KR980700684A - 박막 회로를 포함하는 전자 장치(Electronic devices comprising thin-film circuitry) - Google Patents

박막 회로를 포함하는 전자 장치(Electronic devices comprising thin-film circuitry)

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Abstract

예를 들어 큰 영역 영상 감지기 또는 편평한 패널 디스플레이와 같은 큰 영역 전자 장치는 인버터들을 포함하는 박막 구동 회로를 포함하며 상기 인버터 각각은 구동기 TFT(M1), 부하 TFT(M2), 부드스트랩 캐패시터(Cs)를 포함한다. 트랜지스터(M1 및 M2)를 제조하는데 사용될 수 있는 대부분의 TFT형은 특히 소스 전극과 드레인 전극(M1 및 M2)를 갖는 게이트 전극(g)의 오버랩 때문에 높은 기생 게이트 캐패시턴스를 갖는다. 이 기생 캐패시턴스는 인버터의 출력 라인(O/P)과 그 부하장치 (M2) 사이의 결합에 의해 인버터 Av을 감소시키며 이 감소를 극복하기 위해서는 과도하게 큰 캐패시터(Cs)가 필요하게 된다. 본 발명은 상기 부하 TFT(M2)의 트랜스콘덕턴스(gm2)의 감소를 이용하여 부분적인 제한내에서 부트 스태핑 캐패시터(Cs)의 크기를 감소시키며 반면에 상기 기생 캐패시터에 불구하고 인버터로부터 양호하게 높은 게인 Av를 계속해서 얻는다. 이 목적을 위해 부하 예를 들어 두꺼운 두께(t2)의 게이트 전기 또는 낮은 전기 상수, 및/또는 채널 영역을 위한 결정성 또는 비정질 물질(a-Si)을 가짐으로써 TFT(M2)의 gm2의 계수 μ. C가 감소된다. 상기 구동기 및 부하 TFT(M1 및 M2)에 사용되는 것과 같은 이들 동일한 상이한 물질 또는 두께를 또한 부트스트랩 캐패시터(Cs) 및 캐패시터(Cs)용 스위치(M3)에서의 이점을 위해 사용할 수 있다.

Description

박막 회로를 포함하는 전자 장치(Electronic devices comprising thin-film circuitry)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 및 제5도는 제2도의 인버터 회로의 구동기 및 부하 트랜지스터에 대한 단면도로서 부하 트랜지스터는 본 발명에 따라 구동기 트랜지스터의 트랜스콘덕턴스보다 낮은 트랜스콘덕턴스 μ. C를 갖는 박막 트랜지스터 특성을 나타내는 단면도.
제6도는 제2도의 부하 트랜지스터, 부트 스트래핑 캐패시터, 스위칭 트랜지스터에 대한 단면도로서 본 발명에 따른 다른 박막 기술을 나타내는 단면도.

Claims (10)

  1. 전자 장치에 있어서, 박막 회로를 포함하며, 상기 박막 회로에서 구동기 트랜지스터와 부하 트랜지스터는 서로 인버터로서 결합되어 있으며, 구동기 트랜지스터와 부하 트랜지스터 둘 모두는 박막 전계 효과 트랜지스터들이며 이 트랜지스터들은 각각의 채널 영역과 용량적으로 결합된 게이트 전극을 각각 가지며, 부하 트랜지스터의 게이트 전극과 노드 사이에는 부트 스트래핑 캐패시터가 결합되어 있으며 상기 노드에는 구동기 트랜지스터의 드레인 전극과 부하 트랜지스터의 소스 전극이 서로 결합되어 있으며, 상기 부하 트랜지스터는 구동기 트랜지스터의 트랜스콘덕턴스보다 더 낮은 트랜스콘덕턴스를 가지며, 부하 트랜지스터의 트랜스콘덕턴스에서의 계수μ. C는 구동기 트랜지스터의 트랜스콘덕턴스에서의 계수μ. C보다 낮은, 상기 전자 장치에 있어서, 여기서 상기 부하 및 구동기 트랜지스터에서, μ=각각의 트랜지스터의 채널 영역에서의 차지-캐리어 이동도이며, C=각각의 트랜지스터의 게이트 전극과 채널 영역 사이의 캐피시턴스인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서, 구동기 및 부하 트랜지스터 모두는 각각의 절연막을 포함하며 상기 각 절연막 양단에는 각각의 게이트 전극이 각각의 채널 영역과 용량적으로 결합되어 있으며, 부차 트랜지스터의 절연막은 구동기 트랜지스터의 절연막보다 더 두꺼워서 상기 부하 트랜지스터에 상기 구동기 트랜지스터의 캐패시턴스보다 더 낮은 C를 제공하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 제1 또는 제2항에 있어서, 구동기 및 부하 트랜지스터 모두는 각각 절연막을 포함하며 상기 각 절연막 양단에는 각각의 게이트 전극이 각각의 채널 영역과 용량적으로 결합되어 있으며, 상기 부하 트랜지스터의 절연막은 구동기 트랜지스터의 절연 상수보다 더 낮은 절연 상수를 가지는 물질을 포함하여 부하 트랜지스터에 구동기 트랜지스터의 캐패시턴스보다 더 낮은 C를 제공하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 구동기 트랜지스터 채널 영역은 결정질 반도체 물질을 포함하며, 부하 트랜지스터의 채널 영역은 낮은 결정질 또는 비결정질 반도체 물질을 포함하며 이 물질은 구동기 트랜지스터의 상기 결정질 반도체 물질보다 더 낮은 μ를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 부하 트랜지스터의 게이트 전극에 부트 스트래핑 캐패시터를 충전하는 스위치가 결합되어 있으며, 구동기 트랜지스터의 채널 영역은 결정질 반도체 물질을 포함하며, 부하 트랜지스터의 상기 스위치와 상기 채널 영역은 낮은 결정질 또는 비결정질 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 선행항 중 어느 한항에 있어서, 상기 부트 스트래핑 캐패시터는 상부 전극과 하부 전극 사이의 제1 절연막의 제1 영역을 포함하며, 부하 트랜지스터의 소스 전극과 구동기 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 하부 전극에 결합되어 있으며, 구동기 트랜지스터의 게이트 전극은 제1 절연막의 제2 영역을 횡단하는 그 채널 영역과 결합되어 있으며, 부트 스트래핑 캐패시터의 상부 전극은 부하 트랜지스터의 게이트 전극에 결합되어 있으며, 부하 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 게이트 전극보다 더 두꺼운 제2 절연막 양단의 각각의 채널 영역에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 선행항중 어느 한 항에 있어서, 상기 부트 스트래핑 캐패시터는 상부 전극과 하부 전극 사이의 제1 절연막의 제1 영역을 포함하며, 부하 트래지스터의 소스 전극과 구동기 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 하부전극에 결합되어 있으며, 구동기 트랜지스터의 게이트전극은 상기 제1 절연막의 제2 영역 양단의 채널 영역에 결합되어 있으며, 부트 스트래핑 캐패시터의 상부 전극은 부하 트랜지스터의 게이트 전극에 결합되어 있으며, 부하 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 절연막의 절연 상수보다 더 낮은 절연 상수를 갖는 물질을 포함하는 제2 절연막 양단의 각각의 채널 영역에 결합되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 선행항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 부트 스트래핑 캐패시터는 결합되어 있는 게이트 전극과 관련된 전체 기생 캐패시턴스의 20배 이하인 캐피시턴스값을 가지는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 선행항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인버터는 적어도 20의 작은 신호 게인을 가지는 아날로그 증폭기인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 선행항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인버터는 상기 장치의 박막 어레이의 회로를 구동하는 박막의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970704057A 1995-10-12 1996-10-09 박막 회로를 포함하는 전자 장치(Electronic devices comprising thin-film circuitry) KR980700684A (ko)

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