KR970700857A - 격자-격자 간섭계 정렬 장치(grating-grating interferometric alignment system) - Google Patents

격자-격자 간섭계 정렬 장치(grating-grating interferometric alignment system)

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KR970700857A
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Abstract

본 발명은 마이크로리도그래피(microlithography)용 격자-격자 간섭계 정렬 장치를 제공한다. 본 발명에는 코히런트한 단일 또는 복수 이산 파장의 전자(electromagnetic)방사선 소오스(116)또는 몇몇 경우에는 광대역 전자 방사선(132), 귀환 전자 방사(134) 강도의 검출기(116),x-및 y-방향성의 독립적인 선형 마스크 격자(109)및 체커보드(checkerboard)패턴의 웨이퍼 격자(110)가 포함되며, 웨이퍼와 마스크 격자(109,110)의 관련 위치에 대한 함수로서 측정된 귀한 전자 방사선(134)으로부터 정렬을 결정하는 주파수 성분 추출(118), 위상 검출(120)및 신호 처리(121) 수단이 포함되어 있다.

Description

격자-격자 간섭계 정렬 장치(GRATING-GRATING INTERFEROMETRIC ALIGNMENT SYSTEM)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 정렬 센서의 단면도이다. 제2도는 본원에서 사용되는 회절 차수의 번호 매김 규약에 대한 개략적인 다이어그램이다. 제3도는 두개의 평행한 격자로부터 두개의 주 회절 경로를 예시한 것이다. 입사 평행 빔은 마스크 격자의 평면에 수직으로 즉 θ1N= 0으로 입사된다. 귀한 빔은 마스크 격자의 평면에 수직으로 마스크에서 출사된다. 제4도는 선형 마스크 격자 및 체커보드 웨이퍼 격자를 도시한 것이다. 마스크-마크 및 웨이퍼-마크는 직사-기준 정렬 신호를 발생시키는 다중-회절을 예시하기 위해 과장된 갭을 갖는 것으로 도시되어 있다. 제5도는 X및 Y축 각각의 둘레의 회전각에 대한 사인(sine)인 θ1및 θr에 대해서 제2도에서의 동일한 4개 경로를 예시한 것이다. 제6도는 레이저 다이오드 후방산란-변조의 실시예를 예시한 것이다. 제7도는 후방산란 변조의 강도내의 편차가 비트(beat)신호의 진폭내의 편차를 야기시킴을 보여준다. 제8도는 본 발명에 대한 개략적인 도해이다.

Claims (20)

  1. 마스크와 웨이퍼의 정렬을 결정하는 격자-격자 간섭계(grating-grating interferometric)정렬 장치에 있어서, 상기 마스크상에 배치된 제1회절 격자; 상기 웨이퍼상에 배치된 제2회절 격자; 전자(electromagnetic)방사선을 상기 마스크 격자상으로 향하게 하는 조명 소오스; 상기 마스크와 웨이퍼 격자에 의해 회절된 전자 방산선을 집광하도록 위치 결정된 전자 방사 강도 검출기; 사기 전자 방사 강도 검출기로부터 발생된 신호의 소정 주파수 성분을 추출하도록 상기 전자 방사 강도 검출기에 연결된 주파수 추출 수단; 상기 소정 주파수 성분의 위상을 결정하도록 상기 추출 수단에 연결된 위상 검출 수단; 마스크와 웨이퍼의 정렬을 결정하도록 상기 위상 검출 수단에 연결된 처리 수단; 및 서로에 대해 상기 제1및 제2격자를 이동시켜 상기 마스크와 웨이퍼가 정렬되도록 상기 처리 수단에 연결된 모터 수단을 포함하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조명 소오스는 레이저인 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1회절 격자는 선형 패턴의 격자인 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  4. 제3항에 있어서,상기 제2회절 격자는 체커보드(checkerboard)패턴의 격자인 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2격자는 적어도 한 방향으로 동일한 공간 주기를 지니는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 소정 주파수 성분은(여기서, P는 격자의 공간 주기임)로 한정되는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 소정 주파수 성분은 기본 주파수인 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 조명 소오스는 전자 조명의 서로 다른 4개의 파장을 제공하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 4개의 서로 다른 파장은 파장에 의해 실질적으로 균일하게 분리되는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전자 방사 강도 검출기는 10도 미만의 리트로(Littrow)각도내에 전자 방사선을 집광하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 전자 방사 강도 검출기는 리트로 각도와 일치하는 전자 방사선을 집광하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 추출 수단은 푸리에 변환을 취하는 단계를 포함하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 추출 수단은 정합 필터를 포함하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  14. 제1항에 있어서 상기 조명 소오스 및 상기 전자 방사 강도 검출기는 마스크 평면에 수직한 평면의 동일 면상에 있는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  15. 마스크와 웨이퍼를 정렬하는 방법에 있어서, 상부에 제2회절 격자를 지니는 웨이퍼상에, 상부에 제1회절 격자를 지니는 마스크를 배치하는 단계; 전자 방사선으로 상기 마스크 격자를 조명하는 단계; 상기 제1 및 제2회절 격자로부터 회절된 상기 전자 방사선을 검출하는 단계; 상기 제1회 및 제2회절 격자로부터 회절된 상기 전자 방사선을 검출하는 단계에 의해 얻어진 신호의 소정 주파수 성분을 추출하는 단계; 상기 소정 주파수 성분의 위상을 결정하는 단계; 상고 소정 주파수 성분의 위상에 기초한 상기 마스크와 웨이퍼의 정렬을 계산하는 단계; 및 상기 마스크와 웨이퍼를 정렬내로 위치 결정하는 단계를 포함하는 마스크와 웨이퍼의 정렬 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 소정 주파수 성분의 추출 단계는 상기 신호의 푸리에 변환을 취하는 단계를 포함하는 마스크와 웨이퍼의 정렬 단계.
  17. 제15항에 있어서, 상기 소정 주파수 성분의 추출 단계는 상기 신호상에 정합 필터를 사용하는 단계를 포함하는 마스크와 웨이퍼의 정렬 방법.
  18. 마스크와 웨이퍼의 정렬를 결정하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치에 있어서, 상기 마스크에 배치된 제1회절 격자; 상기 웨이퍼상에 배치된 제2회절 격자; 소정 주파수의 전자 방사선을 상기 마스크 격자상으로 향하게 하고, 상기 마스크와 웨이퍼 격자로부터 발생된 후방산란(backscatter)을 수신하도록 위치 결정된 레이저 다이오드 조명 소오스; 상기 레이저 다이오드의 소정 주파수를 변환시키도록 상기 레이저 다이오드에 연결된 구동 수단; 상기 레이저 다이오드에 의해 방사된 전자 방사선 및 상기 마스크와 웨이퍼 격자로부터 발생된 후방산란을 집광하도록 위치 결정되어, 전자 방사선의 간섭이 진폭을 갖는 비트(beat)신호를 야기시키는 전자 방사 강도 검출기; 상기 비트 신호로부터 상기 마스크와 웨이퍼의 정렬을 결정하도록 상기 전자 방사 강도 검출기에 연결된 신호 처리 수단; 및 서로에 대해 상기 제1및 제2격자를 이동시켜 상기 마스크와 웨이퍼가 정렬되도록 상기 신호 처리 수단에 연결된 모터 수단을 포함하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 구동 수단은 상기 레이저 다이오드 조명 소오스에 램프 구동(ramping drive)전류를 제공하는 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 램프 구동 전류는 삼각파인 격자-격자 간섭계 정렬 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101239250B1 (ko) * 2004-05-29 2013-03-05 더 제너럴 하스피탈 코포레이션 광간섭 단층촬영 화상 진단에서 반사층을 이용한 색 분산보상을 위한 프로세스, 시스템 및 소프트웨어 배열

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6078381A (en) * 1993-02-01 2000-06-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US5591958A (en) * 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
US6034378A (en) * 1995-02-01 2000-03-07 Nikon Corporation Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus
JP3047863B2 (ja) * 1997-08-04 2000-06-05 日本電気株式会社 アライメント方法
US6136662A (en) 1999-05-13 2000-10-24 Lsi Logic Corporation Semiconductor wafer having a layer-to-layer alignment mark and method for fabricating the same
US6469793B1 (en) 1999-08-10 2002-10-22 Svg Lithography Systems, Inc. Multi-channel grating interference alignment sensor
GB2356786B (en) 1999-11-29 2003-09-03 Marconi Electronic Syst Ltd Method and apparatus for aligning a crystalline substrate
GB9928483D0 (en) 1999-12-03 2000-02-02 Renishaw Plc Opto-electronic scale reading apparatus
US6628406B1 (en) * 2000-04-20 2003-09-30 Justin L. Kreuzer Self referencing mark independent alignment sensor
US7061615B1 (en) 2001-09-20 2006-06-13 Nanometrics Incorporated Spectroscopically measured overlay target
EP1304597A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100592822B1 (ko) * 2001-10-19 2006-06-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법
US6982793B1 (en) 2002-04-04 2006-01-03 Nanometrics Incorporated Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset
US7046361B1 (en) * 2002-04-04 2006-05-16 Nanometrics Incorporated Positioning two elements using an alignment target with a designed offset
US6958819B1 (en) 2002-04-04 2005-10-25 Nanometrics Incorporated Encoder with an alignment target
US6949462B1 (en) 2002-04-04 2005-09-27 Nanometrics Incorporated Measuring an alignment target with multiple polarization states
US7027156B2 (en) * 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US7359554B2 (en) * 2002-08-26 2008-04-15 Cleveland Clinic Foundation System and method for identifying a vascular border
CN100337089C (zh) * 2002-09-20 2007-09-12 Asml荷兰有限公司 器件检验
US6992764B1 (en) 2002-09-30 2006-01-31 Nanometrics Incorporated Measuring an alignment target with a single polarization state
SG124270A1 (en) 2002-12-16 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with alignment subsystem, device manufacturing method using alignment, and alignment structure
US7027163B2 (en) * 2003-01-24 2006-04-11 General Dynamics Advanced Information Systems, Inc. Grating sensor
US7445938B2 (en) * 2003-01-24 2008-11-04 General Dynamics Advanced Information Systems, Inc. System and method for detecting presence of analytes using gratings
JP4101076B2 (ja) * 2003-02-06 2008-06-11 キヤノン株式会社 位置検出方法及び装置
TWI264620B (en) * 2003-03-07 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7184626B1 (en) * 2003-04-07 2007-02-27 Luxtera, Inc Wafer-level testing of optical and optoelectronic chips
US6970255B1 (en) 2003-04-23 2005-11-29 Nanometrics Incorporated Encoder measurement based on layer thickness
US20050010310A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 Touzov Igor Victorovich Method of alignment for precision tools.
DE60333688D1 (de) * 2003-12-19 2010-09-16 Ibm Differentielle metrologie für kritische abmessung und überlagerung
US7508976B1 (en) 2003-12-29 2009-03-24 Nanometric Incorporated Local process variation correction for overlay measurement
US7359577B2 (en) * 2004-07-13 2008-04-15 Yan Wang Differential method for layer-to-layer registration
IL166453A0 (en) * 2005-01-23 2006-01-15 A method and apparatus for measurement of chromatic aberations of optical systems
DE102005016231B4 (de) * 2005-04-06 2010-09-16 Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh Optisches System und Verfahren zur Herstellung eines Verbundelementes aus transparenten, mit mikrooptischen Strukturen versehenen plattenförmigen Substraten
US20070153274A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Asml Netherlands B.V. Optical metrology system and metrology mark characterization device
US7511826B2 (en) * 2006-02-27 2009-03-31 Asml Holding N.V. Symmetrical illumination forming system and method
DE102008048844A1 (de) 2007-09-25 2009-05-14 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und System zum Vermessen einer Oberfläche eines Objektes
DE102008029970A1 (de) * 2008-06-26 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Verfahren zum Überwachen einer lateralen Abbildungsstabilität
US8456650B2 (en) 2008-09-09 2013-06-04 Cornell University Optical grid for high precision and high resolution method of wafer-scale nanofabrication
DE102009019140B4 (de) 2009-04-29 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Kalibrieren einer Positionsmessvorrichtung und Verfahren zum Vermessen einer Maske
JP2014522987A (ja) 2011-07-29 2014-09-08 エーエフエル・テレコミュニケーションズ・エルエルシー 相互関係プロファイル分析を実行するための方法および装置
KR101264539B1 (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 (주)오로스 테크놀로지 회절광 패턴 분석에 의한 멀티 레이어 정렬상태 검사방법
DE102013203713A1 (de) * 2013-03-05 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Inkrementalgeber und Lithographievorrichtung
WO2017167637A1 (en) 2016-03-30 2017-10-05 Asml Netherlands B.V. Substrate edge detection
EP3821810A1 (en) 2019-11-13 2021-05-19 Koninklijke Philips N.V. Active gratings position tracking in gratings-based phase-contrast and dark-field imaging
TWI762417B (zh) * 2021-09-01 2022-04-21 環球晶圓股份有限公司 識別晶圓的方法

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5212577A (en) * 1975-07-21 1977-01-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Automatic location device
US4200395A (en) * 1977-05-03 1980-04-29 Massachusetts Institute Of Technology Alignment of diffraction gratings
FR2436967A1 (fr) * 1978-09-19 1980-04-18 Thomson Csf Procede d'alignement optique de motifs dans deux plans rapproches et dispositif d'alignement mettant en oeuvre un tel procede
US4390279A (en) * 1979-07-12 1983-06-28 Nippon Kogaku K. K. Alignment device in an IC projection exposure apparatus
JPS57142612A (en) * 1981-02-27 1982-09-03 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Alignment optical system of projection type exposure device
JPS58112330A (ja) * 1981-12-25 1983-07-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影型露光装置
US4629313A (en) * 1982-10-22 1986-12-16 Nippon Kogaku K.K. Exposure apparatus
DE3372673D1 (en) * 1983-09-23 1987-08-27 Ibm Deutschland Process and device for mutually aligning objects
US4631416A (en) * 1983-12-19 1986-12-23 Hewlett-Packard Company Wafer/mask alignment system using diffraction gratings
US4679942A (en) * 1984-02-24 1987-07-14 Nippon Kogaku K. K. Method of aligning a semiconductor substrate and a photomask
US4699515A (en) * 1984-02-28 1987-10-13 Nippon Kogaku K. K. Process of transfer of mask pattern onto substrate and apparatus for alignment therebetween
US4830486A (en) * 1984-03-16 1989-05-16 Goodwin Frank E Frequency modulated lasar radar
JPH0616476B2 (ja) * 1984-05-11 1994-03-02 株式会社ニコン パターン露光方法
US4702606A (en) * 1984-06-01 1987-10-27 Nippon Kogaku K.K. Position detecting system
JPH0652708B2 (ja) * 1984-11-01 1994-07-06 株式会社ニコン 投影光学装置
JPS61116837A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 回折格子によるギヤツプ・位置合せ制御法
US4801208A (en) * 1984-11-19 1989-01-31 Nikon Corporation Projection type exposing apparatus
JPH0726803B2 (ja) * 1984-11-26 1995-03-29 株式会社ニコン 位置検出方法及び装置
JPS61183928A (ja) * 1985-02-12 1986-08-16 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影光学装置
JPS61201427A (ja) * 1985-03-04 1986-09-06 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置ずれ検出方法
USRE34010E (en) * 1985-03-22 1992-07-28 Nikon Corporation Position detection apparatus
US4803524A (en) * 1985-08-03 1989-02-07 Nikon Corporation Method of and apparatus for detecting the accuracy of superposition exposure in an exposure apparatus
JPS6258628A (ja) * 1985-09-09 1987-03-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 位置合わせ方法および位置合わせ装置
JP2610815B2 (ja) * 1985-09-19 1997-05-14 株式会社ニコン 露光方法
US4795244A (en) * 1985-09-20 1989-01-03 Nikon Corporation Projection type exposure apparatus
JP2593440B2 (ja) * 1985-12-19 1997-03-26 株式会社ニコン 投影型露光装置
JPS62172203A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 Agency Of Ind Science & Technol 相対変位測定方法
JPH0669014B2 (ja) * 1986-02-24 1994-08-31 株式会社ニコン 露光装置
JP2661015B2 (ja) * 1986-06-11 1997-10-08 株式会社ニコン 位置合わせ方法
KR900004269B1 (ko) * 1986-06-11 1990-06-18 가부시기가이샤 도시바 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치
JPH083408B2 (ja) * 1986-06-11 1996-01-17 株式会社東芝 ギャップ設定方法
US4880310A (en) * 1986-07-28 1989-11-14 Nikon Corporation Optical device for alignment in a projection exposure apparatus
JPH0821531B2 (ja) * 1986-08-29 1996-03-04 株式会社ニコン 投影光学装置
JPH0810123B2 (ja) * 1986-09-12 1996-01-31 株式会社ニコン 光学装置
JPH07123103B2 (ja) * 1986-11-26 1995-12-25 株式会社ニコン 位置合わせ装置
JP2550974B2 (ja) * 1987-03-13 1996-11-06 株式会社ニコン 露光装置
JPS63229816A (ja) * 1987-03-19 1988-09-26 Nikon Corp アライメント装置
JP2569544B2 (ja) * 1987-04-08 1997-01-08 株式会社ニコン 位置決め装置
JP2797250B2 (ja) * 1987-05-14 1998-09-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JP2658051B2 (ja) * 1987-05-15 1997-09-30 株式会社ニコン 位置合わせ装置，該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法
US4943733A (en) * 1987-05-15 1990-07-24 Nikon Corporation Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment
JPH0810124B2 (ja) * 1987-07-03 1996-01-31 株式会社ニコン 露光装置
JPS6414918A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Nikon Corp Stepper
JP2694868B2 (ja) * 1987-08-31 1997-12-24 株式会社ニコン 位置検出方法及び装置
US4988197A (en) * 1987-12-28 1991-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for aligning two objects, and method and apparatus for providing a desired gap between two objects
JP2503572B2 (ja) * 1988-03-08 1996-06-05 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US4952815A (en) * 1988-04-14 1990-08-28 Nikon Corporation Focusing device for projection exposure apparatus
JP2606285B2 (ja) * 1988-06-07 1997-04-30 株式会社ニコン 露光装置および位置合わせ方法
JP2773147B2 (ja) * 1988-08-19 1998-07-09 株式会社ニコン 露光装置の位置合わせ装置及び方法
US5171999A (en) * 1989-02-28 1992-12-15 Nikon Corporation Adjustable beam and interference fringe position
US5070250A (en) * 1989-02-28 1991-12-03 Nikon Corporation Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions
US5151750A (en) * 1989-04-14 1992-09-29 Nikon Corporation Alignment apparatus
JPH032504A (ja) * 1989-05-30 1991-01-08 Nikon Corp 位置合わせ装置
US5151749A (en) * 1989-06-08 1992-09-29 Nikon Corporation Method of and apparatus for measuring coordinate position and positioning an object
JP2897276B2 (ja) * 1989-09-04 1999-05-31 株式会社ニコン 位置合わせ方法及び露光装置
US5151754A (en) * 1989-10-06 1992-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and an apparatus for measuring a displacement between two objects and a method and an apparatus for measuring a gap distance between two objects
JP2885454B2 (ja) * 1990-02-05 1999-04-26 株式会社東芝 相対位置合せ方法及び装置
JP3077149B2 (ja) * 1990-01-22 2000-08-14 株式会社ニコン 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ
JP2913755B2 (ja) * 1990-04-25 1999-06-28 株式会社ニコン 位置合わせ方法及び装置
JP3033135B2 (ja) * 1990-06-13 2000-04-17 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
US5231467A (en) * 1990-09-20 1993-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective alignment position signal producing apparatus
JP3128827B2 (ja) * 1990-12-26 2001-01-29 株式会社ニコン 投影露光装置、並びに投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス
US5243195A (en) * 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
US5204535A (en) * 1991-05-31 1993-04-20 Nikon Corporation Alignment device having irradiation and detection light correcting optical elements
JP2928834B2 (ja) * 1991-06-14 1999-08-03 日本電信電話株式会社 回折格子による位置検出方法および位置検出装置
JPH0574684A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Nikon Corp 位置合わせ装置
US5402230A (en) * 1991-12-16 1995-03-28 Tsinghua University Heterodyne interferometric optical fiber displacement sensor for measuring displacement of an object
US5390022A (en) * 1992-04-07 1995-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Displacement information detection apparatus for receiving a divergent light beam

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101239250B1 (ko) * 2004-05-29 2013-03-05 더 제너럴 하스피탈 코포레이션 광간섭 단층촬영 화상 진단에서 반사층을 이용한 색 분산보상을 위한 프로세스, 시스템 및 소프트웨어 배열

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