JP2004536958A - 中空カソードターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
発明の背景
本発明はスパッタターゲットおよびその製造方法に関する。
【0002】
種々のスパッタ法が基板の表面をおおって膜を形成させるために使用される。薄膜半導体デバイス上の金属膜のような堆積金属膜はマグネトロンスパッタ装置もしくは他のスパッタ法により形成され得る。マグネトロンスパッタ装置は、ガスのプラズマイオンを誘起してターゲットに衝撃を与え、ターゲット材料の表面粒子をそこから放出させ、そして基板の表面に膜もしくは層として堆積させる。従来、平面円盤もしくは四角形の形態のスパッタ源がターゲットとして使用され、そして放出された原子がウエハの上に堆積するために視野方向の軌道(line−of−sight trajectory)に沿って走行し、その堆積面はターゲットの浸食面に平行である。倒立るつぼもしくはカップの形状の中空カソードマグネトロン(HCM)スパッタターゲットがターゲット材料として使用され得る。ターゲットにより規定される内部チャンバもしくはスパッタキャビティは上述のようにターゲットの内側面を浸食するプラズマを含む。中空カソードターゲットを用いるスパッタ系は物質の深く、狭い経路を充たすことができる膜を堆積することができる。ターゲットの内壁から放出されるターゲット原子が、プラズマを通過するにつれてイオン化されるとき、上述のことが達成される。ついで、磁場はイオンを物質に垂直な方向に輸送する。
【0003】
DCマグネトロンスパッタもしくは標準的なマグネトロンスパッタは、「交差」(“cross−field”)電気的ガス放出の周知の原理を含み、非常に高い堆積速度ならびに他の高い望ましいパラメータを与える。高い堆積速度は、磁気的に高められた放出プラズマは利用できる条件下で非常に高い電力密度を可能にするという事実から得られるにすぎない。この方法により、低い圧力で高い堆積速度、そして良好な均一性および電圧範囲が可能である。さらに、グネトロンスパッタにおいてDC電圧に代えてRF(高周波)交流電圧を用いることが可能である。しかし、上述の方法の難点は、得られる良好な堆積均一性がターゲットの非常に不均一な浸食の代償として引き起こされることである。このように、ターゲット寿命が傷つけられる。
【0004】
スパッタ装置および方法の例は、Lal等のUSP5,693,197;Guenenfelder等のUSP5,997,697;Yokoyama等のUSP5,865,961;Manley等のUSP5,855,745;Ichihara等のUSP6,033,536;HedgcothのUSP5,529,674;Scobey等のUSP5,656,138;Frach等のUSP6,063,245;HedgcothのUSP5,437,778;Liehr等のUSP6,077,407;KiyotaのUSP5,770,025;Broadbent等のUSP5,188,717;Miller等のUSP5,171,415;Ikeda等のUSP6,083,364;Penfold等のUSP3,884,793;ならびにSuganoのUSP5,393,398、に記載されており、これらは引用により全体をここに組入れられる。
【0005】
タンタル中空カソードマグネトロン(HCM)スパッタターゲットは、溶接および/または深絞りにより製造されているるつぼを用いて従来製造されている。これらの方法はカソードに冶金学的な不均一性を付与しやすく、スパッタ性能に有害に作用する。たとえば、溶接ビーズおよびその周囲の熱に作用される帯域はバルク材料とは異なる粒構造および組織を示す。このような冶金学的な不均一性はスパッタ処理を妨げるまばらな磁場を創出しうる。同様に、アニールされた、もしくは応力開放された板の深絞りもしくはスピン成形は加工物に均一に分布されていない少量の歪みを発生させ得、種々のアニール応答および/またはスパッタ浸食をもたらす。したがって、上述のように製造されるHCMターゲットの難点の1つは、それらが不均一に浸食し、基板上のターゲット材料の不均一な堆積により、各タンタルHCMターゲットから製造されるウエハの数が少ないことである。
【0006】
ターゲットおよび関連する磁場を設計する際に、2つの主要な目的はターゲットの均一な浸食および基板上のターゲット材料の均一な堆積である。
【0007】
上述の目的に向けて試みられるスパッタ法は、回転マグネットDCマグネトロンスパッタ、もしくはスパッタ装置で用いられる付加的固定部品、の使用を含む。第1の方法は均一な材料利用および適切な電圧範囲を同時に得るためにターゲットの表面にわたって磁場構造を移動させることにより材料利用効率の問題に向けられる。その第1の方法の例はKiyotaのUSP5,770,025;Broadbent等のUSP5,188,717;Miller等のUSP5,171,415;およびIkeda等のUSP6,083,364、に記載されており、これらは引用によりここにすべて組入れられる。第2の方法の例は、SuganoのUSP5,393,398に記載されており、粒子インターセプタがターゲットと基板の間に配置され、基板に均一な堆積層を生成させる。しかし、上述の方法は、それらがスパッタ装置とともに複雑な、および/または高価な装置を使用する必要性を伴うことに難点がある。
【0008】
上述および全体のすべての特許および刊行物は引用によりすべてここに組入れられる。
発明の要約
本発明はHCMターゲットのようなスパッタターゲットに関し、少なくともその側壁で実質的に均一な粒構造および組織を示すのが好適である。好ましくは、スパッタターゲット内のいかなる歪みも少なくともその側壁にわたって実質的に均一に分布されている。好ましくは、スパッタターゲットは実質的に均一なスパッタ浸食を示す。
【0009】
さらに本発明はスパッタ材料の均一な膜を基板上に堆積させるのに適した中空カソードマグネトロンスパッタターゲットを製造する方法、ならびにその方法により製造されたスパッタターゲットに関する。本発明は異なる形状の基板上に薄膜を堆積させるのに適した異なる態様で使用され得る。本発明のターゲットは操業時に好ましくは均一に浸食し、移動部分もしくは付加的部品を必要とせず、このように簡易で、費用効果が良く、信頼性があるマグネトロンスパッタ系を提供する。
【0010】
さらに本発明は、少なくとも1つのバルブ金属を含むスパッタ金属加工物を供給すること;圧延加工物を得るためにそのスパッタ金属加工物を横冷間圧延すること;ならびに形づくられた加工物を得るためにその圧延加工物を冷間加工すること、の段階を含むスパッタターゲットの製造方法を提供する。任意には、その方法は横冷間圧延と冷間加工の段階の間にスパッタ金属加工物をアニールする段階をさらに含む。
【0011】
さらに本発明は上述のスパッタターゲットを含むスパッタターゲットアセンブリーを、その範囲内に含み、そしてさらにスパッタターゲットの側壁に結合された非スパッタ材料もしくはスパッタ耐性材料からなる最上部、および非スパッタ材料からなる外殻の少なくとも1つを含み、そこでスパッタスターゲットは外殻もしくは両方に固着されている。
【0012】
さらに本発明はHCMターゲットのようなターゲットに関する。
【0013】
前述の一般的説明および次の詳細な説明は例示的、そして説明的であるにすぎず、特許請求の範囲に示される本発明をさらに説明しようとするものにすぎない。添付の図面は本出願に組入れられ、一部を構成するが、本発明のいくつかの例示的な態様を示し、説明とともに本発明の原理を説明するのに役立つ。
本発明の詳細な説明
本発明はスパッタターゲットの製造方法を提供する。その方法は、バルブ金属、好ましくはタンタルもしくはニオブ、またはそれらの合金、からなるスパッタ金属加工物を提供することを含む。その後、スパッタ金属加工物は圧延加工物を得るために横冷間圧延される。ついで圧延加工物は形づくられた加工物を得るために冷間加工される。本発明によれば、スパッタ金属加工物は、横冷間圧延と冷間加工の間に任意にアニールされうる。ある態様においてこの任意のアニール段階は避けられる。
【0014】
さらに本発明はスパッタターゲットを包含する。好ましくは、スパッタターゲットは、少なくともその側壁に一貫した、もしくは均一な粒構造および/または組織を示す。好ましくはスパッタターゲット内のいかなる歪みも少なくともターゲットの側壁にわたって実質的に均一に分布される。それによりスパッタターゲットは実質的に均一なスパッタ浸食を示すのが好適である。
【0015】
任意には、さらに本発明は上述のスパッタターゲットを含むスパッタターゲットアセンブリーをその範囲に含み、そしてさらにスパッタターゲットの側壁に結合された非スパッタ材料からなる上部と、非スパッタ材料からなる外殻、の少なくとも1つを含む。
【0016】
図1を参照すると、本発明により製造されるスパッタターゲットを用いるマグネトロンスパッタ装置の1態様が概略図として例示される。図1に示されるように、マグネトロンスパッタ装置1は図2の透視図に示されるようにるつぼ、すなわち伸びた中空カップ形状、の形態のスパッタターゲット3を含む。スパッタターゲット3は内壁9、外壁11および上部15を含む。図1において、スパッタターゲット3は示されるようなスパッタアセンブリー4を形成するために、外殻もしくはライナー20内に配置されて示される。さらに装置1はスパッタターゲット3の内壁9により境界を定められるスパッタキャビティ7に隣接して配置される基板ホルダー6上に配置された基板5を含む。スパッタターゲット3の外壁11に隣接して、永久磁石もしくは電磁石のような手段13が配置され、スパッタターゲットの長軸Lに実質的に平行であり、そしてその内壁9に連続的な磁束線MFを与える。磁束線MFは、当業者に容易に理解されるように、スパッタターゲット3からグロー放電の電子を含むように物理的なトラップを創り出す。手段13は、いかなる種類の形態であってもよく、たとえば、多数の棒磁石、多数のトロイダル磁石、もしくは図1に示されるような磁束線を発生させるための他の手段が挙げられる。図1における装置1のような装置の操作法は当業者の知識の範囲内である。アルゴン(Ar)のような不活性ガスの存在下で真空チャンバ内で図1の装置で実施されるスパッタ処理はキャビティにおける不活性ガスの分子のイオン化を含む。このイオン化はプラズマもしくはイオン化不活性ガス分子を生成するためにターゲット3および基板ホルダー6にわたって電圧を印加することにより電場の効果のもとで引起される。ついでプラズマイオンはスパッタターゲット3の内壁9に衝撃を与え、原子をターゲット内表面から放出させる。ついで放出されたターゲット原子はプラズマを通って走行し、その間に放出されたターゲット原子自体の実質的部分がプラズマによりイオン化される。イオン化されると、ターゲットアニオンは外部磁場により基板表面に垂直な軌道に沿って走行するように導かれ、その後それらは基板に堆積され、その上に堆積層を形成する。本発明によれば、スパッタターゲット3は基板に関して良好な堆積均一性を与えるように形成されるが、さらに回転磁石もしくは基板のような、スパッタ装置に移動部分を使用する必要なしに、そしてスパッタ装置の1部として付加的な部品を必要としないで、実質的に均一に浸食する。必要はないが、これらの方法は本発明において使用されうる。
【0017】
好適には本発明は、少なくともその内側壁に実質的に均一な微細構造、即ち少なくともその内壁に実質的に一貫した粒構造および組織、を有するHCMアセンブリーに適したスパッタターゲットを提供する。さらに本発明は上述のスパッタターゲットを製造する方法を提供する。
【0018】
本発明方法の1態様は図5にフローチャートの形態で示され,そこではいくつかの任意の段階が破線の矢印で示される。本発明によれば、図5に示されるように、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、もしくはそれらの合金(以下、「スパッタ金属」という)のような、バルブ金属からなるスパッタ金属加工物が段階100で提供される。本発明のために、バルブ金属は銅(Cu)を含む。段階100の前に、いかなる標準的な、従来の段階が使用され得、たとえば溶融および平面鍛造が挙げられる。スパッタ金属加工物を得るために、バルブ金属からなるインゴットがまず平面鍛造され、スラブに切断され、そして機械クリーニングされる。スパッタ金属加工物を得るために、スパッタ金属を平たく鍛造し、それをスラブに切断することおよび機械クリーニングすること、の段階は、従来法であり、たとえば、C. Pokross, Controlling the Texture of Tantalum Plate, Journal of Metals, October 1989, pp.46−49; J.B. Clark, R.K. Garrett, Jr., T.L. Jungling, and R.I. Asfahani, Influence of Transverse Rolling on the Microstructural and Textural Development in Pure Tantalum,
Metallurgical Transactions A, 23A, pp. 2183−2191,等に記載されており、引用によりすべてここに組入れられる。
【0019】
ついで、スパッタ金属加工物は「圧延用加工物」(”rolling workpiece”)として使用され、圧延加工物(rolled workpiece)を得るために所定の冷間圧延厚さに段階110で横冷間圧延される。好ましくは、所定の冷間圧延厚さは約0.25インチ〜約1インチ以上であるが、他の厚さも容易に用いられうる。本発明における「圧延用加工物」は、第1圧延段階から横冷間圧延される連続段階による加工物をいい、そこで スパッタ金属加工物は所定の冷間圧延厚さを有する圧延(rolled)加工物が製造されるまで用いられる。図4aおよび4bにみられるように、横冷間圧延の段階において、圧延用加工物19は、もう1つの、もっと薄い圧延用加工物を形成するために「A」として規定されるインゴットの軸(中心線)に垂直な方向に従来の冷間圧延装置17で圧延される。ついで、各連続圧延用加工物21は90度回転され、ついで所定の厚さに達するまでインゴット中心線に平行な方向に冷間圧延される。好適には冷間圧延はまず第1の方向「A」に多数回実施され、ついで圧延用加工物が図4bにみられる圧延加工物23を生じるための所定の厚さに達するまで、方向「A」に垂直な第2の方向「B」に多数回、続けられる。好適には、「A」方向の冷間圧延は約‐1.3の真歪みを与え、そして「B」方向の冷間圧延は約‐1.4の真歪みを与える。圧延用加工物の横冷間圧延は加工物を均一に硬化させ、好適なアニール応答を容易にする。J.B. Clark, R.K. Garrett, Jr., T.L. Jungling, および R.I. Asfahani, Influence of Transverse Rolling on the Microstructural and Textural Development inPure Tantalum, Metallurgical Transactions A, 23A, pp. 2183−2191; およびJ.B. Clark, R.K. Garrett., T.L. Jungling, R.A. Vadermeer, およびC.L.Vold,Effect of Processing Variables on the Texture and Texture Gradients in Tantalum, Metallugical transactions A, 22A, pp. 2039−2048 に記載されている方法が使用され得、これらは引用によりここにすべて組入れられる。
【0020】
好適には、スパッタ金属加工物は上述の横冷間圧延の段階の前に、破線矢印で示されるように段階105でアニールされる。好ましくはアニールは、5×10−4torr以上の真空下でそして、平面鍛造された圧延スラブの部分的もしくは完全再結晶化を確実にするのに十分な温度および時間で、行なわれる。好ましくは、アニール温度は約950℃〜約1300℃、そして好ましくは約2時間であるが、他のアニール温度および/または時間も使用されうる。このアニールの段階は強く加工硬化された粒も再結晶化もしくは回収されうるのに有利であり、それはもっと効率的に分布された仕上げ板の次の強い冷間圧延により与える応力を可能にし、そして冷間圧延およびアニールされた板の微細構造および組織の均一性を向上させる。タンタルの処理時に使用され、そしてここで使用されうる中間アニール法は、J.B. Clark, R,K. Garrett, Jr., T.L. Jungling, および R.I. Asfahani, Influence of Transverse Rolling on the Microstructural and Textural Development in Pure Tantalum, Metallurgical Transactions A, 23A, PP. 2183−2191; and C.A. Michaluk, Factors Affecting the Mechanical Properties and Texture of Trantalum, Tantalum, E. Chen, E. Lavernia, W. Ebihara, および P. Kumar(eds.), The Minerals, Metals, and Materials Society, Warrendable, PA, 1996, pp. 205−217; C.A. Michaluk, D.B. Smathers, および D.p. Field, Affect of Localized Texture on the Sputter Performance of Tantalum, Proceedings of the Twelfth International Confference on Textures of Materials, J.A. Szpunar(ed.), NRC Research Press, Ottawa, 1999, pp. 1357−1362、に記載されており、すべては引用によりここに組む入れられる。
【0021】
1つの態様において、横圧延段階110の後に、最終的な圧延加工物(FRW)が、FRWを軟化し、そしてFRWの成形性を改良するために段階115でアニールもしくは応力解放されうる。応力解放もしくはアニールは5×10−4torr以上の真空下に、そしてFRWの回収もしくは完全な再結晶化を確実にするのに十分な温度および時間で行なわれるのが好ましい。好適には、応力解放温度は約600℃〜約850℃、そしてアニール温度は約950℃〜約1300℃であるが、他の温度も使用されうる。応力解放およびアニール時間は好適には約2時間であるが、他の時間も使用されうる。横冷間圧延と冷間加工の段階間に圧延加工物をアニールするもう1つの利点は、減少した変形応力(flow stress)によって、形づくられた加工物は改良された表面仕上げを示すがこれはアニールされていない対照部分(すなわち、圧延加工物が段階115でアニールされていない形づくられた加工物に相当する対照部分)よりもはるかに容易に形づくられうるためである、ことにある。このように、段階115でのアニールは、形づくられた加工物がもとの装置製造者(OEM)により要求されるような受容しうる表面仕上げをすでに有しうるので、段階130での、形作られた加工物の機械クリーニングの段階に対する要求を低減するのに有利である。
【0022】
本発明の第2の態様において、圧延加工物は、横冷間圧延の段階の後に、そして所定のターゲット形状への冷間加工の段階の前に、アニールされない。このアニール段階の回避は成形の前に板の横圧延時に与えられる大量の冷間加工の緩和を妨げる。FRWは横圧延から与えられた冷間加工を保持するので、成形により加工物に付与された平均的な量の真歪みは、好ましくは‐0.2未満である。したがって、加工物の長さに沿う合計歪みは形づくられた加工物のアニール応答を著しく作用するようには変動せず、そして形づくられた加工物のアニールは微細な粒構造を形成させる。
【0023】
横冷間圧延および任意の応力解放もしくはアニール(115)の段階の後に、加工物はブランクとして使用され、そして段階120でスパッタターゲットの形状に相当する所定のターゲット形状に成形される。この冷間加工の段階は、好ましくは深絞りを含み、および/または圧延加工物をスピン成形(たとえばフロー成形)して形づくられた加工物にすることを含み、その結果歪みの最小量(たとえば加工物における約‐2.5の最小歪み)が成形後に形づくられた加工物(SW)の側壁に与えられる。操作120時に側壁に与えられる歪みの量を制限することにより、均一でない歪みの厳しさおよび歪み勾配は好ましくは最小であり、そして最終スパッタターゲットの冶金学的特性に比較的少ない影響を有する。好適には、所定のターゲット形状は図2および3に示されるようにカップ形状もしくは円筒形に相当する。ターゲットの底部(35)、半径(33)、中間壁(31)および上部壁(29)の一般的位置が図3に示される。本発明によるスパッタターゲットの形状は、必ずしも円筒形もしくはカップ形状である必要はなく、スパッタターゲットの長軸Lに垂直方向の断面が必ずしも円形である必要はない。
【0024】
本発明の方法で使用される冷間加工とは、好ましくは多方向の冷間加工であり、微細で、および/または均一な粒径および/または良好な組織のような多くの利点を好適に導く。
【0025】
多方向の冷間加工は好ましくは、上述のフロー成形のより達成される。
【0026】
もっと好適な態様において、横冷間圧延後に(好ましくは、横冷間圧延された材料は円盤もしくは四角形に形づくられた材料に切出すのに使用され、ついてプリフォームを形成するのに用いられる)、形づくられた加工物を得るために圧延加工物の冷間加工にはカップ形状をもつプリフォームを形成するために圧延加工物を深絞りすることにより達成されるのが好ましい。ついで、プリフォームにされた材料は、図3に示されるように典型的にはカップの形状である最終形状加工物を形成するためにマンドレルにわたってフロー成形に供されるのが好ましい。フロー成形による加工物のこの多方向の冷間加工は数多くの利点を有し、形づくられた加工物に大量のせん断歪みを与え、アニール後に、形づくられた加工物に、比較的微細で、比較的均一な粒径をもたらすことを含むが、これらに限定されない。
【0027】
好適には、所定のターゲット形状には、破線矢印で示されるように、段階125で冷間加工の段階の後に、さらに応力解放、もしくはアニールされ、好ましくは応力解放に対して、約600℃〜約850℃、そしてアニールに対して約950℃〜約1300℃であるが、他の温度も使用されうる。応力解放もしくはアニール操作125には約15分〜約2時間の好適な時間、真空もしくは不活性雰囲気で実施される。形づくられた加工物(SW)における歪みの均一化は、スパッタ金属がアニールに均一に応答するのを確実にし、完成したスパッタターゲットの少なくとも、内側壁の領域まわりの実質的に一貫した粒構造および/または組成を確実にする。形づくられた加工物はOEMにより規定される寸法要求に一致するようなスパッタターゲットを生成するために段階130で機械クリーニングされうる。前述のようにスパッタターゲットは、形づくられた加工物がOEMにより規定される表面化仕上げ要求を満足するかぎり、機械クリーニングの段階なしに形成されうる。好適な態様において、スパッタターゲットはカップ形状もしくは円筒形であり、高さ約10.5インチ、内径約9.25インチ、外径約9.50インチ、および側壁厚さ約0.25インチを有する。
【0028】
本発明のスパッタターゲットはスパッタターゲットの1部であるフランジを有するのが好ましい。すなわち、フランジは、スパッタターゲットへの分離したフランジの溶接を排除するスパッタターゲットとして、一体すなわち同一の単一部分の1部である。フランジは所望のフランジ長さにスパッタターゲットのエッジにわたって圧延することにより形成されうる。この圧延はその部分の口で過剰のゲージ材料を利用にすることにより、または深絞りからの「ホールドダウン」を利用することにより達成されうる。たとえばターゲットのエッジは図1に示されるように数字27により示される。
【0029】
スパッタターゲットを製造するために本発明による方法の段階を実施することは、スパッタ時に実質的に均一に浸食し、そして基板上に均一なターゲット材料の堆積を生じさせるターゲットを有利に提供するが、同時に上述の利点を達成するためのスパッタ装置における移動部品および/または付加的部品、のような複雑で高価な部品の必要性を除去する。本発明による方法の段階を実施することにより製造されるスパッタターゲットは少なくともその内側壁のすべての領域にわたって一貫した粒構造および/または組織を示すのが好ましい。スパッタターゲット内のいかなる歪みも少なくともその側壁にわたって実質的に均一に分布されるのが好ましく、均一なアニール応答およびスパッタ浸食をもたらす。
【0030】
1つの態様において、少なくとも1つのバルブ金属からなるターゲットは微細な粒径および/または均一な粒径を有するのが好ましい。さらに、ターゲットは均一な組織を有するのが好ましい。もっと詳しくは、少なくとも1つのバルブ金属を含有するターゲットは好ましくは5ASTM以上(すなわち、もっと微細な)、もっと好ましくは約5ASTM〜約13ASTM、さらにもっと好ましくは、約5ASTM〜約10ASTM、そして最も好ましくは、約7ASTM〜約9ASTMの粒径を有する。加えて、もしくはあるいは、ターゲットは均一な粒径、たとえばターゲットにわたる粒径変動が±2ASTM、もしくは±1ASTM、もしくはそれ未満である。加えて、もしくはあるいは、ターゲットは混合(111)‐(100)全体組織のような優れた組織を有し得、好ましくはシャープな、局在カした強い(100)組織のバンドを有さない。すなわち、組織にはスパッタ表面に垂直方向の(100)配向を有する粒が局在化した(100)組織のグループが検出されなように分散されている。好適には、本発明のターゲットは少なくとも部分的に再結晶化されており、ターゲットの少なくとも75%は再結晶されており、そしてもっと好ましくはターゲットの少なくとも95%が再結晶化されており、そしてさらに好ましくは、ターゲットの少なくとも98%は再結晶化されている。最も好ましくは、ターゲットに完全に再結晶化されている(すなわち100%再結晶化されている)。好ましくは、ターゲットは組織および粒径に関して上述の特性の1つ、もしくはもっと多く、もしくはすべてを有する。好ましくはターゲットは上述のように、HCMデザインを有し、そして上述の構造の1つ、もしくはもっと多く、もしくはすべてを有する。
【0031】
好適な態様において、本発明の方法は、迷走磁場か実質的に避けられ、もしくは完全に消去されるような方法にターゲットの粒を方向づける。迷走磁場は局在化した粒の最小化の結果避けられるのが好ましい。すなわち、好適な態様において、本発明は磁場の配向が同一もしくは実質的に同一であるように磁場の配列を改良する。これは磁場の配向がスパッタ材料流に平行であることを可能にし、磁場を競合もしくは妨害するのを避ける。好ましくは、これは最終ユーザーに非常に望まれる改良されたスパッタ品質および/または効率をもたらす。
【0032】
好ましくは、本発明によれば、上述のように製造されるスパッタターゲットは図1の外殻20のような外殻もしくはライナーに配置される。外殻はスパッタターゲットのバルブ金属より軽く、安価な材料からなり、スパッタターゲットに不必要な質量付加を回避し、したがってスパッタ真空チャンバでスパッタターゲットおよび外殻スパッタアセンブリーの搭載を比較的容易にするが、同時にコストを節約する。さらに好適に、外殻は非水素化金属のような非水素化材料からなる。非水素化金属の例は、アルミニウムもしくは銅を含むが、これらに限定されない。
【0033】
金属ジャケットもしくは支持材(backing)は、材料の冷間加工の前にバルブ金属板上に銅板のような金属支持板を結合することによりスパッタターゲットの1部でありうるのが好適である。たとえば金属支持板は爆発結合、機械結合、ロール結合等のような方法により結合されうる。金属支持板がバルブ金属板上に結合されると、支持材と結合された板はついで上述のように本発明の処理に供されうる。バルブ金属ターゲット上へ金属支持材もしくはジャケットを結合させる、この特定の方法はエンドユーザーにより用いられる付加的な段階を回避する。そうでないと、エンドユーザーは通常、たとえばタンタルターゲットを受領し、ついで、すでに形成されたスパッタターゲット(たとえば缶の形状のターゲット)上に銅金属ジャケットを装着しなければならず、付加的な製造および労働コストならびに時間の遅れをもたらす。スパッタターゲットの形状前にバルブ金属板の1部として支持材を形成することにより、製造コストおよび時間の遅れは大いに低減されうる。
【0034】
外殻の機能はスパッタターゲットに構造的な完全さを付与することである。このような外殻の存在はHCMの内壁に沿ってスパッタターゲット材料がたとえば0.1インチ未満のライナー厚さまでほとんど完全に消費されるのを可能にする。外殻なしには、スパッタターゲットはその構造の完全さを失わないで最小の所望の厚さに浸食され得ない。
【0035】
外殻が非水素化材料からなるとき、使用されたスパッタターゲットからバルブ金属の回収が可能である。コンポジットHCMターゲットを水素の陽圧雰囲気に約450℃を超える温度にさらすことにより、タンタル金属の内側ライナーは水素を吸収し、もろくなるが、非水素化材料はじん性で延性のままである。水素化バルブ金属は、振動もしくはかき取りのような機械的手段によりコンポジットHCMターゲットから取り戻され得る。したがって外殻は有利には再利用でき、スパッタ材料の未使用部分は回収され、リサイクルされる。
【0036】
本発明のもう1つの態様によれば、図3の上部15´による例として示されるように、上部15´はスパッタターゲット3´と区別し得、そしてスパッタ耐性材料からなる。好ましくは、部は円筒状のスパッタターゲット3´の側壁に溶接もしくは他の方法で結合され、完成したスパッタターゲットアセンブリー4´を生じる。好ましくは、上部は大きい粒径および強い(100)組織を有するバルブ金属材料からなる。スパッタ速度は組織に依存しうる。(100)組織を有するタンタルターゲットはスパッタに非常に耐性であるので、好適な態様によれば、上部は強い(100)組織を有するTaに基づく、もしくはNbに基づく材料からなりうる。バルブ金属基材はタンタルもしくはニオブのような商業的に純粋なバルブ金属であり得、強い(100)組織を得るために特別に処理されており、またはそれはタンタル‐タングステン合金等のようなバルブ金属合金であってもよく、それらは次の文献に示されるような通常、強い(100)組織を示す: C.A. Michaluk,Masters Thesis,Drexel University,1993; G.T.Gray III, S.R.Bingert, S.I. Wright, および S.R.Chen, Influence of Tungsten Alloying Additions on the Mechanical Properties and Texture of Tantalum,Material Research Society Symposium Proceedings, Volume 322, Materials Research Society,1994,pp.407−412; S.R.Bingert,および M.D.Johnson,Effect of Annealing Temperature on the Texture of Rolled Tantalum and Tantalum 10 wt.% Tungsten, Tungsten and Refractory Metals 2,A.Bose and R.J.Dowdinf(eds,),Metal Powder Industries Federation, Princeton, 1995,pp.501−508.
これらは引用により、すべてここに組入れられる。さらに上部は他のスパッタ耐性材料からなっていてもよく、当業者の知識の範囲内である。もう1つの態様によれば、上部はスパッタ耐性で、非水素化材料からなり、それは、当業者の知識の範囲内であり、上述のように使用されたスパッタターゲットからバルブ金属の回収を可能にする。スパッタターゲットに対する非スパッタ上部を供給することはスパッタターゲットの側壁への浸食を有利に制限するが、その上部内表面に沿ってスパッタ速度を低減させる。上述の利点は基板上の均一な層の堆積をさらに確実にする点で望ましい。なぜならターゲットの上部内表面から放出された原子はイオン化されないでプラズマを通過し、そして基板の方へ非垂直軌道を続ける。これらの原子はある角度をなして基板と衝突し、その経路の壁に集まり、これらの経路の底部で十分なボイドを創出す。一方、放出された側壁原子がイオン化されなくても、それはターゲットの反対側の側壁内に堆積する。このため非スパッタ材料のターゲットの上部内表面を形成することは、ある角度をなして基板の非イオン化原子による衝突を実質的に回避し、したがってその上に材料の非均一な堆積を与える。
【0037】
本発明の1つの態様によれば、消費されたスパッタターゲットは残るバルブ金属の回収を可能にする。好ましくは、消費されたスパッタターゲットは、まず水素化段階に供され、その間にバルブ金属は水素化されて非常にもろい材料を生成し、そして水素化バルブ金属は従来の除去もしくは分離法により非水素化殻から分離される。したがって、水素化バルブ金属はバルブ金属水素化物粉末を生成するために粉砕される。ついでバルブ金属水素化物粉末は水素を除去するために約450℃を超える温度に真空で加熱することにより脱ガスするのが好ましく、このようにしてバルブ金属粉末を生成する。ついで、粉末はスパッタターゲットを製造するために本発明の方法によりさらに処理されうる。
例
2つの商業的に入手しうるニオブ板および2つの商業的に入手しうるタンタル板(Cabot Corporation)が例において使用された。ニオブおよびタンタル板のそれぞれは本発明に説明されるように数回クロス圧延された。板は最初は3.5インチの厚さを有しており、クロス圧延処理により0.500インチの厚さになった。クロス冷間圧延は、圧延が1つの方向と第1の方向に垂直な第2の方向に同一回数で行われるようになされた。0.500×18.0インチ径を有する円盤がそれぞれの板から切断された。プリフォームを製造するに際して、各円盤は1000トンのプレスを用いてカップ形状を有するプリフォームに延伸された。カップ形状のプリフォームは1000トンプレスに供された後に次の寸法を有していた:約0.500インチの厚さを有し、高さが約6.6インチであり、壁は1°のテーパーのエッジを有していた。カップの内径は約9.3インチであった。カップの内半径は底部コーナーで約1.2インチ、外側コーナーで約1.6インチであった。仕上げ製品を製造する際に、プリフォームカップはマンドレルに置かれた。マンドレルは仕上げられる最終製品および表面の所望の径に機械加工された。ついで、プリフォームカップは下記のように所望の壁厚さおよび長さにフロー成形に供された。フロー成形操作はDynamic Machine Worksで仕上げられた。
【0038】
フロー成形後に、仕上げられた部材は所望の仕上げ寸法に機械加工された。仕上げ寸法は次のとおりであった:高さ約9.9インチ、約0.255インチの厚さを有し、壁は1°のテーパーのエッジを有し、内径は約9.49インチ、内半径は底部コーナーで約1.2インチ、外半径は底部コーナーで約1.36インチであった。ニオブの1つの試料およびタンタルの1つの試料がクロスもしくは横冷間圧延とプリフォームの形成の段階の間にアニールに供されたが、もう1つのニオブおよびタンタル試料はクロスもしくは横冷間圧延と冷間加工によるプリフォームの形成の段階の間のアニールを回避された。アニール段階はタンタルについて1050℃で行われ、2時間保持された。ニオブ製品についてのアニールは1150℃で行われ、2時間保持された。
【0039】
各試料について、形成された仕上げ製品は最終アニールに供され、アニールされていない板から形成されたニオブについてのアニールは1100℃で行われ、2時間保持された;アニールされた板から形成されたニオブについての最終アニールは1250℃で行われ、2時間保持された;アニールされていない板から形成されたタンタルについての最終アニールは1100℃で行われ、2時間保持された;アニールされた板から形成されたタンタルについての最終アニールは1050℃で行われ、2時間保持された。
【0040】
微細組織の均一性は、米国特許出願No.09/665,845に記載されている試験方法を用いて各試料について得られたが、引用によりその記載はここにすべて組み入れられる。組織データの公正な比較を確実にするために、電子後方散乱回折(EBSD)の生データを捕集するのに用いられたステップ差は、XおよびY方向の両方で測定された平均粒径の1/5であった。下の表に示すように、%再結晶化ならびに粒径が示される。
【0041】
【表1】
【0042】
【表2】
【0043】
組織分析は特にアニールされた板に由来する試料について、組織の均一性の改良を示した。特に、アニールされていないFRWから形成されたアニールされたスパッタターゲットはラムダに対する比較的大きな値、そしてオメガの比較的大きな値、によりあきらかなようにもっと厳しい組織結合により示されるもっと厳しい組織成分を有していた。組織の変動性はタンタルのスパッタ性能の変動性に関連することが報告されている(C.A.Michaluk,D.B.Smathers,およびD.P.Field,Affect of Localized Texture on the Sputter Performance of Tantalum,Proceedings of theTwelfth International Conference on Texture of Materials,J.A.Szpunar(ed.),NRC Research Press,Ottawa,1999,pp.1357−1362。引用によりここに組み入れられる)。さらに、上記の結果からわかるように、成形プロセスでアニールされていない板を用いる利点は、最終アニールるつぼが比較的微細な粒径を有することである。アニールされた板を用いる利点は最終るつぼにおける組織の均一性ならびに部材の成形し易さである。さらに、アニールされたFRWを用いることは
米国特許出願No.09/665,845に記載されている電子後方散乱回折分析方法を用いてTSLで測定されるように、図6〜9に示される粒径分布プロットから明らかなように、もっと均一な粒構造を有する。このように、各方法はエンドユーザーの所望のニーズに依存して利点を持ち、本発明はエンドユーザーの要求を満足させる種々の選択肢を提供する。
【0044】
種々の修飾および変更が本発明の精神もしくは範囲から逸脱しないで本発明の態様になされうることは当業者に自明である。このように、本発明は請求項およびその均等物の範囲で修飾及び変更を包含する。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の方法により製造されたスパッタターゲットを用いるマグネトロンスパッタ装置の1態様を示す概略図。
【図2】
図1のスパッタターゲットの透視図。
【図3】
本発明の方法に製造されたスパッタターゲットアセンブリーの1態様を示す、図2と同様な図。
【図4a】
本発明の方法による横冷間圧延の段階の概略図。
【図4b】
本発明の方法による横冷間圧延の段階の概略図。
【図5】
本発明の方法による方法の段階を示すフローチャート。
【図6】
実施例において用いられた試料の粒径分布プロットを示すグラフ。
【図7】
実施例において用いられた試料の粒径分布プロットを示すグラフ。
【図8】
実施例において用いられた試料の粒径分布プロットを示すグラフ。
【図9】
実施例において用いられた試料の粒径分布プロットを示すグラフ。
Claims (59)
- 少なくとも1つのバルブ金属を含むスパッタ金属加工物を供給すること;圧延加工物を得るためにそのスパッタ金属加工物を横冷間圧延すること;ならびに形づくられた加工物を得るためにその圧延加工物を冷間加工すること、の段階を含むスパッタターゲットの製造方法。
- 横冷間圧延と冷間加工の段階の間にスパッタ金属加工物を応力開放する段階をさらに含む請求項1記載の方法。
- 応力開放する段階が約600℃〜約850℃の温度である請求項2記載の方法。
- スパッタ金属加工物が横冷間圧延と冷間加工の段階の間でアニールもしくは応力開放されない請求項1記載の方法。
- 横冷間圧延と冷間加工の段階の間にスパッタ金属加工物をアニールする段階をさらに含む請求項1記載の方法。
- アニールの段階が約950℃〜約1300℃の温度である請求項2記載の方法。
- 応力開放の段階が、約2時間スパッタ金属加工物を応力開放する段階を含む請求項3記載の方法。
- アニールの段階が、約2時間スパッタ金属加工物をアニールする段階を含む請求項6記載の方法。
- バルブ金属がタンタル、ニオブもしくはそれらの合金である請求項1記載の方法。
- 該バルブ金属が銅である請求項1記載の方法。
- スパッタターゲットを得るために、形づくられた加工物を機械クリーニングする段階をさらに含む請求項1記載の方法。
- スパッタ金属加工物を供給する段階が、少なくとも1つのバルブ金属を含むインゴットを平鍛造すること;その鍛造されたインゴットをスラブに切断すること;ならびにそのスラブを機械クリーニングすること、の段階を含む請求項1記載の方法。
- 横冷間圧延する段階が、第1の方向に多数回、そして第1の方向に垂直な第2の方向に多数回、圧延加工物としてスパッタ加工物を冷間圧延する段階を含む請求項1記載の方法。
- 横冷間圧延する段階が、第1の方向と第2の方向に、同じ多数回、圧延加工物としてスパッタ加工物を冷間圧延する段階を含む請求項1記載の方法。
- 横冷間圧延する段階が、第1の方向に多数回、スパッタ加工物を冷間圧延すること;ならびについでそして第1の方向に垂直な第2の方向に多数回、圧延加工物を冷間圧延すること、の段階を含む請求項13記載の方法。
- 圧延加工物が所定の冷間圧延厚さを有する請求項1記載の方法。
- 所定の冷間圧延厚さが約0.25〜約2インチ(約6mm〜約5cm)である請求項16記載の方法。
- 横冷間圧延の段階の前にスパッタ金属加工物をアニールする段階をさらに含む請求項1記載の方法。
- 横冷間圧延の段階の前にアニールする段階が約1050℃〜約1300℃の温度である請求項18記載の方法。
- 圧延加工物を冷間加工する段階が、圧延加工物を深絞りすること、圧延加工物をスピン成形すること、圧延加工物をフロー成形すること、もしくはそれらの組み合わせ、を含む請求項1記載の方法。
- 圧延加工物を冷間加工する段階が、圧延加工物を深絞りしてプリフォームを形成すること、そしてついでそのプリフォームをマンドレルをおおってフロー成形すること、を含む請求項1記載の方法。
- 横冷間圧延の段階の前にアニールする段階が、スパッタ金属加工物を約2時間アニールする段階を含む請求項17記載の方法。
- 形づくられた加工物が、圧延スパッタ金属加工物(SMW)に関して少なくとも50%の冷間縮小を示す請求項1記載の方法。
- 形づくられた加工物の側壁が、圧延加工物に関して50%未満の冷間縮小を示す請求項1記載の方法。
- 形づくられた加工物が、円筒形もしくはカップ形状である請求項1記載の方法。
- 圧延加工物を冷間加工する段階が、圧延加工物を深絞りすること、もしくは圧延加工物をスピン成形すること、もしくはその両方、を含む請求項1記載の方法。
- 冷間加工する段階の後に、形づくられた加工物を応力開放する段階をさらに含む請求項1記載の方法。
- 冷間加工する段階の後に、形づくられた加工物をアニールする段階をさらに含む請求項1記載の方法。
- 冷間加工する段階の後に応力開放する段階が、約600℃〜約850℃の温度で行なわれる請求項27記載の方法。
- 冷間加工する段階の後にアニールする段階が、約900℃〜約1300℃の温度で行なわれる請求項27記載の方法。
- スパッタターゲットが、カップ形状もしくは円筒形であり、高さ約10.5インチ(約27cm)、内径約9.25インチ(約23.5cm)、外径約9.50インチ(約24.1cm)および側壁約0.25インチ(約0.6cm)を有する請求項1記載の方法。
- 水素化バルブ金属を得るためにバルブ金属を水素化する段階を含む、請求項1記載の方法により製造されたスパッタターゲット消費物からバルブ金属を回収する方法。
- 水素化バルブ金属粉末を得るために水素化バルブ金属を粉砕すること;水素化されていない金属殻から水素化バルブ金属を分離すること;脱ガス水素化バルブ金属粉末を得るために水素化バルブ金属粉末を脱ガスすること;ならびにバルブ金属インゴットを得るために脱ガス水素化バルブ金属粉末を加工すること、の段階をさらに含む請求項32記載の方法。
- 形づくられた加工物がエッジを有し、該エッジはフランジを形成するために冷間圧延に供される請求項1記載の方法。
- 該スパッタ金属加工物が板であり、圧延加工物を冷間加工に供する前に、第2の金属支持板がその第1の板上に結合される請求項1記載の方法。
- 該結合が爆発結合、機械結合、ロール結合、もしくはそれらの組み合わせである請求項35記載の方法。
- 該第2の金属支持板が銅である請求項35記載の方法。
- 該第2の金属支持板が該スパッタ金属加工物と異なる金属である請求項35記載の方法。
- 圧延加工物の冷間加工前に、該圧延加工物から円盤状加工物を切断することをさらに含む請求項1記載の方法。
- 請求項1記載の方法により製造されたスパッタターゲット。
- 請求項40記載のスパッタターゲットを含み、そしてスパッタターゲットの側壁に結合された非スパッタ材料からなる最上部、または非スパッタ材料からなる外殻をさらに含み、そこでスパッタスターゲットは外殻もしくは両方に固着されている、スパッタターゲットアセンブリー。
- 最上部が強い(100)組織を有するバルブ金属基材からなる請求項41記載のスパッタターゲットアセンブリー。
- バルブ金属基材がタンタルに基づく材料、ニオブに基づく材料、もしくはその両方である請求項42記載のスパッタターゲットアセンブリー。
- バルブ金属基材が強い(100)組織を有するバルブ金属もしくはその合金である請求項42記載のスパッタターゲットアセンブリー。
- バルブ金属合金がタンタルおよびタングステンを含む請求項44記載のスパッタターゲットアセンブリー。
- 最上部が、水素化されていない材料からなる請求項41記載のスパッタターゲットアセンブリー。
- 外殻が、水素化されていない材料からなる請求項41記載のスパッタターゲットアセンブリー。
- 外殻が、アルミニウム、銅もしくはその両方を含む請求項47記載のスパッタターゲットアセンブリー。
- 少なくとも1つのバルブ金属を含むターゲットであり、該ターゲットはHCMデザインを有し、そして該ターゲットは、a)5ASTMもしくはもっと微細な粒径;b)混合(111)−(100)全体組織;c)粒径変動が±2ASTMである均一な粒径;またはそれらの組み合わせ、を有するターゲット。
- 該ターゲットが3つの特性の少なくとも2つを有する請求項49記載のターゲット。
- 該ターゲットが3つのすべての特性を有する請求項49記載のターゲット。
- 該ターゲットが少なくとも部分的に再結晶化されている請求項49記載のターゲット。
- 該ターゲットが少なくとも95%再結晶化されている請求項49記載のターゲット。
- 該ターゲットが完全に再結晶化されている請求項49記載のターゲット。
- 特性a)が存在し、そして該主要(111)型全組織が(100)のシャープな局在バンドを有していない請求項49記載のターゲット。
- 特性a)が存在し、そして該粒径は約5ASTM〜約13ASTMである請求項49記載のターゲット。
- 特性a)が存在し、そして該粒径は約5ASTM〜約10ASTMである請求項49記載のターゲット。
- 特性a)が存在し、そして該粒径は約7ASTM〜約9ASTMである請求項49記載のターゲット。
- 該冷間加工が多方向の冷間加工である請求項1記載の方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005539148A (ja) * | 2002-09-13 | 2005-12-22 | トーソー エスエムディー,インク. | スパッターされる材料の基板への均一な付着を助長する結晶方位を有する非平面スパッターターゲットと該ターゲットを製造する方法 |
JP2007521140A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-08-02 | キャボット コーポレイション | 高い完全度のスパッタリングターゲット材料及びそれを大量に製造する方法 |
JP2012111994A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 円筒状ターゲット材、その製造方法、及び、そのシート被覆方法 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6331233B1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
KR100853743B1 (ko) * | 2001-07-19 | 2008-08-25 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 스퍼터링 타겟, 스퍼터 리액터, 주조잉곳을 제조하는 방법및 금속제품을 제조하는 방법 |
EP1449935B1 (en) * | 2001-11-26 | 2009-03-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target and production method therefor |
US20040065546A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Michaluk Christopher A. | Method to recover spent components of a sputter target |
US7067197B2 (en) * | 2003-01-07 | 2006-06-27 | Cabot Corporation | Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same |
TW200506080A (en) * | 2003-02-25 | 2005-02-16 | Cabot Corp | Method of forming sputtering target assembly and assemblies made therefrom |
US7297247B2 (en) * | 2003-05-06 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Electroformed sputtering target |
US7228722B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-06-12 | Cabot Corporation | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation |
EP1639620A2 (en) * | 2003-06-20 | 2006-03-29 | Cabot Corporation | Method and design for sputter target attachment to a backing plate |
CN1823178B (zh) * | 2003-09-12 | 2011-06-22 | Jx日矿日石金属株式会社 | 溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法 |
JP4391478B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2009-12-24 | 日鉱金属株式会社 | ホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び包装方法 |
US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
US20050252268A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-11-17 | Michaluk Christopher A | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same |
BRPI0509236A (pt) | 2004-03-26 | 2007-11-27 | Starck H C Inc | potes de metal refratário |
US20050279630A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dynamic Machine Works, Inc. | Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same |
US7922065B2 (en) | 2004-08-02 | 2011-04-12 | Ati Properties, Inc. | Corrosion resistant fluid conducting parts, methods of making corrosion resistant fluid conducting parts and equipment and parts replacement methods utilizing corrosion resistant fluid conducting parts |
WO2007084114A2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-07-26 | New York University | System and method for processing nanowires with holographic optical tweezers |
US7998287B2 (en) | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
US7708868B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-05-04 | Tosoh Smd, Inc. | Variable thickness plate for forming variable wall thickness physical vapor deposition target |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
AT8697U1 (de) * | 2005-10-14 | 2006-11-15 | Plansee Se | Rohrtarget |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US8790499B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-07-29 | Applied Materials, Inc. | Process kit components for titanium sputtering chamber |
EE05493B1 (et) | 2006-03-07 | 2011-12-15 | Cabot Corporation | Meetod l?pliku paksusega metallesemete valmistamiseks, saadud metallplaat ja selle valmistamiseks kasutatav BCC- metall |
US20070251818A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Wuwen Yi | Copper physical vapor deposition targets and methods of making copper physical vapor deposition targets |
US20070251819A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Kardokus Janine K | Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets |
US7776166B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-17 | Praxair Technology, Inc. | Texture and grain size controlled hollow cathode magnetron targets and method of manufacture |
US7981262B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US8968536B2 (en) * | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
JP4874879B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2012-02-15 | Jx日鉱日石金属株式会社 | エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US8702919B2 (en) * | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
EP2226828A1 (en) | 2007-12-28 | 2010-09-08 | Institute For Metals Superplasticity Problems Of The Russian Academy Of Sciences (IMSP RAS) | Cold cathode and a method for the production thereof |
DE102008007605A1 (de) | 2008-02-04 | 2009-08-06 | Uhde Gmbh | Modifiziertes Nickel |
JP5696051B2 (ja) * | 2008-11-03 | 2015-04-08 | トーソー エスエムディー,インク. | スパッターターゲットを製造する方法 |
EP2383354B1 (en) * | 2009-01-29 | 2018-03-07 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Method for manufacturing high-purity erbium, high-purity erbium, sputtering target composed of high-purity erbium |
CN102356179B (zh) * | 2009-05-22 | 2013-10-30 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 钽溅射靶 |
RU2454483C2 (ru) * | 2010-05-19 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ производства литой мишени из сплава на основе тантала для магнетронного распыления |
KR20130008089A (ko) * | 2010-08-09 | 2013-01-21 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 탄탈 스퍼터링 타깃 |
US8869443B2 (en) | 2011-03-02 | 2014-10-28 | Ati Properties, Inc. | Composite gun barrel with outer sleeve made from shape memory alloy to dampen firing vibrations |
CN102517550B (zh) * | 2011-12-20 | 2014-07-09 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 高纯钽靶材的制备方法和高纯钽靶材 |
US10118259B1 (en) | 2012-12-11 | 2018-11-06 | Ati Properties Llc | Corrosion resistant bimetallic tube manufactured by a two-step process |
US9508532B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-11-29 | Bb Plasma Design Ab | Magnetron plasma apparatus |
RU2548019C1 (ru) * | 2013-11-28 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный университет" | Способ и устройство извлечения из цилиндрической мишени полученных в результате облучения целевых компонентов |
US9771637B2 (en) | 2014-12-09 | 2017-09-26 | Ati Properties Llc | Composite crucibles and methods of making and using the same |
US10604836B2 (en) | 2015-05-15 | 2020-03-31 | Materion Corporation | Methods for surface preparation of sputtering target |
CN111590279A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-08-28 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种高纯金属旋转靶材及其制备方法 |
CN112808833B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-01-10 | 有研科技集团有限公司 | 一种制备高性能铁磁性靶材的方法 |
RU2763719C1 (ru) * | 2021-04-27 | 2021-12-30 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ) | Способ изготовления катодов для установок магнетронного распыления из тугоплавких металлов |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3274814A (en) * | 1964-05-25 | 1966-09-27 | Titanium Metals Corp | Rolling mill |
US3800406A (en) * | 1969-03-20 | 1974-04-02 | Trw Inc | Tantalum clad niobium |
US3884793A (en) * | 1971-09-07 | 1975-05-20 | Telic Corp | Electrode type glow discharge apparatus |
US4505764A (en) * | 1983-03-08 | 1985-03-19 | Howmet Turbine Components Corporation | Microstructural refinement of cast titanium |
US5437778A (en) * | 1990-07-10 | 1995-08-01 | Telic Technologies Corporation | Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device |
JPH0774436B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 薄膜形成方法 |
US5171415A (en) * | 1990-12-21 | 1992-12-15 | Novellus Systems, Inc. | Cooling method and apparatus for magnetron sputtering |
KR100231397B1 (ko) * | 1991-01-28 | 1999-11-15 | 튜그룰 야사르 | 음극 스퍼터링용 타겟 |
US5656138A (en) * | 1991-06-18 | 1997-08-12 | The Optical Corporation Of America | Very high vacuum magnetron sputtering method and apparatus for precision optical coatings |
JPH04371578A (ja) * | 1991-06-19 | 1992-12-24 | Sony Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
US5188717A (en) * | 1991-09-12 | 1993-02-23 | Novellus Systems, Inc. | Sweeping method and magnet track apparatus for magnetron sputtering |
JPH06158297A (ja) | 1992-11-27 | 1994-06-07 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US5693197A (en) * | 1994-10-06 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | DC magnetron sputtering method and apparatus |
JP3655334B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2005-06-02 | 松下電器産業株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置 |
JPH08311642A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-11-26 | Toshiba Corp | マグネトロンスパッタリング法及びスパッタリングターゲット |
US5770025A (en) * | 1995-08-03 | 1998-06-23 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetron sputtering apparatus |
CH691643A5 (de) * | 1995-10-06 | 2001-08-31 | Unaxis Balzers Ag | Magnetronzerstäubungsquelle und deren Verwendung. |
DE19651615C1 (de) * | 1996-12-12 | 1997-07-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern |
US6042706A (en) * | 1997-01-14 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition |
US5855745A (en) * | 1997-04-23 | 1999-01-05 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Plasma processing system utilizing combined anode/ ion source |
US6030514A (en) * | 1997-05-02 | 2000-02-29 | Sony Corporation | Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor |
US5993621A (en) * | 1997-07-11 | 1999-11-30 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Titanium sputtering target |
US6569270B2 (en) * | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
JP3096258B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2000-10-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 毎葉式マグネトロンスパッタ装置 |
US6004656A (en) * | 1997-11-14 | 1999-12-21 | 3M Innovative Properties Company | Color changeable device |
US6210502B1 (en) * | 1997-12-24 | 2001-04-03 | Toho Titanium Co., Ltd. | Processing method for high-pure titanium |
DE19819785A1 (de) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Leybold Systems Gmbh | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip |
US6323055B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
JPH11350120A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-21 | Japan Energy Corp | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 |
EP1099777A1 (en) | 1998-06-29 | 2001-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputter target |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
KR20000062587A (ko) | 1999-03-02 | 2000-10-25 | 로버트 에이. 바쎄트 | 박막 증착에 사용 및 재사용하기 위한 열분사에 의한스퍼터 타깃의 제조 및 재충전 방법 |
US6113761A (en) * | 1999-06-02 | 2000-09-05 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
US6283357B1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
US6462339B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Method for quantifying the texture homogeneity of a polycrystalline material |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005539148A (ja) * | 2002-09-13 | 2005-12-22 | トーソー エスエムディー,インク. | スパッターされる材料の基板への均一な付着を助長する結晶方位を有する非平面スパッターターゲットと該ターゲットを製造する方法 |
JP4911744B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2012-04-04 | トーソー エスエムディー,インク. | スパッターされる材料の基板への均一な付着を助長する結晶方位を有する非平面スパッターターゲットと該ターゲットを製造する方法 |
JP2007521140A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-08-02 | キャボット コーポレイション | 高い完全度のスパッタリングターゲット材料及びそれを大量に製造する方法 |
JP2012111994A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 円筒状ターゲット材、その製造方法、及び、そのシート被覆方法 |
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