JP2006193422A - 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原料ガスを精製し水や酸素を充分に除去してから所望の量の水あるいは酸素を、原料ガスの、HCl、NH3あるいは水素ガスに含ませて、塩化物気相成長法(HVPE法)あるいは有機金属塩化物気相成長法(MOC法)でGaAs基板の上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaAs基板を除去し自立膜を得ることにより、酸素濃度に比例したn型キャリアをもつn型GaN基板を作成することができる。
【選択図】 図6
Description
第2群 x=31/2(k+0.5)d, y=(h+0.5)d (2)
浅いドナー準位を形成するのであろう。
原料ガスとして有機金属を使用した場合、具体的にはMOCVDや、有機金属気相成長法などがあるが、この場合、メチル基の分解により炭素が結晶中に取り込まれ、炭素不純物として存在する事が知られている。発明者らの研究によれば、炭素は電気特性においてキャリアの発生に対しては不安定で、成長条件によってはn型キャリアが発生しドナーとなることがわかっている。また、発明者らの研究によれば炭素濃度が高く1×1018cm−3以上になると、フォトルミネッセンス強度が低下する事も明らかになっている。これらの状況において、酸素キャリアを有効に機能させるためには、炭素濃度を1×1018cm−3以下、好ましくは1017cm−3以下に制御するのが望ましい。GaAs基板上に成長させる場合、この制御が可能である事がわかった。
1.HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)塩化物気相成長法
2.MOC(Metallorganic Chloride Vapor Phase Epitaxy)有機金属塩化物気相成長法
3.MOCVD(Metallorganic Chemical Vapor Phase Deposition)有機金属CVD法
4.昇華法
GaAs(111)A面基板上に、SiO2絶縁膜を一様に形成した。フォトリソグラフィによって点状の窓を規則的に多数設けたマスクを形成した(図1)。点状の窓一つは2μm角である。GaAs基板の<11−2>方向に4μmピッチ(=d)で1列に並べる。その列から3.5μm(=31/2d/2)離れた位置に半ピッチずらせて、同じピッチで別の点状窓を1列に並べる。以下同様の繰り返しの点状窓を配置したマスクを作製する。つまり点状窓の中心を結ぶと<11−2>方向に一辺をもつ一辺4μmの正三角形の群になる。
(GaNバッファ層) 490℃ 80nm
(GaNエピタキシャル層) 920℃〜1050℃ 200μm
である。
(a)不純物として水を約2000ppm含んだHClガス
(b)不純物として水を約150ppm含んだHClガス
(c)精製を繰り返した高純度のHClガス
実施例1と同じ方法によってGaAs基板の上にGaN結晶を作製した。つまりマスクを使ってHVPE法によりGaNバッファ層とGaNエピタキシャル層を生成するという点は同じである。HClガスが少し違う。HClガスはキャリアとしての水素ガスとともにGaに供給するのであるが、キャリアガスに水を含ませる。水をガスに添加する事によって意図的に酸素をGaClに含ませることができる。
(e)超純水を入れたバブラを水素ガスによってバブリングした湿潤水素
実施例1と同じ方法によってGaAs基板の上にGaN結晶を作製した。正三角形分布窓を有するマスクを使ってHVPE法によりGaNバッファ層とGaNエピタキシャル層を生成するという点は同じである。塩化水素(HCl)ガスが少し違う。HClガスに意図的に酸素ガスを混合する。HClガスに水を含ませる事によって酸素を意図的にGaClに含ませることができる。
(g)高純度酸素ガス
実施例1と同じ方法によってGaAs基板の上にGaN結晶を作製した。つまり、マスクを使ってHVPE法によりGaNバッファ層とGaNエピタキシャル層を生成するという点では同じである。NH3ガスが違う。NH3ガスは、キャリアガスとして水素ガスを使用する。この水素ガスに水を添加することによって、意図的に酸素をNH3ガスに含ませることができる。
(i)超純水を入れたバブラを水素ガスによってバブリングした湿潤水素
実施例1と同じ方法によってGaAs基板の上にGaN結晶を作製した。つまり、マスクを使ってHVPE法によりGaNバッファ層とGaNエピタキシャル層を生成するという点では同じである。NH3ガスが違う。NH3ガス中に微量酸素を混入させたNH3ガスを使用した。アンモニアガス中の酸素の量が10ppmのもの、100ppmのものを使用した。NH3ガスは、これまでのHClガスに比べ大量に使用するため、アンモニアガス中の酸素の量は少なくできる。
2ヒ−タ
3原料ガス入口管
4原料ガス入口管
5Ga溜
6Ga
7サセプタ
8シャフト
9GaAs基板
10排気口
Claims (5)
- 厚みが200μm以上の自立した窒化ガリウム単結晶基板であって、酸素が1×1016cm−3〜1×1020cm−3だけ含まれ、n型の電子伝導を示し、キャリア濃度が1×1016cm−3〜1×1020cm−3 であることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板。
- 酸素がn型ドーパントとして、55%以上の活性化率を示すことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム単結晶基板。
- HVPE法もしくは
MOC法により成長したことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム単結晶基板。 - 使用する原料ガス或いはキャリアガスに水分もしくは酸素を混入して成長したことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム単結晶基板。
- 使用する原料ガス或いはキャリアガスに水分もしくは酸素を混入して窒化ガリウム単結晶を成長させることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。
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