JPS6286722A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPS6286722A
JPS6286722A JP60227103A JP22710385A JPS6286722A JP S6286722 A JPS6286722 A JP S6286722A JP 60227103 A JP60227103 A JP 60227103A JP 22710385 A JP22710385 A JP 22710385A JP S6286722 A JPS6286722 A JP S6286722A
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reticle
light
diffracted
wafer
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JP60227103A
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Noboru Nomura
登 野村
Kazuhiro Yamashita
一博 山下
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、微細パターンを持つ装置特に1ミクロンもし
くはそれ以下のサブミクロンのルールを持つ半導体装置
等の露光装置に関するものである。
従来の技術 半導体装置は最近ますます高密度化され、各々の素子の
微細パターンの寸法は1ミクロン以下に及んでいる。従
来からのLSI製造時のフォトマスクとLSIウェハの
位置合わせは、ウェハに設けた位置合せマークを用いて
、ウェハを着装したステージの回転と2軸子行移動し、
フォトマスク上のマークとウェハ上のマークを重ね合わ
せることによって行なっていたが、その位置合わせ精度
は±0.3ミクロン程度であり、サブミクロンの素子を
形成する場合には、合わせ精度が悪く実用にナラナい。
まだ、S、オースチン〔アブライドフィジックスレター
ズ(Applied  physicsLetters
 ) Vo131 N17 P、428 、1977 
)  らが示した干渉法を用いた位置合わせ方法では、
第2図で示したように、入射レーザビーム1をフォトマ
スク2に入射させ、フォトマスク2上に形成した格子3
で回折し、この回折した光をもう一度、ウェハ4上に形
成した格子5によって回折することにより、回折光6.
7.8・・・・・・を得る。この回折光は、フォトマス
クでの回折次数とウエノ・での回折次数の二値表示で表
わすと、回折光6は(0゜1)、回折光7は(1,1)
、回折光8は(−1゜2)・・・・・・で表わすことが
できる。この回折光をレンズにより一点に集め光強度を
測定する。回折光は入射レーザビーム1に対して左右対
称な位置に光強度を持ち、フォトマスク2とウエノ・4
との位置合わせには、左右に観察された回折光の強度を
一致させることにより行なえる。この方法では位置合わ
せ精度は、数100人とされている。
しかし、この方法においては、フォトマスク2とウェハ
4との位置合わせは、フォトマスク2とウェハ4との間
隔りに大きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク2とウェハ4を接近させ、間隔り
の精度を保持した状態で位置合わせする必要があり、装
置が複雑となるため、実用に問題があった。
また、サブミクロン線巾を持つ素子の位置合わせには、
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、LSIを製造す
る上でのスループットが小さくなり実用上問題があった
また、第3図に示した従来例〔アイイイイ トランザク
シ、 y (IEEIC、transon )K 、D
 ED −26、4,1974、723、Gijs B
ouwhuis )では、2枚のり、、L2 のレンズ
系で示されたマイクロレンズのフーリエ変換面に、レー
ザビームを入射しレンズL2 を介してウエノ・上に形
成された格子に対してビームを照明し、空間フィルタS
Fで格子から回折される±1次光のみをレンズ系L1.
L2を通してレチクルR上に入射し、レチクルRの近傍
において干渉縞を生成し、レチクルに設けた格子を通過
する光を光検出器りで検出して、ウエノ・Wとレチクル
Rを位置合わせする構成が図示されている。第3図の構
成においては、ウニ/%W上に形成した非対称の格子に
対しては位置を補正することができないと述べられてお
り、位置合わせマークの製造方法において、全ての工程
やマークで実現不可能であり実用化するに致っていない
発明が解決しようとする問題点 本発明はこのような従来からの問題に鑑み、微細パター
ンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で行なえ
るLSIのレチクルとウエノ・の正確かつ容易な位置合
わせを生産性良く可能とした露光装置を目的としている
問題点を解決するだめの手段 本発明は、投影露光装置において高精度な位置合わせを
実現するだめに、レチクル面上に形成された格子によっ
て波面分割された光束のうち、第1のレンズのスペクト
ル面で適当な光束を空間フィルターによって通過させ、
第2のレンズ系、投影レンズを通過させ、基板上に設け
た第2の格子上に投影する。第2の格子からは、回折光
が回折され、この回折光は逆方向に、投影レンズ系2の
レンズ中を通過し、光検出器に導びかれる。基板上の第
2の格子に2光束を適当な方向から投影すると、回折光
同志が重なった方向に回折され、各々が干渉する。この
干渉した回折光の光強度を検出することにより、高精度
の位置合わせが実現が可能となる。さらに、位置合わせ
光学系と縮小投影光学系を別系統とすることにより、再
現精度の高い位置合わせ系を実現するものである。
作用 位置合わせ光学系と投影レンズとを組み合わせることに
より、レチクル像を縮小投影する光学系と高精度な位置
合わせを行なう光学系を分離することができ、レチクル
像を投影する際に位置合わせに用いる空間フィルタやば
ラー等を脱着することなく露光ができるため、より精度
の高い位置合わせが実現できるものである。
実施例 本発明による光学系の実施例を第1図に示した。
光源11から出た光(この図ではより鮮明な干渉性とよ
り深い焦点深度を得るために、レーザ光を想定した構成
になっているが、全体の光学系は白色干渉光学系であり
、水銀灯などのスペクトル光源でもよい。)を第1のレ
ンズ系16の入射瞳に対して入射する。
以下の説明では、本発明の原理を簡潔に述べるためにレ
チクルは平行光束によって照明され、第1及び第2のレ
ンズ系15.17は、フーリエ変換レンズとするが、必
らずしもフーリエ変換レンズでなくてもよい。
光源11と第1のフーリエ変換レンズ15との間にレチ
クル14が配置され、レチクル14の第1の格子1oの
パターンを2次光源として出た像を第1のフーリエ変換
レンズ16によって一旦集光し、さらに、第2のフーリ
エ変換レンズ17を通してレチクル14のパターンの像
をウェハ18に縮小投影光学系19を通して投影する。
第1のフーリエ変換レンズ15の後側焦点面には、レチ
クル上の格子10のパターンの回折光(フーリエスペク
トル)が空間的に分布しており、本発明においては、こ
のフーリエ変換面に空間フィルター16を配置してスペ
クトル面でフィルタリングし、レチクル14上に形成さ
れた格子1Qのパターンをスペクトル面でフィルタリン
グすることによってウェハ18面上に干渉縞2oを生成
する。
半導体ウェハ18上に形成した第2の格子21からは、
回折光22が回折され、縮小投影光学系19及び第2の
レンズ17を逆方向に戻り、空間フィルタ16の位置に
配置されたミラーによって、光検出器23に導ひかれる
以上がレチクル14とウェハ18の位置合せの ゛光学
系であるが、一方、レチクル140回路パターンは、投
影用光源12及び照明光学系13によって照明され、そ
の投影像は縮小投影光学系19を通して、ウェハ18上
に結像する。こうして通常の回路パターン露光用の光学
系が形成される。
以上のように本発明では、位置合わせ用光源及びその光
学系と露光用の光源及びその光学系を有しており、空間
フィルターを位置合わせ光学系に配置して使用し、合わ
せが完了後レチクル上の回路パターンの像がウェハ上に
縮小投影される。
第4図は本発明の露光装置に用いられるレチクルである
。第4図aはレチクル14の平面図であり、第4図すは
aのムー人線断面図である。レチクル14中には、回路
パターン部42とその周辺部43から成シ、周辺部43
のスクライプラインにあたる部分に第1図の第1の格子
1oに相当する位置合わせ用格子パターン41.41’
が形成されている。レチクル14には入射光44人射し
、第4図すに示すように、パターン41内部では格子4
1パターンによって、0次、±1次、±2次・・・・・
・のように複数の回折光が回折される。パターン41を
取シ巻ぐしゃ断部43はクロムや酸化クロム等の膜で形
成されており、入射光44を、パターン41の内部のみ
通過させている。
第4図の例においては、回折光を得るだめに振幅格子パ
ターン41を用いているが、この格子は位相格子でもよ
く、入射光がななめから入射する場合にはエシェレツト
格子でもよい。
第6図はさらに本発明の露光装置の原理説明図である。
光源11から出た波長λの光は、レチクル上の格子41
を照明する。
第1フーリエ変換レンズ16の前側焦点f1 の位置x
1 にレチクル14上の位相格子パターン41を配置す
る。位相格子パターン41のピッチP1と回折光の回折
角θ1は P、sinθn=nλ(n=o、±1.±2、−・−)
の関係がある。このように複数の光束に回折された光は
フーリエ変換レンズ15に入射し、さらに後側焦点面に
各々の回折光に相当するフーリエスペクトル像を結ぶ。
−次の回折光のフーリエスペクトルに対応する座標ξ6
1は ξ1A=f+sinθ1 P、sinθ、=λ で示され、0次の回折光のフーリエスペクトルξ6゜ξ
60=f+Sinθo=0 とは完全に分離された状態でフーリエ変換面にフーリエ
スペクトル像を結ぶ。第1図に示したようにこのフーリ
エ変換面上に空間フィルター6を配置し、第6図に示し
たように格子パターン41の0次および±2次以上の回
折光を遮断し、±1次回折光と開ロバターンのスペクト
ル(0次光酸分を除く)を通過させる。この回折光は第
2フーリエ変換レンズ17を通過し、さらにウェハ1B
W上に投影される。
ただし、第5図、第6図においては縮小投影レンズ系1
9を省略しである。
ウェハW上に投影された像は、レチクル上の開口部(パ
ターン41)の像を大略結ぶとともに、格子パターン4
1の±1次光成分同志が干渉して新らたなピッチの干渉
縞が形成される。ここで干渉縞のピッチP2は、 λ P2=□ 2 sinθ2 で与えられる。このとき、第2フーリエ変換レンズ17
の前側焦点面に第1フーリエ変換レンズ16のフーリエ
変換面を設定するので f、sinθ1=f2sinθ2:ξ61第1及び第2
フーリエ変換レンズ15.17、さらに、縮小率mの縮
小投影光学系を通しだ像の間には、 ・・・・・・・・・ (1) の関係がある。よって、ウェハW上に生成される干渉縞
のピッチP2はf1=、hのときは、レチクル上の格子
パターン41の投影像のピッチの半分となる。格子41
の投影像によって、ウェハW上に第2の格子Gを形成し
、この格子Gに対して、光束111と112の光をそれ
ぞれ照射すると、波面分割する格子Gによってそれぞれ
回折された光が得られる。また、2光束111.112
をウェハW上に同時に照射すると、干渉縞を生成し、さ
らに、この場合ウェハW上の格子Gによって回折される
光が各々干渉し、この干渉した光を光検出器りで検出し
、干渉縞と格子0との間の位置関係を示す光強度情報が
得られる。
第6図の光検知器り上での観測される光強度工I =u
l + uB  + uム *uB+uム・uB”ただ
し、ul 、 uB は各々光束111,112の振幅
強度■ム*、uB*  は、共役複素振幅である。
−)−Kx(sinθム!!inθB)1(ただし、人
、Bは定数、N:格子の数、δ人、δBは隣接した2格
子によって回折された光の間の光路差、Xは光束111
と光束112との干渉縞と格子との間の相対的位置関係
、θ人、θBは光束111及び112とウェハの垂線と
のなす角)として示される。
第7図に光束111と112の両方を同時にウェハの格
子Gに照射したときの回折光の光強度工の観測角度依存
性を示した。生成した干渉縞のピッチを1μm、格子G
のピッチを2μmとした場合の図である。光強度の鋭い
ピークが現われるのは光強度Iで示されているように、
干渉縞のピッチに対して格子Gのピッチが整数倍のとき
に限られている。そして、第6図において、観測角度を
一π/2〜π/2と変化させると9つのピークがあられ
れ、θ2のピークには、入射光111.112の0次の
回折光が重なる。θ4のピークは干渉縞と格子のピッチ
が等しい場合の1次の回折光のピークに相当する。01
〜θ5の各々のピークに干渉縞とウェハ上の格子Gとの
間の位置情報が含まれている。
各々のピークは、(−3、+s ) 、 (−2、+4
)。
・・・・・・(十s、−3)の回折光の合成光強度とし
て観察される。
特に、(−1,+1)の光が重なるθ1は回折光の光強
度が等しいため、検出するモアレ光のコントラストが高
い。
次に、本発明による露光装置の動作を説明する。
まず、レチクル14が光路中に挿入され、ウェハ18が
装填される。レチクル14及びウェハ18は予め荒い位
置合わせが行なわれる。次に、レチクル14の第1の格
子1oに光源11から出た光が照明される0レチクル1
4上の第1の格子1゜からは複数の回折光が回折され、
第1のレンズ系15に導ひかれ、±1次の光のみが選択
的に通過するように空間フィルタ16を配置する。±1
次の光は第2のレンズ系17を通過し、縮小投影光学系
19を通してウェハ18近傍に干渉縞が生成される。光
源11と投影用光源12との間の波長が異なる場合には
第1及び第2のレンズ系の焦点距離f1及びf2の比を
変化させ、第2の格子21が干渉縞のピッチの整数倍に
なるように設定する。
これは投影用光源12がエキシマレーザのようなパルス
である場合、位置合わせ用光源11として連続発振のし
〜ザや水銀ランプ等の使用が可能となる。まだ、エキシ
マレーザ等を使用する場合、波長が限定されるが位置合
わせ用光源との間の整合が取れる。さらに、ウエノ・1
日上のレジスト感度がある波長域に限定されているとき
には、位置合わせ光源110波長をレジスト感度のない
波長に選択でき、位置合わせマークを保護することがで
きる。
第2の格子21から回折された光は、光検出器23によ
って検出され、前述した原理でウェハ18とレチクル1
4との間の高精度な位置合わせを行なう。位置合わせが
完了すると、投影用光源12を用いて、レチクル像を縮
小投影光学系19によシ投影し、レチクル上の回路パタ
ーンをウェハ上に形成する。
以上の動作説明において、第3図に示したように、縮小
投影光学系中に空間フィルターを設置した場合には、投
影露光中に空間フィルタが露光光を妨げるために、空間
フィルタ及びミラーを脱着せねばならない。このように
空間フィルタを脱着すると、脱着の際の振動が問題とな
シ、レンズ系とらエバ、レチクル間の相対位置がずれる
。また、ミラーにおいては、再現性よく元の位置に戻る
ことは困難(2μm程度の位置誤差が生じる)であり、
波面の位置を制御することが困難である。さらに、フィ
ルタ、iラー等e代は質性があるため脱着に時間がかか
り、位置合わせに従来より長時間を要することになる。
本発明においては動作説明にあるように、空間フィルタ
ーや光路におけるばラーは位置合わせ光学系に固定され
ておシ、また、位置合せの光学系は投影光学系とは別系
統の光学系であるため、空間フィルタやミラーは脱着を
必要とせず、なおかつ、固定されているため、空間フィ
ルタやばラー系の相対位置がづれることかなく、再現性
よく精度の高い位置合わせが可能となる。また脱着のた
めの余分の時間も浪費せず短時間の位置合わせが可能と
なる。また、さらに、上記に示したように異波長位置合
わせやその他位置合わせマークが非対称形状の場合の検
出等が可能となり、高い精度の位置合わせが実現される
発明の効果 本発明により、干渉縞を媒介としてレチクル上のパター
ンをウェハ上に高い精度で位置合わせし、レチクル上の
パターンをウェハ上に露光形成することができる。さら
に、投影光学系と位置合わせ光学系とを異なった光路と
して構成するので異波長位置合わせを行なうことができ
る。また、空間フィルタやミラー系を脱着せずに露光が
可能となり、合わせ精度の高い露光装置が構成できる0
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の露光装置における位置合わ
せの基本的な構X図、第2図は従来からの2重格子法に
よる位置合わせの原理図、第3図は従来からのレチクル
とウェハを干渉縞を用いて位置合わせる場合の構成図、
第4図aは本発明によるレチクルの構成図、第4図すは
位置合わせ用格子の断面図、第5図は本発明による再回
折光学系の原理図、第6図は本発明によるウェハ近傍の
詳細図、第7図は2光束を入射したときの回折光の強度
を示す図である。 11・・・・・・位置合せ用光源、12・・・・・・投
影用光源、ハ3・・・・・・照明光学系、14・・・・
・・レチクル、15゜17・・・・・・第1.第2のフ
ーリエ変換レンズ、16・・・・・・空間フィルター、
18・・・・・・ウエノ1.19・・・・・・縮小投影
光学系、G・・・・・・格子、D・・・・・・光検出器
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1連節 
1 図 Zノ、fSZの11コ−5 第2図 第3図 第4図 (0L) (b> 第5図 ←jI−+−fl−←f2←f2−1 F?St’n6t=入  55.“f’Stx /り/
第6図 jz        h

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光源、照明光学系、レチクル、第1のレンズ系、空間フ
    ィルター、第2のレンズ系、縮小投影光学系、基板およ
    び基板を保持するステージ、光検出器を有し、前記レチ
    クル面上に第1の格子が形成されており、前記光源から
    出た光束を照明光学系を通して前記レチクル面上の格子
    に入射させて前記光束を波面分割し、前記第1のレンズ
    系に導びくとともに、前記第1のレンズ系のスペクトル
    面付近に設けた所定の空間フィルターによって所定のス
    ペクトルを選択的に透過せしめて、前記スペクトルを持
    つ光束を前記第2のレンズ系を通過させ、さらに前記縮
    小投影光学系を通して第2の格子を持つ基板に光束を投
    影し、第2の格子から回折された回折光を前記縮小投影
    光学系、前記第2のレンズ系を逆方向に通過せしめ、前
    記第2の格子によって回折された光束を干渉させて、干
    渉させた光束の光強度を前記光検出器により測定し、前
    記レチクル上の第1の格子と基板上の前記第2の格子と
    を位置合わせすることを特徴とする露光装置。
JP60227103A 1985-10-11 1985-10-11 露光装置 Granted JPS6286722A (ja)

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US06/916,738 US4771180A (en) 1985-10-11 1986-10-08 Exposure apparatus including an optical system for aligning a reticle and a wafer

Applications Claiming Priority (1)

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JPH0476489B2 JPH0476489B2 (ja) 1992-12-03

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6489325A (en) * 1987-09-29 1989-04-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Aligner
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JP2007180548A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Asml Netherlands Bv パターンアライメント方法およびリソグラフィ装置

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JPH0476489B2 (ja) 1992-12-03

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