RU2003119076A - Полая катодная мишень и способы ее изготовления - Google Patents
Полая катодная мишень и способы ее изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2003119076A RU2003119076A RU2003119076/02A RU2003119076A RU2003119076A RU 2003119076 A RU2003119076 A RU 2003119076A RU 2003119076/02 A RU2003119076/02 A RU 2003119076/02A RU 2003119076 A RU2003119076 A RU 2003119076A RU 2003119076 A RU2003119076 A RU 2003119076A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- metal
- workpiece
- cold rolling
- rolled
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 40
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims 18
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 9
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 2
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 claims 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/342—Hollow targets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Claims (59)
1. Способ изготовления мишени для распыления, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают заготовку распыляемого металла, содержащую по меньшей мере один вентильный металл,
осуществляют поперечную холодную прокатку заготовки распыляемого металла для получения прокатанной заготовки,
осуществляют холодную обработку прокатанной заготовки для получения фасонной заготовки.
2. Способ по п.1, включающий в себя дополнительный этап отпуска заготовки распыляемого металла между этапами поперечной холодной прокатки и холодной обработки.
3. Способ по п.2, в котором этап отпуска осуществляют при температуре от около 600°С до около 850°С.
4. Способ по п.1, в котором заготовку распыляемого металла не подвергают отжигу или отпуску между этапами поперечной холодной прокатки и холодной обработки.
5. Способ по п.1, включающий в себя дополнительный этап отжига заготовки распыляемого металла между этапами поперечной холодной прокатки и холодной обработки.
6. Способ по п.2, в котором этап отжига осуществляют при температуре от около 950°С до около 1300°С.
7. Способ по п.3, в котором на этапе отпуска осуществляют отпуск заготовки распыляемого металла в течение около 2 ч.
8. Способ по п.6, в котором на этапе отжига осуществляют отжиг заготовки распыляемого металла в течение около 2 ч.
9. Способ по п.1, в котором вентильный металл представляет собой тантал, ниобий или их сплав.
10. Способ по п.1, в котором вентильный металл представляет собой медь.
11. Способ по п.1, содержащий дополнительный этап механической очистки фасонной заготовки с получением мишени для распыления.
12. Способ по п.1, в котором этап обеспечения заготовки распыляемого металла содержит этапы, на которых:
осуществляют плоскую штамповку слитка, содержащего по меньшей мере один вентильный металл,
разрезают штампованный слиток на пластины, и
подвергают пластины механической очистке.
13. Способ по п.1, в котором на этапе поперечной холодной прокатки заготовку распыляемого металла в качестве прокатываемой заготовки подвергают холодной прокатке несколько раз в первом направлении и несколько раз во втором направлении, перпендикулярном первому направлению.
14. Способ по п.1, в котором на этапе поперечной холодной прокатки заготовку распыляемого металла в качестве прокатываемой заготовки подвергают холодной прокатке одинаковое количество раз в первом и втором направлениях.
15. Способ по п.13, в котором на этапе поперечной холодной прокатки
осуществляют холодную прокатку заготовки распыляемого металла несколько раз в первом направлении, а
после этого осуществляют холодную прокатку прокатываемой заготовки несколько раз во втором направлении.
16. Способ по п.1, в котором прокатанная заготовка имеет предварительно заданную толщину после холодной прокатки.
17. Способ по п.16, в котором предварительно заданная толщина после холодной прокатки составляет от около 0,25 дюйма до около 2 дюймов.
18. Способ по п.1, включающий в себя дополнительный этап отжига заготовки распыляемого металла перед этапом поперечной холодной прокатки.
19. Способ по п.18, в котором этап отжига перед этапом поперечной холодной прокатки осуществляют при температуре от около 1050 до около 1300°С.
20. Способ по п.1, в котором на этапе холодной обработки прокатанной заготовки осуществляют глубокую вытяжку прокатанной заготовки, выдавливание прокатанной заготовки или пластическую формовку прокатанной заготовки, или их комбинацию.
21. Способ по п.1, в котором на этапе холодной обработки прокатанной заготовки сначала осуществляют глубокую вытяжку прокатанной заготовки для получения преформы, а затем пластическую формовку преформы на оправке.
22. Способ по п.17, в котором на этапе отжига перед этапом поперечной холодной прокатки осуществляют отжиг заготовки распыляемого металла в течение около двух часов.
23. Способ по п.1, в котором фасонная заготовка имеет холодное обжатие в по меньшей мере 50% относительно прокатанной заготовки распыляемого металла (ЗРМ).
24. Способ по п.1, в котором боковая стенка фасонной заготовки имеет холодное обжатие менее 50% относительно
прокатанной заготовки.
25. Способ по п.1, в котором фасонная заготовка имеет цилиндрическую или чашеобразную форму.
26. Способ по п.1, в котором на этапе холодной обработки прокатанной заготовки осуществляют глубокую вытяжку прокатанной заготовки или выдавливание прокатанной заготовки, или их обе.
27. Способ по п.1, содержащий дополнительный этап отпуска фасонной заготовки после этапа холодной обработки.
28. Способ по п.1, содержащий дополнительный этап отжига фасонной заготовки после этапа холодной обработки.
29. Способ по п.27, в котором этап отпуска после этапа холодной обработки ведут при температуре от около 600 до около 850°С.
30. Способ по п.28, в котором этап отжига после этапа холодной обработки ведут при температуре от около 900 до около 1300°С.
31. Способ по п.1, в котором мишень для распыления имеет чашеобразную или цилиндрическую форму и высоту около 10,5 дюйма, внутренний диаметр около 9,25 дюйма, внешний диаметр около 9,50 дюйма и толщину боковой стенки около 0,25 дюйма.
32. Способ извлечения вентильного металла из отработавшей мишени для распыления, выполненной согласно способу по п.1, содержащий этап гидрирования вентильного металла для получения гидрированного вентильного металла.
33. Способ по п.32, содержащий дополнительные этапы, на которых:
измельчают гидрированный вентильный металл для получения порошка гидрированного вентильного металла,
отделяют гидрированный вентильный металл от негидрированной металлической оболочки,
дегазируют порошок гидрированного вентильного металла для получения порошка дегазированного вентильного металла, и
обрабатывают порошок дегазированного вентильного металла для получения слитка вентильного металла.
34. Способ по п.1, в котором фасонная заготовка имеет кромку, которую подвергают холодной прокатке для образования фланца.
35. Способ по п.1, в котором заготовка распыляемого металла является пластиной, причем к этой первой пластине присоединяют вторую металлическую опорную пластину перед тем, как подвергнуть прокатанную заготовку холодной обработке.
36. Способ по п.35, в котором упомянутое присоединение представляет собой взрывное соединение, механическое соединение, соединение прокаткой или их комбинацию.
37. Способ по п.35, в котором вторую металлическую опорную пластину выполняют из меди.
38. Способ по п.35, в котором вторую металлическую опорную пластину выполняют из металла, отличного от металла заготовки распыляемого металла.
39. Способ по п.1, дополнительно содержащий вырезание дискообразной заготовки из прокатанной заготовки перед холодной обработкой прокатанной заготовки.
40. Мишень для распыления, изготовленная способом по п.1.
41. Сборка мишени для распыления, содержащая мишень для распыления по п.40 и дополнительно содержащая верхнюю часть, выполненную из нераспыляемого материала и прикрепленную к боковым стенкам мишени для распыления, или наружную оболочку, выполненную из нераспыляемого материала, при этом мишень для распыления прикреплена к наружной оболочке, или оба эти компонента.
42. Сборка мишени для распыления по п.41, в которой верхняя часть выполнена из материала на основе вентильного металла, имеющего сильную (100) текстуру.
43. Сборка мишени для распыления по п.42, в которой материалом на основе вентильного металла является материал на основе тантала, материал на основе ниобия или оба эти материала.
44. Сборка мишени для распыления по п.42, в которой материалом на основе вентильного металла является вентильный металл или его сплав с сильной (100) текстурой.
45. Сборка мишени для распыления по п.44, в которой сплав вентильного металла содержит тантал и вольфрам.
46. Сборка мишени для распыления по п.41, в которой верхняя часть выполнена из негидрируемого материала.
47. Сборка мишени для распыления по п.41, в которой наружная оболочка выполнена из негидрируемого материала.
48. Сборка мишени для распыления по п.47, в которой наружная оболочка содержит алюминий, медь или оба эти металла.
49. Мишень, содержащая по меньшей мере один вентильный металл, имеющая конструкцию МПК и имеющая:
а) размер зерна 5 ASTM или мельче;
b) смешанную (111)-(100) глобальную текстуру;
с) однородный размер зерна, колеблющийся в интервале ±2 ASTM; или их комбинацию.
50. Мишень по п.49, имеющая по меньшей мере два из упомянутых трех свойств.
51. Мишень по п.49, имеющая все три упомянутые свойства.
52. Мишень по п.49, которая по меньшей мере частично рекристаллизована.
53. Мишень по п.49, которая рекристаллизована по меньшей мере на 95%.
54. Мишень по п.49, которая рекристаллизована полностью.
55. Мишень по п.49, в которой присутствует свойство а), и первичная глобальная текстура типа (111) не имеет резких локализованных полос (100) текстуры.
56. Мишень по п.49, в которой присутствует свойство а), и размер зерна составляет от около 5 ASTM до около 13 ASTM.
57. Мишень по п.49, в которой присутствует свойство а), и размер зерна составляет от около 5 ASTM до около 10 ASTM.
58. Мишень по п.49, в которой присутствует свойство а), и размер зерна составляет от около 7 ASTM до около 9 ASTM.
59. Способ по п.1, в котором упомянутая холодная обработка является многонаправленной холодной обработкой.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25311600P | 2000-11-27 | 2000-11-27 | |
| US60/253,116 | 2000-11-27 | ||
| US29541701P | 2001-06-01 | 2001-06-01 | |
| US60/295,417 | 2001-06-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003119076A true RU2003119076A (ru) | 2005-01-10 |
| RU2261288C2 RU2261288C2 (ru) | 2005-09-27 |
Family
ID=26942945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003119076/02A RU2261288C2 (ru) | 2000-11-27 | 2001-11-20 | Полая катодная мишень и способы ее изготовления |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6887356B2 (ru) |
| EP (1) | EP1339894B1 (ru) |
| JP (1) | JP4828782B2 (ru) |
| KR (1) | KR100831543B1 (ru) |
| CN (1) | CN1293229C (ru) |
| AU (1) | AU2002236445A1 (ru) |
| IL (1) | IL156119A0 (ru) |
| MX (1) | MXPA03004635A (ru) |
| RU (1) | RU2261288C2 (ru) |
| TW (1) | TW573032B (ru) |
| WO (1) | WO2002042513A2 (ru) |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331233B1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
| KR20040043161A (ko) * | 2001-07-19 | 2004-05-22 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 스퍼터링 타겟, 스퍼터 리액터, 주조잉곳을 제조하는 방법및 금속제품을 제조하는 방법 |
| KR100572263B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2006-04-24 | 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 | 스퍼터링 타겟트 및 그 제조방법 |
| JP4911744B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2012-04-04 | トーソー エスエムディー，インク． | スパッターされる材料の基板への均一な付着を助長する結晶方位を有する非平面スパッターターゲットと該ターゲットを製造する方法 |
| US20040065546A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Michaluk Christopher A. | Method to recover spent components of a sputter target |
| TWI341337B (en) * | 2003-01-07 | 2011-05-01 | Cabot Corp | Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same |
| US20040262157A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-12-30 | Ford Robert B. | Method of forming sputtering target assembly and assemblies made therefrom |
| US7297247B2 (en) * | 2003-05-06 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Electroformed sputtering target |
| US7228722B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-06-12 | Cabot Corporation | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation |
| US20040256226A1 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-23 | Wickersham Charles E. | Method and design for sputter target attachment to a backing plate |
| EP1666630A4 (en) * | 2003-09-12 | 2012-06-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | SPUTTERTARGET AND METHOD FOR FINISHING THE SURFACE OF SUCH A TARGET |
| JP4391478B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2009-12-24 | 日鉱金属株式会社 | ホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び包装方法 |
| US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
| US20050252268A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-11-17 | Michaluk Christopher A | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same |
| EP1704266A2 (en) * | 2003-12-22 | 2006-09-27 | Cabot Corporation | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same |
| RU2006137650A (ru) * | 2004-03-26 | 2008-05-10 | Х.К. Штарк Инк. (US) | Чаши из тугоплавких металлов |
| US20050279630A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dynamic Machine Works, Inc. | Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same |
| US7922065B2 (en) | 2004-08-02 | 2011-04-12 | Ati Properties, Inc. | Corrosion resistant fluid conducting parts, methods of making corrosion resistant fluid conducting parts and equipment and parts replacement methods utilizing corrosion resistant fluid conducting parts |
| JP2008531298A (ja) * | 2005-01-12 | 2008-08-14 | ニュー・ヨーク・ユニヴァーシティ | ホログラフィック光ピンセットによりナノワイヤを処理するためのシステムおよび方法 |
| US7998287B2 (en) | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
| US7708868B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-05-04 | Tosoh Smd, Inc. | Variable thickness plate for forming variable wall thickness physical vapor deposition target |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
| AT8697U1 (de) | 2005-10-14 | 2006-11-15 | Plansee Se | Rohrtarget |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
| CZ308045B6 (cs) | 2006-03-07 | 2019-11-20 | Cabot Corp | Způsob výroby kovového výrobku a kovová deska, vyrobená tímto způsobem |
| US20070251818A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Wuwen Yi | Copper physical vapor deposition targets and methods of making copper physical vapor deposition targets |
| US20070251819A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Kardokus Janine K | Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets |
| US7776166B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-17 | Praxair Technology, Inc. | Texture and grain size controlled hollow cathode magnetron targets and method of manufacture |
| US7981262B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US8968536B2 (en) * | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
| JP4874879B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2012-02-15 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US8702919B2 (en) * | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
| US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
| US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
| EP2226828A1 (en) | 2007-12-28 | 2010-09-08 | Institute For Metals Superplasticity Problems Of The Russian Academy Of Sciences (IMSP RAS) | Cold cathode and a method for the production thereof |
| DE102008007605A1 (de) | 2008-02-04 | 2009-08-06 | Uhde Gmbh | Modifiziertes Nickel |
| WO2010051040A1 (en) * | 2008-11-03 | 2010-05-06 | Tosoh Smd, Inc. | Method of making a sputter target and sputter targets made thereby |
| CN102301018B (zh) * | 2009-01-29 | 2015-07-15 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 高纯度铒的制造方法、高纯度铒、包含高纯度铒的溅射靶以及以高纯度铒为主要成分的金属栅膜 |
| WO2010134417A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット |
| RU2454483C2 (ru) * | 2010-05-19 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ производства литой мишени из сплава на основе тантала для магнетронного распыления |
| SG186765A1 (en) * | 2010-08-09 | 2013-02-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target |
| JP5607512B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2014-10-15 | 古河電気工業株式会社 | 円筒状ターゲット材、その製造方法、及び、そのシート被覆方法 |
| US8869443B2 (en) | 2011-03-02 | 2014-10-28 | Ati Properties, Inc. | Composite gun barrel with outer sleeve made from shape memory alloy to dampen firing vibrations |
| CN102517550B (zh) * | 2011-12-20 | 2014-07-09 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 高纯钽靶材的制备方法和高纯钽靶材 |
| US10118259B1 (en) | 2012-12-11 | 2018-11-06 | Ati Properties Llc | Corrosion resistant bimetallic tube manufactured by a two-step process |
| US9508532B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-11-29 | Bb Plasma Design Ab | Magnetron plasma apparatus |
| RU2548019C1 (ru) * | 2013-11-28 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный университет" | Способ и устройство извлечения из цилиндрической мишени полученных в результате облучения целевых компонентов |
| US9771637B2 (en) | 2014-12-09 | 2017-09-26 | Ati Properties Llc | Composite crucibles and methods of making and using the same |
| WO2016187011A2 (en) | 2015-05-15 | 2016-11-24 | Materion Corporation | Methods for surface preparation of sputtering target |
| CN111590279A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-08-28 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种高纯金属旋转靶材及其制备方法 |
| CN112808833B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-01-10 | 有研科技集团有限公司 | 一种制备高性能铁磁性靶材的方法 |
| RU2763719C1 (ru) * | 2021-04-27 | 2021-12-30 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ) | Способ изготовления катодов для установок магнетронного распыления из тугоплавких металлов |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3274814A (en) * | 1964-05-25 | 1966-09-27 | Titanium Metals Corp | Rolling mill |
| US3800406A (en) * | 1969-03-20 | 1974-04-02 | Trw Inc | Tantalum clad niobium |
| US3884793A (en) | 1971-09-07 | 1975-05-20 | Telic Corp | Electrode type glow discharge apparatus |
| US4505764A (en) * | 1983-03-08 | 1985-03-19 | Howmet Turbine Components Corporation | Microstructural refinement of cast titanium |
| US5437778A (en) | 1990-07-10 | 1995-08-01 | Telic Technologies Corporation | Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device |
| JPH0774436B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 薄膜形成方法 |
| US5171415A (en) | 1990-12-21 | 1992-12-15 | Novellus Systems, Inc. | Cooling method and apparatus for magnetron sputtering |
| AU1151592A (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-27 | Materials Research Corporation | Target for cathode sputtering |
| US5656138A (en) | 1991-06-18 | 1997-08-12 | The Optical Corporation Of America | Very high vacuum magnetron sputtering method and apparatus for precision optical coatings |
| JPH04371578A (ja) | 1991-06-19 | 1992-12-24 | Sony Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
| US5188717A (en) | 1991-09-12 | 1993-02-23 | Novellus Systems, Inc. | Sweeping method and magnet track apparatus for magnetron sputtering |
| JPH06158297A (ja) | 1992-11-27 | 1994-06-07 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US5693197A (en) | 1994-10-06 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | DC magnetron sputtering method and apparatus |
| JP3655334B2 (ja) | 1994-12-26 | 2005-06-02 | 松下電器産業株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JPH08311642A (ja) | 1995-03-10 | 1996-11-26 | Toshiba Corp | マグネトロンスパッタリング法及びスパッタリングターゲット |
| US5770025A (en) | 1995-08-03 | 1998-06-23 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetron sputtering apparatus |
| CH691643A5 (de) | 1995-10-06 | 2001-08-31 | Unaxis Balzers Ag | Magnetronzerstäubungsquelle und deren Verwendung. |
| DE19651615C1 (de) | 1996-12-12 | 1997-07-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern |
| US6042706A (en) * | 1997-01-14 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition |
| US5855745A (en) | 1997-04-23 | 1999-01-05 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Plasma processing system utilizing combined anode/ ion source |
| US6030514A (en) * | 1997-05-02 | 2000-02-29 | Sony Corporation | Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor |
| US5993621A (en) | 1997-07-11 | 1999-11-30 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Titanium sputtering target |
| US6569270B2 (en) * | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
| JP3096258B2 (ja) | 1997-07-18 | 2000-10-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 毎葉式マグネトロンスパッタ装置 |
| US6004656A (en) * | 1997-11-14 | 1999-12-21 | 3M Innovative Properties Company | Color changeable device |
| JPH11269621A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-10-05 | Toho Titanium Co Ltd | 高純度チタン材の加工方法 |
| DE19819785A1 (de) | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Leybold Systems Gmbh | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip |
| US6323055B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
| JPH11350120A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-21 | Japan Energy Corp | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 |
| KR100600908B1 (ko) | 1998-06-29 | 2006-07-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 스퍼터 타겟 |
| US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
| KR20000062587A (ko) | 1999-03-02 | 2000-10-25 | 로버트 에이. 바쎄트 | 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 열분사에 의한스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법 |
| US6113761A (en) | 1999-06-02 | 2000-09-05 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6283357B1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
| US6462339B1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Method for quantifying the texture homogeneity of a polycrystalline material |
| JP3768807B2 (ja) | 2000-11-24 | 2006-04-19 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 底のある円筒状メタルターゲットの製造方法 |
-
2001
- 2001-11-09 US US10/036,338 patent/US6887356B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-20 WO PCT/US2001/043376 patent/WO2002042513A2/en active Application Filing
- 2001-11-20 AU AU2002236445A patent/AU2002236445A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-20 EP EP01985970.1A patent/EP1339894B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-20 MX MXPA03004635A patent/MXPA03004635A/es unknown
- 2001-11-20 KR KR1020037007050A patent/KR100831543B1/ko active IP Right Grant
- 2001-11-20 RU RU2003119076/02A patent/RU2261288C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-11-20 IL IL15611901A patent/IL156119A0/xx unknown
- 2001-11-20 JP JP2002545213A patent/JP4828782B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-20 CN CNB018222552A patent/CN1293229C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-27 TW TW90129308A patent/TW573032B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-03-28 US US11/091,029 patent/US7468110B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2002236445A1 (en) | 2002-06-03 |
| IL156119A0 (en) | 2003-12-23 |
| US20030019746A1 (en) | 2003-01-30 |
| US7468110B2 (en) | 2008-12-23 |
| US6887356B2 (en) | 2005-05-03 |
| JP2004536958A (ja) | 2004-12-09 |
| RU2261288C2 (ru) | 2005-09-27 |
| EP1339894B1 (en) | 2014-04-23 |
| WO2002042513A3 (en) | 2003-06-05 |
| EP1339894A2 (en) | 2003-09-03 |
| CN1293229C (zh) | 2007-01-03 |
| CN1531605A (zh) | 2004-09-22 |
| US20050167015A1 (en) | 2005-08-04 |
| TW573032B (en) | 2004-01-21 |
| MXPA03004635A (es) | 2004-05-17 |
| WO2002042513A2 (en) | 2002-05-30 |
| KR20030057557A (ko) | 2003-07-04 |
| KR100831543B1 (ko) | 2008-05-21 |
| JP4828782B2 (ja) | 2011-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2003119076A (ru) | Полая катодная мишень и способы ее изготовления | |
| KR100528090B1 (ko) | 미세한 균일 구조 및 조직을 가지는 금속 물품 및 그의 제조방법 | |
| RU2001117202A (ru) | Высокочистый тантал и содержащие его изделия, подобные мишеням для напыления | |
| EP1088115A1 (en) | Metal article with fine uniform structures and textures and process of making same | |
| Wang et al. | Residual stress in the forming of materials | |
| JP2010069504A (ja) | プレス体 | |
| CN110191970A (zh) | 高强度7xxx铝合金的快速老化和其制备方法 | |
| WO2015032051A1 (en) | Methods and apparatus to produce high performance axisymmetric components | |
| US20120273096A1 (en) | Method of Production of Steel Sheet Pressed Parts With Locally Modified Properties | |
| JP2009535518A (ja) | 銅ターゲット | |
| EP1733065B1 (en) | Refractory metal pots | |
| US20010031376A1 (en) | Aluminum alloy composition and process for impact extrusion of long-necked can bodies | |
| EP1444376B1 (en) | High-purity aluminum sputter targets | |
| JP2006289394A (ja) | Ｍｎ−Ｃｕ系合金製リングの製造方法 | |
| JP5676870B2 (ja) | 再絞り成形性に優れた缶胴用アルミニウム合金板およびその製造方法 | |
| US2190536A (en) | Method of manufacturing hollow articles from metals | |
| JPH0663681A (ja) | アルミニウム合金製継ぎ目無し小型高圧ガス容器の製造方法 | |
| CN106391958A (zh) | Tc4大型钛合金斜筒类模锻件的制造方法 | |
| US20030098102A1 (en) | High-purity aluminum sputter targets and method of manufacture | |
| EP1536899B1 (en) | Method for manufacture of a metal shell, and a cup designed to serve as a blank | |
| JP2518980B2 (ja) | 穴を有する精密アルミニウム合金製品の穴加工方法 | |
| EP4039382B1 (en) | Pipe member manufacturing method | |
| CA2302557A1 (en) | Aluminum alloy composition and process for impact extrusions of long-necked can bodies | |
| JP2002322530A (ja) | 容器用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| TWI768533B (zh) | 外殼件鍛造方法及其鍛造胚料製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20061121 |