JPS60143632A - アライメント装置 - Google Patents

アライメント装置

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JPS60143632A
JPS60143632A JP59261655A JP26165584A JPS60143632A JP S60143632 A JPS60143632 A JP S60143632A JP 59261655 A JP59261655 A JP 59261655A JP 26165584 A JP26165584 A JP 26165584A JP S60143632 A JPS60143632 A JP S60143632A
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grating
mask
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wafer
diffraction
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JP59261655A
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JPH038098B2 (ja
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Richiyaado Torutona Jiyunia Uiriamu
ウイリアム・リチヤード・トルトナ,ジユニア
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Yokogawa Hewlett Packard Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属す、る技術分野〕 本発明はウーーハとマスクのアライメント装置に関し、
具体的には回折格子を用いたアライメント精度に関する
〔従来技術〕
集、積回路(IC,)は、回路部品とその結線ケ形成す
るように所定のパターンに従って形成し辷1組の層をウ
ェーハの上に作ることによって製造する。フォトリトグ
ラフ法(光食刻法)で形成する回路においでは、パター
ンに従って形成すべき1−を最初に感光フォトレジスト
で覆う。前記フォトレジストはフォトレジスト層の一ヒ
に所望の回路パターンを結像させることによって露光さ
れる。露光したレジストはレジストの形式によって露光
したレジストまたは未唇光レジスト部分を除去される。
次にプラズマ・エツチングや化学的エツチング等のエツ
チングまたは蒸着法によって、パターンを下の層に移す
フォトリトグラフ法において必要なことは、各マスク層
を先のパターンに従って形成した1−に対して精密に整
夕1すたは重ねることである。直接書込みEビームフォ
トリトグラフ法のような他の種類の方法においてさえ、
ウェーハへの各書込み段階ごとに、ウェーハをEビーム
装置に精密に整列させることは重要である。現在、集積
回路の密度を制限しているのは光学的な分解能ではな(
、アライメント精度である。生産工程で用いるためには
、アライメント装置は高速で(1現可能で高い精度のア
ライメントを作り出さなければならない。
スルーブツトと歩留りを改善するためには、アライメン
ト装置を自動化することが有益である。
ステップ・アンド・リピートl光装+t (ステッパ)
という一種の露光装置処おいては、一度VC1つまたは
複数の集積回路の像を含むつ1−ハの一部分だけを露光
することによって分解能とアライメント精度を高める。
一般に、露光面積を小さくすると分解能は増大する。各
露光の後、ウェーハは次の露光の正しい位置までxy並
進移動台の上を移動させられる。一般的な露光面積は1
mであるので、直径が10cIILのウェーハを露光す
るには1(01回の工程が必要である。グローバル・ア
ライメント・ステッパにおいては、各ウェーハは9エー
ハ上の1対のアライメント・マークを使用して一度だけ
各マスクに整列し、ウェーハのX位置とX位置を整列し
、ウェーハを適切な回転アライメントのために2軸の周
りに回転する。露光域単位のアライメント・ステッパに
おいては、各露光域ごとにアライメント顕微なう。例え
はマスキング工程相互間の処理によって引起こされるつ
1−ハの歪な補償するため、各露光域ごとに焦点会わせ
をやり直すこともある。
アライメント装置の設計において考慮すべき重曹事項は
、フォトレジスト処理のアライメント・マークの鮮明度
に対する影響である。現在のところ、ステッパ・レンズ
はただ1つの波It f、たは2つの非常に近い波長で
鮮明な像を作るように設計されている。従って、最も精
密なアライメント装置は、つ1−ハ上のアライメント−
マークを見るために無光波長の単色光な利用している。
フォトレジストによる吸着があったり、レジスト層内の
単色光の定在波によって反射率が変動したりすると、ウ
ェーハ上のアライメント・マークから反射される光の址
が大幅に低下することがあり、それによってアライメン
ト精度が劣化する。定在波はまたフォトレジストの露光
の変動を引起してパターンの劣化を招く。このような定
在波を除去するため、フォトレジストの下に露光波長で
強く吸収する層を利用するフォトリトグラフ法もある。
そのような方法においては、ウェーハ上のアライメント
・マークは特に検出するのが困雌である。
アライメント法は2種類に大別される。第1の方法にお
いては、ウェーハとマスクは別々に第3の基準となる物
体に整列される。第2の方法においては、つi−ハとマ
スクは直接圧いに整列される。グローバル・アライメン
トを使用する装置として、マスク上のマークをマスク支
持プラテン上のマークに整列させることによってマスク
を相互に鑵光光学系に整列する装置もある。前記装置で
は、支持プラテン自体は露光光学系に整列させられる。
ウェーハは、ウェーハ上の1対のマークの各々な軸はず
れアライメント顕微′i#、(露光光学系から横方向に
移動した顕微鏡)の2つの対物レンズの各々の内にある
参照マークに整列することによって相互にこの顕微鏡に
整列させられる。ウェーハ・マークの一方はxyアライ
メント用に使用し、他方のウェーハ・マークは回転アラ
イメント用に使用する。このアライメントの後、ウェー
ハの台を干渉計によって制御される一定距離だけ移動し
、ウェーハの露光域な露光光学系の軸忙整列する。露光
に使用する光学系とは別の光学系をアライメントに使用
することによって、各々の役目を最適化することができ
るが、精密なアライメントは露光光学系とアライメント
顕微鏡とマスク支持プラテンの位置が安定しており、こ
れらの間の相互接続部品の熱膨張か安定していてはじめ
て実現される。
前記装置を自動化したサイトアライナはウェーハ・アラ
イメント・マークとして円形フレネル帯を利用する。軸
はずれアライメント顕微鏡の代わりにレーザ光源と象限
儀(quardrant )検出器が使用される。帯プ
レートはレーザ光を関連するレンズを通して集束するレ
ンズとして働き、象限儀検出器によって検出される輝点
な生ずる。つ1−・・の台は象限儀検出器からの信号に
応答して自動的に移動させられて集束したレーザ光を象
限儀検出器の中心に向ける。
ウェーハ上の41固のアライメント・マークを、フォト
レジストが反応しない波長の光が軸ヒ照射する装置もあ
る。この装置では、露光光学系は別の波長に合わせて設
計しているので、光路を調節するために焦点距離補償鏡
を使用し、ウェーハ・アライメント・マークの像をマス
クの4つの窓な通して検出器に焦点を会わせる。4つの
窓に対する4 115のアライメント・マークの完全自
動アライメントを各露光域ごとに行なう。
フィリップス・リサーチ・ラボラトリーズ(Ph1ll
ips Re5earch Laboratories
 )社が開発したステッパにおいては、マスクはX軸に
平行な線を有する線形回折格子を含む。レーザ・ビーム
がこの回折格子に照射され、そして本透明な障壁に形成
した1対の穴がこの回折格子から反射された2本の1次
回折ビームだけを通す空間フィルタとして働く。この2
本のビームはマスク−ヒに結像されて互いに干渉し、マ
スターヒに正弦波状に変化する強度の光を作り出す。複
屈折板がこの2本のビームの各々な、互いに横方向にわ
ずかにずれた2本の互いに直角に偏光したビームに分割
するので、互いに直角に偏光した光の2つの正弦波パタ
ーンがマスクに形成される。これら正弦波パターンが形
成されるマスク上の点では、マスクはこれら正弦波パタ
ーンの波長と同一間隔の1組の不透明な平行線を含む。
マスク上の不透明な平行線が2つの正弦波パターンの各
々を等欺しゃ断したときアライメントが起ったことにな
る。マスク9.ヒの平行線のこのパターンを通る光はま
た一定周波数で回転する偏光方向を有する偏光子を通る
ので、2つの偏光された正弦波パターンは交互に偏光子
を通る。この光は検出器に達し、この検出器はつ1−ハ
とマスクの相対位置を変えてX軸アライメントを制御す
るために使用される信号を発生する。この装置には、y
軸アライメントを制御するためのy軸に宿った回折格子
を仔する同様のシステムも設けられている。
第3図に示されている従来のアライメント装置において
は、マスクはy軸に平行な回折格子線を有する1次元振
幅回折格子11を含み、ウェーッ・はそれぞれX軸とy
軸に平行な行と列を有する2次元の嵌幅格子または位相
格子12を含む。レーザ光線がマスク格子を通して照射
さ」t、投影レンズ】3によって集束され、つ1−ハ格
子12上にマスク格子llの像な形成する。マスク格子
11の像の輝線がウェーハ格子12の各列の間にあると
、像は1次元格子として機能して光をxz平面内で各種
の回折次数に回折する。マスク格子11の像線がウェー
ハ・マークの上に重なると、光はX方向とX方向の両方
に回折される。この装置では、yz平面内の1次の回折
されたビームを監視してX方向でのアライメントを確認
する。別の同様の1対の回折格子を使用してX方向のア
ライメンM/監視する。1977年10月1日刊のアプ
ライド−74ジツクス・レターズ(Applied P
hysicsLetters )、Vol、 31.N
o、 7.426ページに[新しい干渉計アライメント
技術J (A newinterferometric
 alignment technique)という表
題の下に記載さjtたアライメント装置においては、マ
スクとウェーハの谷々は同一の線間隔を有する1対の平
行な1次元格子の一方を含む。垂直に入射するレーザ・
ビームはマスク格子によって各種の回折次数に回折され
、ウェーハ格子に入射するこれら回折次数の各々はさら
に回折されて新たな回折次数を発生する。マスク格子が
直接ウェーハ格子の−Hに整列させられると、各プラス
の次数の出力回折ビームはそれに対応するマイナスの次
数の出力回折ビームに強度が等しい。この装置では、X
方向のアライメントは+lと−lの前記新たな回折次数
が等しい場会に成立したと定義される。
X方向の−rアライメント検出するために同様の1対の
格子を使用する。この装置の間睡は、例えばウェーハ格
子の作製の後、つ1−ハ処理工程によってマスクまたは
ウェーハ格子の線がブレーズ状態にされることによって
、この装置のアライメント状態が狂うことがあることで
ある。
〔発明の目的〕
本発明2つの物体を精度良く整列するようにしたアライ
メント装置を提ハすることを目的とする。
〔発明の哨戒〕
本発明によれば、互いに整列すべき物体の一ヒに回折格
子を利用するアライメント装置が提供される。本発明の
実施例においては、一方の物体はウェーハであり、他方
の物体はウェーッ・に整列すべきマスクである。ウェー
ハとマスクの各々はこのアライメントを実現するために
利用する回折格子を含む。しかし、このアライメント装
置は他の対の物体の精密なアライメントに使用するのに
も適している。
マスクとウェーハを露光光学系のような第3の物体に別
々に整列させる場合に起こるようなアライメント誤差が
付加されないように、アライメント装置は直接マスクを
ウェーハに整列させることが有益である。露光の間、ア
ライメントを維持することができるようにアライメント
は軸上に行なうべきである。使用する波長は、色収差に
よるアライメント誤差が最小限にとどまるように露光波
長と同一かそれに近(すべきである。
また、スルーグツ14−改祷するためにアライメントを
自動化l−でアライメントを迅速かつ精密に行なうこと
ができるようにすることが有益であへ定在波干渉がウェ
ーハ上のアライメント−マークから反射される光の址を
減らすときに生ずる低強度レベルにおいて、特に手動ア
ライメントが引起こす本質的な変動によって手動アライ
メントに必要となるようなエツジ検出やパターン認識の
使用を不要とすべきである。フォトリトグラフ法の技術
で使用できるように、アライメント装置は0.15μm
より高いアライメント精度(統計学における3シグマ以
内)をも有すべきである。アライメント装置はまた、レ
ジストの下の1−が露光波長で高い吸収率を示す多層レ
ジスト法を含む各種の多層レジスト法に匹敵すべきであ
る。
本明細書に開示したアライメント装置においては、マス
クはウヱーハーヒの回折格子に整列すべき回折格子を含
む。単色平行光はつx −/% lの回折格子によって
回折さj11回折された光は光学素子によってつ1−ハ
格子−ヒに集束さiする。各種の次数の回折出力光を発
生するよう、ウェーハ格子はこの光をさらに回折する。
アライメントを検出するようこの出力光を監視する。こ
の装置においては、ゼロ次の出力回折光が極直にあると
きアライメントが起ったことになる。
〔実施例〕
まず、本発明の原理を第2N図、第2B図を用いて説明
する。両図において、2つの透過形位相格子21と22
は極めて接近している。これらの格子21.22 の各
々の深さdは、格子内の山23を通って伝送される光と
格子内の谷24を通って伝送される光の間の位相差を制
御するように選択する。第2A図のように格子210山
が格子220山上に整列すると、各格子によって引起さ
れる位相偏移は互いに加算される。各格子によってπ/
2の位相偏移が生ずるように深さdを選択すると最大量
の回折が生ずる。第2B図に示すように、格子21の山
が格子22の谷の上にあるように格子21と22を整列
させると、格子210山を通る光は格子22の谷も通る
。格子21により引起される位相偏移が格子22により
引起さjする位相偏移に等しいと、第2B図に示すアラ
イメントの場合、格子22の山を通る光は格子22を通
過する光に対して位相偏移を生じない。これによって全
部の光が直っすぐに格子を通過する(すなわち。
ゼロ次の出力回折光となる)。
この方法は接触マスクをウェーハに整列させるのに利用
することができる。しかし、マスクが投影フォトリトグ
ラフ法におけろよ5にウェーッ・から無視できない距離
はなれていると、格子21によって回折される光は格子
22によって回折される前に広がって(−まりだけの時
間を辱えられる。
これを補償するために、本明細書に開示したアライメン
ト装置はマスク格子によって回折された光をウェーハ格
子上に集束させる光学素子を含む。
マスク格子の像は事実上第2N図と第2B図の接触マス
ク格子ように働く。光学素子の倍率mは1である必要は
なく、ウェーッ・格子の周期はマスク格子の周期のm倍
である。ウェーッ・格子から反射される光の強度と位相
の関数変動は、マスクの透過関数(光学系の倍率を考慮
して適当に拡大または縮小する)とつ? ”格子の反射
関数の積である。光学素子はこの反射光をマスク格子に
再結像し、ここでマスク格子はこの光の振幅と位相をさ
らに変調して回折光の出力ビームを発生する。フォトリ
トグラフ法で利用される本発明の実施例においては、露
光装置の光学素子はマスク格子をつ工−ハ格子に結像す
るために利用されるが、露光装置はまたつ1−ハ格子を
マスク格子に結像するのにも適(−でいる。光学素子を
通過する、マスク格子からの各回折次数はつL−ハ格子
によってさらに回折されて各種の回折次数の出力光が発
生する。ゼロ次の出力光がマスク格子とウェーハ格子の
相対位置の関数とし′CC極付取るときアライメントが
達成されtこと定義される。
光学素子は有限のアパーチュアを有するため、両方の格
子からの回折次数の一部はアパーチュアを通過しない。
1968年にマグロ−ヒル社(Mc(jraw−Hil
l Inc、) より[フーリエ光学入門j (Int
roduction to pourier 0pti
cs) という表瑣で出版さjl、たグツドマン(J、
 W、 G oodman )の著書に指摘されている
ように、各種の回折次数の各々は回折格子の透過関数ま
たは反射関数のフーリエ展開級数の一項に対応する。有
限のアパーチュアはこのフーリエ級数の高次の周波数を
ろ波する効果を有するので、と」tら高い周波数成分は
ウエーハ−ヒへのマスク格子の像から除去される。
こitはこの像の隅を丸くする効果を生ずる。この結像
さ11.た格子とつ1−ハ格子の反射関数の積は光をマ
スクに再回折する実効回折格子である。この実効格子が
その像をマスク格子上に生ずる際にアパーチュアは再び
この実効格子の高次の周波数をろ波する。出力回折ビー
ムな発生する実効格子を生ずる際にこの像にはマスク格
子透過関数が乗ぜられる。
後述する実施例において、これら有限アパーチュアの効
果は、各種の回折パターンを計算する際にフーリエ変換
を使用することによって説明する。
しかしながら、有限アパーチュア効果を無視することに
よって、アライメント装置の定置的挙動をより簡単に展
開することができる。この近似において、マスク格子に
垂直な入射光の場合、出力ビームを発生する実効出力格
子はウェーハの反射関数f((X/m)とマスク格子の
透過関数’I’(x)の二乗の積である。なお、反射関
数は光学系の倍率による影響をなくすためにm倍しであ
る。あるいは、マスク格子自体ではなくマスク格子の像
によって計算することによって、得られる結果は2つの
格子の間の光学素子による倍率の影響をなくす。ゼロ次
の出力ビームはこの関数のゼロ次のフ−IJ工酸成分比
例する振幅と位相を有する。すなわち、出力反射関数の
一期間についての平均である。ウェーハ格子とマスク格
子の各々は透過格子と反射格子のいずノtかである。し
かし、フォトリトグラフ法では、格子像を生ずるよう露
光光学系を利用することが好都合である。本実施例にお
いては、マスク格子は透過格子であり、ウェーハ格子は
反射格子である。
装置をレジスト層によって引起される干渉によって影響
さjtないよう、位相格子をマスク内で使用する。この
ように選択することによってレジスト干渉をなくすこと
ができる。なぜならば、レジスト層の上面は入射光の一
部を反射し、そしてウェーハ格子からの回折から生ずる
成分と干渉する出力ビームの一成分を発生する。興味あ
る多くの方法にどいては、レジスト1−の−上面は平坦
であるのでその反射関数は学なる複素定数である。従っ
て、実効出力反射関数は、マスク格子の2倍のピーク相
互間位相差を有する方形波位相格子の透過関数と同一で
あるマスク透過関数の二乗に比例する。位相格子のゼロ
次フーリエ成分は同一幅の山、谷およびπの山相互間位
相差ではゼロであるので、レジスト干渉はπ/2の山相
互間位相偏移を有するウェーハ格子については取り除か
jする。有限アパーチュア効果な考慮すると、この山対
山の直は多少調整される。
マスク格子の作製な容易にするため、マスク格子として
ホログラフィック格子を利用することが有益である。そ
itは、この格子はマスクの形成において新たな工程を
加えることなく作ることができるからである。X方向と
X方向の双方でアライメントを達成するため、1対の1
次元マスクとつ工−ハ格子fxアライメントに使用する
ことができ、もう1対の1次元マスクとウェーハ格子を
Xアライメントに使用することができる。あるいは、X
方向とX方向の双方でアライメン)f達成するため、2
次元格子をマスクとウェーハの各々で使用することがで
きる。後者の実施例は、1次元格子が使用された場合に
単色光の別々のビームが格子の各々に必要であると必ヅ
な別1[1i1のビーム・スプリッタと回転鏡を不要に
する利点を有する。
ウェーハとマスクに垂直なZ軸の周りでの回転アライメ
ントは、ウェーハとマスクの両方の上に、好ましくは露
光域の互いに反対側の境界に1対の格子アライメント・
マークを使用することによって達成される。これらのマ
ークのうちの第1のマークをX方向とX方向で整列し、
次に第2の格子が最大限度整列するまでつ1−ハをこの
第1のマークの周りに回転する。このXアライメント、
Xアライメントおよび回転アライメントに加えて、ゼロ
次の回折のエネルギ量をマスクとウェーハの間の間隔の
関数として体値にすることによって露光光学系の焦点を
調整することができる。このアライメント技術はグロー
バル・アライメント装置とステップ−アンド・リピート
装置のいずれにも使用することができる。ステップ・ア
ンド・リピート装置で使用した場合、マスク格子は互い
に隣接する回路パターンの間の罫書線に置かれる。この
ような装置においては、Xアライメント、Xアライメン
ト、回転アライメントおよび焦点合わせはマスク上の各
位置で繰返すことができる。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明のアライメント装置を示す図で、前述し
た第2A、8図の原理を利用したものである。
第1図において、マスク31とウェーハ33は格子32
と格子34をそれぞjt含む。接触マスクの場合のよう
に格子32と34が接触しているかそれに近いのではな
く、格子32の像が格子34と接触している。マスク格
子34に入射するレーザ・ビーム35は数本のビーム3
6に分割され、これらのビーム36の一部は不透明障壁
38の入射瞳37を通過して投影レンズ39によってウ
ェーハ格子34に再結像させられる。レーザを利用する
ものは主としてそれが強力な光源であるという理由によ
るが、レーザが平行な単色光を発生するという理由によ
ってレーザを使用することは有益である。平行光線は、
収束光や発散光の場合に必要なホログラフィック格子で
はなく、平行な線を有する平面格子を使用することがで
きるので有益である。単色光を使用することによって、
結果として生ずる格子像に色収差が起こることは避けら
れるが、多色光源もこのアライメント装置に利用するこ
とができる。He cdレーザは441.6nmの光を
発生するので利用される。この波長はフォトリトグラフ
装置の光学素子が最大限活用される波長に近い。以下に
記載する格子の説明においては、Z軸がマスクの平面と
ウェーハの平面に垂直であり、各格子の格子線がy軸に
平行である座標系を利用する。
ウェーハ格子34は反射モードにおいて、これらのビー
ムをレンズ39に向けてさらに回折する働きをする。レ
ンズ39と入射瞳37を通って回折されたビームはさら
にマスク格子32によって回折され、そして1組の回折
次数の光310が発生する。ゼロ次の出力ビームエネル
ギは”)x)’33に対してマスクのX位置とy位置を
揺動することによって変調される。ゼロ次の出力ビーム
は、アライメントを調整するために利用するアライメン
ト誤差信号な発生するために検出され使用される。
Xアライメント、Xアライメント、回転アライメントお
よびレーザ・ビームの焦点ぼけの働きは後述する。
前述した文献「フーリエ光学入門」に記載されているよ
うに、平面透過モード回折格子からのファーフィールド
回折パターン(すなわち、回折格子からの多数の波長)
はその透過関数のフーリエ変換に比例する。透過関数T
 (x)は複素71−ザt (x) ”exp (ip
 (x) )である。この式でtは格子によって引動こ
される振幅変動であり、pは格子の点Xで格子によって
引起さjする位相偏移である。格子の周期的な性質によ
って、’r(x)のフ−IJ工変換は離散的であるので
次式が成立する。
’r(z)二 Σ tn”exp(i2yrnr/L 
(1)nニーψ 上式で1口は と定義される。上式において、Lは格子の周期である。
幅qの透明なスペースによって互いに分離された不透明
な線を有し、χ=Oに中心がある透明なスペースを有す
る周期りの矩形波振幅格子の場合、透過関数の眼幅は第
4N図に示され、その1口は次のよりな1直を有する。
第48図に示さJtているようにピーク相互間の位相偏
移Sを発生する同一幅の山と谷を有する矩形波位相格子
の場合、tnは次の直を有する。
nが奇数の場合、 n番目の回折次数の振幅と位相は、格子への入射光の強
度と、格子透過関数のn番目のフーリエ級数係数inの
振幅と位相の積に等しい。格子に対する法線に対して角
度a1で格子に入射する波長Wの単色光の場合、n次の
回折ビームの方向は格子に対する法線と角度anを成す
。これについては以下の等式が成立する。
sin (an) −5in (ai) = nW/ 
L (5)等式+11− (4)によって出力回折ビー
ムの位相と1辰幅を計算することが可能となる。マスク
格子のフーリエ係数をMnで、ウェーハ格子のフーリエ
係数をWnで表わす。マスク格子内の線の中心と隣りの
線の中心の間隔をLで表わす。ウェーハ格子の周期はm
Lであり、mはマスク格子をウェーハ上に結像する際の
レンズ39の倍率である。マスク格子32に入射する嘆
位賑幅レーザ・ビーム35の場合、マスク格子からのn
次の回折ビームはM。
に等しいフェーサによって表わさj’Lる振幅と位相を
有する。アパーチュア37を通るこれらの回折ビームの
各々はウェーハ格子34上に集束され結像される。この
格子34はこれらビームの各々の光な回折する。
前記アプライド・フィジックス拳しターズ忙記載されて
いるように、マスク格子からのn次の回折ビームの回折
から生ずるつ2−ハ格子からのm次の回折ビームを(m
、n)で表わすと、m −n(kとして表わす)が同一
である直のビーム(m。
n)の各々は同一方向を有する。kの値が同一であるビ
ームのグループをに番目のグループと称する。このグル
ープ内の光は、同グループ内の個々の回折次数の各々の
寄与分の和である。従って、MからNまでの範囲内の回
折次数だけが障壁38を通過するようにするアパーチュ
ア37の場合、k番目グループ内の光に対応するフェー
サqkはGi(= Σ Wt−r ”Mr (6)「二
M と表わさiする。レンズ39とアパーチュア37を通過
するこれらのグ〃−ブの各々はマスク格子−ヒに結像さ
it、このマスク格子はさらに回折を行なって1組の出
力回折ビームを生ずる。k番目の出力ビームOBk に
対応するフェーサはOBI、= Σ Mx−r ”Gr
 (7)「=M アパーチュア37はMニーNであるようにビームの中心
に置かれる。以下の説明ではこのように仮定する。
マスク格子を距離dだけχ方向(つまり、その格子線に
垂直に)並進させると、並進さノ1.た格子のに番目の
フーリエ成分M k(d)はMk”exp (i2πn
d/L)である。マスク格子が距離dだけ並進したとき
生ずる、出力ビームに対応するフェーサ0Bi(d)は 0Bk(d)= ΣΣMg−「”W「−s ”Ms ”
eXpjニーN1に−N ((k−r+s) 2d/リ (9) と表わさ1する。第2A図と第2B図の例の説明から、
マスク格子の山がウェー・・格子の山か谷の上に直接整
列しているときゼロ次の出力ビームの振幅が極随を取る
、ということがわかる。これはマスク格子とウェーハ格
子の振幅、位相、両者の組合せのどのような選択に対し
ても成り立つことは等式(2)オよび(9)を使用して
証明することができへなお、マスク格子とウェーハ格子
の各々は山と谷の対称的な配置を有する。どんな対称的
なマスク格子の場合でも、平面X二〇が山の中心または
谷の中心に置かれると、伝達関数はXの画数関数である
のでツーIJ 工展開の正弦波成分はゼロとならなけれ
ばならない。このような対 的な格子と座標系の選択の
場合、等価的に M、=M−r(II が成立する。等価的な結果はまたウェーハ格子の反射関
数についても成立する。つL−ハに対してマスクがX方
向にわずかに変位dだけした場合にこの振幅がdの画数
関数であると、ゼロ次の出力ビームの振幅が極端を取る
。仮変数「とSをそれぞれ−「、−sと命名し直し、等
式aO1を使用することによって、OBo (d)= 
OBo (−d)が成立することが容易にわかる。これ
は各格子がy軸の周りに対称的であることのみに依存す
るので、マスク格子の像の山がウェーハ格子の山か谷の
いずれかに中心が置かれるときは常に、ゼロ次の出力ビ
ームは極付を収る、ということになる。これはどんな種
類の対称的なマスク格子とつ1−ハ格子にも成り立つ。
また、光学系の倍率mが1でない場合でさえ成立する。
このよ5な場合、ウェーハ格子の周期はmLである。
マスクとウェーハの間でZ方向の変位を変えることによ
っても格子次数に位相偏移が生ずる。第5図に示すよう
に、つ!−ハを焦点面上で距離りだけ移動すると、ウェ
ーハに入射する0次の回折ビームは2πD ” cos
 (bo) / W だけ位相偏移する。
なお、1)口はウェーハへの0次のビームの入射角、W
はウェーハ・アライメントに利用される単色光の波長で
ある。同様に、マスク格子に入射するビームもDに比例
する類似の位相偏移を行なう。マスク上へのn番目のビ
ームの入射角をafi と記すことにする。この入射角
は等式(5)によって決定され、式(5)においてLは
マスク格子の周期である。
角度す口はウェーハ格子の周期mLを使用して等式(5
)と同等の等式によって決定される。なお、mはレンズ
390倍率である。
ゼロ次のビームの位相偏移は全位相偏移として取り扱う
ことができるので、ゼロ次ビームに対するビームの相対
位相偏移だげが強度分布に影響を与える。ウェーハへの
0次のビームの場合、この相対位相偏移は 2π1)(
cosbロー1)/Wであり、真似的な光学装置で利用
される近軸光線の場合これは近似的に(bn)2”πD
/W”Wである。ゼロ次の出力ビームの強度の計算にお
いては、1次ビーム以外の相対位相偏移は無視すること
ができる。
また、距離りによってマスク格子32に向かつてウェー
ハ格子34から再反射される光の各回折次数の間に相対
的な位相偏移が生ずる。この偏移の量は第1図の点P、
Q、RおよびSを参照することによって理解することが
できる。線RQ Sはマスク格子32からゼロ次の回折
であり、1lll)tPSは1次の回折である。第5図
の角度す、は第1図の角度PSQに対応する。反射され
た光の相対的な位相偏移に対応する角度はp/ l(/
 Q/であり、この角度はほぼ角度pRQ(b<とじて
記す)に等しい。b1′=bI″mであることは以下の
説明から理解することができる。倍率mは像距離Q S
を物体距離(JRで割った値に等しいので、小角度近似
ではtan bは次のようにbで近似する。
b+’=PQ/QR= (PQ/QS)(QS/’ユa
)=b1申m (lυ 典型的な縮小系の場合、mは0.1程度であるので、b
1′による影響はす、による影響に比較して無視するこ
とができる。従って、焦点面からのつz−ハ34の変位
りによって引起される反射光内の相対位相偏位な無視す
ることができる。従って、ウェーハとマスクの間の距離
なりだけ変えることによって実際に起こることは、ゼロ
次の出力ビームの強度に−CO8(2(bl)2D)に
比例する項目が加わることである。これは、焦点合わせ
のためマスクとウェーハの間の距離を適切に変位すると
、ゼロ次の出力ビームがこの変位に対して極付を取るこ
とになるということを意味する。従って、これは自動的
に光を焦点合わせするために使用することができる。
第6図に示されているように、レジスト層の上面は入射
光の一部を反射し、それがウヱーノ・格子から反射され
る光の成分と干渉するため、出力ビーム内に前記干渉し
た成分を生ずる。格子の−Fのレジスト層の存在を考慮
するため、ゼロ次の出力ビームの強度の前記の式はレジ
スト層の上面から反射される光の影響を含めるように修
正しなければならない。ある種の方法において、レジス
ト層を塗布する前に平坦化層をウェー・・の上に形成す
る。この平坦化層の目的は、レジスト層を平坦にしてマ
スクからレジスト層までの距離の場所による変動を除去
することである。このような変動があると、レジスト上
のマスク像が局所的に焦点ぼけすることがある。そのよ
うな方法においては、レジストの上面は平坦であり、従
って新たな回折を生ずることなく光を反射する。しかし
、その境界での反射係数によって総合振幅と位相係数R
が生ずる。さらに、レジスト−上面がウェーハ格子とは
異なるZ位置にあるため、焦点ぼけについての項ですで
に説明したように回折次数の位相偏移C0がある。
この反射光の効果は、式(8)に指示されているゼロ次
の出力ビームOBoに項 y= (M−1” R” (Mr”e ”r) ) α
2「ニーH を加えることである。式(11を用いることによってこ
の方程式は R” E (Mr)”、”eICr (13「=−に と書き直すことができる。ゼロ次出力ビームに対するこ
の追加寄与分がOであるとレジスト干渉はなくなる。一
般的に、焦点ぼけによる位相偏移は小さいので、第1次
近似ではこれを無視することができる。その近似におい
ては、式(3)によって矩形波振幅格子の場合すべての
rについてM、が実数であることが示されるので1式a
3によって表わされるレジスト反射寄与はゼロにするこ
とはできない。しかし、矩形波位相格子の場合、式a2
をOにすることができることが式(4)より示される。
アパーチュア37がすべての回折次数を通過させるとす
ると、前述したように、山と山の位相差がπ/2である
位相格子についてはレジスト寄与分はゼロであろう。1
次の回折ビームとゼロ次の回折ビームだけがアパーチュ
ア37を通過する状況では、レジスト寄与分を除去する
には山相互間の位相偏移はり、07/2である。一般に
、すべての回折ビームがアパーチュア37を通過すると
いう近似においては、ウェーハ格子の透過関数の二乗の
ゼロ次のフーリエ成分がゼロであると、ウェーハ上で位
相格子とのレジストと関連する干渉はない。
マスクの作製な容易にするため、ホログラフィック位相
格子をマスク格子として利用する。第7A図に示されて
いるように、周期L2<<L、の振幅格子を長さL s
 /20部分に分割し、互いに隣接する部分をX方向に
清りで互いに反対の向きにL2/2より小さい距離eだ
け移動することによりて周期L1のホログラフィック回
折格子を作る。
互いに近接された2つの互いに隣接する部分の間の境界
はUで表わし、互いに遠ざけられた2つの互いに隣接す
る部分の間の境界は■で表わす。各部分は個別の格子と
して働く。すでに指摘したように、ある部分を並進する
と、各部分からの各回折次数に移動距離に数置または回
折次数を乗じた瞳に比例した位相偏移Sが生じる。第7
B図は交互の位相偏移パターンが矩形波位相格子によっ
て作り出されたパターンと同一であることを示している
。これら回折次数のうちの一定の次数がファーフィール
ド領域まで伝搬すると、パターンは位相格子のパターン
とほぼ同一となる。第3図のアパーチュア37がこれら
の次数のうちの1つを除いて全部を除去すると、ホログ
ラフィック格子は位相格子と同等となる。LI=8”L
2と′選択すると、アパーチュア37が+1または−1
の次数だけを通過することができるのに十分なだけ各種
の次数の角度間隔が置かれる。大部分のエネルギは+1
と−1の回折次数方向にあるので、これら2つの次数の
うちの一方がアパーチユア37な通過するように選択す
る。便宜−ヒ、これらの部分の1つからの1次回折ビー
ムの1つが第3図に示されているように反対ビームの所
望の方向に放出されるように、単色光がゼロでない入射
角alでウェーハに入射するように選択する。これな実
現するために必ヅな角度alは式(4)で決定する。
第8N図は、マスク上の振幅格子とウェーッ・上の山相
互間の各種の山相互間の位相偏移の位相格子の場合のゼ
ロ次出力ビームのエネルギの計算結果を示す。第8B図
はマスク上の位相格子とウェーハ上の各種の山相互間の
各種の位相偏移の位相格子についての同様の結果を示す
。マスク格子の像の山または谷がウェーハ格子の山の上
に重ねられたときは常に、双方が極値な示す。また第8
B図に示されているように、2つの山は対称的ではなく
、しかも山相互間の位相偏移がゼロの場合のエネルギの
鎗がゼロではない。この非対称性はレジスト干渉の影響
を補償する代替法として利用することができる。
レジスト干渉の影響によって作り出される主髪な問題は
、ゼロ次出力ビームの強度がレジストの厚さがある1直
の場合に極めて小さくなることがあるということである
。このような厚さは時々生ずるので、この方法を全ての
ウェーハに適用するためには、前記干渉効果を補償しな
ければならない。
第8B図の2つの山は同一でないので、レジスト干渉効
果によってこの2つの山のうちの一方がはぼ0になると
、他方の山はアライメントに使用するのに適する。この
非対称性を利用する装置は第9図に示されている。
すでに指摘したように、ホログラフィック回折格子の位
相偏移はホログラフィック回折格子の各部分からの回折
次数の数随に比例する。従って、−1次数は+1次数の
位相偏移パターンとは反対の位相偏移パターンを有する
。従って、+1次数のX=Oでの山は一1次数のx =
 LH/ 2での山に対応する。この非対称性を利用す
るため、ビーム92の一1回折次数95が格子94に垂
直であり、ビーム93の+1次数がIoI折次数95に
平行であるような入射角で単色光源91が1対の入射ビ
ーム92と93をホログラフィック格子94に供給する
。光源91は非対称性を利用する様々な方法で制御する
ことができる。一実施例においては、通常はビーム92
と93のうちの一方だけが光源91によって供給される
が、ゼロ次の出力ビームのエネルギがあるしきい値以下
になると他方のビームが供給される。別の実施例におい
ては、検出器がビーム92と93の双方からエネルギを
受取るようにチョッパで両ビームが断続される。両ビー
ムは同時に供給すべきではない、さもないと望ましくな
い干渉が起こる。
これまで説明して来た1次元格子は一方向についてのみ
アライメントの狂いを測定することができる。xyアラ
イメント補正な行なうためには、2つの別個の互いに直
角方向を向いた格子と2つのレーザ・ビームが必要であ
る。しかしながら、2次元回折格子を利用することによ
って1本のレーザ・ビームでX方向とX方向のアライメ
ントの狂いを測定することが可能である。ウェーハ格子
を第10A図に、マスク位相格子を第10B図に示す。
マスク格子は、前述の有限アパーチュア効果による補正
は別にして、レジスト干渉がなくなるという遣ましい特
性を有する。1次元の場合のように、マスク格子の透過
関数の二乗は2次元パターンの任意のセルについての平
均が0でなければならない。また、1次元の場合のよう
に、有限アパーチュアろ波効果が含められたとぎレジス
トの干渉による影響を排除するように山相互間の位相差
を調整することができる。一般に、第108図の位相格
子の場合のように2つの異なる深さのエッチを有する位
相格子を精密にエツチングで作ることは困難である。し
かし、そのような3位相位相格子はホログラフィック格
子として簡単に作ることができる。
有限アパーチュアの影響を考慮するため、X方向のm番
目の回折次数とX方向のn番目の回折次数に対応する2
次元透過係数tmnと反射係数rmnなそれぞれマスク
格子とウェーハ格子について決定しなければならない。
上記の1次元方程式は、アパーチュア37を通る回折次
数のすべての2次元合計に簡単に一般化される。透過関
数t(x、y)と反射関数r(x+y)がXの関数とy
の関数の積(つまり、t (x 、 y) = f(x
)g(y)である2次元格子は特に分析が容易である。
そのような格子の場合。
tmは積fm*g0となる。なお、’Inとgnはそれ
ぞれf (x)とg (g)のフーリエ級数のフーリエ
係数である。第10B図の格子はそのような格子の例で
ある。
再び第1図において、出力回折ビーム310の光路は回
転鏡311によって曲げられてスクレーバ・ミラ312
に偏向させる。ミラ312はアパーチュア314を含む
不透明な障壁313にこれらの光路な偏向する。レーザ
・ビーム35と出力ビーム310はわずかに横方向に移
動させられるので、出力ビーム310はスクレーバ会ミ
ラによって偏向されるが、レーザ・ビーム35はレーザ
光源316から発出してスクレーパ・ミラ312の端を
通る。レーザ・ビームは回転鏡311によってつz’−
格子32に照射される。
障壁313は、アパーチュア314を通るゼロ次出力回
折ビーム315μ外の出力ビームのすべてをしゃ断する
働きをする。ビーム315は帯域フィルタ324を1m
って光電子増倍管317に達する。この帯域フィルタは
ビーム35のレーザ光の周波数近<の光だけを通すので
、バックグランド光とつ1−ハ上のフォトレジストを露
光するtこめに使用する周波数の光を除去する。これに
よって、露光用の光が光電子増倍管317に漏れること
によって起こるアライメントの劣化なしに、ウェーハ上
の1カ所の各露光の間、連続アライメントを維持するこ
とが可能となる。光電子増倍管317を飽和することを
避けるためにレーザ316の出力を3μW程度に減衰す
る。平均出力信号の一定振幅を維持するため、光電子増
倍管317の増幅度を自動利得制御回路によって一定に
する。利得の自動制御によって、回路はウェーハ内の吸
収層による減衰に対して鈍感になる。
光電子増倍管317の出力信号に応答し、位相検波器3
18はX位置アライメント誤差信号を発生する。マスク
31が取付けられているレチクル台320にたわみピボ
ット軸受によって接続された圧電モータのようなモータ
319はこのエラー信号に応答し、十字線台のX位置を
つ1−一・に対して調整し、それによってマスクとつ1
−ノ・の間のアライメントを達成する。マスクとウェー
ッ・の間の相対運動だけが重要であることは明白である
ので、マスクの位置ではな(モータの位置を調整するた
めにモータをウェーッ・に結合することもできる。X方
向のアライメントを可能にするため、第11図に示され
ているように3つの圧電モータが十字線台に接続されて
いる。1つのモータは十字線台の第1の側のほぼ中心(
点A)に取付けられ、そl−てX並進のために使用され
る。1対のモータの各々は第1の側に隣接する第2の側
の互いに反対側(点BとC)に接続されている。同じよ
うに駆動されると、この1対のモータはX並進を生じ、
そしてアンバランスに駆動されると、Z軸の周りの回転
を追加する。
アライメント・エラの方向と強度な感知するため、位相
検波法を利用する。この方法を実行するため、基準発振
器321のような周期信号源がモータ319に正弦波信
号な供給してマスクのX位置を揺動し、それによって光
電子増倍管317の出力信号に周期成分を発生する。こ
の揺動のピーク相互間の振幅は約1μmである。位相検
波器316は参照発振器の30サイクルの間、光電子増
倍管317の出力信号と発振器321の信号の積を積分
し、発振器3210周波数で光電子増倍管317のフー
リエ成分を測定する。位相検波器318は加算器322
にこのフーリエ成分に比例する直流信号を加える。
正確なアライメントでは、発振器3210周波数でのX
位置誤差信号のフーリエ成分は0となる。誤差信号の強
度は、アライメントの狂いの符号を含むアライメントの
狂いの鎗に比例する。十字線台320のX位置はX並進
を制御する圧電モータの入力に加わる電圧によって決定
される。増幅器323は、誤差信号が0となったとぎレ
チクル台320の並進が停止するように誤差信号を積分
する積分器を含む。
マスクのX位置と調整とマスクのX位置の揺動運動を同
時に行わせるため、誤差信号と発振器32tの正弦波信
号は加算器322で加算され、次に増幅器323で増幅
されてからモータ319に供給される。
アライメント装置は200 m sec、の開動作して
装置の微細アライメントを行なう。次に、参照信号の加
算器322への供給が断たれ、そして圧電モータ319
の入力に加わる直流電圧はサンプルホールド回w&(図
示せず)に保持される。これによってレチクル台320
が整列位置に保持され、ウェーッ・の・露光の間レチク
ル台320の揺動運動は行われない。
X方向での周波数とは異なる周波数でX方向にレチクル
台320を揺動することによってXアライメントとXア
ライメントを同時に行なうことができる。本実施例では
、これら2つの周波数は1501(zと170 Hzで
ある。Xアライメントの誤差信号は光電子増倍管317
からの信号の1501−(z 成分に比例し、Xアライ
メントの誤差信号は170Hz成分に比例する。ウェー
ッ・よりもマスクを揺動させることが有益である。それ
は、マスクの方が高い周波数で揺動することができ、ア
ライメントのための期間を短かくすることができるから
である。
このアライメント装置を利用する前に、ウェーハとマス
クを周知の技術によって、ウェー−・格子の±4分の1
周期以内に整列させる。アライメント装置は最も近い極
値で整列し、従って±4分の1周期はアライメント装置
の捕獲範囲である。つ工−ハ格子の周期は8μmである
ので捕獲範囲は±2μmである。
このアライメント装置はグローバル・アライメント装置
で微細アライメントを行なうために利用することができ
ると共に、各位置ごとのアライメントのためにも利用す
ることができる。後者の場会、アライメント格子は互い
に隣接するダイの間で罫書線に設けられているので格子
は各ダイの露光には干渉しない。次のダイを旙光光学系
のフィールド内に持ち込むためにウーーハをレチクル台
320に対して並進し終わると、信号がステッパによっ
て発生されてダイを露光する。この信号はそのダイ位置
での微細アライメント格子なうために利用される。また
この信号は微細アライメントを完了するのに十分な40
0 m sec、だけ遅延されてからこのダイを露光す
るのに利用される。
一般に、格子はウェーハ上に形成されパターンを有して
いる層の少なくとも2つに形成しなければならない。第
1の格子は酸化物層に作る。インプランテーション工程
や薄膜を形成する工程においては、先のマスク工程に利
用されるつL−への機能によってはあまり影響を受けな
い。従って、その格子は次の工程でも利用することがで
きる。
しかし、厚い層を形成すると、マスク・パターンの複製
によって先の層の格子に重なる格子がその厚い層に形成
される。従ワて、両方の重なっている格子からの回折が
乱される。これが起こると、罫書線の別の位置の別のマ
スク格子がマスクに含まれるはずであるので、厚い層の
バターニングの後にこの厚い層に完全に機能的な格子が
生ずる。
〔発明の効果〕
本発明のアライメント装置によれば、第1回折格子、第
2回折格子を有する物体を極めて精度良く位置合わせす
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のアライメント装置を示す図。 第2A図、第2B図は本発明のアライメント装置の原理
を示す図。 第3図は従来のアライメント装置の概略図。 第4N図、第4B図は本発明に使用する回折格子の伝送
特性の中の振幅および位相特性を示す図。 第5図は、本発明に使用する露光光学系の焦点ぼけが各
回折次数間に生ずる干渉の説明図。 第6図は、本発明に使用するレジスト格子とウェーハ格
子からの反射の説明図。 第7A図、第7B図は本発明に使用するホログラフィッ
ク格子によって生じるパターンを示す図。 第8A図、第8B図は、マスク格子およびつ工−ハ格子
のずれとゼロ次出力ビームとの関係を示す図。 第9図は、本発明に1史用するレジスト干渉除去方法を
示す図。 第1ON図、第10B図は5本発明に使用する2次元つ
1−ハ格子と2次元マスク位相格子を示す図。 第11図は、レチクル台の立面図。 31:マスク、 32:回折格子、 33:ウェーハ、 34:回折格子、 39:投影レンズ、311 、312 :ミラ、316
 :レーザ、324 :バンドパスフィルタ゛1、。 317:光電子増倍管、318二位相検波器、321:
基準発振器、323:増幅器、319:モータ。 lfiM人 横向・ヒユーレット・パッカード株式会社
代理人 弁理士 長 谷 川 次 男 レー寸1.駿−4ム レー勺1ピ゛−ム J百−2B j]−3 コ]−5 工3 7B ■ロー9 Y ]百−1oA

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1物体上の第1回折格子から第2物体へ回折光を入射
    する手段と、ゼロ次の回折光を出力するために、前記第
    2物体上で且つ前記第1格子からずれた位置に設ゆらi
    tた第2回折格子と、前記ゼロ次の回折光が極呟をとる
    ように前記第1.第2回折格子の相対位置を制御する制
    御手段とから成るアライメント装置。
JP59261655A 1983-12-19 1984-12-11 アライメント装置 Granted JPS60143632A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/564,854 US4631416A (en) 1983-12-19 1983-12-19 Wafer/mask alignment system using diffraction gratings
US564854 1983-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60143632A true JPS60143632A (ja) 1985-07-29
JPH038098B2 JPH038098B2 (ja) 1991-02-05

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ID=24256167

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JP59261655A Granted JPS60143632A (ja) 1983-12-19 1984-12-11 アライメント装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6165251A (ja) * 1984-09-07 1986-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
JPS62190725A (ja) * 1986-02-17 1987-08-20 Tokyo Electron Ltd 二重回折格子による位置合せ方法
JPS63283129A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Nikon Corp 位置合わせ装置,該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法
WO1990013062A2 (en) * 1989-04-19 1990-11-01 Gibson, Stewart, Harry Manufacture of flat panel displays

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4828392A (en) * 1985-03-13 1989-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure apparatus
DE3682675D1 (de) * 1986-04-29 1992-01-09 Ibm Deutschland Interferometrische maskensubstratausrichtung.
NL8601278A (nl) * 1986-05-21 1987-12-16 Philips Nv Inrichting voor het detekteren van een vergrotingsfout in een optisch afbeeldingssysteem.
US4929083A (en) * 1986-06-19 1990-05-29 Xerox Corporation Focus and overlay characterization and optimization for photolithographic exposure
US4943733A (en) * 1987-05-15 1990-07-24 Nikon Corporation Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment
FR2616269B1 (fr) * 1987-06-04 1990-11-09 Labo Electronique Physique Dispositif de test pour la mise en oeuvre d'un procede de realisation de dispositifs semiconducteurs
FR2620244B1 (fr) * 1987-09-08 1990-01-12 Micro Controle Systeme pour le positionnement rigoureux d'un objet le long d'un axe
EP0309281B1 (en) * 1987-09-25 1995-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for controlling relation in position between a photomask and a wafer
DE3833115A1 (de) * 1987-09-30 1989-04-20 Okuma Machinery Works Ltd Optischer codierer
JPH0642448B2 (ja) * 1987-09-30 1994-06-01 株式会社東芝 位置合わせ方法
EP0313681A1 (en) * 1987-10-30 1989-05-03 Ibm Deutschland Gmbh Phase-sensitive interferometric mask-wafer alignment
US4988197A (en) * 1987-12-28 1991-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for aligning two objects, and method and apparatus for providing a desired gap between two objects
EP0329433A3 (en) * 1988-02-16 1989-10-25 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting method and apparatus
US5327221A (en) * 1988-02-16 1994-07-05 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting positional relationship between two objects
JP2546364B2 (ja) * 1988-02-16 1996-10-23 キヤノン株式会社 位置合わせ装置
US5325176A (en) * 1988-02-16 1994-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting method and apparatus including Fraunhofer diffraction detector
DE68901933T2 (de) * 1988-02-16 1992-12-24 Canon Kk Vorrichtung zur lagefeststellung.
US4923301A (en) * 1988-05-26 1990-05-08 American Telephone And Telegraph Company Alignment of lithographic system
US4991962A (en) * 1989-01-04 1991-02-12 Kantilal Jain High precision alignment system for microlithography
JPH02192114A (ja) * 1989-01-20 1990-07-27 Canon Inc 位置合わせ装置
EP0398334B1 (en) * 1989-05-17 1994-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting apparatus
US5053628A (en) * 1989-07-13 1991-10-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Position signal producing apparatus for water alignment
US5098190A (en) * 1989-08-07 1992-03-24 Optra, Inc. Meterology using interferometric measurement technology for measuring scale displacement with three output signals
US5191465A (en) * 1990-03-28 1993-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical apparatus for alignment of reticle and wafer in exposure apparatus
JPH0430414A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置決め装置
US5343292A (en) * 1990-10-19 1994-08-30 University Of New Mexico Method and apparatus for alignment of submicron lithographic features
JP2968080B2 (ja) * 1991-04-30 1999-10-25 ジェイエスアール株式会社 高分解能光学顕微鏡および照射スポット光作成用マスク
JPH05127364A (ja) * 1991-10-30 1993-05-25 Nikon Corp フオトマスク
JP3116535B2 (ja) * 1992-03-13 2000-12-11 キヤノン株式会社 ロータリーエンコーダー及びエンコーダー
US5486923A (en) * 1992-05-05 1996-01-23 Microe Apparatus for detecting relative movement wherein a detecting means is positioned in the region of natural interference
WO1993022615A1 (en) * 1992-05-05 1993-11-11 Bei Electronics, Inc. Apparatus for detecting relative movement
JPH06333803A (ja) * 1992-09-18 1994-12-02 Sharp Corp 投影型露光装置用フィルター
US5300786A (en) * 1992-10-28 1994-04-05 International Business Machines Corporation Optical focus phase shift test pattern, monitoring system and process
US5317385A (en) * 1992-12-16 1994-05-31 Federal Products Corporation Portable extended life metrology system for measuring scale displacement with three output signals using a pulsed source
US6153886A (en) * 1993-02-19 2000-11-28 Nikon Corporation Alignment apparatus in projection exposure apparatus
US5362584A (en) * 1993-04-02 1994-11-08 International Business Machines Corporation Phase-shifting transparent lithographic mask for writing contiguous structures from noncontiguous mask areas
JPH06310400A (ja) * 1993-04-12 1994-11-04 Svg Lithography Syst Inc 軸上マスクとウェーハ直線配列システム
WO1995020139A1 (en) * 1994-01-24 1995-07-27 Svg Lithography Systems, Inc. Grating-grating interferometric alignment system
US5805290A (en) 1996-05-02 1998-09-08 International Business Machines Corporation Method of optical metrology of unresolved pattern arrays
US5936738A (en) * 1998-08-03 1999-08-10 International Business Machines Corporation Focus monitor for alternating phase shifted masks
JP3311319B2 (ja) * 1998-10-02 2002-08-05 キヤノン株式会社 光学ユニット、光学ユニットを用いた光学機器
DE19936573A1 (de) * 1998-12-22 2001-02-08 Zeiss Carl Jena Gmbh Anordnung zur Separierung von Anregungs- und Emissionslicht in einem Mikroskop
US6392289B1 (en) 1999-04-15 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Integrated circuit substrate having through hole markings to indicate defective/non-defective status of same
US6624897B1 (en) 1999-04-15 2003-09-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for feature edge detection in semiconductor processing
US6469793B1 (en) 1999-08-10 2002-10-22 Svg Lithography Systems, Inc. Multi-channel grating interference alignment sensor
US7253428B1 (en) * 2000-04-04 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for feature edge detection in semiconductor processing
US6689519B2 (en) 2000-05-04 2004-02-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for lithography process control
US6486953B1 (en) * 2000-06-30 2002-11-26 International Business Machines Corporation Accurate real-time landing angle and telecentricity measurement in lithographic systems
US7317531B2 (en) * 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US7130029B2 (en) * 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US6673637B2 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6782337B2 (en) 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6891610B2 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an implant characteristic and a presence of defects on a specimen
US7106425B1 (en) 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US7349090B2 (en) 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6919957B2 (en) * 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
TWI285295B (en) * 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
US6894836B2 (en) * 2001-08-28 2005-05-17 Delphi Technologies, Inc. Diffraction grating, method of making and method of using
US6801314B2 (en) * 2001-09-28 2004-10-05 Infineon Technologies Ag Alignment system and method using bright spot and box structure
JP3980469B2 (ja) * 2001-10-19 2007-09-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
US6772084B2 (en) * 2002-01-31 2004-08-03 Timbre Technologies, Inc. Overlay measurements using periodic gratings
US6804005B2 (en) * 2002-05-02 2004-10-12 Timbre Technologies, Inc. Overlay measurements using zero-order cross polarization measurements
US6985229B2 (en) * 2002-05-30 2006-01-10 Agere Systems, Inc. Overlay metrology using scatterometry profiling
US7440105B2 (en) 2002-12-05 2008-10-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuously varying offset mark and methods of determining overlay
KR100555950B1 (ko) * 2003-06-30 2006-03-03 주식회사 대우일렉트로닉스 홀로그래픽 롬의 얼라인 측정장치
US20050010310A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-13 Touzov Igor Victorovich Method of alignment for precision tools.
US7385671B2 (en) * 2004-05-28 2008-06-10 Azores Corporation High speed lithography machine and method
JP2006185933A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd レーザアニール方法およびレーザアニール装置
US20060192943A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 William Roberts Optimizing focal plane fitting functions for an image field on a substrate
US20060194130A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 William Roberts Run to run control for lens aberrations
US7466411B2 (en) * 2005-05-26 2008-12-16 Inphase Technologies, Inc. Replacement and alignment of laser
US7863763B2 (en) * 2005-11-22 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks
GB0525336D0 (en) * 2005-12-13 2006-01-18 Univ Cambridge Tech Hologram viewing device
US8610986B2 (en) 2009-04-06 2013-12-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Mirror arrays for maskless photolithography and image display
NL2004256A (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Asml Netherlands Bv Enhancing alignment in lithographic apparatus device manufacture.
NL2005975A (en) 2010-03-03 2011-09-06 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
WO2012144904A2 (en) * 2011-04-22 2012-10-26 Mapper Lithography Ip B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
JP2014513869A (ja) 2011-04-22 2014-06-05 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ウェーハのようなターゲットを処理するためのリソグラフィシステム、及びウェーハのようなターゲットを処理するためのリソグラフィシステムを動作させる方法
WO2012158025A2 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
CN102955365B (zh) * 2011-08-22 2014-12-17 上海微电子装备有限公司 一种干涉曝光装置及方法
TWI617903B (zh) 2012-10-26 2018-03-11 瑪波微影Ip公司 用於在微影系統中測定基板的位置的系統,以及用於此系統中的基板
DE102013203713A1 (de) * 2013-03-05 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Inkrementalgeber und Lithographievorrichtung
US10168450B2 (en) * 2013-12-27 2019-01-01 Sunasic Technologies, Inc. Silicon wafer having colored top side
NO20140263A1 (no) * 2014-02-28 2015-08-31 Pgs Geophysical As Optisk bevegelsessensor
US10197676B2 (en) * 2015-04-28 2019-02-05 Qualcomm Incorporated Solid-state electronic light detection and ranging (LIDAR)
US10451412B2 (en) 2016-04-22 2019-10-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
TWI797737B (zh) 2017-09-29 2023-04-01 美商昂圖創新公司 用於在曝光裝置時減少未對準誤差的方法和設備
CN114286967A (zh) 2019-08-23 2022-04-05 Asml荷兰有限公司 控制第一物体相对于第二物体的位置的方法、控制单元、平台装置和光刻装置
CN115769148A (zh) 2020-02-21 2023-03-07 昂图创新有限公司 用于校正光刻过程中的套刻误差的系统和方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52154369A (en) * 1976-06-17 1977-12-22 Philips Nv Method of positioning mask pattern and apparatus therefor
JPS55117240A (en) * 1979-02-27 1980-09-09 Thomson Csf Two motif array optical system and photo repeater using same system
JPS5694744A (en) * 1979-12-18 1981-07-31 Thomson Csf Optical positioning system
JPS5698829A (en) * 1980-01-10 1981-08-08 Toshiba Corp Gap setting device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4340305A (en) * 1977-05-03 1982-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Plate aligning
US4200395A (en) * 1977-05-03 1980-04-29 Massachusetts Institute Of Technology Alignment of diffraction gratings
US4265542A (en) * 1977-11-04 1981-05-05 Computervision Corporation Apparatus and method for fine alignment of a photomask to a semiconductor wafer
US4211489A (en) * 1978-01-16 1980-07-08 Rca Corporation Photomask alignment system
US4332473A (en) * 1979-01-31 1982-06-01 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for detecting a mutual positional relationship of two sample members

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52154369A (en) * 1976-06-17 1977-12-22 Philips Nv Method of positioning mask pattern and apparatus therefor
JPS55117240A (en) * 1979-02-27 1980-09-09 Thomson Csf Two motif array optical system and photo repeater using same system
JPS5694744A (en) * 1979-12-18 1981-07-31 Thomson Csf Optical positioning system
JPS5698829A (en) * 1980-01-10 1981-08-08 Toshiba Corp Gap setting device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6165251A (ja) * 1984-09-07 1986-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
JPH0544817B2 (ja) * 1984-09-07 1993-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPS62190725A (ja) * 1986-02-17 1987-08-20 Tokyo Electron Ltd 二重回折格子による位置合せ方法
JPH038097B2 (ja) * 1986-02-17 1991-02-05 Tokyo Electron Ltd
JPS63283129A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Nikon Corp 位置合わせ装置,該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法
WO1990013062A2 (en) * 1989-04-19 1990-11-01 Gibson, Stewart, Harry Manufacture of flat panel displays

Also Published As

Publication number Publication date
JPH038098B2 (ja) 1991-02-05
US4631416A (en) 1986-12-23

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