NL194688C - Instelspanningsbron. - Google Patents
Instelspanningsbron. Download PDFInfo
- Publication number
- NL194688C NL194688C NL8801058A NL8801058A NL194688C NL 194688 C NL194688 C NL 194688C NL 8801058 A NL8801058 A NL 8801058A NL 8801058 A NL8801058 A NL 8801058A NL 194688 C NL194688 C NL 194688C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- voltage
- node
- bias voltage
- output
- circuit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/08—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/205—Substrate bias-voltage generators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
- G11C5/146—Substrate bias generators
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
- H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
1 194688
Instelspanningsbron
De uitvinding heeft betrekking op een keten, op te nemen in een halfgeleidergeheugeninrichting, voor het opwekken van een instelspanning en voor het leveren van de instelspanning aan het halfgeleidersubstraat, 5 waarbij deze keten omvat: een oscillator voor het opwekken van een blokgolfvormige wisselspanning met een voorafbepaalde frequentie; een met de uitgang van de oscillator verbonden bufferketen voor het bufferen van de uitgangsspanning van deze oscillator tot een blokgolfvormige wisselspanning met het niveau van de voedingsspanning; een ladingpompketen voor het leveren van een instelspanning uitgaande van het uitgangssignaal van de bufferketen; en een met de uitgang van de ladingpompketen verbonden 10 instelspanningsstabilisatieketen.
Een dergelijke keten is bekend uit het Amerikaanse octrooischrift nr. 4.471.290.
Bij deze bekende keten omvat de instelspanningsstabilisatieketen een spanningsdeler, bestaande uit een reeks tussen het aftakpunt van de geleverde instelspanning en het massa-niveau geschakelde weerstanden R1, R2 en een spanningsniveausensor waaraan de spanning van een knooppunt tussen de weerstanden 15 wordt toegevoerd en waarin deze spanning wordt vergeleken met een referentiespanning. De spanningsniveausensor koppelt het vergelijkingssignaal terug naar de oscillator. Variaties in de voedingsspanning zullen bij deze bekende keten leiden tot pieken in de aan het halfgeleidersubstraat aan te leggen instelspanning, welke aanzienlijk kunnen zijn. Na verloop van tijd zal een dergelijke plek zijn uitgedempt, maar al te sterke spanningspieken zullen de werking van de halfgeleiderinrichting wel verslechteren.
20 De uitvinding beoogt een keten van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen, welke in het bijzonder in staat is een overspanningsdeel en een onderspanningsdeel van de variatie van de substraat-instelspanning als gevolg van een variërende voedingsspanning binnen voorafbepaalde grenzen te houden.
De keten volgens de uitvinding heeft hiertoe als kenmerk, dat de instelspanningsstabilisatieketen en een tussen de uitgang van de ladingpompketen en het massaniveau geschakelde klemketen omvat, met een 25 eerste aantal in serie geschakelde halfgeleiderelementen die de stroom slechts in de ene richting geleiden tussen de uitgang van de ladingpompketen en het massaniveau, en een tweede aantal in serie geschakelde halfgeleiderelementen die de stroom slechts in de tegenovergestelde richting geleiden tussen de uitgang van de ladingpompketen en het massaniveau, waarbij de beide serieschakelingen van halfgeleiderelementen parallel zijn geschakeld.
30 Opgemerkt wordt dat uit het Amerikaanse octrooischrift nr. 4.259.729 een in een halfgeleidergeheugeninrichting geïncorporeerde, als klemketen uitgevoerde spanningsstabilisatieketen bekend is. Deze bekende stabilisatieketen levert echter een stabiele instelspanning aan een condensator CS,, van slechts één geheugencel, en niet aan het substraat van de halfgeleidergeheugeninrichting. Bovendien kan met een constructie van de klemketen zoals in figuur 5 van dit octrooischrift alleen een overspanningsdeel van een 35 met de voedingsspanning variërende instelspanning worden vastgelegd.
De uitvinding zal worden toegelicht aan de hand van de tekening. Hierin is: figuur 1 het schema van een instelspanningsbron volgens de uitvinding, en figuur 2A tot en met 2C een afbeelding van golfvormen optredend in essentiële delen van de keten 40 volgens figuur 1.
Een instelspanningsbron omvat een oscillator 10 met een ringoscillator bestaande uit de gebruikelijke invertors of Schmitt-trekkerketens en poorten voor het opwekken van een blokgolfvormige spanning, een bufferketen 20 voor het bufferen van de blokgolfspanning van de oscillator 10 tot een blokgolfvormige 45 spanning met een amplitude welke wisselt tussen de voedingsspanning Vcc en de massaspanning Vss ; uitgaande van de uitgangsspanning van genoemde oscillator, een ladingpompketen 30 met een condensator 1 en MOS transistoren 2 en 3 voor het leveren van een instelspanning uitgaande van het uitgangssignaal van de bufferketen, en een klemketen 40 met MOS transistoren (4a, 4b .... en 5a ...) waaraan wordt toegevoerd het uitgangssignaal van de ladingpompketen voor het blokkeren van een overspanningdeel en 50 een onderspanningdeel van de variatie van de instelspanning de variatie van de voedingspanning Vcc.
De frequentie van de blokgolfvormige uitgangspanning van de oscillator 10 is in het algemeen 3 tot 12 MHz en de werk-rustverhouding is ”1”. Voor de ladingpompketen 30 wordt een MOS condensator 1 gebruikt met een grote capaciteit waarvan één aansluiting is verbonden met de uitgang van de bufferketen 20 en de andere aansluiting is verbonden met het knooppunt 14. Met het knooppunt 14 zijn verbonden de drain- en 55 de gate-elektrode van een N-type MOS transistor 2, en de massaspanning Vss (bijvoorbeeld nul volt) ligt aan de source-elektrode van deze transistor. Een knooppunt 15 is verbonden met een gate-elektrode van een N-type MOS transistor 3 en het drain-sourcetraject daarvan ligt in een serie met de knooppunten 14 en
Claims (2)
1. Keten, op te nemen in een halfgeleidergeheugeninrichting, voor het opwekken van een instelspanning en voor het leveren van de instelspanning aan het halfgeleidersubstraat, waarbij deze keten omvat: een oscillator voor het opwekken van een blokgolfvormige wisselspanning met een voorafbepaalde 50 frequentie; een met de uitgang van de oscillator verbonden bufferketen voor het bufferen van de uitgangsspanning van deze oscillator tot een blokgolfvormige wisselspanning met het niveau van de voedingsspanning; een ladingpompketen voor het leveren van een instelspanning uitgaande van het uitgangssignaal van de bufferketen; en 55 een met de uitgang van de ladingpompketen verbonden instelspanningsstabilisatieketen, met het kenmerk, dat de instelspanningsstabilisatieketen (40) een tussen de uitgang (15) van de ladingpompketen (30) en het massaniveau (Vss) geschakelde klemketen omvat, met een eerste aantal in a 3 194688 serie geschakelde halfgeleiderelementen (4a, 4b, ...) die de stroom slechts in de ene richting geleiden tussen de uitgang (15) van de ladingpompketen (30) en het massaniveau (V^), en een tweede aantal in serie geschakelde halfgeleiderelementen (5a, 5b,...) die de stroom slechts in de tegenovergestelde richting geleiden tussen de uitgang (15) van de ladingpompketen (30) en het massaniveau (V^), waarbij 5 de beide serieschakelingen van halfgeleiderèlementen (4a, 4b,.... 5a, 5b,...) parallel zijn geschakeld.
2. Keten volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat elk van de halfgeleiderelementen (4a, 4b,5a, 5b,...) een MOS*transistor omvat, waarvan een gate-elektrode met respectievelijk een source-elektrode, of met een drain-eiektrode van de MOS-transistor (4a, 4b, .... 5a, 5b, ...) is verbonden. Hierbij 1 blad tekening
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019870004241A KR890005159B1 (ko) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 백 바이어스 전압 발생기 |
KR870004241 | 1987-04-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8801058A NL8801058A (nl) | 1988-11-16 |
NL194688B NL194688B (nl) | 2002-07-01 |
NL194688C true NL194688C (nl) | 2002-11-04 |
Family
ID=19261097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8801058A NL194688C (nl) | 1987-04-30 | 1988-04-22 | Instelspanningsbron. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4920280A (nl) |
JP (1) | JPH01165090A (nl) |
KR (1) | KR890005159B1 (nl) |
DE (1) | DE3814667A1 (nl) |
FR (1) | FR2614724B1 (nl) |
GB (1) | GB2204456B (nl) |
NL (1) | NL194688C (nl) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0289357A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Nec Corp | 半導体回路 |
JPH02215154A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-28 | Toshiba Corp | 電圧制御回路 |
KR920010749B1 (ko) * | 1989-06-10 | 1992-12-14 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 집적소자의 내부전압 변환회로 |
US5267201A (en) * | 1990-04-06 | 1993-11-30 | Mosaid, Inc. | High voltage boosted word line supply charge pump regulator for DRAM |
GB9007790D0 (en) | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Lines Valerie L | Dynamic memory wordline driver scheme |
GB9007791D0 (en) * | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Foss Richard C | High voltage boosted wordline supply charge pump and regulator for dram |
JP2805991B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1998-09-30 | ソニー株式会社 | 基板バイアス発生回路 |
ATE137872T1 (de) * | 1991-02-21 | 1996-05-15 | Siemens Ag | Regelschaltung für einen substratvorspannungsgenerator |
KR940003153B1 (ko) * | 1991-04-12 | 1994-04-15 | 금성일렉트론 주식회사 | 백바이어스 발생회로 |
DE4130191C2 (de) * | 1991-09-30 | 1993-10-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Konstantspannungsgenerator für eine Halbleitereinrichtung mit kaskadierter Auflade- bzw. Entladeschaltung |
EP0961290B1 (en) * | 1991-12-09 | 2001-11-14 | Fujitsu Limited | Flash memory with improved erasability and its circuitry |
US5260646A (en) * | 1991-12-23 | 1993-11-09 | Micron Technology, Inc. | Low power regulator for a voltage generator circuit |
JP2632112B2 (ja) * | 1992-07-27 | 1997-07-23 | 三菱電機株式会社 | 電圧発生回路 |
EP0582125B1 (de) * | 1992-08-04 | 1998-01-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Ansteuerschaltung für einen Leistungs-MOSFET mit sourceseitiger Last |
US5355028A (en) * | 1992-10-23 | 1994-10-11 | Micron Technology, Inc. | Lower power CMOS buffer amplifier for use in integrated circuit substrate bias generators |
US5629843A (en) * | 1993-10-15 | 1997-05-13 | Micron Technology, Inc. | Self compensating clamp circuit and method for limiting a potential at a pump circuit node |
US5811990A (en) * | 1993-10-15 | 1998-09-22 | Micron Technology, Inc. | Voltage pump and a level translator circuit |
EP0655669B1 (en) * | 1993-11-30 | 2000-05-10 | STMicroelectronics S.r.l. | Stable reference voltage generator circuit |
KR100307514B1 (ko) * | 1994-07-30 | 2001-12-01 | 김영환 | 차지펌프회로 |
JP3102833B2 (ja) | 1994-09-06 | 2000-10-23 | 株式会社 沖マイクロデザイン | 昇圧回路 |
US5627458A (en) * | 1995-07-14 | 1997-05-06 | Nevin; Larry J. | Integrated negative D-C bias circuit |
US6064250A (en) | 1996-07-29 | 2000-05-16 | Townsend And Townsend And Crew Llp | Various embodiments for a low power adaptive charge pump circuit |
EP1028363B1 (en) * | 1996-07-29 | 2003-02-12 | Townsend and Townsend and Crew LLP | Charge pump for a semiconductor substrate |
KR100560665B1 (ko) | 2003-07-02 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 독출 방지 기능을 갖는 반도체 메모리 장치 |
KR100649973B1 (ko) * | 2005-09-14 | 2006-11-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부 전압 발생 장치 |
TWI407694B (zh) * | 2010-01-27 | 2013-09-01 | Novatek Microelectronics Corp | 可抑制電壓過衝之輸出緩衝電路及方法 |
US10678287B2 (en) | 2018-10-15 | 2020-06-09 | Globalfoundries Inc. | Positive and negative full-range back-bias generator circuit structure |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6044752B2 (ja) * | 1978-04-24 | 1985-10-05 | 日本電気株式会社 | ダイナミツクメモリ |
US4307307A (en) * | 1979-08-09 | 1981-12-22 | Parekh Rajesh H | Bias control for transistor circuits incorporating substrate bias generators |
JPS56110252A (en) * | 1980-02-05 | 1981-09-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor memory device |
JPS57199335A (en) * | 1981-06-02 | 1982-12-07 | Toshiba Corp | Generating circuit for substrate bias |
US4438346A (en) * | 1981-10-15 | 1984-03-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Regulated substrate bias generator for random access memory |
US4439692A (en) * | 1981-12-07 | 1984-03-27 | Signetics Corporation | Feedback-controlled substrate bias generator |
US4433253A (en) * | 1981-12-10 | 1984-02-21 | Standard Microsystems Corporation | Three-phase regulated high-voltage charge pump |
JPS60261099A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US4631421A (en) * | 1984-08-14 | 1986-12-23 | Texas Instruments | CMOS substrate bias generator |
JPS61217991A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体メモリ |
US4794278A (en) * | 1987-12-30 | 1988-12-27 | Intel Corporation | Stable substrate bias generator for MOS circuits |
-
1987
- 1987-04-30 KR KR1019870004241A patent/KR890005159B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63099289A patent/JPH01165090A/ja active Pending
- 1988-04-22 NL NL8801058A patent/NL194688C/nl not_active IP Right Cessation
- 1988-04-28 FR FR8805669A patent/FR2614724B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-28 DE DE3814667A patent/DE3814667A1/de active Granted
- 1988-04-29 US US07/187,930 patent/US4920280A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-03 GB GB8810391A patent/GB2204456B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2204456A (en) | 1988-11-09 |
DE3814667C2 (nl) | 1993-09-16 |
JPH01165090A (ja) | 1989-06-29 |
FR2614724B1 (fr) | 1992-12-31 |
DE3814667A1 (de) | 1988-11-17 |
NL194688B (nl) | 2002-07-01 |
FR2614724A1 (fr) | 1988-11-04 |
KR880013166A (ko) | 1988-11-30 |
GB2204456B (en) | 1991-08-14 |
KR890005159B1 (ko) | 1989-12-14 |
US4920280A (en) | 1990-04-24 |
GB8810391D0 (en) | 1988-06-08 |
NL8801058A (nl) | 1988-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL194688C (nl) | Instelspanningsbron. | |
NL194900C (nl) | Interne spanningsconvertor van een geïntergreerde halfgeleiderschakeling. | |
US5499183A (en) | Constant voltage generating circuit having step-up circuit | |
CN109314457B (zh) | 具有集成的栅极驱动器的功率器件 | |
NL8703021A (nl) | Geregelde cmos-substraatspanningsgenerator. | |
KR950008422B1 (ko) | 집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단 | |
US5157278A (en) | Substrate voltage generator for semiconductor device | |
US4208595A (en) | Substrate generator | |
EP0404124B1 (en) | Charge pump having pull-up circuit operating with two clock pulse sequences | |
US10666250B2 (en) | Drive device for semiconductor element | |
US11342909B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit | |
EP0113865A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
NL9200057A (nl) | Terugkoppelnetwerk voor cmos hoogspanningsgenerator om (e)eprom-geheugen cellen te programmeren. | |
US8294527B2 (en) | Oscillator circuit | |
EP3844876A1 (en) | Gan based fail-safe shutdown of high-current drivers | |
EP1318605A2 (en) | Half sine wave resonant drive circuit | |
EP0035345B1 (en) | A power-on reset circuit | |
US7692479B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device including charge pump circuit capable of suppressing noise | |
US4001722A (en) | Integrated circuit relaxation oscillator | |
JPS61117859A (ja) | 基板ポンプ回路 | |
US5021685A (en) | Input buffer circuit having a resistor for reducing through-current and a capacitor for preventing delay | |
US5982247A (en) | CR oscillating circuit | |
US4321484A (en) | Field effect transistor multivibrator | |
KR20010113939A (ko) | 전자 회로 | |
KR900006192B1 (ko) | 백 바이어스 전압 발생기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
CNR | Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection) |
Free format text: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
|
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Effective date: 20080422 |