JPS62128120A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS62128120A JPS62128120A JP60267869A JP26786985A JPS62128120A JP S62128120 A JPS62128120 A JP S62128120A JP 60267869 A JP60267869 A JP 60267869A JP 26786985 A JP26786985 A JP 26786985A JP S62128120 A JPS62128120 A JP S62128120A
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- Japan
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- wafer
- reticle
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- light
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、微細パターンを持つ装置時に１ミクロンもし
くはそれ以上のサブミクロンのルールを持つ半導体装置
等の露光装置に関するものである０従来の技術 半導体装置は最近ますます高密度化され、各々の素子の
微細パターンの寸法は１ミクロン以下に及んでいる◇従
来からのＬＳＩ製造時のフォトマスクとＬＳＩウェハの
位置合わせは、ウェハに設けた位置合せマークを用いて
、ウェハを着装し念ステージの回転と２軸子行移動し、
フォトマスク上のマークとウェハ上のマークを重ね合わ
せることによって行なっていたが、その位置合わせ精度
は±０．３ミクロン程度であり、サブミクロンの素子を
形成する場合には、合わせ精度が悪く実用にならない。
くはそれ以上のサブミクロンのルールを持つ半導体装置
等の露光装置に関するものである０従来の技術 半導体装置は最近ますます高密度化され、各々の素子の
微細パターンの寸法は１ミクロン以下に及んでいる◇従
来からのＬＳＩ製造時のフォトマスクとＬＳＩウェハの
位置合わせは、ウェハに設けた位置合せマークを用いて
、ウェハを着装し念ステージの回転と２軸子行移動し、
フォトマスク上のマークとウェハ上のマークを重ね合わ
せることによって行なっていたが、その位置合わせ精度
は±０．３ミクロン程度であり、サブミクロンの素子を
形成する場合には、合わせ精度が悪く実用にならない。
また、Ｓ、オースチン（Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ ’Ｖｏｌ ３１Ｎ１７ Ｐ、４２８
、１９７７ ）らが示した干渉法を用いた位置合わせ
方法では、第６図で示したように、入射レーザビーム１
をフォトマスク２に入射させ、フォトマスク２上に形成
した格子３で回折し、この回缶した光をもう一度、ウェ
ハ４上に形成した格子５によって回折することにより、
回折光６，７．８・・・・・・を得る。この回折光は、
フォトマスクでの回折次数とウェハでの回折次数の二値
表示で表わすと、回折光６は（０１１）、回折光子は（
１，１）、回折光８は（−１，２）・・・・・・で表わ
すことができる。この回折光をレンズにより一点に集め
光強度を測定する。
Ｌｅｔｔｅｒｓ ’Ｖｏｌ ３１Ｎ１７ Ｐ、４２８
、１９７７ ）らが示した干渉法を用いた位置合わせ
方法では、第６図で示したように、入射レーザビーム１
をフォトマスク２に入射させ、フォトマスク２上に形成
した格子３で回折し、この回缶した光をもう一度、ウェ
ハ４上に形成した格子５によって回折することにより、
回折光６，７．８・・・・・・を得る。この回折光は、
フォトマスクでの回折次数とウェハでの回折次数の二値
表示で表わすと、回折光６は（０１１）、回折光子は（
１，１）、回折光８は（−１，２）・・・・・・で表わ
すことができる。この回折光をレンズにより一点に集め
光強度を測定する。
回折光は入射レーザビーム１に対して左右対称な位置に
光強度を持ち、フォトマスク２とウェハ４との位置合わ
せには、左右に観察された回折光の強度を一致させるこ
とにより行なえる。この方法では位置合わせ精度は、数
１００人とされている。
光強度を持ち、フォトマスク２とウェハ４との位置合わ
せには、左右に観察された回折光の強度を一致させるこ
とにより行なえる。この方法では位置合わせ精度は、数
１００人とされている。
しかし、この方法においては、フォトマスク２とウェハ
４との位置合わせは、フォトマスク２とウェハ４との間
隔りに犬きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク２とウェハ４を接近させ１間隔り
の精度を保持した状態で位置合わせする必要があり、装
置が複雑となるため、実用に問題があった。
４との位置合わせは、フォトマスク２とウェハ４との間
隔りに犬きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク２とウェハ４を接近させ１間隔り
の精度を保持した状態で位置合わせする必要があり、装
置が複雑となるため、実用に問題があった。
また、サブミクロン線巾を持つ素子の位置合わせには、
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、Ｉ、ＳＩを製造
する上でのスループットが小さくなり実用上問題があっ
た。
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、Ｉ、ＳＩを製造
する上でのスループットが小さくなり実用上問題があっ
た。
また、第６図に示した従来例〔アイイイイ トランズ
オン イーデ（ＩＫｉＣＩＥ 、 ｔｒａｎｓ ｏｎ
Ｅ、Ｄ）ＨＤ −２６，４，１９７４，７２３，Ｇｉ
ｊｓＢｏｕｗｈｕｉｓ 、１では、２枚のＬｌ、Ｌｌの
レンズ系で示されたマイクロレンズのフーリエ変換面に
、レーザビームを入射しレンズＬ２を介してウェハ上に
形成された格子に対してビームｌを照明し、空間フィル
タＳＦで格子から回折される±１次光のみをレンズ系Ｌ
２ｗ Ｌｌを通してレチクルＲ上に入射し、レチク゛
ルＲの近傍において干渉縞を生成し、レチクルに設けた
格子を通過する光を光検出器りで検出して、ウェハＷと
レチクルＲを位置合わせする構成が図示されている。第
６図の構成においては。
オン イーデ（ＩＫｉＣＩＥ 、 ｔｒａｎｓ ｏｎ
Ｅ、Ｄ）ＨＤ −２６，４，１９７４，７２３，Ｇｉ
ｊｓＢｏｕｗｈｕｉｓ 、１では、２枚のＬｌ、Ｌｌの
レンズ系で示されたマイクロレンズのフーリエ変換面に
、レーザビームを入射しレンズＬ２を介してウェハ上に
形成された格子に対してビームｌを照明し、空間フィル
タＳＦで格子から回折される±１次光のみをレンズ系Ｌ
２ｗ Ｌｌを通してレチクルＲ上に入射し、レチク゛
ルＲの近傍において干渉縞を生成し、レチクルに設けた
格子を通過する光を光検出器りで検出して、ウェハＷと
レチクルＲを位置合わせする構成が図示されている。第
６図の構成においては。
ウェハＷ上に形成した非対称の格子に対しては位置を補
正することができないと述べられておシ。
正することができないと述べられておシ。
位置合わせマークの製造方法において、全ての工程やマ
ークで実現不可能であり実用化するに致っていない。
ークで実現不可能であり実用化するに致っていない。
発明が解決しようとする問題点
本発明はこのような従来からの問題に鑑み、微細パター
ンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で行なえ
るＬＳＩのレチクルとウェハの正確かつ容易な位置合わ
せを可能とした露光装置を目的としている。
ンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で行なえ
るＬＳＩのレチクルとウェハの正確かつ容易な位置合わ
せを可能とした露光装置を目的としている。
また、ウェハ上に形成した位置合わせ用の格子が非対象
であっても、その非対象性を検知して修正できる機能を
有する露光装置を提供することを目的としている。
であっても、その非対象性を検知して修正できる機能を
有する露光装置を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は、高精度な位置合わせを投影露光装置において
実現するために、レチクル面上に形成された格子によっ
て波面分割された光束のうち、第ルンズのスペクトル面
で適当な光束を空間フィルターによって通過させ１次に
第２のレンズ系を通過させ、さらに、投影レンズによっ
て基板上に投影する。基板上に設けた第２の格子から回
折された回折光を逆に投影レンズ中及び第２のレンズ系
を通過させ、さらに、第１の格子によって回折された光
束と、第２の格子からの回折光とを互いに干渉させ、干
渉させた光束の光強度を光検出器により測定し、前記レ
チクル上の第１の格子と基板上の第２の格子とを位置合
わせするものである。
実現するために、レチクル面上に形成された格子によっ
て波面分割された光束のうち、第ルンズのスペクトル面
で適当な光束を空間フィルターによって通過させ１次に
第２のレンズ系を通過させ、さらに、投影レンズによっ
て基板上に投影する。基板上に設けた第２の格子から回
折された回折光を逆に投影レンズ中及び第２のレンズ系
を通過させ、さらに、第１の格子によって回折された光
束と、第２の格子からの回折光とを互いに干渉させ、干
渉させた光束の光強度を光検出器により測定し、前記レ
チクル上の第１の格子と基板上の第２の格子とを位置合
わせするものである。
さらに、第２の格子からの複数の回折光と第１の格子か
ら回折される光束を干渉させ各々の光強度を比較するこ
とにより、第２の格子の形状の非対称性を推定すること
ができ、より高精度の位置合わせを実現できる露光装置
を提供することができる。
ら回折される光束を干渉させ各々の光強度を比較するこ
とにより、第２の格子の形状の非対称性を推定すること
ができ、より高精度の位置合わせを実現できる露光装置
を提供することができる。
作用
従来位置合わせマークを形成する際の非対称性について
は補正することができず、位置合わせは、位置合わせマ
ークの非対称を含んだ状態で位置合わせされていたので
、合わせ誤差が大きかった。
は補正することができず、位置合わせは、位置合わせマ
ークの非対称を含んだ状態で位置合わせされていたので
、合わせ誤差が大きかった。
本発明による上記手段を持つ露光装置は、位置合わせマ
ークの非対称性について補正が可能であり、より高い精
度の位置合わせを実現するものである。
ークの非対称性について補正が可能であり、より高い精
度の位置合わせを実現するものである。
実施例
本発明による光学系の実施例を第１図に示した。
光源１１から出た光（この図ではより鮮明な干渉性とよ
り深い焦点深度を得るために、レーザ光を想定した構成
になっているが、全体の光学系は白色干渉光学系であり
、水銀灯などのスペクトル光源でもよい。）をビームエ
クスパンダ１２により拡大し、この光を平行光又は収来
光に変換するためのコリメータレンズ又はコンデンサレ
ンズで構成された照明光学系１３によって第１のレンズ
系１６の入射瞳に対して入射する。
り深い焦点深度を得るために、レーザ光を想定した構成
になっているが、全体の光学系は白色干渉光学系であり
、水銀灯などのスペクトル光源でもよい。）をビームエ
クスパンダ１２により拡大し、この光を平行光又は収来
光に変換するためのコリメータレンズ又はコンデンサレ
ンズで構成された照明光学系１３によって第１のレンズ
系１６の入射瞳に対して入射する。
以下の説明では５本発明の原理を簡潔に述べるためにレ
チクルは平行光束によって照明され、第１及び第２のレ
ンズ系は、フーリエ変換レンズとするが、必らずしもフ
ーリエ変換レンズでなくてもよい。
チクルは平行光束によって照明され、第１及び第２のレ
ンズ系は、フーリエ変換レンズとするが、必らずしもフ
ーリエ変換レンズでなくてもよい。
光源１１と縮小投影レンズ１９との間にレチクル１４と
第１のレンズ１５．空間フィルタ１６゜第２のレンズ１
７が配置され、レチクル１４のパターンを２次光源とし
て出た像を第１のレンズによって一旦集光し、さらに第
２のレンズ１７を通してレチクル１４上のパターンの像
を縮小投影レンズ１９を通してウェハ（半導体基板）１
８上に投影する。第１のレンズの後側焦点面には、レチ
クル上のパターンの回折光（フーリエスペクトル）が空
間的に分布しており、本発明の構成例においては、この
フーリエ変換面に空間フィルター１６を配置してスペク
トル面でフィルタリングして、第１図ではレチクル面で
回折された０次の光重〇のみをウェハ１８上に投影して
いる。
第１のレンズ１５．空間フィルタ１６゜第２のレンズ１
７が配置され、レチクル１４のパターンを２次光源とし
て出た像を第１のレンズによって一旦集光し、さらに第
２のレンズ１７を通してレチクル１４上のパターンの像
を縮小投影レンズ１９を通してウェハ（半導体基板）１
８上に投影する。第１のレンズの後側焦点面には、レチ
クル上のパターンの回折光（フーリエスペクトル）が空
間的に分布しており、本発明の構成例においては、この
フーリエ変換面に空間フィルター１６を配置してスペク
トル面でフィルタリングして、第１図ではレチクル面で
回折された０次の光重〇のみをウェハ１８上に投影して
いる。
ウェハ１８上に投影された光は、ウエノ・上に設けた格
子によって回折され、その回折光は、縮小投影レンズ１
９を逆に戻り、さらに第２レンズ１７を通過し、空間フ
ィルタ１６に至る。この空間フィルタ１６において、レ
チクル１４から回折され７’ｍＩ＋＋とＩ−１の光と、
ウェハ１８から回折され７’ｍＩ’＋ｔ と 工′−
１とが重ね合わされ、光検出器Ｄ１．Ｄ２にてレチクル
の位置情報である位相とウェハの位置情報が比較される
。
子によって回折され、その回折光は、縮小投影レンズ１
９を逆に戻り、さらに第２レンズ１７を通過し、空間フ
ィルタ１６に至る。この空間フィルタ１６において、レ
チクル１４から回折され７’ｍＩ＋＋とＩ−１の光と、
ウェハ１８から回折され７’ｍＩ’＋ｔ と 工′−
１とが重ね合わされ、光検出器Ｄ１．Ｄ２にてレチクル
の位置情報である位相とウェハの位置情報が比較される
。
以下詳細に各部の説明を加える。
第２図は本発明の露光装置に用いられるレチクルである
。第２図ａはレチクル１４の平面図であり、第２図すは
ａのムー人線断面図である。レチクル１４中には１回路
パターン部４２とその周辺部４３から成り、周辺部４３
のスクライブラインにあたる部分に位置合わせ用格子パ
ターン４１゜４１′が形成されている。レチクル１４に
は入射光４４人射し、第２図すに示すように、パターン
４１内部では位相格子４１パターンによって％０次。
。第２図ａはレチクル１４の平面図であり、第２図すは
ａのムー人線断面図である。レチクル１４中には１回路
パターン部４２とその周辺部４３から成り、周辺部４３
のスクライブラインにあたる部分に位置合わせ用格子パ
ターン４１゜４１′が形成されている。レチクル１４に
は入射光４４人射し、第２図すに示すように、パターン
４１内部では位相格子４１パターンによって％０次。
±１次、±２次・・・・・・のように複数の回折光が回
折される。パターン４１を取り巻くしゃ断部４３はクロ
ムや酸化クロム等の膜で形成されており、入射光４４を
、パターン４１の内部のみ通過させている。
折される。パターン４１を取り巻くしゃ断部４３はクロ
ムや酸化クロム等の膜で形成されており、入射光４４を
、パターン４１の内部のみ通過させている。
第２図の例においては、回折光を得るために位相格子パ
ターン４１を用いているが、この格子は振幅格子でもよ
く、入射光がななめから入射する場合にはエシェレット
格子でもよい０ 第３図はさらに本発明の露光装置の原理説明図である。
ターン４１を用いているが、この格子は振幅格子でもよ
く、入射光がななめから入射する場合にはエシェレット
格子でもよい０ 第３図はさらに本発明の露光装置の原理説明図である。
光源１１から出た波長λの光はビームエクスパンダ１２
によって拡大され、さらに照明光学系１３を構成するコ
リメータレンズ２１で所定の広がりを持つ平行光にされ
る。第１フーリエ変換レンズ１５の前側焦点ｆ１の位置
ｘ１にレチクル１４上の位相格子パターン４１を配置す
る。位相格子パターン４１のビヮチＰ１と回折光の回折
角θ１は Ｐ１ｓｉｎθｎ＝ｎλ（ｎ＝ｏ、±１．±２・−・−）
の関係がある。このように複数の光束に回折された光は
フーリエ変換レンズ１６に入射し、さらに後側焦点面に
各々の回折光に相当するフーリエスペクトル像を結ぶ。
によって拡大され、さらに照明光学系１３を構成するコ
リメータレンズ２１で所定の広がりを持つ平行光にされ
る。第１フーリエ変換レンズ１５の前側焦点ｆ１の位置
ｘ１にレチクル１４上の位相格子パターン４１を配置す
る。位相格子パターン４１のビヮチＰ１と回折光の回折
角θ１は Ｐ１ｓｉｎθｎ＝ｎλ（ｎ＝ｏ、±１．±２・−・−）
の関係がある。このように複数の光束に回折された光は
フーリエ変換レンズ１６に入射し、さらに後側焦点面に
各々の回折光に相当するフーリエスペクトル像を結ぶ。
−次の回折光のフーリエスペクトルに対応する座標 ξ
６１は ξｂ１ ＝、ｆ＋ｓＬｎθ。
６１は ξｂ１ ＝、ｆ＋ｓＬｎθ。
Ｐ１ｓｉｎθ１＝λ
で示され、０次の回折光のフーリエスペクトルξ６０
ξ６ｇ＝ｆ、ｓｉｎθｏ＝。
とは完全に分離された状態でフーリエ変換面に７ＩＪニ
スベクトル像を結ぶ。第３図に示したようにこのフーリ
エ変換面上に空間フィルタ１６を配置し、０次光のみを
通過させる。±１次の光は。
スベクトル像を結ぶ。第３図に示したようにこのフーリ
エ変換面上に空間フィルタ１６を配置し、０次光のみを
通過させる。±１次の光は。
フーリエ変換面近傍でディテクタの方向１１１゜１１２
に導ひかれる。０次光成分は、第２のレンズ系を通過後
、縮小投影レンズ（第３図中では省略している）を通過
し、ウェハ上に投影される。
に導ひかれる。０次光成分は、第２のレンズ系を通過後
、縮小投影レンズ（第３図中では省略している）を通過
し、ウェハ上に投影される。
ウェハＷ上に投影された像は、レチクル上の開口部（パ
ターン４１）の像を大略結ぶとともに、ウェハ上に形成
されている格子によって回折光を反射する。ウェハ上に
形成する格子のピッチＰ２とレチクル上の格子のピッチ
Ｐ１との関係をとすると、ウェハ上の格子からの回折光
はフーリエ変換面において、フーリエスペクトルを６０
゜６１．６２に結ぶように逆方向に進む。このウェハに
よって反射された回折光１１３，１１４と。
ターン４１）の像を大略結ぶとともに、ウェハ上に形成
されている格子によって回折光を反射する。ウェハ上に
形成する格子のピッチＰ２とレチクル上の格子のピッチ
Ｐ１との関係をとすると、ウェハ上の格子からの回折光
はフーリエ変換面において、フーリエスペクトルを６０
゜６１．６２に結ぶように逆方向に進む。このウェハに
よって反射された回折光１１３，１１４と。
レチクルによって回折され７ｚ１１１，１１２とをハー
フミラ−（ＨＭ）によってその位置を比較すると、レチ
クル４１−座標６１及び座標６１−ウェハ上の格子位置
に関する位置と、レチクル４１−座標６２及び座標６２
−ウェハ上の格子位置に関する位置とが光強度の差とし
て表われる。ウェハ上の格子位置には光軸と直角方向の
位置情報も含まれており、ウェハを光軸に対して直角方
向に移動すると、ハーフミラ−ＨＭを通過した光の強度
はＣＯＳ状に変化する。この００ｇ状の光強度変化から
、格子Ｇの位置を知ることができる。
フミラ−（ＨＭ）によってその位置を比較すると、レチ
クル４１−座標６１及び座標６１−ウェハ上の格子位置
に関する位置と、レチクル４１−座標６２及び座標６２
−ウェハ上の格子位置に関する位置とが光強度の差とし
て表われる。ウェハ上の格子位置には光軸と直角方向の
位置情報も含まれており、ウェハを光軸に対して直角方
向に移動すると、ハーフミラ−ＨＭを通過した光の強度
はＣＯＳ状に変化する。この００ｇ状の光強度変化から
、格子Ｇの位置を知ることができる。
第４図は格子形状が非対称であるときの位置合わせを示
している。入射光は格子に対して垂直に入射し、格子か
らは回折光が左右対称に回折される。格子Ｇの形状が対
称である場合、第４図１に示すように１回折光の位相を
示す波面は左右対称である。−力筒４図すに示すように
、格子Ｇの形状が左右非対称であるときは、格子Ｇの形
状の非対称性に対応した位相のずれを生じ１図に示すよ
うに格子形状が対称であるときと比較すると左右の回折
光の波面Ｓがずれる。
している。入射光は格子に対して垂直に入射し、格子か
らは回折光が左右対称に回折される。格子Ｇの形状が対
称である場合、第４図１に示すように１回折光の位相を
示す波面は左右対称である。−力筒４図すに示すように
、格子Ｇの形状が左右非対称であるときは、格子Ｇの形
状の非対称性に対応した位相のずれを生じ１図に示すよ
うに格子形状が対称であるときと比較すると左右の回折
光の波面Ｓがずれる。
この非対称形状の位置情報を持つ回折光を第１図に示す
光学系により、レチクルからの回折光の位相との比較を
行なって格子の非対称形状を考慮した位置合わせを行な
う。
光学系により、レチクルからの回折光の位相との比較を
行なって格子の非対称形状を考慮した位置合わせを行な
う。
格子の溝が対称な場合は％ａのように干渉縞の中心と格
子溝の中心が位置合わせされるが、ｂのように非対称の
場合には、位置合わせの位置は設計時の位置Ｈのセンタ
Ｔからずれた位置Ｓに合うため、大きな合わせ誤差とな
る。第６図すでは、各回折光強度の測定から推定した格
子形状に対して補正するため正確な位置合わせを行なえ
る。また、補正のために移動した距離は光強度の変化量
として検出できるので、モ゛ニタできる。よって。
子溝の中心が位置合わせされるが、ｂのように非対称の
場合には、位置合わせの位置は設計時の位置Ｈのセンタ
Ｔからずれた位置Ｓに合うため、大きな合わせ誤差とな
る。第６図すでは、各回折光強度の測定から推定した格
子形状に対して補正するため正確な位置合わせを行なえ
る。また、補正のために移動した距離は光強度の変化量
として検出できるので、モ゛ニタできる。よって。
ステージの移動を正確に確認できる。
次に補正値の入力については、格子の溝が非対称でディ
テクタ（光検出器）位置がウェハに対して垂直の回折光
（第３図の場合には左右±１次の光）を検出して干渉縞
と格子を位置合わせするとき、第４図に示したようにＳ
に合う。このとき、予め推定した格子形状により、格子
溝の底の位置ＨのセンタＴとＳとの差を読み取り、補正
値を入力する。補正値の大きさは、Ｔ、！：Ｓの差から
類推される値と、実際に工程を流して蓄積されたデータ
とを比較して決定する。この補正値に対して基板を移動
し、高い精度の位置合わせを行なう。
テクタ（光検出器）位置がウェハに対して垂直の回折光
（第３図の場合には左右±１次の光）を検出して干渉縞
と格子を位置合わせするとき、第４図に示したようにＳ
に合う。このとき、予め推定した格子形状により、格子
溝の底の位置ＨのセンタＴとＳとの差を読み取り、補正
値を入力する。補正値の大きさは、Ｔ、！：Ｓの差から
類推される値と、実際に工程を流して蓄積されたデータ
とを比較して決定する。この補正値に対して基板を移動
し、高い精度の位置合わせを行なう。
発明の効果
本発明により、干渉縞を媒介としてレチクル上のパター
ンをウェハ上に高い精度で位置合わせし。
ンをウェハ上に高い精度で位置合わせし。
さらに、ウェハ上に形成した格子の形状を推定し。
形状が非対称である場合には位置の補正を行なってよシ
高い精度の位置合わせを打力うことかできる。
高い精度の位置合わせを打力うことかできる。
【図面の簡単な説明】
第３図は本発明による位置合わせ光学系の詳細説明図、
第４図ａは本発明による格子の溝形状が対称である場合
の干渉縞と溝の位置合わせ状態を示す図、第４図すは本
発明による格子の溝形状が非対称である場合の干渉縞と
溝の位置合わせ状態を示す図、第５図は従来からの２重
格子法による位置合わせの原理図、第６図は従来からの
レチクルとウェハを干渉縞を用いて位置合わせる場合の
構成図である。 １１・・・・・・光源、１３・・・・・・照明光学系、
１４・・・・・・レチクル、１５．１７・・・・・・第
１．第２のフーリエ変換レンズ、１６・・・・・・空間
フィルター、１８・・・・・・ウェハ、Ｇ・・・・・・
格子ｈ ”１ ｗ ”２・・・・・・光検出器。 第２図 （（Ｌ） 心 さ ＼ 第４１！Ｉ （山） 第５図 第６図
第４図ａは本発明による格子の溝形状が対称である場合
の干渉縞と溝の位置合わせ状態を示す図、第４図すは本
発明による格子の溝形状が非対称である場合の干渉縞と
溝の位置合わせ状態を示す図、第５図は従来からの２重
格子法による位置合わせの原理図、第６図は従来からの
レチクルとウェハを干渉縞を用いて位置合わせる場合の
構成図である。 １１・・・・・・光源、１３・・・・・・照明光学系、
１４・・・・・・レチクル、１５．１７・・・・・・第
１．第２のフーリエ変換レンズ、１６・・・・・・空間
フィルター、１８・・・・・・ウェハ、Ｇ・・・・・・
格子ｈ ”１ ｗ ”２・・・・・・光検出器。 第２図 （（Ｌ） 心 さ ＼ 第４１！Ｉ （山） 第５図 第６図
Claims (1)
- 光源、照明光学系、レチクル、第１のレンズ系、空間フ
ィルター、第２のレンズ系、縮小投影光学系、基板およ
びこの基板を保持するステージ、光検出器を有してなる
露光装置の前記レチクル面上に第１の格子が形成されて
おり、前記光源から出た光束を照明光学系を通して前記
レチクル面上の格子に入射させて、前記光束を波面分割
し、前記第１のレンズ系に導びくとともに、前記第１の
レンズ系のスペクトル面付近に設けた所定の空間フィル
ターによって所定のスペクトルを選択的に透過せしめて
、前記スペクトルを持つ光束を前記第２のレンズ系を通
過させ、さらに、縮小投影光学系を通して第２の格子を
持つ前記基板に光束を投影し、前記第２の格子から回折
された回折光を前記縮小投影光学系、第２のレンズ系を
逆方向に通過せしめ、前記第１の格子によって波面分割
された光束と、前記第２の格子によって回折された光束
とを互いに干渉させ、干渉させた光束の光強度を光検出
器により測定し、前記レチクル上の第１の格子と前記基
板上の第２の格子を位置合わせすることを特徴とする露
光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267869A JPS62128120A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 露光装置 |
| US06/916,738 US4771180A (en) | 1985-10-11 | 1986-10-08 | Exposure apparatus including an optical system for aligning a reticle and a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267869A JPS62128120A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128120A true JPS62128120A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17450758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267869A Pending JPS62128120A (ja) | 1985-10-11 | 1985-11-28 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128120A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5325176A (en) * | 1988-02-16 | 1994-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus including Fraunhofer diffraction detector |
| CN112987504A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-06-18 | 哈尔滨工业大学 | 焦点校准系统及基于光束扫描角度调制的焦点校准方法 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP60267869A patent/JPS62128120A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5325176A (en) * | 1988-02-16 | 1994-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and apparatus including Fraunhofer diffraction detector |
| CN112987504A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-06-18 | 哈尔滨工业大学 | 焦点校准系统及基于光束扫描角度调制的焦点校准方法 |
| CN112987504B (zh) * | 2021-02-04 | 2023-10-20 | 哈尔滨工业大学 | 焦点校准系统及基于光束扫描角度调制的焦点校准方法 |
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