2008145801/15A patent/RU2008145801A/ru not_active Application Discontinuation
- 2008-11-19 EP EP08020195A patent/EP2063458A2/en not_active Withdrawn
- 2008-11-20 CN CNA2008101777731A patent/CN101440520A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2705516C1 (ru) * | 2019-03-12 | 2019-11-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101440520A (zh) | 2009-05-27 |
| JP2009126723A (ja) | 2009-06-11 |
| TW200943390A (en) | 2009-10-16 |
| US20090127664A1 (en) | 2009-05-21 |
| EP2063458A2 (en) | 2009-05-27 |
| KR20090052292A (ko) | 2009-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008145801A (ru) | Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii руппы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii руппы | |
| TWI429797B (zh) | 第 iii 族氮化物半導體結晶基板及半導體元件 | |
| RU2008145803A (ru) | Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii группы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii группы | |
| US9343525B2 (en) | Aluminum nitride substrate and group-III nitride laminate | |
| US8829489B2 (en) | Nitride semiconductor template and light-emitting diode | |
| JP2010132556A (ja) | ｎ型窒化ガリウム単結晶基板 | |
| JP2012066983A (ja) | ＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶基板 | |
| JP2007217227A (ja) | ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板および半導体デバイス | |
| JP5045955B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板 | |
| JP3772816B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード | |
| JP2004115305A (ja) | 窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード | |
| JP2023096845A (ja) | 窒化物半導体膜を作製するためのテンプレート及びその製造方法 | |
| JP6527667B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| TW202210669A (zh) | GaN結晶及GaN基板 | |
| JP2014208564A (ja) | エピタキシャルウエハ及びその製造方法 | |
| JP2006193422A (ja) | 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 | |
| JP2015151291A (ja) | 窒化物半導体自立基板及びその製造方法並びに半導体デバイス | |
| Dalmau et al. | Challenges in AlN crystal growth and prospects of the AlN-based technology | |
| JP2014192246A (ja) | 半導体基板およびそれを用いた半導体素子 | |
| JP2012232884A (ja) | 窒化物半導体基板及びその製造方法並びにそれを用いた素子 | |
| KR20130078984A (ko) | 질화갈륨 기판 제조방법 | |
| JP2011168490A (ja) | 結晶成長方法および結晶基板 | |
| Schurman et al. | Reproducibility of GaN and InGaN films grown in a multi-wafer rotating-disc reactor | |
| JPH0529653A (ja) | 半導体素子 | |
| Tanikawa et al. | HVPE growth of a‐plane GaN on a GaN template (110) Si substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20111226 |