KR20030057557A - 중공 음극 타겟 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 94
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 48
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 21
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 17
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 7
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000010002 mechanical finishing Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- XGZGDYQRJKMWNM-UHFFFAOYSA-N tantalum tungsten Chemical compound [Ta][W][Ta] XGZGDYQRJKMWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000008467 tissue growth Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/342—Hollow targets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
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Abstract
Description
온도 | 상부벽 | 중간벽 | 반경 | 중간 기부 | |
1050℃ | % 재결정화 | 100 | 100 | 100 | 100 |
ASTM 입자 크기 | 5.0 | 5.1 | 7.1 | 6.4 | |
미크론 입자 크기 | ~65 | ~62 | ~30 | ~40 |
온도 | 상부벽 | 중간벽 | 반경 | 중간 기부 | |
1110℃ | % 재결정화 | 100 | 100 | 96 | 99 |
ASTM 입자 크기 | 7.3 | 7.2 | 6.4 | 6.6 | |
미크론 입자 크기 | ~30 | ~32 | ~40 | ~38 |
온도 | 상부벽 | 중간벽 | 반경 | 중간 기부 | |
1250℃ | % 재결정화 | 100 | 100 | 100 | 100 |
ASTM 입자 크기 | 8.7 | 8.6 | 7.6 | 8.7 | |
미크론 입자 크기 | ~19 | ~19 | ~19 | ~19 |
온도 | 상부벽 | 중간벽 | 반경 | 중간 기부 | |
1110℃ | % 재결정화 | 100 | 100 | 100 | 100 |
ASTM 입자 크기 | 9.3 | 9.3 | 9.3 | 9.3 | |
미크론 입자 크기 | ~15 | ~15 | ~15 | ~15 |
전자 후방 산란 디프랙션 | 람다(λ) | 오메가(Ω) | |
EBSD | 라드(Rad) | 라드(Rad) | |
입자 크기(미크론) | mm | mm | |
탄탈륨,어닐링된 SMW | 64 | 92 | 15 |
탄탈륨 어닐링되지 않은 SMW | 22 | 238 | 84 |
니오븀 어닐링된 SMW | 17 | 162 | 92 |
니오븀 어닐링되지 않은 SMW | 10 | 236 | 198 |
Claims (59)
- 적어도 하나의 밸브 금속을 구비하는 스퍼터링 금속 작업편을 제공하는 단계와,압연된 작업편을 얻기 위해 스퍼터링 금속 작업편을 횡단 냉간 압연하는 단계와,형상화된 작업편을 얻기 위해 압연된 작업편을 냉간 가공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 횡단 냉간 압연과 냉간 가공의 단계 사이에 스퍼터링 금속 작업편을 응력 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 응력 제거 단계는 대략 600 ℃ 내지 대략 850 ℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 스퍼터링 금속 작업편은 횡단 냉간 압연과 냉간 가공의 단계 사이에서 어닐링되거나 응력 제거되지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 횡단 냉간 압연과 냉간 가공의 단계 사이에서 스퍼터링 금속 작업편을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 어닐링의 단계는 대략 950 ℃ 내지 대략 1300 ℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 응력 제거의 단계는 대략 2시간 동안 스퍼터링 금속 작업편의 응력을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 어닐링의 단계는 대략 2시간 동안 스퍼터링 금속 작업편을 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 밸브 금속은 탄탈, 니오븀 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 밸브 금속은 구리인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 스퍼터링 타겟을 얻기 위해 형상화된 작업편을 기계 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 스퍼터링 금속 작업편을 제공하는 단계는,적어도 하나의 밸브 금속을 포함하는 잉곳을 평평하게 단조하는 단계와,단조된 잉곳을 슬래브로 절단하는 단계와,슬래브를 기계 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 횡단 냉간 압연 단계는 제1 방향으로 수차례 및 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 수차례 스퍼터링 작업편을 압연 작업편으로 냉간 압연하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 횡단 냉간 압연은 제2 방향과 같은 회수만큼 제1 방향으로 스퍼터링 작업편을 압연 작업편으로 냉간 압연하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 횡단 냉간 압연 단계는제1 방향으로 수차례 스퍼터링 작업편을 냉간 압연하는 단계와,그후 제2 방향으로 수차례 압연 작업편을 냉간 압연하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 압연 작업편은 소정의 냉간 압연 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제16항에 있어서, 소정의 냉간 압연 두께는 대략 0.25 인치(0.635 cm) 내지대략 2"(5.08 cm)-게이지인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 횡단 냉간 압연 단계 전에 스퍼터링 금속 작업편을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서, 횡단 냉간 압연 단계 전의 어닐링 단계는 대략 1050 ℃ 내지 대략 1300 ℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 압연된 작업편을 냉간 가공하는 단계는 압연된 작업편을 디프 드로잉 가공하는 단계, 압연된 작업편을 스핀 성형하는 단계 또는 압연된 작업편을 플로 성형하는 단계, 또는 그 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 압연된 작업편을 냉간 가공하는 단계는 예비 성형품을 성형하기 위해 압연된 작업편을 제1 디프 드로잉 가공하는 단계와 그후 예비 성형품을 맨드릴 상으로 플로 성형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 횡단 냉간 압연 단계 전의 어닐링 단계는 대략 2 시간 동안 스퍼터링 금속 작업편을 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 형상화된 작업편은 압연된 스퍼터링 금속 작업편(SMW)에 대해 적어도 50 %의 냉각 수축을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 형상화된 작업편의 측벽은 압연된 작업편에 대해 50 % 이하의 냉각 수축을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 형상화된 작업편은 원통형 또는 컵 형상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 압연된 작업편을 냉간 가공하는 단계는 압연된 작업편을 디프 드로잉 가공하는 단계 또는 압연된 작업편을 스핀 성형하는 단계, 또는 양쪽 모두를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 냉간 가공 단계 후에 형상화된 작업편을 응력 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 냉간 가공 단계 후에 형상화된 작업편을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제27항에 있어서, 냉간 가공 단계 후의 응력 제거 단계는 대략 600 ℃ 내지 대략 850 ℃의 온도에서 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제28항에 있어서, 냉간 가공 단계 후의 어닐링 단계는 대략 900 ℃ 내지 1300 ℃의 온도에서 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 스퍼터링 타겟은 컵 형상 또는 원통형이고 대략 10.5 인치(26.67 cm)의 높이, 대략 9.25 인치(23.495 cm)의 내경, 대략 9.50 인치(24.13 cm)의 외경 및 대략 0.25 인치(0.635 cm)의 측벽 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항의 방법에 따라 만들어진 소모 스퍼터링 타겟으로부터 밸브 금속을 회복하는 방법이며,수소화된 밸브 금속을 얻기 위하여 밸브 금속을 수소화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제32항에 있어서, 밸브 금속 수소화물 분말을 얻기 위하여 수소화된 밸브 금속을 밀링 가공하는 단계와,비 수소화물 금속 쉘로부터 수소화된 밸브 금속을 분리하는 단계와,가스 제거된 밸브 금속 분말을 얻기 위하여 밸브 금속 수소화물 분말을 가스 제거하는 단계와,밸브 금속 잉곳을 얻기 위하여 가수 제거된 밸브 금속 분말을 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 형상화된 작업편은 플랜지를 형성하기 위해 냉간 압연 상태에 놓이는 엣지를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 금속 작업편은 평판이며 압연된 작업편이 냉간 가공 상태에 놓이기 전에 제2 금속 배킹 판은 제1 판 상에 접합되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제35항에 있어서, 상기 접합은 폭발성 접합, 기계적 접합, 롤 접합 또는 그 조합인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제35항에 있어서, 상기 제2 금속 배킹 판은 구리인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제35항에 있어서, 상기 제2 금속 배킹 판은 상기 스퍼터링 금속 작업편과는 상이한 금속인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 압연된 작업편을 냉간 가공하기 전에 상기 압연된 작업편으로부터 디스크 형 작업편을 절단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항의 방법에 따라 만들어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
- 제40항의 스퍼터링 타겟을 포함하는 스퍼터링 타겟 조립체이며,스퍼터링 타겟의 측벽에 부착된 비 스퍼터링 재료로 만들어진 상단부, 또는 비 스퍼터링 재료로 만들어진 외부 쉘을 더 포함하며 스퍼터링 타겟은 외부 쉘 또는 양쪽 모두에 체결되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 조립체.
- 제41항에 있어서, 상단부는 강한 (100) 조직을 가지는 밸브 금속계 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 조립체.
- 제42항에 있어서, 밸브 금속계 재료는 탄탈 기초 재료, 니오븀 기초 재료, 또는 양쪽 모두인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 조립체.
- 제42항에 있어서, 밸브 금속계 재료는 강한 (100) 조직을 가지는 밸브 금속 또는 그 합금인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 조립체.
- 제44항에 있어서, 밸브 금속 합금은 탄탈 또는 텅스텐을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 조립체.
- 제41항에 있어서, 상단부는 비 수소화물 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 조립체.
- 제41항에 있어서, 외부 쉘은 비 수소화물 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 조립체.
- 제47항에 있어서, 외부 쉘은 알루미늄, 구리 또는 양쪽 모두를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟 조립체.
- 적어도 하나의 밸브 금속을 포함하는 타겟이며,상기 타겟은 HCM 설계를 가지고,상기 타겟은a) 5 ASTM 또는 보다 미세한 입자 크기와,b) 혼합 (111)-(100) 구형 조직과,c) 입자 크기의 변동성이 +/- 2 ASTM인 균일한 입자 크기, 또는 그 조합을 가지는 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 상기 타겟은 3 개의 특성 중 적어도 2 개를 가지는 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 상기 타겟은 3 개 특성 모두를 가지는 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 상기 타겟은 적어도 부분적으로 재결정화되는 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 상기 타겟은 적어도 95 % 재결정화되는 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 상기 타겟은 완전하게 재결정화되는 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 특성 a)는 존재하고 상기 주 (111) 형 구형 조직은 예리한 지역적인 (100) 조직의 대역이 없는 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 특성 a)는 존재하고 상기 입자 크기는 대략 5 ASTM 내지 대략 13 ASTM 인 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 특성 a)는 존재하고 상기 입자 크기는 대략 5 ASTM 내지대략 10 ASTM 인 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제49항에 있어서, 특성 a)는 존재하고 상기 입자 크기는 대략 7 ASTM 내지 대략 9 ASTM 인 것을 특징으로 하는 타겟.
- 제1항에 있어서, 상기 냉간 가공은 다중 방향성 냉간 가공인 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US25311600P | 2000-11-27 | 2000-11-27 | |
US60/253,116 | 2000-11-27 | ||
US29541701P | 2001-06-01 | 2001-06-01 | |
US60/295,417 | 2001-06-01 | ||
PCT/US2001/043376 WO2002042513A2 (en) | 2000-11-27 | 2001-11-20 | Hollow cathode target and methods of making same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030057557A true KR20030057557A (ko) | 2003-07-04 |
KR100831543B1 KR100831543B1 (ko) | 2008-05-21 |
Family
ID=26942945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020037007050A KR100831543B1 (ko) | 2000-11-27 | 2001-11-20 | 중공 음극 타겟 및 그 제조 방법 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6887356B2 (ko) |
EP (1) | EP1339894B1 (ko) |
JP (1) | JP4828782B2 (ko) |
KR (1) | KR100831543B1 (ko) |
CN (1) | CN1293229C (ko) |
AU (1) | AU2002236445A1 (ko) |
IL (1) | IL156119A0 (ko) |
MX (1) | MXPA03004635A (ko) |
RU (1) | RU2261288C2 (ko) |
TW (1) | TW573032B (ko) |
WO (1) | WO2002042513A2 (ko) |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-11-09 US US10/036,338 patent/US6887356B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-20 EP EP01985970.1A patent/EP1339894B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-20 WO PCT/US2001/043376 patent/WO2002042513A2/en active Application Filing
- 2001-11-20 CN CNB018222552A patent/CN1293229C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-20 MX MXPA03004635A patent/MXPA03004635A/es unknown
- 2001-11-20 JP JP2002545213A patent/JP4828782B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-20 AU AU2002236445A patent/AU2002236445A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-20 IL IL15611901A patent/IL156119A0/xx unknown
- 2001-11-20 KR KR1020037007050A patent/KR100831543B1/ko active IP Right Grant
- 2001-11-20 RU RU2003119076/02A patent/RU2261288C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-11-27 TW TW90129308A patent/TW573032B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-03-28 US US11/091,029 patent/US7468110B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1339894B1 (en) | 2014-04-23 |
IL156119A0 (en) | 2003-12-23 |
RU2261288C2 (ru) | 2005-09-27 |
EP1339894A2 (en) | 2003-09-03 |
CN1293229C (zh) | 2007-01-03 |
AU2002236445A1 (en) | 2002-06-03 |
US20030019746A1 (en) | 2003-01-30 |
RU2003119076A (ru) | 2005-01-10 |
JP4828782B2 (ja) | 2011-11-30 |
US7468110B2 (en) | 2008-12-23 |
WO2002042513A3 (en) | 2003-06-05 |
KR100831543B1 (ko) | 2008-05-21 |
JP2004536958A (ja) | 2004-12-09 |
MXPA03004635A (es) | 2004-05-17 |
CN1531605A (zh) | 2004-09-22 |
TW573032B (en) | 2004-01-21 |
US6887356B2 (en) | 2005-05-03 |
WO2002042513A2 (en) | 2002-05-30 |
US20050167015A1 (en) | 2005-08-04 |
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