RU2006106225A - Продукт из карбида кремния, способ его получения и способ очистки продукта из карбида кремния - Google Patents

Продукт из карбида кремния, способ его получения и способ очистки продукта из карбида кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2006106225A
RU2006106225A RU2006106225/15A RU2006106225A RU2006106225A RU 2006106225 A RU2006106225 A RU 2006106225A RU 2006106225/15 A RU2006106225/15 A RU 2006106225/15A RU 2006106225 A RU2006106225 A RU 2006106225A RU 2006106225 A RU2006106225 A RU 2006106225A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon carbide
acid
product
concentration
semiconductor device
Prior art date
Application number
RU2006106225/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Тадахиро ОХМИ (JP)
Тадахиро ОХМИ
Акинобу ТЕРАМОТО (JP)
Акинобу ТЕРАМОТО
Сумио САНО (JP)
Сумио САНО
Original Assignee
Адмап Инк. (Jp)
Адмап Инк.
Мицуи Инджиниринг Энд Шипбилдинг Ко., Лтд. (Jp)
Мицуи Инджиниринг энд Шипбилдинг Ко., Лтд.
Тадахиро ОХМИ (JP)
Тадахиро ОХМИ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Адмап Инк. (Jp), Адмап Инк., Мицуи Инджиниринг Энд Шипбилдинг Ко., Лтд. (Jp), Мицуи Инджиниринг энд Шипбилдинг Ко., Лтд., Тадахиро ОХМИ (JP), Тадахиро ОХМИ filed Critical Адмап Инк. (Jp)
Publication of RU2006106225A publication Critical patent/RU2006106225A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3148—Silicon Carbide layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31—Surface property or characteristic of web, sheet or block

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Claims (14)

1. Продукт из карбида кремния, имеющий поверхность с концентрацией примесей металлов, равной или менее 1·1011 атом/см2.
2. Продукт из карбида кремния по п.1, в котором упомянутыми примесями металлов являются, по меньшей мере, одно из железа или соединения железа, Ni и Cu.
3. Продукт из карбида кремния по п.1 или 2, где упомянутый продукт представляет, по меньшей мере, один из полупроводникового устройства, элемента для изготовления полупроводникового устройства и конструкцию.
4. Способ очистки продукта из карбида кремния, включающий стадию погружения карбида кремния в кислоту для снижения поверхностных примесей металлов до 1·1011 атом/см2 или менее.
5. Способ изготовления продукта из карбида кремния, включающий стадию очистки карбида кремния кислотой для снижения поверхностных примесей металлов до 1·1011 атом/см2 или менее.
6. Способ по п.5, в котором упомянутая кислота является фтористоводородной кислотой или соляной кислотой.
7. Способ по п.6, в котором упомянутая кислота является фтористоводородной кислотой и упомянутая фтористоводородная кислота имеет концентрацию, превышающую 45%.
8. Способ по п.7, в котором упомянутая фтористоводородная кислота имеет концентрацию примерно 50%.
9. Способ по п.6, в котором упомянутая кислота является соляной кислотой и упомянутая соляная кислота имеет концентрацию 35% или более.
10. Способ по п.9, в котором упомянутая соляная кислота имеет концентрацию примерно 36%.
11. Способ по п.5, в котором упомянутая кислота является жидкостью, содержащей серную кислоту и раствор пероксида водорода.
12. Способ по п.11, в котором упомянутая жидкость, содержащая упомянутую серную кислоту и упомянутый раствор пероксида водорода, имеет pH 4 или менее.
13. Способ по п.12, в котором упомянутая серная кислота и упомянутый раствор пероксида водорода, соответственно, имеют концентрации примерно 97% и примерно 30% и смешаны в объемном отношении примерно 4:1.
14. Продукт из карбида кремния, изготовленный способом по п.5, причем упомянутый продукт карбида кремния представляет полупроводниковое устройство, элемент для изготовления полупроводникового устройства или конструкцию.
RU2006106225/15A 2003-07-29 2004-07-07 Продукт из карбида кремния, способ его получения и способ очистки продукта из карбида кремния RU2006106225A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003281801A JP2005047753A (ja) 2003-07-29 2003-07-29 炭化珪素製品、その製造方法、及び、炭化珪素製品の洗浄方法
JP2003-281801 2003-07-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2006106225A true RU2006106225A (ru) 2006-08-27

Family

ID=34100966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006106225/15A RU2006106225A (ru) 2003-07-29 2004-07-07 Продукт из карбида кремния, способ его получения и способ очистки продукта из карбида кремния

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20060234058A1 (ru)
EP (1) EP1666645B1 (ru)
JP (1) JP2005047753A (ru)
KR (1) KR101110984B1 (ru)
CN (1) CN1829830B (ru)
RU (1) RU2006106225A (ru)
WO (1) WO2005010244A1 (ru)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7888685B2 (en) * 2004-07-27 2011-02-15 Memc Electronic Materials, Inc. High purity silicon carbide structures
JP5117740B2 (ja) * 2007-03-01 2013-01-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5260127B2 (ja) * 2008-04-18 2013-08-14 国立大学法人東北大学 炭化珪素の製造方法
WO2010125827A1 (ja) 2009-04-30 2010-11-04 ライオン株式会社 半導体用基板の洗浄方法および酸性溶液
JP5540937B2 (ja) * 2009-07-03 2014-07-02 信越化学工業株式会社 高熱伝導性熱定着ロール又は高熱伝導性熱定着ベルト用シリコーンゴム組成物並びに定着ロール及び定着ベルト
JP2012004270A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体の洗浄方法、炭化珪素半導体および炭化珪素半導体装置
CN102543671B (zh) * 2010-12-08 2015-02-11 中国科学院微电子研究所 半导体晶片的制造方法
WO2013011751A1 (ja) 2011-07-20 2013-01-24 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法
CN102432011A (zh) * 2011-10-08 2012-05-02 江苏佳宇资源利用股份有限公司 一种同步去除碳化硅微粉中铁、硅杂质的方法
JP5803786B2 (ja) 2012-04-02 2015-11-04 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法
JP6028754B2 (ja) * 2014-03-11 2016-11-16 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ単結晶基板の製造方法
KR101726804B1 (ko) * 2015-12-17 2017-04-13 주식회사 싸이노스 반도체 제조공정에 사용하는 SiC 부재의 세정방법
JP6269709B2 (ja) * 2016-03-28 2018-01-31 株式会社Sumco 清浄度評価方法、洗浄条件決定方法、およびシリコンウェーハの製造方法
JP6128262B2 (ja) * 2016-05-20 2017-05-17 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法
US11094835B2 (en) 2017-03-28 2021-08-17 Mitsubishi Electric Corporation Silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP6868601B2 (ja) * 2018-11-01 2021-05-12 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ ＳｉＣ繊維を内包する管状体およびその製造方法
JP7491307B2 (ja) 2019-05-17 2024-05-28 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板
CN112830786A (zh) * 2019-11-22 2021-05-25 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种碳化硅薄壁结构件的制备方法
CN112521154A (zh) * 2020-12-22 2021-03-19 中国科学院上海硅酸盐研究所 具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443649A (en) * 1994-11-22 1995-08-22 Sibley; Thomas Silicon carbide carrier for wafer processing in vertical furnaces
JP3198899B2 (ja) * 1995-11-30 2001-08-13 アルプス電気株式会社 ウエット処理方法
US6273950B1 (en) * 1996-04-18 2001-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. SiC device and method for manufacturing the same
US5770324A (en) * 1997-03-03 1998-06-23 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Method of using a hot pressed silicon carbide dummy wafer
US6348157B1 (en) * 1997-06-13 2002-02-19 Tadahiro Ohmi Cleaning method
JPH118216A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体製造用部材の洗浄方法
JP4043003B2 (ja) * 1998-02-09 2008-02-06 東海カーボン株式会社 ＳｉＣ成形体及びその製造方法
JP2884085B1 (ja) * 1998-04-13 1999-04-19 日本ピラー工業株式会社 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法
US6419757B2 (en) * 1998-12-08 2002-07-16 Bridgestone, Corporation Method for cleaning sintered silicon carbide in wet condition
JP2003086792A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体装置の作製法
JP3667273B2 (ja) * 2001-11-02 2005-07-06 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄方法および洗浄液
US6905974B2 (en) * 2002-08-08 2005-06-14 Micron Technology, Inc. Methods using a peroxide-generating compound to remove group VIII metal-containing residue
US7037816B2 (en) * 2004-01-23 2006-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for integration of HfO2 and RTCVD poly-silicon

Also Published As

Publication number Publication date
US20060234058A1 (en) 2006-10-19
CN1829830B (zh) 2010-04-28
CN1829830A (zh) 2006-09-06
EP1666645B1 (en) 2019-06-19
EP1666645A4 (en) 2009-01-07
KR101110984B1 (ko) 2012-02-17
WO2005010244A1 (ja) 2005-02-03
EP1666645A1 (en) 2006-06-07
JP2005047753A (ja) 2005-02-24
KR20070012771A (ko) 2007-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006106225A (ru) Продукт из карбида кремния, способ его получения и способ очистки продукта из карбида кремния
CN101238242B (zh) 用于铜和铜/镍层的稳定化的蚀刻溶液
TW200614362A (en) Cleaning liquid and cleaning method
TW200643192A (en) Ultra high-purity copper and process for producing the same, and bonding wire comprising ultra high-purity copper
TWI716518B (zh) 銅蝕刻劑組成物之用途
JP2009505388A5 (ru)
JP2014210690A5 (ru)
TW200700585A (en) Metal selective etching solution
TW200617147A (en) Highly selective silicon oxide etching compositions
TW200704825A (en) Process for removal of metals and alloys from a substrate
TW200517483A (en) Cerium salt and fabricating method thereof, cerium oxide and cerium polishing agent
CN103014875A (zh) 一种人造蓝宝石薄片的处理方法
JP6630027B1 (ja) 多結晶シリコンの洗浄方法、製造方法および洗浄装置
JP3689871B2 (ja) 半導体基板用アルカリ性洗浄液
TW200536780A (en) Method of purifying hydrofluoric acid and purification apparatus
JP2002115083A5 (ru)
CN201190105Y (zh) 超高纯硝酸连续生产的装置
RU2005132825A (ru) Термический способ снижения концентрации дифтордиазина и тетрафторгидразина в трифториде азота
JP2006521279A5 (ru)
CN1140654C (zh) 一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法
JP4203776B2 (ja) 電子材料用洗浄液
JP4775095B2 (ja) 高純度アミノメチレンホスホン酸の製造方法
JP3965971B2 (ja) 第四級アンモニウム塩の過酸化水素化物溶液の製造方法
CN113087613A (zh) 一种离子交换树脂结合减压蒸馏制备电子级l(+)-酒石酸的方法
JP2005001955A (ja) 高純度苛性ソーダ水溶液の製造方法およびそれに使用する活性炭の賦活方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20070810