NL8006770A - Transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie. - Google Patents

Transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie. Download PDF

Info

Publication number
NL8006770A
NL8006770A NL8006770A NL8006770A NL8006770A NL 8006770 A NL8006770 A NL 8006770A NL 8006770 A NL8006770 A NL 8006770A NL 8006770 A NL8006770 A NL 8006770A NL 8006770 A NL8006770 A NL 8006770A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
member according
transistor
transistor member
metal
deposited
Prior art date
Application number
NL8006770A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Energy Conversion Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Energy Conversion Devices Inc filed Critical Energy Conversion Devices Inc
Publication of NL8006770A publication Critical patent/NL8006770A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5252—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising anti-fuses, i.e. connections having their state changed from non-conductive to conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/685—Hi-Lo semiconductor devices, e.g. memory devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78642—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/8615—Hi-lo semiconductor devices, e.g. memory devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

VO 1301
Transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie.
De uitvinding heeft betrekking op een transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie, en meer in het bijzonder op een transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie, gevormd van een amorfe legering, die althans silicium en fluor bevat.
5 In dit verband wordt verwezen naar de Amerikaanse octrooischriften 4.217.374 en 4.226.898.
Silipium is de grondslag voor de enorme kristallijne half-geleiderindustrie, en is het materiaal, dat in nagenoeg alle thans geproduceerde commerciële geïntegreerde ketens wordt toegepast.* 10 Toen de kristallijne halfgeleidertechnologie een commerciële toe stand bereikte, werd het de grondslag voor de tegenwoordige enorme industrie voor het vervaardigen van halfgeleiderarganen. Dit was het gevolg van de mogelijkheid van de natuurgeleérde in hoofdzaak foutvrij germanium en in het bijzonder siliciumkristallen te doen 15 groeien, en deze dan te veranderen in bijkomende materialen met ge bieden daarin met een p- en n-geleidbaarheid. Dit werd tot stand gebracht door het in dergelijk kristallijn materiaal diffunderen van delen per miljoen van gevende (n) of ontvangende (p) stimulatiemate-rialen, die als substitutionele verontreinigingen in de in hoofdzaak 20 zuivere kristallijne materialen werden gebracht voor het vergroten van hun elektrische geleidbaarheid en voor het regelen van het p of n geleidend zijn daarvan.
De halfgeleidervervaardigingswerkwijzen voor het maken van p-n-verbindingspuntkristallen omvat uiterst ingewikkelde, tijdroven-25 de en kostbare handelingen, alsmede hoge bewerkingstemperaturen.
Dergelijke kristallijne materialen, gebruikt in transistoren en andere stroomregelorganen worden dus geproduceerd onder zeer nauwkeurig geregelde omstandigheden door het doen groeien van afzonderlijke enkelvoudige silicium- of germaniumkristallen, en wanneer p-n-30 verbindingspunten nodig zijn door het stimuleren van dergelijke en- 8006770 - 2 - kelvoudige kristallen met uiterst kleine en kritische hoeveelheden stimulatiemiddelen. Dergelijke kristalgroeiwerkwijzen produceren betrekkelijk kleine kristalschijven, waarop de geïntegreerde ketens worden gevormd.
5 Bij de integratietechnologie op de schaal van dergelijke schijven beperkt de kleine oppervlakte van de kristalschijf de totale afmeting van de geïntegreerde ketens, die daarop kan worden gevormd. Bij toepassingen die grootschalige oppervlakten vereisen, zoals in de weergeeftechnologie, kunnen de kristalschijven niet 10 worden vervaardigd met de vereiste of gewenste grote oppervlakten.
□e organen worden althans gedeeltelijk gevormd door het diffunderen van p- of n-stimulatiemiddelen in de onderlaag. Verder wordt elk orgaan gevormd tussen isolatiekanalen, die worden gediffundeerd in de onderlaag. De pakdichtheid (het aantal organen per eenheid 15 van oppervlakte van het schijfoppervlak) is op de siliciumschijven eveneens begrensd op grond van de lekstroom in elk orgaan en de energie nodig voor het bedienen van de organen, welke beide warmte opwekken, hetgeen ongewenst is. De siliciumschijven verspreiden warmte niet gemakkelijk. Ook beïnvloedt de lekstroom nadelig de 20 levensduur van de batterij of de energiecel bij draagbare toepas singen.
In een MOS-schakeling hangt de schakelsnelheid direct'samen met de poortlengte, waarbij de kleinste lengte de hoogste snelheid heeft. De diffusiewerkwijzen, fotolithografie en andere kristallij -25 ne vervaardigingswerkwijzen beperken de kortheid waarop de poort- lengte kan worden uitgevoerd.
Verder is de pakdichtheid uiterst belangrijk omdat de cel-afmeting exponentieel samenhangt met de kosten van elk orgaan.
Een vermindering in matrijsafmeting met b.v. een factor 2 heeft 30 een vermindering van de kósten tot gevolg in de orde van een fac tor 6.
Samenvattend vereisen kristalsiliciumtransistor- en geïntegreerde ketenparameters, die niet naar wens veranderlijk zijn, grote hoeveelheden materiaal, hoge bewerkingstemperaturen, waarbij 35 zij alleen kunnen worden geproduceerd op schijven met een betrekke- 8006770 Λ. Λ - 3 - lijk Kleine oppervlakte en in produktie Kostbaar en tijdrovend zijn. Organen op grond van amorf silicium kunnen deze nadelen van kristalsilicium opheffen. Amorf silicium kan sneller, gemakkelijker, bij lagere temperaturen en in grotere oppervlakten dan kristalsili-5 cium worden gemaakt.
Dienovereenkomstig is aanzienlijke inspanning getroost voor het ontwikkelen van werkwijzen voor het gemakkelijk afzetten van amorfe halfgeleiderlegeringen of -foelies, die elk betrekkelijk grote oppervlakten kunnen omvatten, indien gewenst, slechts be-10 grensd door de afmeting van de afzetuitrusting, en die kunnen wor den gestimuleerd voor het vormen van p~ en n-materialen voor het vormen van p-n-verbindingspunttransistoren en -organen, die voor wat betreft de kosten en/of de werking beter zijn dan die, geproduceerd door hun kristallijne tegenhangers. Gedurende vele jaren was 15 dit werk in hoafdzaak niet produktief. Foelies van amorf silicium- of germanium (groep IV] worden gewoonlijk viervoudig gecoördineerd en bleken mlcroholten te hebben, evenals slingerende bindingen en andere fouten, die een hoge dichtheid produceren van gelokaliseerde toestanden in de energiespleet daarvan. De aanwezigheid van een 20 hoge dichtheid van gelokaliseerde toestanden in de energiespleet van halfgeleiderfoelies van amorf silicium hadden tot gevolg, dat dergelijke foelies niet met goed gevolg konden worden gestimuleerd of anderszins gewijzigd voor het dicht naar de geleidings- of valen-tiebanden verschuiven van het ferminiveau, waardoor zij ongeschikt 25 waren voor het maken van p-n-verbindingspunten voor transistoren en andere stroomregelorgaantoepassingen.
In een poging de voornoemde moeilijkheden met betrekking tot amorf silicium en germanium tot een minimum te beperken, hebben W.E.Spear en P.G.Ls Comber van het "Carnegie Laboratory of Physios, 30 University of Dundee", in Dundee, Schotland, onderzoek gedaan naar "Substitutional Doping of Amorphous Silicon", waarvan verslag is gedaan in een verhandeling, gepubliceerd in "Solid State Communications", Vol.17, biz.1193 - 1196, 1975, met het oog op het verminderen van de gelokaliseerde toestanden in de energiespleet in amorf 35 silicium of germanium teneinde deze dichter intrinsiek kristallijn q η n 7 7 π - u - silicium of germanium te doen benaderen, en het substitutioneel stimuleren van de amorfe materialen met passende gebruikelijke stimulatiemiddelen, zoals bij het stimuleren van kristallijne materialen, teneinde ze extrinsiek te maken en van een p- of n-geleidbaar-5 heid.
De vermindering van de gelokaliseerde toestanden werd tot stand gebracht door een glimontladingsafzetting van ,amorfe silicium-foelies, waarbij een gasvormig silaan CSiH^) door een reactiebuis werd geleid, waarin het gas werd ontleed door een door een hoogfre-10 quent glimontlading en afgezet op een onderlaag bij een onderlaag- temperatuur van ongeveer 500 - 800°K [227 - 327°C). Het zodoende op de onderlaag afgezette materiaal was een intrinsiek amorf materiaal, bestaande uit silicium en waterstof. Voor het produceren van amorf materiaal werd een gas van fosforwaterstof CPH^) voor 15 een π-geleidbaarheid of een gas van diboraan CB2Hg) voor een p-ge- leidbaarheid, vooraf gemengd met het silaangas en geleid door de glimontladingsreactiebuis onder dezelfde bedrijfsomstandigheden.
De concentratie in gasvorm van de gebruikte stimulatiemiddelen was -2 tussen ongeveer 5 x 10 en 10 delen per volume. Het zodoende 20 afgezette materiaal bevatte, naar werd verondersteld, substitutio neel fosfor- of borlumstlmulatlemiddel en bleek excentriek te zijn en van de n- of p-geleidbaarheid.
Hoewel het deze onderzoekers niet bekend was, is het thans bekend geworden door het werk van anderen, dat de waterstof in het 25 silaan zich op een optimale temperatuur verenigt met vele van de slingerende binding van het silicium gedurende het met glimlading afzetten voor het in aanzienlijke mate verminderen van de dichtheid van de gelokaliseerde toestanden in de energiespleet met het oog op het dichter bij die van het overeenkomstige kristallijne materiaal 30 doen zijn van de elektronische eigenschappen van het amorfe materi aal.
D.I.Jones, W.E.Spear, P.G.LeComber, S.Li en R.Martins werkten eveneens aan het bereiden van een Ge : H uit GeH^ onder toepassing van soortgelijke afzettechnieken. Het verkregen materiaal gaf 35 blijk van een hoge dichtheid van gelokaliseerde toestanden in de 8006770 ♦ ·* -5 - energiespleet daarvan. Hoewel het materiaal Kon worden gestimuleerd. was de doeltreffendheid daarvan in aanzienlijke mate verminderd ten opzichte van die, verkrijgbaar met een Si : H. In dit werk, waarvan verslag werd gedaan in "Philosophical Magazine Θ," 5 Vol.39, blz. 147 (1979), komen de schrijvers tot de conclusie, dat op grond van de grote dichtheid van spleettoestanden, hét verkregen materiaal ”.... een minder aantrekkelijk materiaal is dan a-Si voor stimulatieonderzoekingen en mogelijke toepassingen."
Het opnemen van waterstof in de voorgaande silaanwerkwijze 10 heeft niet alleen beperkingen op grond van de vaste verhouding van waterstof tot silicium in silaan, maar verschillende Si : H bindings-gedaanten brengen, hetgeen zeer belangrijk is, nieuwe antibindings-toestanden mee, die nadelige gevolgen kunnen hebben in deze materialen. Derhalve zijn er grondbeperkingen aan het verminderen van de 15 dichtheid van gelokaliseerde toestanden in deze materialen, welke toestanden in het bijzonder schadelijk zijn voor wat betreft het doeltreffend p-, alsmede n-stimuleren. De verkregen dichtheid van toestanden van de uit silaan afgezette materialen voert tot een smalle afvoerbreedte, hetgeen op zijn beurt de doeltreffendheid 20 begrenst van organen, waarvan de werking afhankelijk is van de loop van vrije dragers. De werkwijze voor het maken van deze materialen door het gebruik van alleen silicium en waterstof heeft tevens een grote dichtheid tot gevolg van oppervlaktetoestanden, die alle voorgaande parameters beïnvloeden.
25 Nadat de ontwikkeling van het met glimontlading afzetten van silicium uit silaangas was uitgevoerd, werd onderzoek gedaan met het door kathodeverstuiven afzetten van amorfe siliciumfoelies in de atmosfeer van het mengsel van argon (nodig voor het door kathodeverstuiven afzetten) en moleculair waterstof teneinde da gevolgen 30 te bepalen van dergelijk moleculair waterstof op de sigenschappen van deafgezette amorfe siliciumfoelie. Dit onderzoek gaf aan, dat de waterstof werkte als een vereffeningsmiddel, dat zich zodanig bond, dat de gelokaliseerde toestanden in de energiespleet werden verminderd. De mate echter, waarin de gelokaliseerde toestanden 35 in de energiespleet werden verminderd bij het door kathodeverstui- 8006770 --6- ven afzetten, was veel minder dan bereikt door de hiervoor beschreven afzetting uit silaan. De hiervoor beschreven p- en n-stimula-tiematerialen werden in de kathodeverstuivingswerkwijze eveneens toegepast voor het produceren van p- en n-gestimuleerde materialen.
5 Deze materialen hadden een lagere stimulatiedoelmatigheid dan de materialen, geproduceerd in de glimontladingswerkwijze. Geen der werkwijzen produceerde doeltreffend p-gestimuleerde materialen met voldoende hoge ontvangende elektrodeconcentraties voor het produceren van commerciële p-n-verbindingspuntorganen. De n-stimulatie-10 doelmatigheid lag beneden wenselijke en aanvaardbare commerciële niveaus, en de p-stimulatie was bijzonder ongewenst, omdat het het aantal gelokaliseerde toestanden in de bandspleet vergrootte.
Verschillende werkwijzen voor het vervaardigen en construeren van transistoren en organen in de vorm van een dunne foelie, 15 zijn voorgesteld, waarbij de verschillende foelies van de transis tor zijn gemaakt van verschillende materialen met verschillende elektrische eigenschappen. OJJt dunne foelies bestaande transistoren Zijn b.v. voorgesteld onder toepassing van nikkeloxydefoelies, siliciumfoelies, amorf siliciumfoelies en amorf silicium en water-20 stoffoelies, gevormd uit silaan, zoals hiervoor vermeld. Ook zijn verschillende geometrische gedaanten voorgesteld, zoals een vlakke MOS-constructie.
Het bekende afzetten van amorf silicium, dat door waterstof uit het silaangas is veranderd, in een poging het meer te doen lij -25 ken op kristallijn silicium, en dat is gestimuleerd op de wijze van het stimuleren van kristallijn silicium, heeft eigenschappen, die in alle belangrijke opzichten minder zijn dan die van gestimuleerd kristallijn silicium. Zoals gerapporteerd door LeComber en Spear en anderen, zoals hiervoor vermeld, kan in de op. silaan stoe- 30 lende transistororganen de lekstroom niet meer zijn dan 10 11 A, “6 blijkt de verzadigingsstroom ongeveer 5 x 10 A te zijn, blijkt de 4 schakelfrequentie van het orgaan ongeveer 10 Hz te zijn en is de stabiliteit slecht omdat het materiaal met de tijd in kwaliteit afneemt.
35 Voorgesteld is een zonnecel te maken, die in beginsel een 8006770 -τ - lichtgevoelige gelijkrichter is, waarbij een amorfe legering wordt toegepast, die silicium en fluor bevat, zoals geopenbaard in de genoemde Amerikaanse octrooischriften 4.217.374 en 4.275.S9Q.
Overeenkomstig de uitvinding is een transistor met veldwer-5 king in de vorm van een dunne foelie verschaft, voorzien van een brongebied, verder van een afvoergebied, van een poortisolator, van een als dunne foelie afgezette amorfe legering, die althans silicium en fluor bevat en is gekoppeld met het brongebied, het afvoergebied en de poortisolator, en van een poortelektrode in con-10 tact met de poortisolator.
De amorfe legering bevat bij voorkeur tevens waterstof, zoals een amorfe legering a-Si : F, : H , waarin a tussen 80 en 98 a D c atoom-% ligt, b tussen 1 en 10 atoom-% en c 1 en 10 atoom-%.
De transistor met veldwerking kan verschillende geometrieën 15 hebben, zoals een V-MOS-constructie, en kan zijn afgezet op ver schillende onderlagen met een--isolator tussen de actieve gebieden van de transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie, en een geleidende onderlaag, zoals een metaal. De transistoren kunnen worden afgezet op een isolator, een halfgeleider, een geïso-20 leerd metaal of een geïsoleerde halfgeleideronderlaag. Op grond van de mogelijkheid om op verschillende onderlagen te worden gevormd en van de kleine lek- en bedieningsstroom, kunnen de transistoren ook boven op elkaar worden gevormd, d.w.z. gestapeld.
Oe transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foe-25 lie kan verschillende wenselijke eigenschappen hebben in afhankelijk heid van de bepaalde gekozen geometrie en dikte van de foelie van het gekozen amorfe silicium/fluormateriaal, zoals b.v. een verzadi- gingsgelijkstroom van niet meer dan 10 A en tot aan of meer dan -4 10 A, een bovenste afsnijfrequentie van althans meer dan 10 MHz, 30 een hoge verhouding van ongeveer ÏO'7 van de weerstand in uitgescha- .
kelde toestand tot de weerstand in ingeschakelde toestand, en een zeer lage lekstroom van ongeveer 10 ^ A of minder. Verder neemt de legering met de tijd niet in kwaliteit af.
Dienovereenkomstig bestaat een eerste doel van de uitvinding 35 uit het verschaffen van een transistororgaan met veldwerking in de 8006770 - 8- vorrn van een dunne foelie, welk orgaan een brongebied bevat, verder een afvoergebied, een poortisolator en een poorteleKtrode in contact met de poortisolator, welk orgaan wordt gekenmerkt door een als dunne foelie afgezette amorfe legering, die althans silicium 5 en fluor bevat, gekoppeld met het brongebied, hefcafvoergebied en de poortisolator.
Een tweede doel van de uitvinding is het verschaffen van een transistororgaan met veldwerking in de vorm van een dunne foelie, welk orgaan een brongebied bevat, verder een afvoergebied, 10 een poortisolator, een als dunne foelie afgezette halfgeleiderlege- ring, gekoppeld met het brongebied, het afvoergebied en de poortisolator, welk orgaan wordt gekenmerkt door een V-MOS-constructie.
De uitvinding wordt nader toegelicht aan de hand van de tekening, waarin: 15 Fig.l een verticale doorsnede is van een uitvoeringsvorm voorzien van metalen bron- en afvoergebieden, soortgelijk aan een vlakke MGS-transistorj
Fig.2 een ketenschema is van de in fig.l weergegeven transistor; 20 Fig.3 een verticale doorsnede is van een tweede uitvoerings- v orm, voorzien van halfgeleiderbron- en afvoergebieden;
Fig.4 een ketenschema is van de in fig.3 weergegeven transistor;
Fig.5 een verticale doorsnede is van een andere uitvoerings-25 vorm, voorzien van metalen bron- en afvoergebieden, soortgelijk aan een V-MOS-transistor;
Fig.6 een ketenschema is van de in fig.5 weergegeven transistor;
Fig.7 een verticale doorsnede is van een aan de in fig.5 weer-30 gegeven transistor soortgelijke uitvoeringsvorm, voorzien van half geleider bron- en afvoergebieden;
Fig.8 een ketenschema is van de in fig.7 weergegeven transistor; en
Fig.9 een verticale-doorsnede is van een aan de in de fig.l-35 8 weergegeven transistoren soortgelijke transistor met echter een 8 00 6 77 0 - 9 - andere geometrische constructie.
Thans gedetailleerder verwijzende naar de tekening, is in fig.l. een transistor 10 met veldwerking in de vorm van een dunne foelie afgebeeld. Zoals weergegeven is de transistor 10 gevormd 5 op een onderlaag 12 van isolatiemateriaal, dat kan bestaan uit een siliciummateriaal, een laag polymeermateriaal of een isolator bovenop een metaal. Op de onderlaag 12 is overeenkomstig de onderhavige leer een dunne legeringslaag 14 afgezet, die silicium en fluor bevat, en tevens waterstof kan bevatten, welke laag kan zijn gestimu-10 leerd voor het vormen van een N- of P-legering. Boven op deze lege ringslaag 14 bevindt zich een laag of band 16 van isolatiemateriaal, zoals een·veldoxyde, en op afstand daarvan bevindt zich een andere laag of band 18 van isolatiemateriaal, zoals een veldoxyde.
Een kanaal of opening 20 is biv. door gebruikelijke foto-15 lithografische technieken gevormd tussen de twee banden 16 en 18.
Een bronmetaalgeleider 22 is afgezet over de band 16, waarbij een gedeelte daarvan in contact is met de legeringslaag 14 voor het vormen van een schrootweringcontact bij het tussenvlak tussen het bronmetaal 22 en de amorfe legeringslaag 14.
20 Op een soortgelijke wijze is een geleider of laag 24 van af- voermetaal afgezet over de isolatieband 18, waarbij een gedeelte daarvan in contact is met de legeringslaag 14 op afstand van het bronmetaal 22. Het tussenvlak tussen het afvoermetaal 24 en de amorfe laag 14 verschaft nog een schrootweringcontact. Een poort-25 'isolatorlaag 26 van isolatiemateriaal, zoals een poortoxyde of poortnitride 26 is afgezet over het bronmetaal 22 en het afvoermetaal 24 en is in contact met de amorfe legeringslaag 14 tussen het bron- en afvoermetaal. Op deze laag 26 van poortisolatiemateri-aal is een poortgeleider 28 afgezet, die kan zijn gemaakt van een 30 willekeurig passend metaal, zoals aluminium of molybdeen. Op de poortgeleider is een volgende laag 30 van isolatiemateriaal afgezet voor het passief maken van het orgaan, welk materiaal wordt aangeduid als een veldoxyde.
De isolatielagen 16 en 30 worden verbonden voorafgaande aan 35 de volgende aangrenzende transistor, waarbij de bron 22 wordt ver- 8006770 -10- bondsn met een uitwendige geleider. De isolatielaag 16 vormt de isolator voor het volgende orgaan, soortgelijk aan de isolator 13 van de weergegeven transistor 10.
□e poortisolatorlaag 26 en de banden 16 en 18 van isolatie-5 materiaal, aangeduid als zijnde een veldoxyde, kunnen zijn gemaakt van een metaaloxyde, siliciumdioxyde of een andere isolator,' zoals siliciumnitride. Het bronmetaal 22 en afvoermetaal 24 kan zijn gevormd van een willekeurig passend geleidend metaal, zoals aluminium, molybdeen of een metaal met een hoge werkzaamheid, zoals goud, pal-10 ladium, platina of chroom. De poortisolator kan een nitride, sili ciumdioxyde of siliciumnitride materiaal zijn.
Overeenkomstig de onderhavige leer wordt een legering, die silicium en fluor bevat, en tevens waterstof kan bevatten, gebruikt voor het vormen van de amorfe legeringslaag 14. Deze legering veris schaft de hiervoor vermelde wenselijke eigenschappen, die voor vele verschillende ketens kunnen worden gebruikt. De legeringslaag 14 is bij voorkeur gemaakt van a-Sia : : Hc, waarin a tussen 80 en 98 atoom-% ligt, b tussen 1 en 10 atoom-% en c tussen 1 en 10 atoom- %.
20 De legering kan worden gestimuleerd met een stimulatiemiddel uit de groep V of de groep III van het Periodieke Stelsel in een hoeveelheid, die tussen 10 en 1000 dln per miljoen vormt (dpm).
De stimulatiematerialen en de mate van stimulatie kunnen verschillend zijn.
25 De dikte van de legeringslaag 14 van amorf materiaal kan tus sen 10 en 500 nm liggen, waarbij een toegepaste dikte ongeveer 100 nm is. Het bronmetaal 22 en het afvoermetaal 24 kunnen eveneens dikten hebben die tussen 50 en 2000 nm liggen, waarbij een toegepaste dikte ongeveer 200 nm is. Hoewel volgens de beschrijving de poort-3Q geleider 28 is gemaakt van metaal, kan deze zijn gemaakt.'Indian ge wenst, van een gestimuleerd halfgeleidermateriaal.
Afhankelijk van de geometrie van de verschillende lagen en de dikten van de verschillende lagen, kan een transistor met veld-werking op de hiervoor beschreven wijze warden geconstrueerd, waar-35 bij de lekstroom ongeveer 10 A is voor het zodoende verschaffen 8 00 6 77 0 - 11 - van een hoge weerstand in uitgeschakelde toestand en een verzadi- -4 gingsgelijkstroom van ongeveer 10 A.
Bij het construeren van de in fig.l weergegeven transistor 10 met veldwerking in de vorm van een dunne foelie, worden de mate-5 riaallagen, en in het bijzonder de legeringslaag 14 door verschil lende afzettechnieken afgezet, bij voorkeur door glimontlading.
Een gebruikelijk poort CG]-, bron (S)- en afvoer CD]-ketenschema van de transistor 10 met veldwerking, is afgebeeld in fig.2.
Thans verwijzende naar fig.3 is een vlak geconstrueerde 10 transistor 40 met veldwerking in de vorm van een dunne foelie afge beeld, die evenals de transistor 10 is gevormd op een geïsoleerde onderlaag 42. Bovenop het onderlaagmateriaal 42 is b.v. door glimontlading een legeringslaag 44 afgezet, die silicium en fluor bevat en bij voorkeur tevens waterstof, en van de N- of F-soort kan 15 zijn. Op deze legeringslaag 44 worden twee lagen isolatiemateriaal 46 en 48 afgezet, die zijn gemaakt van een veldoxyde en volgens fig.3 met een opening 50 daartussen. Boven de isolatielagen 46 en 48 zijn reap· een bronlegeringslaag 52 en een afvoerlegeringslaag 54 afgezet, die eveneenssilicium en fluor bevatten en bij voorkeur 20 ook waterstof. De bron 52 en de afvoerlegering 54 zijn amorfe N- of P-legeringen. Een N-P- of P-N-verbindingspunt wordt dan gevormd bij het tussenvlak, waar de lagen 52 en 54 contact maken met de legeringslaag 44.
IMa het afzetten van de lagen 52 en 54 wordt een poortisola- 25 torlaag 56, aangeduid als een poortoxyde 56, afgezet over het bron- gebied 52, het blootliggende gedeelte van de amorfe laag 44 en het afvoergebied 54. Dan wordt een poortgeleider 58 afgezet over de poortisolator 46, en wordt een passief makende isolatielaag 60 af-gezet bovenop de poortgeleider 58, welke laag bestaat uit een veld-30 oxyde.
Een gebruikelijk poort (GJ-, bron CS)- en afvoer CD]-ketenschema van de transistor 40-is afgebeeld in fig.4.
Het verschil tussen de transistor 40 en de transistor 10 is, dat de afvoer- en brongebieden of geleiders 52 en 54 van de transis-35 tor 40 zijn gemaakt van een halfgeleidermateriaal en bij voorkeur 8006770 - 12 - van sen a-Si : F : H legering.
In fig.5 is een nieuwe V-MOS-constructie weergegeven, afgeheeld als een transistor 70 met veldwerking in de vorm van dunne foelies, vervaardigd overeenkomstig de onderhavige leer. Op een on-5 derlaag 72 is eerst een laag of band afvoermetaal 74 afgezet, waar van een middengedeelte is weggesneden of weggeëtst. Bovenop het af-vaermetaal 74 is een dunne laag of band van amorfe legering 76 afgezet, waarin een middengedeelte is weggesneden of weggeëtst in lijn met het weggesneden gedeelte van de laag 74. Op soortgelijke wijze 10 is een laag bronmetaal 78 afgezet op de laag 76 en is een overeen komstig middengedeelte daarvan weggesneden.. Ook kunnen alle lagen in één stap worden geëtst volgende op het afzetten van alle lagen.
Dan is een poortisolator 80, aangeduid als een poortoxyde, afgezet over het bronmetaal 78 en in de verkregen middenruimte 82 in de 15 vorm van een V-snede en op de schuine randen van de laaggedeelten 74, 76 en 78 en over de vrijgemaakte onderlaag 72. Vervolgens is een poortgeleider 84 afgezet op de poortisolator 82, en is een laag 86 van isolatiemateriaal, aangeduid als een veldoxyde, afgezet over de poortmetaalgeleider 84 als een passief makende laag.
20 Deze bepaalde V-MOS-constructie met de open ruimte 80 heeft het voordeel, dat een zeer korte afstand L tot stand wordt gebracht tussen het bronmetaal 74 en het afvoermetaal 78 door de legerings-laag 76. De laagdikte of -afstand L heeft een hoge bedrijfsfrequen-tie tot gevolg en een hogere verzadigingsstroom dan de transistor-25 gedaante van de fig.l en 3. De lekstroom kan toenemen ten opzichte van de gedaante van de fig.l en 3.
Een gebruikelijk poort (G)-, bron (S3- en afvoer (D)-keten-sohema van de transistor 70 is weergegeven in fig.6.
In fig.7 is nog een V-MOS-transistor 90 met veldwerking in 30 de vorm van een dunne foelie afgebeeld, gevormd op een onderlaag 92, waarbij de legeringslagen 94, 96 en 98 met silicium en fluor CN- of P-soort] zijn afgezet op de onderlaag 92. De betreffende lagen 94, 96 en 98 hebben een weggesneden of weggeëtst middengedeelte 100. Vervolgens is een poortisolator 102, aangeduid als een poort-35 oxyde, afgezet over de rand van de laag 98 en in contact met de 8006770 - T3 - vrij.liggende randen van de lagen 94, 96 en 98 en ook het vrij liggende gedeelte van de onderlaag 92, zoals weergegeven. Een poortgelei-der 104 is afgezet over de isolatielaag 102 , waarbij tenslotte een.. laag 106 van isolatiemateriaal, zoals een veldoxyde, is afgezet 5 over de poortgeleider 104. De transistor 90 is werkzaam onder toe passing van de tegengesteld voorgespannen P-N-verbindingspunten, gevormd tussen de lagen 94 en 96 en tussen 96 en 98.
De transistor 90 is soortgelijk aan de transistor 70, zoals weergegeven in fig.5, behalve dat het brongebied 98 en het afvoer-10 gebied 94 zijn gemaakt van een halfgeleiderlegering, zoals a-Si:F:H.
De V-MOS-constructie van de transistoren 70 en 90 wordt met voordeel toegepast met een willekeurig afgezet halfgeleidermateriaal, zoals b.v. maar niet uitsluitend een siliciumlegering, die althans uit silaan afgezette waterstof bevat.
15 Een gebruikelijk ketenschema van de transistor 90 is afge- beeld in fig.8.
Thans verwijzende naar fig.9 is nog een transistor 110 met veldwerking afgebeeld, gemaakt overeenkomstig de onderhavige leer.
De transistor 110 is gevormd op een metalen onderlaag 111, waarop 20 een dunne laag isolatiemateriaal 112 is afgezet, die de actieve componenten van de transistor 110 scheidt van de metalen onderlaag 111 en toch voldoende dun is, zodat de in de transistor 110 opgewekte warmte naar de metalen onderlaag kan vloeien, die daarvoor een warmteaccumulator vormt.
25 De transistor 110 met veldwerking in de vorm van dunne foe lies is gevormd door het afzetten van een brongeleiderlaag 114, gemaakt van metaal of een N- of P-halfgeleiderlegering. Een afvoer-geleider 116 is afgezet op de isolatielaag 112 en is eveneens gemaakt van een metaal of een P-N-halfgeleiderlegering, Bovenop de 30 geleiders 114 en 116 is een intrinsieke of enigszins gestimuleerde legeringslaag 118 afgezet, zoals de reeds beschreven a-Si : F : H legering.
Bovenop de legeringslaag 118 is een poortisolator 120 afgezet, die kan bestaan uit een siliciumoxyde of een siliciumnitride.
35 Bovenop de poortisolator 120 is een poortgeleiderlaag 122 afgezet, 8006770 - Hl· - die kan bestaan uit een metaal of halfgeleidermateriaal. Een passief makende laag 124 is afgezet over de poortgeleider 122.
De verschillende transistoren IQ, 40, 70, 90 en 110 kunnen zijn gevormd in een matrix, zodat het brongebied of het afvoerge-5 bied zich uitstrekt als een Y-asgeleider over de afgezette onder laag 112. Dan is het afvoer- of het brongebied afgezet voor het vormen van een gescheiden afvoer- of brongebied, dat dan is verbonden met een X-asgeleider. Dan is de poortelektrode zodanig afgezet, dat deze zich evenwijdig aan de Y-as uitstrekt voor het vormen van 10 een Y-aspoortgeleider. Op deze wijze kunnen de transistoren 10, 50, 70, 90 en 110 met veldwerking worden toegepast in samenhang met PROM-organen voor het vormen van het isolatieorgaan in een geheugen-r keten daarvoor, welke keten een geheugengebied en het isolatieorgaan omvat.
15 De onderhavige transistor met veldwerking in de vorm van dunne foelies en de verschillende uitvoeringsvormen daarvan, zoals beschreven, verschaffen een transistor, die zeer klein is en toch zeer goede werkeigenschappen heeft, zoals hiervoor vermeld. De. bovenste isolatielaag van de transistoren, zoals 124 in fig.9, kan 20 worden gebruikt voor het vormen van de isolatielaag voor een andere daarop te vormsn transistor voor het verschaffen van een gestapelde transistorgedaante, en derhalve verder de pakdichtheid van de organen vergroten. Dit is mogelijk, omdat de lagen zijn afgezet en als gevolg van de lage bedrijfs- en lekstroom van de organen.
25 Uit de voorgaande beschrijving is het duidelijk, dat een transistor met veldwerking in de vorm van dunne foelies, die een legeringslaag omvat van a-Si : F : H overeenkomstig de onderhavige leer, een aantal voordelen heeft,
De vlakke constructies van de fig.l, 3 en 9 kunnen ook wor-30 den gevormd in omgekeerde volgorde ten opzichte van de weergegeven volgorde met de poort aan de onderkant. De schrootweringen kunnen ook een MIS [metalen isolator halfgeleider) contact zijn. De poortgeleider in een orgaan kan ook bestaan uit metaal, polysilicium of gestimuleerd halfgeleidermateriaal met een ander metalen of half-35 geleiderafvoermateriaal, in plaats van dat beide zijn gemaakt van hetzelfde metalen of halfgeleidermateriaal.
8006770

Claims (27)

1. Transistororgaan met veldwerking in-de vorm van dunne foelies, welk orgaan een brongebied bevat, verder een afvoergebied, een. poortisolator en een paortelektrode in contact met de poort-isolator, gekenmerkt door een als dunne foelie afgezette amorfe 5 legering (14; 44; 76; 96; 118), die althans silicium en fluor be vat, gekoppeld met het brongebied (22; 52; 78; 98; 114), het afvoergebied (24; 54; 74; 94; 116) en de poortisolator (26; 56; 80; 102; 120).
2. Transistororgaan volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat 10 de amorfe legering tevens waterstof bevat.
3. Transistororgaan volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de amorfe legering een dikte heeft tussen 10 en 500 nm.
4. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het afvoergebied een dikte heeft tussen 50 en 15 2000 nm.
5. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het brongebied een dikte heeft tussen 50 en 2000 nm.
6. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, met 20 het kenmerk, dat de poortisolator bestaat uit een metaaloxyde.
7. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het brongebied is gemaakt van een metaal.
8. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het afvoergebied is gemaakt van een metaal.
9. Transistororgaan volgens een der conclusies 1 - 6 of 8, met het kenmerk, dat het brongebied is gemaakt van een halfgeleider-legering.
10. Transistororgaan volgens een der conclusies 1 - 7 of 9, met het kenmerk, dat het afvoergebied is gemaakt van een halfgeleider- 30 legering.
11. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de paortelektrode is gemaakt van een metaal. 8006770 -16.-
12. Transistororgaan volgens een der conclusies 1-10, met het Kenmerk, dat de poortelektrode is gemaakt van een halfgeleider-legering.
13. Transistororgaan volgens een· der conclusies 2-12, waarbij de 5 amorfe legering bestaat uit Si :F. :H , waarin a tussen 80 en 98, b tussen 1 en 10 en c tussen 1 en 10 atoom-% ligt.
14. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, gekenmerkt door een vlakke MOS-constructie CIO, 40, 110).
15. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, ge- 10 kenmerkt door een aantal op elkaar gestapelde, vlakke MOS-construc- ties.
16. Transistororgaan volgens een der conclusies 1 - 13, gekenmerkt door een V-MOS-constructie (70, 90).
17. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, met 15 het kenmerk, dat deze is afgezet op een metalen onderlaag.
18. Transistororgaan volgens een der conclusies 1 - 16, met het kenmerk, dat deze is afgezet op een glazen onderlaag.
19. Transistororgaan volgens een der conclusies 1 - 16, met het kenmerk, dat deze is afgezet op een polymeer onderlaag.
20. Transistororgaan volgens conclusie 17, gekenmerkt door een dunne laag van isolatiemateriaal C112) tussen de transistor (110) . en de metalen onderlaag (111), zodat de thermische baan tussen de transistor en de metalen onderlaag slechts een zeer kleine afstand is, zodat de metalen onderlaag werkzaam kan zijn als een doeltref-25 fende warmte-accumulator voor het verspreiden van warmte uit de transistor met veldwerking in de vorm van dunne foelies.
21. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, gekenmerkt door een lekstroom van minder dan 10 ^ A.
22. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, ge- 30 kenmerkt door een uitschakelfrequentie van meer dan 10 MHz.
23. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, ge- “6 kenmerkt door een verzadigingsgelijkstroom van ongeveer 10 A.
24. Transistororgaan volgens een der conclusies 1-20, gekenmerkt door een lekstroom van minder dan 10 10 A, verder door een “6 35 verzadigingsgelijkstroom van meer dan 10 A en een bovenste uit- 8006770 • - IT - schakelfrequentie van meer dan 10 MHz.
25. Transistororgaan volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat deze is gemaakt met een opdamptechniek.
26« Transistororgaan volgens conclusie 25, met het kenmerk, dat 5 deze is gemaakt door een glimontladingstechniek.
27. Transistororgaan met veldwerking in de vorm van dunne foelies, welk orgaan een brongebied bevat, verder een afvoergebied, een poortisolator, een als dunne foelie afgezette halfgeleiderlege-ring, gekoppeld met het brongebied, het afvoergebied en de poort-10 isolator, en een poortelektrode in contact met de poortisolator, gekenmerkt door een V-MOS-constructie (70, 90]. 8006770
NL8006770A 1979-12-13 1980-12-12 Transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie. NL8006770A (nl)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10301179A 1979-12-13 1979-12-13
US10301179 1979-12-13
US20827880A 1980-11-19 1980-11-19
US20827880 1980-11-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8006770A true NL8006770A (nl) 1981-07-16

Family

ID=26799985

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8006770A NL8006770A (nl) 1979-12-13 1980-12-12 Transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie.
NL8401928A NL8401928A (nl) 1979-12-13 1984-06-18 Uit dunne lagen opgebouwde veldeffecttransistor.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8401928A NL8401928A (nl) 1979-12-13 1984-06-18 Uit dunne lagen opgebouwde veldeffecttransistor.

Country Status (14)

Country Link
KR (2) KR840001605B1 (nl)
AU (2) AU538008B2 (nl)
BE (1) BE886630A (nl)
CA (3) CA1153480A (nl)
DE (2) DE3046358A1 (nl)
FR (1) FR2474763B1 (nl)
GB (2) GB2067353B (nl)
IE (1) IE51076B1 (nl)
IL (1) IL61679A (nl)
IT (1) IT1193999B (nl)
MX (1) MX151189A (nl)
NL (2) NL8006770A (nl)
SE (1) SE8008738L (nl)
SG (1) SG72684G (nl)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2527385B1 (fr) * 1982-04-13 1987-05-22 Suwa Seikosha Kk Transistor a couche mince et panneau d'affichage a cristaux liquides utilisant ce type de transistor
US6294796B1 (en) * 1982-04-13 2001-09-25 Seiko Epson Corporation Thin film transistors and active matrices including same
US5736751A (en) * 1982-04-13 1998-04-07 Seiko Epson Corporation Field effect transistor having thick source and drain regions
US5698864A (en) * 1982-04-13 1997-12-16 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a liquid crystal device having field effect transistors
US5650637A (en) * 1982-04-30 1997-07-22 Seiko Epson Corporation Active matrix assembly
US5365079A (en) * 1982-04-30 1994-11-15 Seiko Epson Corporation Thin film transistor and display device including same
US5677547A (en) * 1982-04-30 1997-10-14 Seiko Epson Corporation Thin film transistor and display device including same
US4543320A (en) * 1983-11-08 1985-09-24 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making a high performance, small area thin film transistor
US4633284A (en) * 1983-11-08 1986-12-30 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film transistor having an annealed gate oxide and method of making same
US4620208A (en) * 1983-11-08 1986-10-28 Energy Conversion Devices, Inc. High performance, small area thin film transistor
US4547789A (en) * 1983-11-08 1985-10-15 Energy Conversion Devices, Inc. High current thin film transistor
US4752814A (en) * 1984-03-12 1988-06-21 Xerox Corporation High voltage thin film transistor
US4769338A (en) * 1984-05-14 1988-09-06 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor and method of making same
US4673957A (en) * 1984-05-14 1987-06-16 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same
US4668968A (en) * 1984-05-14 1987-05-26 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same
US4670763A (en) * 1984-05-14 1987-06-02 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor
KR100741798B1 (ko) * 2004-12-30 2007-07-25 엘지전자 주식회사 건조기 일체형 세탁기
CN112420821B (zh) * 2020-10-29 2021-11-19 北京元芯碳基集成电路研究院 一种基于碳基材料的y型栅结构及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3384792A (en) * 1965-06-01 1968-05-21 Electro Optical Systems Inc Stacked electrode field effect triode
US4115799A (en) * 1977-01-26 1978-09-19 Westinghouse Electric Corp. Thin film copper transition between aluminum and indium copper films
US4217374A (en) * 1978-03-08 1980-08-12 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors
DE2820331C3 (de) * 1978-05-10 1982-03-18 Lüder, Ernst, Prof. Dr.-Ing., 7000 Stuttgart Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
GB2052853A (en) * 1979-06-29 1981-01-28 Ibm Vertical fet on an insulating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
IL61679A (en) 1984-11-30
CA1188008A (en) 1985-05-28
KR840001605B1 (ko) 1984-10-11
GB8326775D0 (en) 1983-11-09
IT1193999B (it) 1988-08-31
IE802615L (en) 1981-06-13
GB2067353B (en) 1984-07-04
KR830004680A (ko) 1983-07-16
FR2474763A1 (fr) 1981-07-31
AU538008B2 (en) 1984-07-26
DE3051063C2 (nl) 1991-04-11
SG72684G (en) 1985-03-29
DE3046358C2 (nl) 1987-02-26
IL61679A0 (en) 1981-01-30
MX151189A (es) 1984-10-09
FR2474763B1 (fr) 1987-03-20
IT8026642A0 (it) 1980-12-12
IE51076B1 (en) 1986-10-01
BE886630A (fr) 1981-04-01
SE8008738L (sv) 1981-06-14
GB2067353A (en) 1981-07-22
DE3046358A1 (de) 1981-09-17
CA1163377A (en) 1984-03-06
GB2131605B (en) 1985-02-13
KR850000902B1 (ko) 1985-06-26
AU6531380A (en) 1981-06-18
AU2845184A (en) 1984-09-13
NL8401928A (nl) 1984-10-01
KR850001478A (ko) 1985-02-18
AU554058B2 (en) 1986-08-07
CA1153480A (en) 1983-09-06
GB2131605A (en) 1984-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8006770A (nl) Transistor met veldwerking in de vorm van een dunne foelie.
KR0171437B1 (ko) 반도체 회로 및 그 제조 방법
KR100379361B1 (ko) 실리콘막의 결정화 방법
US6617641B2 (en) High voltage semiconductor device capable of increasing a switching speed
US7781765B2 (en) Mask for crystallizing polysilicon and a method for forming thin film transistor using the mask
NL8006771A (nl) Diode.
US5965904A (en) Semiconductor device comprising silicon semiconductor layer
JP2001007024A (ja) 多結晶シリコン膜の形成方法
JP2001023899A (ja) 半導体薄膜とその半導体膜を用いた液晶表示装置及びその製造方法
JPS58115864A (ja) 半導体装置
US7390727B2 (en) Polycrystalline silicon film containing Ni
US5612565A (en) Semiconductor device having channel boundary with uneven shape
US6326226B1 (en) Method of crystallizing an amorphous film
JPH06267978A (ja) 薄膜トランジスタおよびその作製方法
JPS58142566A (ja) 薄膜半導体装置
US7491972B1 (en) Polysilicon semiconductor thin film substrate, method for producing the same, semiconductor device, and electronic device
CN85109088A (zh) 薄膜晶体管的制作方法
JPH1065180A (ja) 多結晶半導体薄膜、その形成方法、多結晶半導体ｔｆｔ、およびｔｆｔ基板
KR890004455B1 (ko) 박막 트랜지스터와 그 제조방법
CN1098227A (zh) 半导体器件及其制造方法
KR100366960B1 (ko) 실리콘 결정화 방법
JP3266185B2 (ja) 多結晶半導体薄膜の製造方法
CN100349259C (zh) 低温多晶硅薄膜的制造方法
JP2661571B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
US4515654A (en) Method for making semiconductor devices utilizing eutectic masks

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BT A notification was added to the application dossier and made available to the public
A85 Still pending on 85-01-01
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed