JPS6066818A - 位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPS6066818A JPS6066818A JP58175353A JP17535383A JPS6066818A JP S6066818 A JPS6066818 A JP S6066818A JP 58175353 A JP58175353 A JP 58175353A JP 17535383 A JP17535383 A JP 17535383A JP S6066818 A JPS6066818 A JP S6066818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grating
- light
- pitch
- interference fringes
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、精度の高い位置合わせ装置、特に高密な半導
体装置(以下LSIとよぶ)の位置合わせ装置に適用で
きる位置合わせ方法に関する。
体装置(以下LSIとよぶ)の位置合わせ装置に適用で
きる位置合わせ方法に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体装置は最近捷す捷ず高密度化され、各々の素子の
微細パターンの寸法は1ミクロンリ、士に及んでいる。
微細パターンの寸法は1ミクロンリ、士に及んでいる。
従来からのLSI製造時のノ(l・マスクとLSIウェ
ハの位置合わぜは、ウェハにn2けた位置合せマークを
用いて、ウェハを危装L /;−ステージの回転と2軸
子行移動し、)」トマスク上のマークとウニか上のマー
クを重ね合わ−(することに」=って行なっていたか、
その位置合わせ精度←]、生0.3ミクロン程度であり
、サブミクロンの素子を形成する場合には、合わせ精度
が悪く実用にならない。寸だ、S、オースチン(App
l 1edphysics Letters Vol
31 & 7 P 、 428 、197γ)らか示し
た干渉法を用いた位置合わせ方法では、第1図で示した
ように、入射レーザビーム1をフォトマスク2に入射さ
ぜ、フォトマスク2上に形成した格子3で回折し、この
回折した光をもう一度、ウェハ4上に形成した格子6に
よって回折することにJ:す、回折光6,7.8・・・
・・を得る。この回折光は、フォトマスクでの回折次数
とウエノ・ての回4]i次数の二値表示で表わすと、回
折光6は(0,1)、回折光7は(1,1)、回折光8
は(−1,2) ・・て表わすことができる。この回」
ノ1光をレンズ(ICより一点に集め光強度を測定する
。
ハの位置合わぜは、ウェハにn2けた位置合せマークを
用いて、ウェハを危装L /;−ステージの回転と2軸
子行移動し、)」トマスク上のマークとウニか上のマー
クを重ね合わ−(することに」=って行なっていたか、
その位置合わせ精度←]、生0.3ミクロン程度であり
、サブミクロンの素子を形成する場合には、合わせ精度
が悪く実用にならない。寸だ、S、オースチン(App
l 1edphysics Letters Vol
31 & 7 P 、 428 、197γ)らか示し
た干渉法を用いた位置合わせ方法では、第1図で示した
ように、入射レーザビーム1をフォトマスク2に入射さ
ぜ、フォトマスク2上に形成した格子3で回折し、この
回折した光をもう一度、ウェハ4上に形成した格子6に
よって回折することにJ:す、回折光6,7.8・・・
・・を得る。この回折光は、フォトマスクでの回折次数
とウエノ・ての回4]i次数の二値表示で表わすと、回
折光6は(0,1)、回折光7は(1,1)、回折光8
は(−1,2) ・・て表わすことができる。この回」
ノ1光をレンズ(ICより一点に集め光強度を測定する
。
回1)1>ll′、(fll、入射レーザビーム1に対
して左右対称なII冒1″1に光強度を持ち、)A上マ
スク2とウェハ4とのイ\シ置合わぜには、左右に観察
された回折光のり・11度を一致させることにより行な
える。この方法では位置合わせ精度は、数100人とさ
ハている。
して左右対称なII冒1″1に光強度を持ち、)A上マ
スク2とウェハ4とのイ\シ置合わぜには、左右に観察
された回折光のり・11度を一致させることにより行な
える。この方法では位置合わせ精度は、数100人とさ
ハている。
しかし、この方法においては、フォトマスク2とウェハ
4との位置合わせは、フォトマスク2とウェハ4との間
隔りに大きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク2とウェハ4を接近させ、間隔り
の精度を保持した状態で位置合わせする必要があり装置
が複雑となる/、−め、実用に問題があっ7’j。
4との位置合わせは、フォトマスク2とウェハ4との間
隔りに大きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク2とウェハ4を接近させ、間隔り
の精度を保持した状態で位置合わせする必要があり装置
が複雑となる/、−め、実用に問題があっ7’j。
また、サブミクロン線巾を持つ素子の位置合わせには、
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、LSIを製造す
る上でのスルーグツトか小さくなり実用上問題があった
。
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、LSIを製造す
る上でのスルーグツトか小さくなり実用上問題があった
。
発明の目的
本発明はこのような従来からの問題に鑑み、微細パター
ンの位置合わせを大気中で、かつ、171j単な構成で
行なえるLSIのフ、1]・マスクとウェハの正確かつ
容易な位置合わせ方法を提供することを目的としている
。
ンの位置合わせを大気中で、かつ、171j単な構成で
行なえるLSIのフ、1]・マスクとウェハの正確かつ
容易な位置合わせ方法を提供することを目的としている
。
発明の構成
本発明は、コヒーレントな光を二方向から入射させ、こ
の光の三光束の干渉により得られる干渉縞に対して平行
に配置された格子を前記三光束の光路中に持ち、この格
子によって反射または透過し/ζ光をレンズを通して集
光し、光強度を測定することにより、前記三光束の干渉
縞と格子との相対位置を検知する方法により、半導体微
細素子の位置合わせを高精度に行なうことを実現するも
のである。そして、基板上の格子のピンチを干渉縞のピ
ッチの整数倍とすることにより、ホトリソグシフィ技術
に」7って位置合わせ用の格子をLSIパターンを形成
する際同時に形成し、高T?j度の位置合わせを行うこ
とのできる方法を提供するものである。
の光の三光束の干渉により得られる干渉縞に対して平行
に配置された格子を前記三光束の光路中に持ち、この格
子によって反射または透過し/ζ光をレンズを通して集
光し、光強度を測定することにより、前記三光束の干渉
縞と格子との相対位置を検知する方法により、半導体微
細素子の位置合わせを高精度に行なうことを実現するも
のである。そして、基板上の格子のピンチを干渉縞のピ
ッチの整数倍とすることにより、ホトリソグシフィ技術
に」7って位置合わせ用の格子をLSIパターンを形成
する際同時に形成し、高T?j度の位置合わせを行うこ
とのできる方法を提供するものである。
実施例の説明
第2図に本発明による位置検知方法を実施できるポログ
ラフインク露光装置および光検知器を具(+iii L
だ位置合わせ装置を示し7た。コヒーレントな>II
10 Qレーザー発生装置からビームスプリッタ(BS
)に入射させ、はぼ同一強度の反射光11と透過光1
2とに振幅分割し、各々反射鏡M1 と反射鏡愚に入射
し、ウェハWの表面に対して双方の反射光がほぼ等しい
角度θて入射するように、B 、 S 、 Ml、 M
2. Wを配置する。ウエノ・(半導体基板)W上には
格子Gが形成されており、格子Gによって回折した反射
光13および14が、各々レンズL1 およびL2を通
して光検知器D1 およびD2に入射する。なお、格子
Giウエノ・の所定領域に規則的に形成したくり返しパ
ターンを用いればよい。
ラフインク露光装置および光検知器を具(+iii L
だ位置合わせ装置を示し7た。コヒーレントな>II
10 Qレーザー発生装置からビームスプリッタ(BS
)に入射させ、はぼ同一強度の反射光11と透過光1
2とに振幅分割し、各々反射鏡M1 と反射鏡愚に入射
し、ウェハWの表面に対して双方の反射光がほぼ等しい
角度θて入射するように、B 、 S 、 Ml、 M
2. Wを配置する。ウエノ・(半導体基板)W上には
格子Gが形成されており、格子Gによって回折した反射
光13および14が、各々レンズL1 およびL2を通
して光検知器D1 およびD2に入射する。なお、格子
Giウエノ・の所定領域に規則的に形成したくり返しパ
ターンを用いればよい。
レーザの波長をλ、 1vL、 、 M2からの反射光
11゜12が干渉して作る干渉縞のピッチをΔとすると
、ウェハ上にできる干渉縞は A−λ/ 2 sinθ で表わせる。
11゜12が干渉して作る干渉縞のピッチをΔとすると
、ウェハ上にできる干渉縞は A−λ/ 2 sinθ で表わせる。
この干渉縞のピッチΔにほぼ等しいピッチを持つ格子G
からは、2光束11と12の干渉し〆こ光を波面分割す
る格子Gによって回折された光が得られ、さらにレンズ
L1.L2を通して波面分割された光を集束して干渉さ
ぜると2光束の干渉縞と格子Gとの間の位置関係を示す
光強度情報か得られる。光検知器り、およびD2上での
観測される光強度工は I ”” uA” + u B 2 + uA*” u
B + uA@ uB*たたし、uA 、 uB Id
−各々光束11.12の振幅強度uA*、uB*は、共
役複素振幅である。
からは、2光束11と12の干渉し〆こ光を波面分割す
る格子Gによって回折された光が得られ、さらにレンズ
L1.L2を通して波面分割された光を集束して干渉さ
ぜると2光束の干渉縞と格子Gとの間の位置関係を示す
光強度情報か得られる。光検知器り、およびD2上での
観測される光強度工は I ”” uA” + u B 2 + uA*” u
B + uA@ uB*たたし、uA 、 uB Id
−各々光束11.12の振幅強度uA*、uB*は、共
役複素振幅である。
+Kx (sinθA−”θB)1
(ただし、A、Bは定数、N:格子の数、δA。
δBは隣接した2格子によって回折さJ]た光の間の光
路差、Xは光束11と光束12とのト渉縞と格子との間
の相対的位置関係、θA、θBは光束11及び12とウ
ニ・・の垂線とのなす角)として示される。第3図はウ
ェハが光を透過する場合の位16合わせ装置の配置を示
したものであり、光検知器D3.D4及び光学系L1.
L2がウェハWの後方にf位置している。
路差、Xは光束11と光束12とのト渉縞と格子との間
の相対的位置関係、θA、θBは光束11及び12とウ
ニ・・の垂線とのなす角)として示される。第3図はウ
ェハが光を透過する場合の位16合わせ装置の配置を示
したものであり、光検知器D3.D4及び光学系L1.
L2がウェハWの後方にf位置している。
次に、第4図に光強度Iの観測角度依存性を示し/こ。
干渉縞のピッチを1μm、格子のピンチを2pmとした
場合の図である。光強度に鋭いピークが現われるのは光
強度Iで示されているように、干渉縞のピッチに対して
格子のピンチが整数倍のときに限られている。そして、
第4図において、観測角度をO〜π/2と変化させると
6つのピークがあられれ、θ2のピークには、入射光1
1.12の0次の回折光が重なる。θ4のピークは干渉
縞と格子のピッチが等しい場合の1次の回折光か含まれ
ている。θ1〜θ6の各々のピークに干渉縞とウェハ上
の格子との間の位置情報が含捷れている。
場合の図である。光強度に鋭いピークが現われるのは光
強度Iで示されているように、干渉縞のピッチに対して
格子のピンチが整数倍のときに限られている。そして、
第4図において、観測角度をO〜π/2と変化させると
6つのピークがあられれ、θ2のピークには、入射光1
1.12の0次の回折光が重なる。θ4のピークは干渉
縞と格子のピッチが等しい場合の1次の回折光か含まれ
ている。θ1〜θ6の各々のピークに干渉縞とウェハ上
の格子との間の位置情報が含捷れている。
第5図に、光検出器の位置を第4図のピークを示す位置
に固定し、光束11と光束12の作る干渉縞とウェハ」
二の格子との間の相対位置Xを変化させたときの光強度
Iの変化を示した。相対位置Xの変化は、格子のピッチ
2毎に光強度を周期的に変化させ、光強度を観測するこ
とによって、干渉縞と格子との間の相対位置を示すこと
ができる。
に固定し、光束11と光束12の作る干渉縞とウェハ」
二の格子との間の相対位置Xを変化させたときの光強度
Iの変化を示した。相対位置Xの変化は、格子のピッチ
2毎に光強度を周期的に変化させ、光強度を観測するこ
とによって、干渉縞と格子との間の相対位置を示すこと
ができる。
実際のLSIのパターンを形成するときの位置合わぜは
、ウェハ上に形成された回路素子部分のパターンと露光
し」:うとする三光束の干渉縞との間の位1ど”+1合
わせである。第6図1は、その様子を示し、た。つj−
ノ・W上には回折格子2oとゲートノくターフ21とが
従来からのホトリソグラフィによっで形成されている。
、ウェハ上に形成された回路素子部分のパターンと露光
し」:うとする三光束の干渉縞との間の位1ど”+1合
わせである。第6図1は、その様子を示し、た。つj−
ノ・W上には回折格子2oとゲートノくターフ21とが
従来からのホトリソグラフィによっで形成されている。
この回折格子20は、ゲートハターノ21と正確に位置
決めされており、たと、、l i、J、チア1間に位置
しているチップ切断用の余白(スクライブライン)に設
けることができる。
決めされており、たと、、l i、J、チア1間に位置
しているチップ切断用の余白(スクライブライン)に設
けることができる。
格子20のピッチは光露光やX線露光で正確に形成゛C
,%る範囲の干渉縞のピッチに対して整数倍の線巾に形
成されている。干渉縞22はウェハ全体又は位置合わせ
用の格子20に照射され格子2゜と干渉縞22の相対的
な位置合わぜが行なわ11るとともに、パターン21と
干渉縞22との間の相対的な位置合わせを行なうことが
できる。
,%る範囲の干渉縞のピッチに対して整数倍の線巾に形
成されている。干渉縞22はウェハ全体又は位置合わせ
用の格子20に照射され格子2゜と干渉縞22の相対的
な位置合わぜが行なわ11るとともに、パターン21と
干渉縞22との間の相対的な位置合わせを行なうことが
できる。
第7図に従来からの位置合わせマーク14と格子Gとを
組み合わせた場合の位置合わせパターンを示した。図に
示されているように、十字の位置合わせマークMが格子
Gのパターンの中に形成さJlている。この格子に十字
の位置合わせマークの入ったパターンに三光束を照射す
ると、第7図のパターンからの回折光は四辺形の明パタ
ーンの中に十字の暗パターンが組み合わさったもので、
イ1シ置合わせが不十分であると第8図aのように十字
の暗パターンが二実に見える状態となり、第8図すのよ
うに十字のパターンを合わぜるべく位置合ぜを行う。す
なわち、この十字のパター/に合わ(iて光検知手段を
設けると従来と同様のパターン付置合わせを行なうこと
ができる。こうし/ζ従来と同様の位置合わせ方法によ
って0.3ミクロン程度の概略の位(ill:合わせか
てきる。こうした位置合せか5tイると、第8区すに示
しだように、四辺形の明バク−7の中にモアレ状縞が観
測されるようになり、このAI:、i 、−、用いて本
発明の位、置合わせ方法により2−211.9間に高A
1“1度の位置合わせを行なうことができる。
組み合わせた場合の位置合わせパターンを示した。図に
示されているように、十字の位置合わせマークMが格子
Gのパターンの中に形成さJlている。この格子に十字
の位置合わせマークの入ったパターンに三光束を照射す
ると、第7図のパターンからの回折光は四辺形の明パタ
ーンの中に十字の暗パターンが組み合わさったもので、
イ1シ置合わせが不十分であると第8図aのように十字
の暗パターンが二実に見える状態となり、第8図すのよ
うに十字のパターンを合わぜるべく位置合ぜを行う。す
なわち、この十字のパター/に合わ(iて光検知手段を
設けると従来と同様のパターン付置合わせを行なうこと
ができる。こうし/ζ従来と同様の位置合わせ方法によ
って0.3ミクロン程度の概略の位(ill:合わせか
てきる。こうした位置合せか5tイると、第8区すに示
しだように、四辺形の明バク−7の中にモアレ状縞が観
測されるようになり、このAI:、i 、−、用いて本
発明の位、置合わせ方法により2−211.9間に高A
1“1度の位置合わせを行なうことができる。
以上、本発明による実施例では、半導体装置の製造に用
いる露光装置においてウェハ上に形成さtt、でいるパ
ターンと露光しようとするパターンとの間の、1°rt
P+’1度の位置合わせについて述べた。本位i、1
7.″合わぜのの19行う露光方法はホログラフィ法に
」、る二元シ(シ十渉縞の露光、従来からのホトリソグ
シノ(+ r”jjrμJ−投影露光、X線露光、電子
ヒーム露>Y、; 封)λ・1目いることかできる。
いる露光装置においてウェハ上に形成さtt、でいるパ
ターンと露光しようとするパターンとの間の、1°rt
P+’1度の位置合わせについて述べた。本位i、1
7.″合わぜのの19行う露光方法はホログラフィ法に
」、る二元シ(シ十渉縞の露光、従来からのホトリソグ
シノ(+ r”jjrμJ−投影露光、X線露光、電子
ヒーム露>Y、; 封)λ・1目いることかできる。
発明の効宋
以上のように、本発明は互いに共役な光束を干、・li
=させ、ての結果イ(Iられた干渉縞とウェハ」−に形
成した干渉41”jのピッチに利して整数倍のピッチリ
i1’! ”1をイ11幻的(/c位置合わぜすること
(・ζより、格子か1)反1’lJ又は透過して波面分
割された光を再び干渉させて光強度を観セ則すると、2
尤東の+?’l” A−”、′lと格子との間の相対位
置を読み取ることができ、(:′j度の高い位置合わせ
か可能となる。、さも(・(:このJj法を、レーザホ
ログラフ2fによる露光方θ、に応用すると、マスクレ
スの位置合わせおよび露光ろ神11時に行なうことがで
きる。1だ、位置合わぜの31゛(度はウェハ上の格子
ピンチが171mのとき数100への位置合わせ精度か
可能てあ;0.、C。
=させ、ての結果イ(Iられた干渉縞とウェハ」−に形
成した干渉41”jのピッチに利して整数倍のピッチリ
i1’! ”1をイ11幻的(/c位置合わぜすること
(・ζより、格子か1)反1’lJ又は透過して波面分
割された光を再び干渉させて光強度を観セ則すると、2
尤東の+?’l” A−”、′lと格子との間の相対位
置を読み取ることができ、(:′j度の高い位置合わせ
か可能となる。、さも(・(:このJj法を、レーザホ
ログラフ2fによる露光方θ、に応用すると、マスクレ
スの位置合わせおよび露光ろ神11時に行なうことがで
きる。1だ、位置合わぜの31゛(度はウェハ上の格子
ピンチが171mのとき数100への位置合わせ精度か
可能てあ;0.、C。
第1図は従来例による位置合わせの説明図、第2図は本
発明による反射型の位置合わせ装置の概略構成図、第3
図は本発明による透過型の位置合わせ装置の概略構成図
、第4図は光検知器によ−・で観測される光強度の観測
用依存4シ1−をノJ<ず図、第5図は光検知器によっ
て観測さtする光強1変の変(I(依存性を示す図、第
6図は本発明によるウェハ+のパターンの位置合わせを
説明する」′−面図、第7図は本発明による位置合わせ
と従来からの位置合わせマークとの並用を示す平面図、
第a l;<+(a) 、 (b)は第7図の位置合わ
ぜマークによる位置合わぜの説明1:/1である。 10 ・・・コヒーレント光、11 ・・反射光、12
・・・透過光、20 ・格子、22・・干渉縞、W・ウ
ェハ、G −格子、Dl、D2・・・光検知器、M 位
置合わせマーク。 代!ν人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名る
35図 0 イイ≧ 1 342 2ノ 第6図
発明による反射型の位置合わせ装置の概略構成図、第3
図は本発明による透過型の位置合わせ装置の概略構成図
、第4図は光検知器によ−・で観測される光強度の観測
用依存4シ1−をノJ<ず図、第5図は光検知器によっ
て観測さtする光強1変の変(I(依存性を示す図、第
6図は本発明によるウェハ+のパターンの位置合わせを
説明する」′−面図、第7図は本発明による位置合わせ
と従来からの位置合わせマークとの並用を示す平面図、
第a l;<+(a) 、 (b)は第7図の位置合わ
ぜマークによる位置合わぜの説明1:/1である。 10 ・・・コヒーレント光、11 ・・反射光、12
・・・透過光、20 ・格子、22・・干渉縞、W・ウ
ェハ、G −格子、Dl、D2・・・光検知器、M 位
置合わせマーク。 代!ν人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名る
35図 0 イイ≧ 1 342 2ノ 第6図
Claims (3)
- (1) コヒーレントな光を二方向から入射し、この三
光束の干渉により得られる干渉縞に対して格子イーjに
配置された格子を前記三光束の光路中に持ち、1)1f
記格子のピッチが前記干渉縞のピンチの整数倍に形成さ
れており、前記格子によって反射又は透過した光を)Y
4検知手段に導ひき、光強度を測定することにより前記
三光束の干渉縞と前記格子との相対イ装置を・検知し、
前記干渉縞に対し前記格子をイ)旨1′1゛合わせする
ことを!I4徴とする位置合わぜ方法。 - (2)ニー光束の干渉縞に対して整数倍のピッチを持勺
A1″;5−かホトリングラフィ技術により形成されて
いること6−牛1J徴と−・p Z)牛′IW”J請求
の範囲第1項記載(′)位置合わせ方法。 - (3)二毘束の干渉縞に対して整数倍のピッチを持つ1
1′1子かホトす/′グラソイ技術によって形成さね一
+’I ’、!L・す、かつ、前記格子と干渉縞を位置
合わせすることで、前記格子に対して位置決めさJLだ
パターンと前記干渉縞を位置合わせすることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の(j7装置わ仕方法3゜
(4)格子の周期とは異なる図形が形成さJ腰この図形
ににり概略の位置合わせを行なった後に))IJ記格子
と干渉縞の位置合わぜを行なうことを牛胃:文とする特
許請求の範囲第3項記載の位置合わ仕フッρ51.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58175353A JPS6066818A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 位置合わせ方法 |
US06/599,734 US4636077A (en) | 1983-04-15 | 1984-04-12 | Aligning exposure method |
US07/296,721 USRE33669E (en) | 1983-04-15 | 1989-01-12 | Aligning exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58175353A JPS6066818A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 位置合わせ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6066818A true JPS6066818A (ja) | 1985-04-17 |
JPH0441484B2 JPH0441484B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=15994583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58175353A Granted JPS6066818A (ja) | 1983-04-15 | 1983-09-22 | 位置合わせ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6066818A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8394333B2 (en) | 2008-12-10 | 2013-03-12 | Nichias Corporation | Holding material for catalytic converter, method for producing the same, and catalytic converter |
CN104570621A (zh) * | 2015-01-14 | 2015-04-29 | 清华大学 | 一种双光束曝光系统中光栅衍射波面误差的反馈调节方法 |
CN108761603A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-06 | 苏州大学 | 一种制作平行等间距条纹全息光栅的光刻系统 |
CN108761602A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-06 | 苏州大学 | 一种全息光栅光刻系统中干涉光路自准直的调节方法 |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58175353A patent/JPS6066818A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8394333B2 (en) | 2008-12-10 | 2013-03-12 | Nichias Corporation | Holding material for catalytic converter, method for producing the same, and catalytic converter |
CN104570621A (zh) * | 2015-01-14 | 2015-04-29 | 清华大学 | 一种双光束曝光系统中光栅衍射波面误差的反馈调节方法 |
CN108761603A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-06 | 苏州大学 | 一种制作平行等间距条纹全息光栅的光刻系统 |
CN108761602A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-06 | 苏州大学 | 一种全息光栅光刻系统中干涉光路自准直的调节方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0441484B2 (ja) | 1992-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2016107614A1 (zh) | 用于套刻误差检测的装置和方法 | |
JPS6066818A (ja) | 位置合わせ方法 | |
JP2578742B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
JPS6066819A (ja) | 位置合わせ方法 | |
JPH0544817B2 (ja) | ||
JPS61290306A (ja) | 位置検知方法及びこの方法を用いた露光装置 | |
JPH0476489B2 (ja) | ||
JPH0269604A (ja) | 位置合わせ方法 | |
JPH0441486B2 (ja) | ||
JPS618606A (ja) | 位置検知方法 | |
JPS61208220A (ja) | 露光装置及び位置合わせ方法 | |
JPS6378004A (ja) | 位置合せ方法および露光装置 | |
JP2691298B2 (ja) | 位置合わせ装置およびそれを備えた露光装置 | |
JPH0451968B2 (ja) | ||
JPH0441285B2 (ja) | ||
JPS6184020A (ja) | 露光装置 | |
JPS62255805A (ja) | 露光装置 | |
JPS6173958A (ja) | 露光装置 | |
JPS6318624A (ja) | 露光装置 | |
JPH06105679B2 (ja) | 露光装置 | |
JPS63298102A (ja) | 位置合わせ方法 | |
JPS62128120A (ja) | 露光装置 | |
JPH07101665B2 (ja) | 露光装置 | |
JPS63185024A (ja) | 露光装置 | |
JP2883385B2 (ja) | 位置合せ方法およびそれらの装置 |