JPS6184020A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS6184020A JPS6184020A JP59205802A JP20580284A JPS6184020A JP S6184020 A JPS6184020 A JP S6184020A JP 59205802 A JP59205802 A JP 59205802A JP 20580284 A JP20580284 A JP 20580284A JP S6184020 A JPS6184020 A JP S6184020A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、微細パターンを持つ装置特に１ミクロンもし
くはそれ以下のサブミクロンのルールを持つ半導体装置
のに光装置に関するものである。
くはそれ以下のサブミクロンのルールを持つ半導体装置
のに光装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体装置は最近ますます高密度化され、各々の素子の
微細パターンの寸法は１ミクロン以下に及んでいる。従
来からのＬＳＩ製造時のフォトマスクとＬＳＩウェハの
位置合わせは、ウェハに設けた位置合せマークを用いて
、ウェハを着装したステージの回転と２軸子行移動し、
フォトマスク上のマークとウェハ上のマーク？重ね合わ
せることによって行なっていたが、その位置合わせ精度
は±０．３ミクロン程度であシ、サブミクロンの素子を
形成する場合には、合わせ精度が悪く実用にならない。
微細パターンの寸法は１ミクロン以下に及んでいる。従
来からのＬＳＩ製造時のフォトマスクとＬＳＩウェハの
位置合わせは、ウェハに設けた位置合せマークを用いて
、ウェハを着装したステージの回転と２軸子行移動し、
フォトマスク上のマークとウェハ上のマーク？重ね合わ
せることによって行なっていたが、その位置合わせ精度
は±０．３ミクロン程度であシ、サブミクロンの素子を
形成する場合には、合わせ精度が悪く実用にならない。
また、Ｓ、オースチン（Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏ１３１Ａ７Ｐ、４２８．１９７
７）らが示した干渉法を用いた位置合わせ方法では、第
１図で示したように、入射レーザビーム１をフォトマス
ク２に入射させ、７オトマスク２上に形成した格子３で
回折し、この回折した光をもう一度、ウェハ４上忙形成
した格子５によって回折することにより、回折光６，７
，８・・・・・・を得る。この回折光は、フォトマスク
での回折次数とウェハでの回折次数の二値表示で表わす
と、回折光６は（Ｑ、１）、回折光７は（１，１）、回
折光８は（−１，２）・・・・・・で表わすことができ
る。この回折光をレンズにより一点に集め光強度を測定
する。
Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏ１３１Ａ７Ｐ、４２８．１９７
７）らが示した干渉法を用いた位置合わせ方法では、第
１図で示したように、入射レーザビーム１をフォトマス
ク２に入射させ、７オトマスク２上に形成した格子３で
回折し、この回折した光をもう一度、ウェハ４上忙形成
した格子５によって回折することにより、回折光６，７
，８・・・・・・を得る。この回折光は、フォトマスク
での回折次数とウェハでの回折次数の二値表示で表わす
と、回折光６は（Ｑ、１）、回折光７は（１，１）、回
折光８は（−１，２）・・・・・・で表わすことができ
る。この回折光をレンズにより一点に集め光強度を測定
する。
回折光は入射レーザビーム１に対して左右対称な位置に
光強度を持ち、フォトマスク２とウェハ４との位置合わ
せには、左右に観察された回折光の強度を一致させるこ
とにより行なえる。この方法では位置合わせ精度は、数
１００人とされている。
光強度を持ち、フォトマスク２とウェハ４との位置合わ
せには、左右に観察された回折光の強度を一致させるこ
とにより行なえる。この方法では位置合わせ精度は、数
１００人とされている。
しかし、この方法においては、フォトマスク２とウェハ
４との位置合わせは、フォトマスク２とウェハ４との間
隔りに大きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク２とウェハ４を接近させ、間隔り
の精度？保持した状態で位置合わせする必要があり装置
が複雑となるため、実用に問題があった。
４との位置合わせは、フォトマスク２とウェハ４との間
隔りに大きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク２とウェハ４を接近させ、間隔り
の精度？保持した状態で位置合わせする必要があり装置
が複雑となるため、実用に問題があった。
また、サブミクロン線巾を持つ素子の位置合わせには、
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取シ扱いができないため、ＬＳＩを製造す
る上でのスルーグツトが小さくなり実用上問題があった
。
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取シ扱いができないため、ＬＳＩを製造す
る上でのスルーグツトが小さくなり実用上問題があった
。
発明の目的
本発明はこのような従来からの問題に鑑み、微細パター
ンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で行なえ
るＬＳＩのレチクルとウェハの正確かつ容易な位置合わ
せ方法を提供することを目的としている。
ンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で行なえ
るＬＳＩのレチクルとウェハの正確かつ容易な位置合わ
せ方法を提供することを目的としている。
発明の構成
本発明は高精度な位置合わせを露光装置において実現す
るために、スリットｋｍしたマスクを介して、コヒーレ
ントな光と２方向よシ入射し、スリット状に重なジ合っ
た２光束の干渉により得られる干渉縞に対して、略平行
に配置された格子をウェハ上のスクライブラインに相等
する位置に持ち、この格子を前記２光束の重なり合った
光路中に配置し、前記格子によって反射した光を光検出
器で検出することにより、前記２光束の干渉縞と格子と
の相対位置を検出することにより高精度な位置合わせを
行なう露光装置を実現するものである。
るために、スリットｋｍしたマスクを介して、コヒーレ
ントな光と２方向よシ入射し、スリット状に重なジ合っ
た２光束の干渉により得られる干渉縞に対して、略平行
に配置された格子をウェハ上のスクライブラインに相等
する位置に持ち、この格子を前記２光束の重なり合った
光路中に配置し、前記格子によって反射した光を光検出
器で検出することにより、前記２光束の干渉縞と格子と
の相対位置を検出することにより高精度な位置合わせを
行なう露光装置を実現するものである。
実施例の説明
第２図に本発明による露光装置の原理図を示す。
コヒーレントな光１ｏをビームスプリッタＢＳに入射さ
せ、はぼ同一強度の反射光１１と透過光１２とに振幅分
割し、各々反射鏡Ｍ１とＭ２に入射し、半導体ウェハＷ
上に、双方の反射光がほぼ等しい角度θで入射するよう
に、ＢＳ、Ｍｌ。
せ、はぼ同一強度の反射光１１と透過光１２とに振幅分
割し、各々反射鏡Ｍ１とＭ２に入射し、半導体ウェハＷ
上に、双方の反射光がほぼ等しい角度θで入射するよう
に、ＢＳ、Ｍｌ。
Ｍ２．Ｗを配置する。反射鏡Ｍ１．Ｍ２とウェハＷとの
闇に、１組のスリットＳ１．Ｓ１１ヲ有したマスク２Ｑ
を設ける。反射光１１はスリン）Ｓ１＝ｚ介して、透過
光にはスリットＳ１ｆを介して、ウェハＷ上にスリット
状に宣なり合わせる。この重なり合った２光束の干渉に
より干渉縞が生成される。
闇に、１組のスリットＳ１．Ｓ１１ヲ有したマスク２Ｑ
を設ける。反射光１１はスリン）Ｓ１＝ｚ介して、透過
光にはスリットＳ１ｆを介して、ウェハＷ上にスリット
状に宣なり合わせる。この重なり合った２光束の干渉に
より干渉縞が生成される。
干渉縞に対して、スリットＳ１．Ｓ１／の長手方間が略
平行に配置されている。
平行に配置されている。
又、クエＪＳＷ上には半導体微細素子を形成する際のス
クライブラインに相等する位置に格子Ｇが形成されてい
る。格子Ｇは前記干渉縞に対して略平行に配置されて込
ると共に、前記スリットｓ１゜Ｓ、ｔを経た２光来が格
子Ｇ上で干渉し合い干渉縞を生成している。この乍渉縞
と格子Ｇによって回折した反射光１３を光検出器Ｄ１
に導びく。
クライブラインに相等する位置に格子Ｇが形成されてい
る。格子Ｇは前記干渉縞に対して略平行に配置されて込
ると共に、前記スリットｓ１゜Ｓ、ｔを経た２光来が格
子Ｇ上で干渉し合い干渉縞を生成している。この乍渉縞
と格子Ｇによって回折した反射光１３を光検出器Ｄ１
に導びく。
レーザの波長をλ、反射光１１と透過光１２が干渉して
作る干渉縞のピッチ２Ｐ、とすると、ウェハＷ上にでき
る干渉縞のピッチＰ’ｔばλ Ｐ ｆ＝７＝「 で表わされる。
作る干渉縞のピッチ２Ｐ、とすると、ウェハＷ上にでき
る干渉縞のピッチＰ’ｔばλ Ｐ ｆ＝７＝「 で表わされる。
この干夢縞のピッチＰｆのほぼ斃奴培のピッチＰ、全持
つ格子らからは２光束１１と１２の干渉した光を波面分
割する格子によって回折された光が得られ、この光によ
り、２光束の干渉縞と格子Ｇとの間の相対位置１関係を
示す光強度情報が得られる。ウェハｖＶｆ２光束の干渉
縞のピッチ方向に微小移動させ、光強度工を検出するこ
とにより、第３図のごとく、光強度工の変化が得られる
。縦軸は光強度Ｉ、横軸は微小変位量Ｘ、干渉縞のピッ
チＰｉ毎に光強度工が周期的に変化し、干渉縞と格子Ｇ
との高精度な数１００八程度の正確な位置合わせが実現
できる。
つ格子らからは２光束１１と１２の干渉した光を波面分
割する格子によって回折された光が得られ、この光によ
り、２光束の干渉縞と格子Ｇとの間の相対位置１関係を
示す光強度情報が得られる。ウェハｖＶｆ２光束の干渉
縞のピッチ方向に微小移動させ、光強度工を検出するこ
とにより、第３図のごとく、光強度工の変化が得られる
。縦軸は光強度Ｉ、横軸は微小変位量Ｘ、干渉縞のピッ
チＰｉ毎に光強度工が周期的に変化し、干渉縞と格子Ｇ
との高精度な数１００八程度の正確な位置合わせが実現
できる。
本実施例ではマスク２０Ｊ：に１１Ｊ１のスリットと設
けたが、第４図のごとく、ウェハＷ上の１組のスクライ
ブラインに相等する位置に対応させて、マスク２０上に
２組のスリットＳ１．Ｓ１／、Ｓ２゜Ｓ ２／を設けて
、干渉縞と格子との回折光を光検出器Ｄ１．Ｄ２で検出
してもよい。
けたが、第４図のごとく、ウェハＷ上の１組のスクライ
ブラインに相等する位置に対応させて、マスク２０上に
２組のスリットＳ１．Ｓ１／、Ｓ２゜Ｓ ２／を設けて
、干渉縞と格子との回折光を光検出器Ｄ１．Ｄ２で検出
してもよい。
又、第３の実施例として、第５図のごとく、第１のマス
ク２０上に２組のスリッ） Ｓｌ、Ｓ１／。
ク２０上に２組のスリッ） Ｓｌ、Ｓ１／。
Ｓ２．Ｓ２／全介して、反射光１１と透過光１２を格子
Ｇ上で干渉させる。干渉縞のピッチＰｆに対し格子Ｇの
ピッチＰらか偶数倍のときには、ウニ・・Ｗに対して垂
直に回折する回折光２１および２２が発生する。この回
折光２１および２２が透過するように第１のマスク２０
上にスリットＳ３．Ｓ３１を形成する。スリットＳ３．
Ｓ３／を介して透過した回折光２１および２２を光検出
器Ｄ３．Ｄ４で検出する。又、反射光１１および透過光
１２によって、ウェハＷ上に露光すべき範囲に窓２３を
設けた第２のマスク２４を、ウェハＷより、わずかに、
すき間ｄを設けて配置する。ここで回折光２１は反射光
１１が格子Ｇによって回折された光束２６と、透過光１
２が格子Ｇによって回折された光束２６より成り、反射
光１１と透過光１２の光強度が等しければ、光束２５と
２６の光強度が等しい。回折光２２も同様である。従っ
て、回折光２１および２２を光検出器Ｄ３．Ｄ４で検出
することにより、光束２５．２８の光強度変化を等分に
観測できるため、干渉縞と格子Ｇとの間の位置関係を示
す光強度情報がより正確に得られ、位置合わせ精Ｋが向
上する。
Ｇ上で干渉させる。干渉縞のピッチＰｆに対し格子Ｇの
ピッチＰらか偶数倍のときには、ウニ・・Ｗに対して垂
直に回折する回折光２１および２２が発生する。この回
折光２１および２２が透過するように第１のマスク２０
上にスリットＳ３．Ｓ３１を形成する。スリットＳ３．
Ｓ３／を介して透過した回折光２１および２２を光検出
器Ｄ３．Ｄ４で検出する。又、反射光１１および透過光
１２によって、ウェハＷ上に露光すべき範囲に窓２３を
設けた第２のマスク２４を、ウェハＷより、わずかに、
すき間ｄを設けて配置する。ここで回折光２１は反射光
１１が格子Ｇによって回折された光束２６と、透過光１
２が格子Ｇによって回折された光束２６より成り、反射
光１１と透過光１２の光強度が等しければ、光束２５と
２６の光強度が等しい。回折光２２も同様である。従っ
て、回折光２１および２２を光検出器Ｄ３．Ｄ４で検出
することにより、光束２５．２８の光強度変化を等分に
観測できるため、干渉縞と格子Ｇとの間の位置関係を示
す光強度情報がより正確に得られ、位置合わせ精Ｋが向
上する。
又、第４の実施例として、第６図のごとく、ウェハＷに
対して垂直に回折する回折光２１および２２？ｉ″、第
１のマスク２ｏ上ノスリソトＳ３．Ｓ３１を介して透過
した回折光２１および２２を２板の反射鏡２７＋２ａで
反射して光検出器Ｄ５．Ｄ６に導びいて、光強度を検出
してもよい。
対して垂直に回折する回折光２１および２２？ｉ″、第
１のマスク２ｏ上ノスリソトＳ３．Ｓ３１を介して透過
した回折光２１および２２を２板の反射鏡２７＋２ａで
反射して光検出器Ｄ５．Ｄ６に導びいて、光強度を検出
してもよい。
又、第６の実施例として第７図のごとく、ウニ・・ＷＫ
対して垂直に回折する回折光２１および２２を第１のマ
スク２０Ｊ：に設けた反射鏡２９゜３ｏを介して、光検
出器Ｄ７．Ｄ８に導びき、光強度を検出することもでき
る。
対して垂直に回折する回折光２１および２２を第１のマ
スク２０Ｊ：に設けた反射鏡２９゜３ｏを介して、光検
出器Ｄ７．Ｄ８に導びき、光強度を検出することもでき
る。
発明の効果
コヒーレントな光を、１組以上のスリットを介して、２
方向より入射し、スリット状に重なり合った２光束の干
渉によジ得られる干渉縞と、ウェハ上のスクライブライ
ン位置に相等する位置に設けた格子とにより、反射した
光を光検出器で検出して、２光束の干渉縞と格子との相
対位置を検出して高精度な位置合わせを正確に行うこと
のできる露光装置を実現できる。
方向より入射し、スリット状に重なり合った２光束の干
渉によジ得られる干渉縞と、ウェハ上のスクライブライ
ン位置に相等する位置に設けた格子とにより、反射した
光を光検出器で検出して、２光束の干渉縞と格子との相
対位置を検出して高精度な位置合わせを正確に行うこと
のできる露光装置を実現できる。
第１図は従来からの２″Ｘ格子法による位置合わせの原
理図、第２図は本発明による位置合わせ方法を示す基本
構成図、第３図は本発明による位置合わせ方法によって
得られる変位に対する光強度依存性を示す図、第４図は
本発明による第２の実施例を示す基本構成図、第５図は
本発明による第３の実施例を示す基本構成図、第６図は
本発明による第４の実施例を示す基本構成図、第７図は
本発明による第５の実施例を示す基本構成図である。 １Ｑ・・・・・・コヒーレント光、ＢＳ・・・・・・ビ
ームスプリッタ、１１・・・・・・反射光、１２・・・
・・・透過光、Ｍｌ。 第２・・・・・・反射鏡、Ｗ・・・・・・ウェハ、２ｏ
・・・・・・マスク、Ｓ １． Ｓ １ｔ、 Ｓ ２
、 Ｓ ２／ｌ Ｓ ３． Ｓ ３ｔ・・・・・・スリ
ット、Ｇ・・・・・・格子、２１．２２・・・・・・回
折光、Ｄ１〜Ｄ８・・・・・・光検出器、２４・・・・
・・第２のマスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 販 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 移動ＩＸ− 第４図 Ｗ 第５図 第６図
理図、第２図は本発明による位置合わせ方法を示す基本
構成図、第３図は本発明による位置合わせ方法によって
得られる変位に対する光強度依存性を示す図、第４図は
本発明による第２の実施例を示す基本構成図、第５図は
本発明による第３の実施例を示す基本構成図、第６図は
本発明による第４の実施例を示す基本構成図、第７図は
本発明による第５の実施例を示す基本構成図である。 １Ｑ・・・・・・コヒーレント光、ＢＳ・・・・・・ビ
ームスプリッタ、１１・・・・・・反射光、１２・・・
・・・透過光、Ｍｌ。 第２・・・・・・反射鏡、Ｗ・・・・・・ウェハ、２ｏ
・・・・・・マスク、Ｓ １． Ｓ １ｔ、 Ｓ ２
、 Ｓ ２／ｌ Ｓ ３． Ｓ ３ｔ・・・・・・スリ
ット、Ｇ・・・・・・格子、２１．２２・・・・・・回
折光、Ｄ１〜Ｄ８・・・・・・光検出器、２４・・・・
・・第２のマスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 販 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 移動ＩＸ− 第４図 Ｗ 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）コヒーレントな光を２方向から入射し、該２光束
の光路中に１組以上のスリットを有したマスクを配置し
、該スリットによりスリット状に重なり合った該２光束
の干渉により得られる干渉縞に対して、該スリットの長
手方向を略平行に配置すると共に、同じく、干渉縞に対
して、略平行に配置された格子をウェハ上のスクライブ
ラインに相等する位置に持ち、該格子を前記２光束の重
なり合った光路中に配置し、該格子によって反射した光
を光検出器に導びき、光強度を検出することにより、前
記２光束の干渉縞と該格子との相対位置を検出して位置
合わせすることを特徴とする露光装置。 - （２）２光束の干渉縞のピッチに対し、ウェハ上の格子
のピッチが偶数倍であって、スリットを有した第１のマ
スクとウェハとの間に、ウェハ上に露光する範囲に窓を
有した第２のマスクを有し、前記干渉縞と格子によって
回折した回折光のうち、ウェハに対して垂直方向に回折
する光を第１のマスク上のスリットを介して、光検出器
で検出することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205802A JPS6184020A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205802A JPS6184020A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184020A true JPS6184020A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16512921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59205802A Pending JPS6184020A (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184020A (ja) |
-
1984
- 1984-10-01 JP JP59205802A patent/JPS6184020A/ja active Pending
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