NL194688C - Instelspanningsbron. - Google Patents

Instelspanningsbron. Download PDF

Info

Publication number
NL194688C
NL194688C NL8801058A NL8801058A NL194688C NL 194688 C NL194688 C NL 194688C NL 8801058 A NL8801058 A NL 8801058A NL 8801058 A NL8801058 A NL 8801058A NL 194688 C NL194688 C NL 194688C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
voltage
node
bias voltage
output
circuit
Prior art date
Application number
NL8801058A
Other languages
English (en)
Other versions
NL194688B (nl
NL8801058A (nl
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of NL8801058A publication Critical patent/NL8801058A/nl
Publication of NL194688B publication Critical patent/NL194688B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL194688C publication Critical patent/NL194688C/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/08Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/205Substrate bias-voltage generators
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
    • G11C5/146Substrate bias generators
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

1 194688
Instelspanningsbron
De uitvinding heeft betrekking op een keten, op te nemen in een halfgeleidergeheugeninrichting, voor het opwekken van een instelspanning en voor het leveren van de instelspanning aan het halfgeleidersubstraat, 5 waarbij deze keten omvat: een oscillator voor het opwekken van een blokgolfvormige wisselspanning met een voorafbepaalde frequentie; een met de uitgang van de oscillator verbonden bufferketen voor het bufferen van de uitgangsspanning van deze oscillator tot een blokgolfvormige wisselspanning met het niveau van de voedingsspanning; een ladingpompketen voor het leveren van een instelspanning uitgaande van het uitgangssignaal van de bufferketen; en een met de uitgang van de ladingpompketen verbonden 10 instelspanningsstabilisatieketen.
Een dergelijke keten is bekend uit het Amerikaanse octrooischrift nr. 4.471.290.
Bij deze bekende keten omvat de instelspanningsstabilisatieketen een spanningsdeler, bestaande uit een reeks tussen het aftakpunt van de geleverde instelspanning en het massa-niveau geschakelde weerstanden R1, R2 en een spanningsniveausensor waaraan de spanning van een knooppunt tussen de weerstanden 15 wordt toegevoerd en waarin deze spanning wordt vergeleken met een referentiespanning. De spanningsniveausensor koppelt het vergelijkingssignaal terug naar de oscillator. Variaties in de voedingsspanning zullen bij deze bekende keten leiden tot pieken in de aan het halfgeleidersubstraat aan te leggen instelspanning, welke aanzienlijk kunnen zijn. Na verloop van tijd zal een dergelijke plek zijn uitgedempt, maar al te sterke spanningspieken zullen de werking van de halfgeleiderinrichting wel verslechteren.
20 De uitvinding beoogt een keten van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen, welke in het bijzonder in staat is een overspanningsdeel en een onderspanningsdeel van de variatie van de substraat-instelspanning als gevolg van een variërende voedingsspanning binnen voorafbepaalde grenzen te houden.
De keten volgens de uitvinding heeft hiertoe als kenmerk, dat de instelspanningsstabilisatieketen en een tussen de uitgang van de ladingpompketen en het massaniveau geschakelde klemketen omvat, met een 25 eerste aantal in serie geschakelde halfgeleiderelementen die de stroom slechts in de ene richting geleiden tussen de uitgang van de ladingpompketen en het massaniveau, en een tweede aantal in serie geschakelde halfgeleiderelementen die de stroom slechts in de tegenovergestelde richting geleiden tussen de uitgang van de ladingpompketen en het massaniveau, waarbij de beide serieschakelingen van halfgeleiderelementen parallel zijn geschakeld.
30 Opgemerkt wordt dat uit het Amerikaanse octrooischrift nr. 4.259.729 een in een halfgeleidergeheugeninrichting geïncorporeerde, als klemketen uitgevoerde spanningsstabilisatieketen bekend is. Deze bekende stabilisatieketen levert echter een stabiele instelspanning aan een condensator CS,, van slechts één geheugencel, en niet aan het substraat van de halfgeleidergeheugeninrichting. Bovendien kan met een constructie van de klemketen zoals in figuur 5 van dit octrooischrift alleen een overspanningsdeel van een 35 met de voedingsspanning variërende instelspanning worden vastgelegd.
De uitvinding zal worden toegelicht aan de hand van de tekening. Hierin is: figuur 1 het schema van een instelspanningsbron volgens de uitvinding, en figuur 2A tot en met 2C een afbeelding van golfvormen optredend in essentiële delen van de keten 40 volgens figuur 1.
Een instelspanningsbron omvat een oscillator 10 met een ringoscillator bestaande uit de gebruikelijke invertors of Schmitt-trekkerketens en poorten voor het opwekken van een blokgolfvormige spanning, een bufferketen 20 voor het bufferen van de blokgolfspanning van de oscillator 10 tot een blokgolfvormige 45 spanning met een amplitude welke wisselt tussen de voedingsspanning Vcc en de massaspanning Vss ; uitgaande van de uitgangsspanning van genoemde oscillator, een ladingpompketen 30 met een condensator 1 en MOS transistoren 2 en 3 voor het leveren van een instelspanning uitgaande van het uitgangssignaal van de bufferketen, en een klemketen 40 met MOS transistoren (4a, 4b .... en 5a ...) waaraan wordt toegevoerd het uitgangssignaal van de ladingpompketen voor het blokkeren van een overspanningdeel en 50 een onderspanningdeel van de variatie van de instelspanning de variatie van de voedingspanning Vcc.
De frequentie van de blokgolfvormige uitgangspanning van de oscillator 10 is in het algemeen 3 tot 12 MHz en de werk-rustverhouding is ”1”. Voor de ladingpompketen 30 wordt een MOS condensator 1 gebruikt met een grote capaciteit waarvan één aansluiting is verbonden met de uitgang van de bufferketen 20 en de andere aansluiting is verbonden met het knooppunt 14. Met het knooppunt 14 zijn verbonden de drain- en 55 de gate-elektrode van een N-type MOS transistor 2, en de massaspanning Vss (bijvoorbeeld nul volt) ligt aan de source-elektrode van deze transistor. Een knooppunt 15 is verbonden met een gate-elektrode van een N-type MOS transistor 3 en het drain-sourcetraject daarvan ligt in een serie met de knooppunten 14 en

Claims (2)

194688 2 15. MOS transistoren 4a, 4b ... met doorverbonden gate- en source-elektroden zijn in serie geschakeld tussen het knooppunt 15 en de massaspanning Vss, en MOS transistoren 5a ..., zijn met door verbonden drain· en gate-elektroden parallel geschakeld aan de transistoren 4a, 4b ... De werking van de instelspanningbron volgens figuur 1 is als volgt. Het uitgangsblokgolfsignaal van de 5 oscillator 10 wordt gevormd dtot een blokgolfsignaal met het niveau van de voedingspanning Vcc en de massaspanning Vss door de bufferketen 20. De Mos condensator 1 ontvangt dit blokgolfsignaal via een uitgangsverbinding 12. De ingangsaansluiting van genoemde MOS condensator 1 kan zodanig zijn dat source- en drainelektrode zijn doorverbonden, zodat de uitgangsaansluiting van de MOS condensator 1 de gate-elektrode wordt die is verbonden met het knooppunt 14. Tijdens de stijgflank van het blokgolfsignaal 10 dat wordt aangelegd aan de ingangsaansluiting van de condensator 1 laadt de spanning Vcc de condensator 1 en is de transistor 2 geleidend. Wanneer de daalflank van het blokgolfsignaal aanwezig is aan de ingang van de condensator 1 via de verbinding 12 wordt de spanning op het knooppunt 14 verbonden met de uitgang van de condensator 1 negatief en wordt de transistor 2 geblokkeerd. Op dit moment wordt, wanneer de spanning van het knooppunt 15 verbonden met de gate-elektrode van de transistor 3 hoger 15 wordt dan de negatieve spanning op het knooppunt 14 over een waarde gelijk aan de drempelspanning van de transistor 3 deze transistor geleidend. De negatieve lading wordt overgedragen van het knooppunt 14 naar het knooppunt 15 via de transistor 3 en de instelspanning VBB wordt negatief. Wanneer de spanning op het knooppunt 14 over een waarde gelijk aan de drempelspanning lager wordt dan die op het knooppunt 15 blokkeert de transistor 3. Aldus zal de instelspanning op het knooppunt 15 de oorspronkelijke waarde 20 van de instelspanning houden, zodat op een halfgeleidersubstraat een stabiele instelspanning ter beschikking staat. Figuur 2A toont dat, wanneer de voedingspanning Vcc plotseling daalt tot een lager niveau Vcc' de spanning op het knooppunt 14 tijdens de daalflank 41 verder afneemt tot een negatief niveau en de transistor 3 geleidend wordt. De instelspanning op het uitgangsknooppunt 15 daalt verder naar een negatief 25 niveau op de wijze zoals aangegeven voor de negatief gaande naaldspanning 42 volgens figuur 2B. Wanneer de voedingspanning stabiliseert op de spanning Vcc' als aangegeven in figuur 2A zal de instelspanning stabiliseren op de spanning VBB' zoals aangegeven met het golfvormig gedeelte 48 in figuur 2B. De instelspanning neemt dus toe over een waarde gelijk aan de daling in de voedingspanning en stabiliseert. Wanneer de voedingspanning terugkomt naar het spanningniveau Vcc zal de instelspanning 30 tijdelijk toenemen zoals aangegeven met de naald 44 in figuur 2B en dan terugkeren naar het spanningniveau VBB. De spanning op het knooppunt 15 wordt, zoals figuur 2B toont, vastgelegd volgens een golfvormgedeelte 45 aangegeven in figuur 2C door de werking van een reeks transistoren 4a, 4b... tussen het knooppunt 15 en de massaspanning Vss. Aannemend dat de drempelspanning van de transistoren 4a, 4b gelijk is aan VT en het aantal transistoren in serie gelijk is aan K zal deze klemspanning de waarde KVT 35 hebben. De transistoren 5a, ... in serie opgenomen tussen het knooppunt 15 en de massaspanning Vss voorkomen dat het spanningniveau VBB verder toeneemt dan een vast bereik, zoals aangegeven met het golfvormgedeelte 46 in figuur 2C. Hoewel de voedingspanning varieert, wordt aldus de instelspanning altijd binnen een vast bereik gehouden. Daar de spanningbrom voor de instelspanning voorkomt dat doorslag in 40 de omkeerrichting optreedt als gevolg van een negatieve signaalpiek 42, of een doorslag in de geleidende richting, veroorzaakt door een positieve signaalpiek 44, optredend in een overgangsoppervlak van een halfgeleiderinrichting, is een stabiele werking van de schakeling mogelijk. 45 Conclusies
1. Keten, op te nemen in een halfgeleidergeheugeninrichting, voor het opwekken van een instelspanning en voor het leveren van de instelspanning aan het halfgeleidersubstraat, waarbij deze keten omvat: een oscillator voor het opwekken van een blokgolfvormige wisselspanning met een voorafbepaalde 50 frequentie; een met de uitgang van de oscillator verbonden bufferketen voor het bufferen van de uitgangsspanning van deze oscillator tot een blokgolfvormige wisselspanning met het niveau van de voedingsspanning; een ladingpompketen voor het leveren van een instelspanning uitgaande van het uitgangssignaal van de bufferketen; en 55 een met de uitgang van de ladingpompketen verbonden instelspanningsstabilisatieketen, met het kenmerk, dat de instelspanningsstabilisatieketen (40) een tussen de uitgang (15) van de ladingpompketen (30) en het massaniveau (Vss) geschakelde klemketen omvat, met een eerste aantal in a 3 194688 serie geschakelde halfgeleiderelementen (4a, 4b, ...) die de stroom slechts in de ene richting geleiden tussen de uitgang (15) van de ladingpompketen (30) en het massaniveau (V^), en een tweede aantal in serie geschakelde halfgeleiderelementen (5a, 5b,...) die de stroom slechts in de tegenovergestelde richting geleiden tussen de uitgang (15) van de ladingpompketen (30) en het massaniveau (V^), waarbij 5 de beide serieschakelingen van halfgeleiderèlementen (4a, 4b,.... 5a, 5b,...) parallel zijn geschakeld.
2. Keten volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat elk van de halfgeleiderelementen (4a, 4b,5a, 5b,...) een MOS*transistor omvat, waarvan een gate-elektrode met respectievelijk een source-elektrode, of met een drain-eiektrode van de MOS-transistor (4a, 4b, .... 5a, 5b, ...) is verbonden. Hierbij 1 blad tekening
NL8801058A 1987-04-30 1988-04-22 Instelspanningsbron. NL194688C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019870004241A KR890005159B1 (ko) 1987-04-30 1987-04-30 백 바이어스 전압 발생기
KR870004241 1987-04-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8801058A NL8801058A (nl) 1988-11-16
NL194688B NL194688B (nl) 2002-07-01
NL194688C true NL194688C (nl) 2002-11-04

Family

ID=19261097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8801058A NL194688C (nl) 1987-04-30 1988-04-22 Instelspanningsbron.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4920280A (nl)
JP (1) JPH01165090A (nl)
KR (1) KR890005159B1 (nl)
DE (1) DE3814667A1 (nl)
FR (1) FR2614724B1 (nl)
GB (1) GB2204456B (nl)
NL (1) NL194688C (nl)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0289357A (ja) * 1988-09-27 1990-03-29 Nec Corp 半導体回路
JPH02215154A (ja) * 1989-02-16 1990-08-28 Toshiba Corp 電圧制御回路
KR920010749B1 (ko) * 1989-06-10 1992-12-14 삼성전자 주식회사 반도체 집적소자의 내부전압 변환회로
US5267201A (en) * 1990-04-06 1993-11-30 Mosaid, Inc. High voltage boosted word line supply charge pump regulator for DRAM
GB9007790D0 (en) 1990-04-06 1990-06-06 Lines Valerie L Dynamic memory wordline driver scheme
GB9007791D0 (en) * 1990-04-06 1990-06-06 Foss Richard C High voltage boosted wordline supply charge pump and regulator for dram
JP2805991B2 (ja) * 1990-06-25 1998-09-30 ソニー株式会社 基板バイアス発生回路
ATE137872T1 (de) * 1991-02-21 1996-05-15 Siemens Ag Regelschaltung für einen substratvorspannungsgenerator
KR940003153B1 (ko) * 1991-04-12 1994-04-15 금성일렉트론 주식회사 백바이어스 발생회로
DE4130191C2 (de) * 1991-09-30 1993-10-21 Samsung Electronics Co Ltd Konstantspannungsgenerator für eine Halbleitereinrichtung mit kaskadierter Auflade- bzw. Entladeschaltung
EP0961290B1 (en) * 1991-12-09 2001-11-14 Fujitsu Limited Flash memory with improved erasability and its circuitry
US5260646A (en) * 1991-12-23 1993-11-09 Micron Technology, Inc. Low power regulator for a voltage generator circuit
JP2632112B2 (ja) * 1992-07-27 1997-07-23 三菱電機株式会社 電圧発生回路
EP0582125B1 (de) * 1992-08-04 1998-01-28 Siemens Aktiengesellschaft Ansteuerschaltung für einen Leistungs-MOSFET mit sourceseitiger Last
US5355028A (en) * 1992-10-23 1994-10-11 Micron Technology, Inc. Lower power CMOS buffer amplifier for use in integrated circuit substrate bias generators
US5629843A (en) * 1993-10-15 1997-05-13 Micron Technology, Inc. Self compensating clamp circuit and method for limiting a potential at a pump circuit node
US5811990A (en) * 1993-10-15 1998-09-22 Micron Technology, Inc. Voltage pump and a level translator circuit
EP0655669B1 (en) * 1993-11-30 2000-05-10 STMicroelectronics S.r.l. Stable reference voltage generator circuit
KR100307514B1 (ko) * 1994-07-30 2001-12-01 김영환 차지펌프회로
JP3102833B2 (ja) 1994-09-06 2000-10-23 株式会社 沖マイクロデザイン 昇圧回路
US5627458A (en) * 1995-07-14 1997-05-06 Nevin; Larry J. Integrated negative D-C bias circuit
US6064250A (en) 1996-07-29 2000-05-16 Townsend And Townsend And Crew Llp Various embodiments for a low power adaptive charge pump circuit
EP1028363B1 (en) * 1996-07-29 2003-02-12 Townsend and Townsend and Crew LLP Charge pump for a semiconductor substrate
KR100560665B1 (ko) 2003-07-02 2006-03-16 삼성전자주식회사 독출 방지 기능을 갖는 반도체 메모리 장치
KR100649973B1 (ko) * 2005-09-14 2006-11-27 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 발생 장치
TWI407694B (zh) * 2010-01-27 2013-09-01 Novatek Microelectronics Corp 可抑制電壓過衝之輸出緩衝電路及方法
US10678287B2 (en) 2018-10-15 2020-06-09 Globalfoundries Inc. Positive and negative full-range back-bias generator circuit structure

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6044752B2 (ja) * 1978-04-24 1985-10-05 日本電気株式会社 ダイナミツクメモリ
US4307307A (en) * 1979-08-09 1981-12-22 Parekh Rajesh H Bias control for transistor circuits incorporating substrate bias generators
JPS56110252A (en) * 1980-02-05 1981-09-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor memory device
JPS57199335A (en) * 1981-06-02 1982-12-07 Toshiba Corp Generating circuit for substrate bias
US4438346A (en) * 1981-10-15 1984-03-20 Advanced Micro Devices, Inc. Regulated substrate bias generator for random access memory
US4439692A (en) * 1981-12-07 1984-03-27 Signetics Corporation Feedback-controlled substrate bias generator
US4433253A (en) * 1981-12-10 1984-02-21 Standard Microsystems Corporation Three-phase regulated high-voltage charge pump
JPS60261099A (ja) * 1984-06-07 1985-12-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US4631421A (en) * 1984-08-14 1986-12-23 Texas Instruments CMOS substrate bias generator
JPS61217991A (ja) * 1985-03-25 1986-09-27 Hitachi Ltd 半導体メモリ
US4794278A (en) * 1987-12-30 1988-12-27 Intel Corporation Stable substrate bias generator for MOS circuits

Also Published As

Publication number Publication date
GB2204456A (en) 1988-11-09
DE3814667C2 (nl) 1993-09-16
JPH01165090A (ja) 1989-06-29
FR2614724B1 (fr) 1992-12-31
DE3814667A1 (de) 1988-11-17
NL194688B (nl) 2002-07-01
FR2614724A1 (fr) 1988-11-04
KR880013166A (ko) 1988-11-30
GB2204456B (en) 1991-08-14
KR890005159B1 (ko) 1989-12-14
US4920280A (en) 1990-04-24
GB8810391D0 (en) 1988-06-08
NL8801058A (nl) 1988-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL194688C (nl) Instelspanningsbron.
NL194900C (nl) Interne spanningsconvertor van een geïntergreerde halfgeleiderschakeling.
US5499183A (en) Constant voltage generating circuit having step-up circuit
CN109314457B (zh) 具有集成的栅极驱动器的功率器件
NL8703021A (nl) Geregelde cmos-substraatspanningsgenerator.
KR950008422B1 (ko) 집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단
US5157278A (en) Substrate voltage generator for semiconductor device
US4208595A (en) Substrate generator
EP0404124B1 (en) Charge pump having pull-up circuit operating with two clock pulse sequences
US10666250B2 (en) Drive device for semiconductor element
US11342909B2 (en) Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit
EP0113865A1 (en) Semiconductor integrated circuit
NL9200057A (nl) Terugkoppelnetwerk voor cmos hoogspanningsgenerator om (e)eprom-geheugen cellen te programmeren.
US8294527B2 (en) Oscillator circuit
EP3844876A1 (en) Gan based fail-safe shutdown of high-current drivers
EP1318605A2 (en) Half sine wave resonant drive circuit
EP0035345B1 (en) A power-on reset circuit
US7692479B2 (en) Semiconductor integrated circuit device including charge pump circuit capable of suppressing noise
US4001722A (en) Integrated circuit relaxation oscillator
JPS61117859A (ja) 基板ポンプ回路
US5021685A (en) Input buffer circuit having a resistor for reducing through-current and a capacitor for preventing delay
US5982247A (en) CR oscillating circuit
US4321484A (en) Field effect transistor multivibrator
KR20010113939A (ko) 전자 회로
KR900006192B1 (ko) 백 바이어스 전압 발생기

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20080422