JPS6378004A - 位置合せ方法および露光装置 - Google Patents

位置合せ方法および露光装置

Info

Publication number
JPS6378004A
JPS6378004A JP61223040A JP22304086A JPS6378004A JP S6378004 A JPS6378004 A JP S6378004A JP 61223040 A JP61223040 A JP 61223040A JP 22304086 A JP22304086 A JP 22304086A JP S6378004 A JPS6378004 A JP S6378004A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
light
grating
reticle
diffracted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61223040A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0695007B2 (ja
Inventor
Kazuhiro Yamashita
一博 山下
Noboru Nomura
登 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP61223040A priority Critical patent/JPH0695007B2/ja
Publication of JPS6378004A publication Critical patent/JPS6378004A/ja
Publication of JPH0695007B2 publication Critical patent/JPH0695007B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、微細パターンの位置合せ方法に関し、さらに
これを利用した1ミクロンもしくはそれ以下のサブミク
ロンのルールを持つ半導体装置等の露光装置に関するも
のである。
従来の技術 半導体装置は最近ますます高密度化され、各々の素子の
微細パターンの寸法は1ミクロン以下に及んでいる。従
来からのLSI製造時のフォトマスクとLSIウェハの
位置合わせは、ウェハに設けた位置合せマークを用いて
、ウェハを着装したステージの回転と2軸子行移動とで
、フォトマスク上のマークとウェハ上のマークを重ね合
わせることによって行なっていたが、その位置合わせ精
度は±0.3ミクロン程度であり、サブミクロンの素子
を形成する場合には、合わせ精度が悪く実用にならない
。また、S、オースチン アプライドフィジックス レ
ターズ(人pplied physicsLatter
s) Mol 31 No、7 F、 428.197
7らが示した干渉法を用いた位置合わせ方法では、第4
図に示したように、入射レーザビーム1をフォトマスク
2に入射させ、フォトマスク2上に形成した格子3で回
折し、この回折した光をもう一度、ウェハ4上に形成し
た格子5によって回折することにより、回折光6,7.
8・・・・・・を得る。この回折光は、フォトマスクで
の回折次数とウェハでの回折次数の二値表示で表わすと
、回折光6は(0゜1)、回折光7は(1,1)、回折
光8は(−1゜2)・・・・・・で表わすことができる
。この回折光をレンズにより一点に集め光強度を測定す
る。回折光は入射レーザビーム1に対して左右対称な位
置に光強度を持ち、フォトマスク2とウェハ4との位置
合わせには、左右に観察された回折光の強度を一致させ
ることにより行なえる。この方法では位置合わせ精度は
、数100人とされている。しかし、この方法において
は、フォトマスク2とウニ/・4との位置合わせは、フ
ォトマスク2とウェハ4との間隔りに大きく影響される
だめ、間隔りの精度を要求する。また、フォトマスク2
とウェハ4を接近させ、間隔りの精度を保持した状態で
位置合わせする必要があり、装置が複雑となるため、実
用上問題があった。
また、サブミクロン線巾を持つ素子の位置合わせには、
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないだめ、LSIを製造す
る上でのスルーブツトが小さくなり実用上問題があった
また、第6図に示した従来例〔アイイイイ トランザク
シ=+ 7 (I E EE 、 trans on)
 E、 DED−26,4、1974、72s、Gij
sBouwhuis))では、2枚のLl、L2のレン
ズ系で示されたマイクロレンズのフーリエ変換面に、レ
ーザビームを入射しレンズL2を介してウェハ上に形成
された格子に対してビームを照明し、空間フィルタSF
で格子から回折される±1次光のみをレンズ系L2 +
L1を通してレチクルR上に入射し、レチクルRの近傍
において干渉縞を生成し、レチクルに設けた格子を通過
する光を光検出器りで検出して、ウェハWとレチクルR
を位置合わせする構成が図示されている。第3図の構成
においては、ウニ・・W上に形成した非対称の格子に対
しては位置を補正することができないと述べられており
、位置合わせマークの製造方法において、全ての工程や
マークで実現不可能であり実用化するに致っていない。
発明が解決しようとする問題点 このように従来においては微細パターンの位置合わせを
大気中で行なえないという問題があった。
そこで本発明は微細パターンの位置合わせを大気中で、
かつ、簡単な構成で行なえるLSIのレチクルとウェハ
の正確かつ容易な位置合わせを生産性良く可能とした位
置合せ方法および露光装置を提供することを目的として
いる。
問題点を解決するための手段 本発明は、投影露光装置において高精度な位置合わせを
実現するために、レチクル面上に形成された1対の格子
によって波面分割された光束のうち、第1のレンズのス
ペクトル面で適当な光束を空間フィルタによって通過さ
せて第2のレンズ系。
投影レンズを通過させ、基板上に設けた第2の1対の格
子上に投影する。第2の格子からは、回折光が回折され
、この回折光は逆方向に、投影レンズの第2のレンズ中
を通過し、光検出器に導びかれる。基板上の第2の格子
に2光束を適当な方向から投影すると、回折光同志が重
なった方向に回折され、各々が干渉する。この干渉した
1対の回折光強度の差を検出する事により、高精度の位
置合わせが可能となる。
すなわち、本発明の位置合せ方法は、コヒーレンシーを
有する光を2方向から入射しこれら2光束の干渉により
マスクパターンとウニノー上のノくターンの位置合わせ
を行うに際し、前記2光束干渉縞とウェハ上の格子の相
対位置を、干渉縞の周期の半分ずれたマスクとウェハ上
の位置合わせ格子と全くずれていないマスクとウェハ上
の位置合わせの格子を用いて位置決めするものである。
そして、本発明の露出装置は、光源、照明光学系、レチ
クル、第1のレンズ系、空間フィルタ。
第2のレンズ系、基板および基板を保持するステージ、
ウェハ近傍に配置した検出器を有し、前記レチクル面上
に第1の格子が形成されており、光源から出た照明光学
系を通して前記レチクル面上に入射させて前記光束を位
置検出信号が半周期異なる1対の格子により各々波面分
割して前記第1のレンズ系に導くよう構成するとともに
、前記第1のレンズ系のスペクトル面付近に設けた所定
の空間フィルタによって所定のスペクトルを選択的に透
過せしめて、前記スペクトルを持つ光束を前記第2のレ
ンズ系を透過させ、さらに前記縮少投影光学系を通して
第2の格子を持つ基板に光束を投影し、第2の格子から
回折された回折光を前記縮少投影光学系、前記第2のレ
ンズ系を逆方向に通過せしめ、前記第1のレティル」二
の格子に対応した前記第2のウェハ上の1対の格子によ
って回折された回折光を前記縮少投影光学系、前記第2
のレンズ系を逆方向に通過せしめ、前記第2の1対の格
子によって回折された光束を干渉させて、干渉させた光
束の光強度を各々検出し、差を取り光出力がゼロとなる
位置で前記レチクルパターンと前記ウェハパターンの位
置合わせするものである。
作用 このように本発明は、2光束干渉縞の位相が半周期異っ
たレチクル上の1対の位置合わせ格子を用い、最も位置
検出感度の高い高精度の位置合わせが実現出来る。
実施例 本発明による光学系の実施例を第1図に示した。
光源11から出だ光(この図ではより鮮明な干渉性とよ
り深い焦点深度を得るために、レーザ光を想定した構成
になっているが、全体の光学系は白色干渉光学系であり
、水銀などのスペクトル光源でもよい)を第1のレンズ
系150入射瞳に対して入射する。
以下の説明では、本発明の原理を簡潔に述べるためにレ
チクルは平行光束によって照明され、第1及び第2のレ
ンズ系15.15’、1了、171は、フーリエ変換レ
ンズとするが、必らずしもフーリエ変換レンズでなくて
もよい。光源11と第1の7− IJ工変換レンズ16
.15’との間にレチクル14が配置され、レチクル1
4に形成された1対の第1格子10.10’のパターン
を2次光源として出た像を第1のフーリエ変換レンズ1
5.15’によって一旦集光し、さらに、第2のフーリ
エ変換レンズ17.17’を通してレチクル14のパタ
ーンの像をウェハ18に縮小投影光学系19を通して投
影する。第1のフーリエ変換レンズ15゜151の後側
焦点面には、レチクル上の格子10゜1o1のパターン
の回折光(フーリエスペクトル)が空間的に分布してお
り、本発明においては、このフーリエ変換面に空間フィ
ルタ16.16’を配置してスペクトル面でフィルタリ
ングし、レチクル14上に形成された1対の格子10.
10’のパターンをスペクトル面でフィルタリングする
ことによってウニ・・18面上に干渉縞20.20’を
生成する。そして、さらに半導体ウニ・・18上に形成
したレチクル上の格子10.10’に対応した位置に形
成された第2の1対の格子21 、21’からは、回折
光22.22’が回折され、縮小投影光学系19及び第
2のレンズ17.17’を逆方向に戻り、空間フィルタ
16.16’の位置に配置されたミラーによって位置合
わせ格子位置に対応した位置にある光検出器23.23
’に導びか汎る。そして光検出器23.23’で検出さ
れた光信号は、コンパレーター24に入力され、両者の
光出力が等しくなったところで、レチクルとウェハとの
位置決めが成される。
以上が、レチクル14とウェハ18の位置合わせの光学
系であるが、一方、レチクル140回路パターンは、投
影用光源12及び照明光学系13によって照明され、そ
の投影像は縮小投影光学系19を通してウェハ18上に
結像する。
以上のように、こうして通常の回路パターン露光用の光
学系が形成される。
第3図はさらに本発明の露光装置の原理説明図である。
光源11から出た波長λの光は、レチクル上の格子41
を照明する。第1フーリエ変換レンズ15の前側焦点f
1の位置z1にレチクル14上の位相格子パターン41
を配置する。位相格子パターン41のピッチP1と回折
光の回折角θ1は p 1sinθn==nλ(n=o、±1.±2、−・
−・−)の関係がある。このように複数の光束に回折さ
れた光はフーリエ変換レンズ15に入射し、さらに後側
焦点面に各々の回折光に相当するフーリエスペクトル像
を結ぶ。−次の回折光のフーリエスペクトルに対応する
座標ξ61は ξ61 = f1sinθ1 Plsin(71=λ で示され、0次の回折光のフーリエスペクトルξ60 ξ6.) = f1sinθO=。
とは完全に分離された状態でフーリエ変換面にフーリエ
スペクトル像を結ぶ。第1図に示したようにこのフーリ
エ変換面上に空間フィルタ16を配置し、第3図に示し
たように格子パターン41の0次および±2次以上の回
折光を遮断し、±1次回折光と開ロバターンのスペクト
ル(Q次光酸分を除く)を通過させる。この回折光は第
2フーリエ変換レンズ1了を通過し、さらにウェハ18
W上に投影される。ただし、第3図においては縮小投影
レンズ系19を省略しである。
ウェハW上に投影された像は、レチクル上の開口部(パ
ターン41)の像を大略結ぶとともに、格子パターン4
1の±1次光成分同志が干渉して新らたなピッチの干渉
縞が形成される。ここで干渉縞のピッチP2は、 λ P2ニー=−一 28inθ2 で与えられる。このとき、第2フーリエ変換レンズ17
の前側焦点面に第1フーリエ変換レンズ15のフーリエ
変換面を設定するので f1sinθ、=f2sinθ2=ξ61の関係がある
第1及び第2フーリエ変換レンズ15.17さらに、縮
小率mの縮小投影光学系を通した像の間には、 の関係がある。よって、ウェハW上に生成される干渉縞
のピッチP2はf1=f2のときは、レチクル上の格子
パターン41の投影像のピッチの半分となる。格子41
の投影像によって、ウェハW上に第2の格子Gを形成し
、この格子Gに対して、光束111と112の光をそれ
ぞれ照射すると、波面分割する格子Gによってそれぞれ
回折された光が得られる。また、2光束111,112
をウェハW上に同時に照射すると、干渉縞を生成し、さ
らに、この場合ウニ/%W上の格子Gによって回折され
る光が各々干渉し、この干渉した光を光検出器りで検出
し、干渉縞と格子Gとの間の位置関係を示す光強度情報
が得られる。
第6図の光検知器り上での観測される光強度工は 工=U□+uB−1−ul euB+。□、U、*2 
 2   * ただし、uA+uBは各々光束111,112の振幅強
度、Uム*、uB*は共役複素振幅である。
−1−Kx(Sinθ、 −sin f) a ) 1
(ただし、人、Bは定数、N:格子の数、 ハ。
δBは隣接した2格子によって回折された光の間の光路
差、Xは光束111と光束112との干渉縞と格子との
間の相対的位置関係、0ム、θBは光束111及び11
2とウェハの垂線とのなす角、として示される。) 第2図は本発明で得られる光検出器で観測される位置検
出信号である。位置検出信号の周期は2光束の干渉縞の
ピッチに等しく、前記の如く次式%式% そこで干渉縞のピッチの半分位相がずれたレチクル上の
格子を用いると、位置検出信号は、第4図に示したよう
に位置検出波形は反転する。そこで、位相が半分ずれた
格子とずれていない格子から得られる信号を比較し、両
者の光出力が等しい所でウェハとレチクルの位置決めを
すると、位置検出感度の高い高精度の位置合わせが行え
る。
発明の効果 以上のように本発明によれば、干渉縞を媒介としてレチ
クル上のパターンをウェハ上に高い精度で位置合わせし
、レチクル上のパターンをウェハ上に露光形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による位置合わせの基本的な
構想を示す露光装置の構成図、第2図は本発明による位
置合わせ検出信号と位置決めの関係を示す説明図、第3
図は本発明による再回折光学系の原理図、第4図は従来
からの2重格子法による位置合わせの原理図、第6図は
従来からのレチクルとウェハを干渉縞を用いて位置合わ
せをす゛る場合の構成図である。 11・・・・・・位置合わせ光源、12・・・・・・投
影用光源、13・・・・・・照明光学系、14・・・・
・・レチクル、15゜17・・・・・・第1.第2のフ
ーリエ変換レンズ、16・・・・・・空間フィルタ、1
8・・・・・・ウエノA119・・・・・・縮小投影光
学系、G・・・・・・格子、D・・・・・・光検出器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名C,
紀羽臂 綜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)コヒーレンシーを有する光を2方向から入射しこ
    れら2光束の干渉によりマスクパターンとウェハ上のパ
    ターンの位置合わせを行うに際し、前記2光束干渉縞と
    ウェハ上の格子の相対位置を、干渉縞の周期の半分ずれ
    たマスクとウェハ上の位置合わせ格子と全くずれていな
    いマスクとウェハ上の位置合わせの格子を用いて位置決
    めするようにした位置合せ方法。
  2. (2)光源、照明光学系、レチクル、第1のレンズ系、
    空間フィルタ、第2のレンズ系、基板および基板を保持
    するステージ、ウェハ近傍に配置した検出器を有し、前
    記レチクル面上に第1の格子が形成されており、光源か
    ら出た照明光学系を通して前記レチクル面上に入射させ
    て前記光束を位置検出信号が半周期異なる1対の格子に
    より各々波面分割して前記第1のレンズ系に導くよう構
    成するとともに、前記第1のレンズ系のスペクトル面付
    近に設けた所定の空間フィルタによって所定のスペクト
    ルを選択的に透過せしめて、前記スペクトルを持つ光束
    を前記第2のレンズ系を透過させ、さらに前記縮少投影
    光学系を通して第2の格子を持つ基板に光束を投影し、
    第2の格子から回折された回折光を前記縮少投影光学系
    、前記第2のレンズ系を逆方向に通過せしめ、前記第1
    のレティル上の格子に対応した前記第2のウェハ上の1
    対の格子によって回折された回折光を前記縮少投影光学
    系、前記第2のレンズ系を逆方向に通過せしめ、前記第
    2の1対の格子によって回折された光束を干渉させて、
    干渉させた光束の光強度を各々検出し、差を取り光出力
    がゼロとなる位置で前記レチクルパターンと前記ウェハ
    パターンの位置合せすることを特徴とする露光装置。
JP61223040A 1986-09-19 1986-09-19 位置合せ方法および露光装置 Expired - Lifetime JPH0695007B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61223040A JPH0695007B2 (ja) 1986-09-19 1986-09-19 位置合せ方法および露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61223040A JPH0695007B2 (ja) 1986-09-19 1986-09-19 位置合せ方法および露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6378004A true JPS6378004A (ja) 1988-04-08
JPH0695007B2 JPH0695007B2 (ja) 1994-11-24

Family

ID=16791899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61223040A Expired - Lifetime JPH0695007B2 (ja) 1986-09-19 1986-09-19 位置合せ方法および露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0695007B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02297005A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置合わせ装置
US5053628A (en) * 1989-07-13 1991-10-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Position signal producing apparatus for water alignment
US5231467A (en) * 1990-09-20 1993-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective alignment position signal producing apparatus
US20190250525A1 (en) * 2018-02-13 2019-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Detection apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02297005A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置合わせ装置
US5053628A (en) * 1989-07-13 1991-10-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Position signal producing apparatus for water alignment
US5231467A (en) * 1990-09-20 1993-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective alignment position signal producing apparatus
US20190250525A1 (en) * 2018-02-13 2019-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Detection apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
US10545416B2 (en) * 2018-02-13 2020-01-28 Canon Kabushiki Kaisha Detection apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0695007B2 (ja) 1994-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2658051B2 (ja) 位置合わせ装置,該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法
JPS60143632A (ja) アライメント装置
JP3029133B2 (ja) 測定方法及び装置
JPH03134538A (ja) レンズ評価装置
JPS6378004A (ja) 位置合せ方法および露光装置
JPH0476489B2 (ja)
JPS6165251A (ja) 露光装置
JPS61290306A (ja) 位置検知方法及びこの方法を用いた露光装置
JPS61208220A (ja) 露光装置及び位置合わせ方法
JPS62255805A (ja) 露光装置
JPS63185024A (ja) 露光装置
JPH07101665B2 (ja) 露光装置
JPS6318624A (ja) 露光装置
JP2691298B2 (ja) 位置合わせ装置およびそれを備えた露光装置
JP3339591B2 (ja) 位置検出装置
JPS62128120A (ja) 露光装置
JP2883385B2 (ja) 位置合せ方法およびそれらの装置
JPH0269604A (ja) 位置合わせ方法
JPS6173958A (ja) 露光装置
JPH02298016A (ja) 露光装置
JPS60214531A (ja) 位置合わせ方法
JPS6184019A (ja) 露光装置
JPS62165918A (ja) 露光装置
JPS62255804A (ja) 露光装置
JPH0682215A (ja) 位置検出装置