JPH0344914A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0344914A JPH0344914A JP1181046A JP18104689A JPH0344914A JP H0344914 A JPH0344914 A JP H0344914A JP 1181046 A JP1181046 A JP 1181046A JP 18104689 A JP18104689 A JP 18104689A JP H0344914 A JPH0344914 A JP H0344914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- light
- alignment
- reticle
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 31
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000035559 beat frequency Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レチクル上のパターンを投影光学系を介して
ウェハ上に転写する露光装置に関するものである。
ウェハ上に転写する露光装置に関するものである。
従来の技術
従来より、半導体装置はますます高密度化され、各々の
素子の微細パターンは05μm以下に及ぼうとしている
。このような微細パターンの露光において、半導体製造
時に必要とされるような多数回にわたる重ね合わせ露光
を行うためには、各露光間の位置合わせがきわめて大切
であり、その重ね合わせ精度は0.1μm以下が必要と
される。この露光装置として、特開昭63−78004
号公報に記載の構成が知られている。以下、第5図を参
照して従来の露光装置について説明する。第5図は露光
装置の構成図である。第5図において、高精度な位置合
わせを実現するために、レチクル114面上に形成され
た1対の格子110. 110’によって波面分割され
た光束のうち、第1のレンズ115.115’のスペク
トル面で適当な光束を空間フィルタ116゜116′に
よって通過させ、更に第2のレンズ系117゜117′
、投影レンズ119を通過させ、基板上に設けた第2の
1対の格子上121. 121’に投影する。第2の格
子121. 121’からは、回折光122.122’
が回折され、この回折光122. 122’は逆方向に
、投影レンズ119.第2のレンズ117. 117’
中を通過し、光検出器123. 123’に導びかれる
。また、基板上の第2の格子121. 121’に2光
束を適当な方向から投影すると、回折光同志が重なった
方向に回折され、各々が干渉する。この干渉した1対の
回折光強度を光検出器123. 123’で検出し、そ
れらの差がゼロとなるようにすることで前記レチクル1
14とウェハ118との高精度な位置合わせが可能とな
る。
素子の微細パターンは05μm以下に及ぼうとしている
。このような微細パターンの露光において、半導体製造
時に必要とされるような多数回にわたる重ね合わせ露光
を行うためには、各露光間の位置合わせがきわめて大切
であり、その重ね合わせ精度は0.1μm以下が必要と
される。この露光装置として、特開昭63−78004
号公報に記載の構成が知られている。以下、第5図を参
照して従来の露光装置について説明する。第5図は露光
装置の構成図である。第5図において、高精度な位置合
わせを実現するために、レチクル114面上に形成され
た1対の格子110. 110’によって波面分割され
た光束のうち、第1のレンズ115.115’のスペク
トル面で適当な光束を空間フィルタ116゜116′に
よって通過させ、更に第2のレンズ系117゜117′
、投影レンズ119を通過させ、基板上に設けた第2の
1対の格子上121. 121’に投影する。第2の格
子121. 121’からは、回折光122.122’
が回折され、この回折光122. 122’は逆方向に
、投影レンズ119.第2のレンズ117. 117’
中を通過し、光検出器123. 123’に導びかれる
。また、基板上の第2の格子121. 121’に2光
束を適当な方向から投影すると、回折光同志が重なった
方向に回折され、各々が干渉する。この干渉した1対の
回折光強度を光検出器123. 123’で検出し、そ
れらの差がゼロとなるようにすることで前記レチクル1
14とウェハ118との高精度な位置合わせが可能とな
る。
発明が解決しようとする課題
しかし、以上のような構成では、露光光とアライメント
光がほぼ同波長であり、投影光学系が両者に対して同様
に良好な結像性能を発揮する場合のみ有効であるという
課題がある。たとえば、将来露光光の主流になると期待
されるエキシマレーザ等の紫外光に対しては、屈折光学
系を構成するための硝子材料が限られるため、色収差を
補正した色消し投影光学系を構成することはきわめて困
難である。このため投影光学系は露光波長でのみ十分に
色補正されるように設計され、他の波長に対しては非常
に大きな色収差を示すため、アライメント波長は露光波
長に十分近いことが望ましい。
光がほぼ同波長であり、投影光学系が両者に対して同様
に良好な結像性能を発揮する場合のみ有効であるという
課題がある。たとえば、将来露光光の主流になると期待
されるエキシマレーザ等の紫外光に対しては、屈折光学
系を構成するための硝子材料が限られるため、色収差を
補正した色消し投影光学系を構成することはきわめて困
難である。このため投影光学系は露光波長でのみ十分に
色補正されるように設計され、他の波長に対しては非常
に大きな色収差を示すため、アライメント波長は露光波
長に十分近いことが望ましい。
ところが半導体製作のプロセスからの要望としては、ア
ライメント波長は露光波長から十分に離れていることが
要請される。この理由として、化学増感レジスト等の高
感度レジストの使用にともない、アライメント光による
レジストの露光が心配される点、及び投影光学系の結像
性能の限界を補うために使用される多層レジストや、多
重反射を防止する染料入りレジストによる露光光の吸収
にともなうアライメント光の減衰により、アライメント
精度が低下しまう点等がある。
ライメント波長は露光波長から十分に離れていることが
要請される。この理由として、化学増感レジスト等の高
感度レジストの使用にともない、アライメント光による
レジストの露光が心配される点、及び投影光学系の結像
性能の限界を補うために使用される多層レジストや、多
重反射を防止する染料入りレジストによる露光光の吸収
にともなうアライメント光の減衰により、アライメント
精度が低下しまう点等がある。
つまり、プロセス上の理由によりアライメント光の波長
は露光波長より離れていなければならず、ここで説明し
た従来の構成では、アライメントが困難になる課題があ
る。
は露光波長より離れていなければならず、ここで説明し
た従来の構成では、アライメントが困難になる課題があ
る。
本発明はアライメント光として露光波長とは異なる波長
を用い、更に投影光学系の色収差を十分に補償し、回折
格子を用いた投影レンズを通して行うアライメント(ス
ルー・ザ・レンズ・アライメントまたはTTLアライメ
ント)を行えるようにした露光装置を提供することを目
的とする。
を用い、更に投影光学系の色収差を十分に補償し、回折
格子を用いた投影レンズを通して行うアライメント(ス
ルー・ザ・レンズ・アライメントまたはTTLアライメ
ント)を行えるようにした露光装置を提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段
本発明は第1物体と第2物体を露光波長とは異にるアラ
イメント波長を用いて位置合わせする位置合わせ光学系
内において、アライメント光を波面分割する回折格子か
らなる位置合わせ用マーク、および空間フィルタリング
を行う光学系、および投影光学系の特定位置での色収差
を十分に補正するような補正光学系、及び光検出器によ
り構成したものである。
イメント波長を用いて位置合わせする位置合わせ光学系
内において、アライメント光を波面分割する回折格子か
らなる位置合わせ用マーク、および空間フィルタリング
を行う光学系、および投影光学系の特定位置での色収差
を十分に補正するような補正光学系、及び光検出器によ
り構成したものである。
作用
本発明は上記構成により、レチクル上の回折格子からな
る位置合わせワークをウェハ上の回折格子からなる位置
合わせマーク上に、露光波長とは異なる2周波のコヒー
レント光を用いて投影し、空間フィルタリングを行なっ
た後に光検出器でアライメント光を受光することにより
、ビート信号を検出し、その位相情報からウエノ・のレ
チクルに対する位置ずれ量を検知し、この位置ずれ量か
らウェハとレチクルとの位置関係を操作することにより
、両者の正確な位置合わせが可能になる。
る位置合わせワークをウェハ上の回折格子からなる位置
合わせマーク上に、露光波長とは異なる2周波のコヒー
レント光を用いて投影し、空間フィルタリングを行なっ
た後に光検出器でアライメント光を受光することにより
、ビート信号を検出し、その位相情報からウエノ・のレ
チクルに対する位置ずれ量を検知し、この位置ずれ量か
らウェハとレチクルとの位置関係を操作することにより
、両者の正確な位置合わせが可能になる。
実施例
以下、第1図から第3図を参照して本発明の第1実施例
について説明する。第1図は本発明の露光装置の構成図
であり、第2図は本発明に用いられる色補正を行う投影
レンズの画角内の特定領域を示すレチクルの平面図、第
3図は同じく本発明に用いられるレーザ光源から出射さ
れるレーザ光の偏向状態を示す偏向方向図である。第1
図において、lは露光用の原版であるレチクル、2はパ
ターンを露光するウェハ 4は光源、5はレチクル1上
に設けられた位置合わせ用マーク、7,7′は空間フィ
ルタリング光学系、9は色収差を補正するための補正光
学系、3は投影レンズ、10はアライメント光、6はウ
ェハ2上に設けられた位置合わせマーク、11は位置合
わせマーク6により回折されたアライメント光である。
について説明する。第1図は本発明の露光装置の構成図
であり、第2図は本発明に用いられる色補正を行う投影
レンズの画角内の特定領域を示すレチクルの平面図、第
3図は同じく本発明に用いられるレーザ光源から出射さ
れるレーザ光の偏向状態を示す偏向方向図である。第1
図において、lは露光用の原版であるレチクル、2はパ
ターンを露光するウェハ 4は光源、5はレチクル1上
に設けられた位置合わせ用マーク、7,7′は空間フィ
ルタリング光学系、9は色収差を補正するための補正光
学系、3は投影レンズ、10はアライメント光、6はウ
ェハ2上に設けられた位置合わせマーク、11は位置合
わせマーク6により回折されたアライメント光である。
次に、第2図において、レチクル1に対する有効画角2
1、及び色補正を行った特定領域22を示す。
1、及び色補正を行った特定領域22を示す。
以上のような構成において、以下その動作について説明
する。まず、レチクル1の像をウェハ2上に投影するよ
うに投影レンズ3が配置されている。投影レンズ3は露
光波長に合わせて設計されているため、光源4から出射
されるアライメント光10で照明されるレチクル1上の
位置合わせマーク5を投影レンズ3だけでウェハ2上に
結像することは、色収差が大きすぎて不可能である。こ
こで、レチクル1上の位置合わせマーク5は回折格子よ
りなっており、透過光は多数の回折光に分割される。こ
の回折光を空間フィルタリングするために、空間フィル
タリング光学系7,7′と空間フィルタ8を透過させる
。さらに、色収差を補正するための補正光学系9を透過
した光は、投影レンズ3によりウェハ2上の位置合わせ
マーク6上に到達する。ここで、補正光学系9はたとえ
ば第2図に示すように、投影レンズ3の有効画角21の
特定領域22(図中では同一円環領域)において、投影
レンズ3の色収差を補正しており、光源4から出射され
るアライメント光10で照明されたレチクル1上の特定
領域22内に存在する位置合わせマーク5は、ウェハ2
上に正確に投影結像される。つまり、実際の露光光であ
るKrFエキシマレーザの光(λ−248,!Jun)
に対する投影レンズに用いられる石英等の屈折率は、エ
キシマレーザ光のような紫外光と、アライメント光10
のような可視光に対する屈折率が大きく異っている。こ
のため、エキシマレーザ光に合わせて最適設計された投
影レンズ3のアライメント光10に対する色収差はきわ
めて大きく、投影レンズ3の全画角を色補正できるよう
な補正光学系を設計することはきわめて難しい。そこで
、本実施例のように、投影レンズ3の画角の中で、位置
合わせマーク5の存在するごく限られた領域に対して色
補正を行うような補正光学系9を用いることで、補正光
学系9の設計はかなり容易なものとなる。次に、ウニ/
S2上に結像される回折格子のピッチPr’は、レチク
ル1上の位置合わせマーク5のピッチをPr、投影レン
ズ3の露光波長に対する倍率をMとすると、アライメン
ト光10に対しても、倍率Mの光学系として色補正され
ることから、 Pr’ = (Pr/ 2 )/M という関係となる。さらに、ウエノ・2上の位置合わせ
マーク6も回折格子からなり、そのピッチPwば、 PW=Pr/M で表されるので、・ウエノ・2上の位置合わせマーク6
に入射したアライメント光10のうち±1次の回折を受
けたものは、回折光11で示す光路を通り、投影レンズ
3、補正光学系9、空間フィルタリング光学系7を通っ
た後、空間フィルタ8の上側に設けられた全反射ミラー
12によって光路外に取り出され、光検出器14に入射
する。次に、光検出器14の信号出力よりレチクル1と
ウェハ2の位置ずれ量が測定でき、図示していないが、
前記測定データを用いてウェハ2用ステージ、あるいは
レチクル1.用ステージを駆動することで、レチクル1
とウェハ2の位置合わせを行うことができる。ところで
光源4は第3図に示すように、互いに直交偏光した、周
波数がf、、 f、のコヒーレント光を射出する光学
ユニットであり、このような光学ユニットとしては、レ
ーザ管に磁場をかけることにより2周波を得るゼーマン
レーザや、一方向に伝播する超音波や回転回折格子を用
いてレーザ光をドツプラーシフトさせることにより2周
波を得るような装置が利用できる。また、flとf、の
周波数差として数十KHz〜数十MHzが一般的である
。
する。まず、レチクル1の像をウェハ2上に投影するよ
うに投影レンズ3が配置されている。投影レンズ3は露
光波長に合わせて設計されているため、光源4から出射
されるアライメント光10で照明されるレチクル1上の
位置合わせマーク5を投影レンズ3だけでウェハ2上に
結像することは、色収差が大きすぎて不可能である。こ
こで、レチクル1上の位置合わせマーク5は回折格子よ
りなっており、透過光は多数の回折光に分割される。こ
の回折光を空間フィルタリングするために、空間フィル
タリング光学系7,7′と空間フィルタ8を透過させる
。さらに、色収差を補正するための補正光学系9を透過
した光は、投影レンズ3によりウェハ2上の位置合わせ
マーク6上に到達する。ここで、補正光学系9はたとえ
ば第2図に示すように、投影レンズ3の有効画角21の
特定領域22(図中では同一円環領域)において、投影
レンズ3の色収差を補正しており、光源4から出射され
るアライメント光10で照明されたレチクル1上の特定
領域22内に存在する位置合わせマーク5は、ウェハ2
上に正確に投影結像される。つまり、実際の露光光であ
るKrFエキシマレーザの光(λ−248,!Jun)
に対する投影レンズに用いられる石英等の屈折率は、エ
キシマレーザ光のような紫外光と、アライメント光10
のような可視光に対する屈折率が大きく異っている。こ
のため、エキシマレーザ光に合わせて最適設計された投
影レンズ3のアライメント光10に対する色収差はきわ
めて大きく、投影レンズ3の全画角を色補正できるよう
な補正光学系を設計することはきわめて難しい。そこで
、本実施例のように、投影レンズ3の画角の中で、位置
合わせマーク5の存在するごく限られた領域に対して色
補正を行うような補正光学系9を用いることで、補正光
学系9の設計はかなり容易なものとなる。次に、ウニ/
S2上に結像される回折格子のピッチPr’は、レチク
ル1上の位置合わせマーク5のピッチをPr、投影レン
ズ3の露光波長に対する倍率をMとすると、アライメン
ト光10に対しても、倍率Mの光学系として色補正され
ることから、 Pr’ = (Pr/ 2 )/M という関係となる。さらに、ウエノ・2上の位置合わせ
マーク6も回折格子からなり、そのピッチPwば、 PW=Pr/M で表されるので、・ウエノ・2上の位置合わせマーク6
に入射したアライメント光10のうち±1次の回折を受
けたものは、回折光11で示す光路を通り、投影レンズ
3、補正光学系9、空間フィルタリング光学系7を通っ
た後、空間フィルタ8の上側に設けられた全反射ミラー
12によって光路外に取り出され、光検出器14に入射
する。次に、光検出器14の信号出力よりレチクル1と
ウェハ2の位置ずれ量が測定でき、図示していないが、
前記測定データを用いてウェハ2用ステージ、あるいは
レチクル1.用ステージを駆動することで、レチクル1
とウェハ2の位置合わせを行うことができる。ところで
光源4は第3図に示すように、互いに直交偏光した、周
波数がf、、 f、のコヒーレント光を射出する光学
ユニットであり、このような光学ユニットとしては、レ
ーザ管に磁場をかけることにより2周波を得るゼーマン
レーザや、一方向に伝播する超音波や回転回折格子を用
いてレーザ光をドツプラーシフトさせることにより2周
波を得るような装置が利用できる。また、flとf、の
周波数差として数十KHz〜数十MHzが一般的である
。
次に、光源4を出射した光は、レチクル1上の位置合わ
せマーク5、空間フィルタリング用レンズ系7,7′を
通過した後、偏光光学素子13.13’に入射する。偏
光光学素子13.13’はコヒーレントな2周波のアラ
イメント光f、、 f、のうちどちらか一方のみを透
過し、さらに透過光が円偏光になるような働きをする。
せマーク5、空間フィルタリング用レンズ系7,7′を
通過した後、偏光光学素子13.13’に入射する。偏
光光学素子13.13’はコヒーレントな2周波のアラ
イメント光f、、 f、のうちどちらか一方のみを透
過し、さらに透過光が円偏光になるような働きをする。
このような偏光光学素子13、13’は偏光板や偏光ビ
ームスプリッタと位相板の組合わせ、あるいは適切に設
計された誘電体多層膜によって実現できる。
ームスプリッタと位相板の組合わせ、あるいは適切に設
計された誘電体多層膜によって実現できる。
次に、偏光光学素子13を透過したアライメントは光r
1およびf、は、補正光学系9投影レンズ3を通過しウ
ェハ2へ至り、再び投影レンズ3、補正光学系9を通り
、全反射ミラー12によって光検出器14上へと導かれ
る。光検出器14上に導かれたアライメント光10は、
flとf2の2周波よりなり両者は共に円偏光により互
いに干渉しrlとrlの差周波に相当するビートを生じ
る。ビート周波数は光検出器14の検出周波数帯域内で
あるため、光検出器14の出力はビートに相当する正弦
波b (t)となる。光検出器14に至るアライメント
光r1とf2は偏光光学素子13の働きによって別々の
経路を通っている。このため、光検出器14上に至るア
ライメント光f、とf、は次に示すウェハ2の変位に関
する情報を含んでいる。
1およびf、は、補正光学系9投影レンズ3を通過しウ
ェハ2へ至り、再び投影レンズ3、補正光学系9を通り
、全反射ミラー12によって光検出器14上へと導かれ
る。光検出器14上に導かれたアライメント光10は、
flとf2の2周波よりなり両者は共に円偏光により互
いに干渉しrlとrlの差周波に相当するビートを生じ
る。ビート周波数は光検出器14の検出周波数帯域内で
あるため、光検出器14の出力はビートに相当する正弦
波b (t)となる。光検出器14に至るアライメント
光r1とf2は偏光光学素子13の働きによって別々の
経路を通っている。このため、光検出器14上に至るア
ライメント光f、とf、は次に示すウェハ2の変位に関
する情報を含んでいる。
f t(tl=Assfn(2yc f 1 t−2π
−) ・−・・(1)w ft(tl=Atm(2πfs tl2π−)
−・・42)w ここで、fl(t)、 f雪(tlはアライメント光
f、、 f。
−) ・−・・(1)w ft(tl=Atm(2πfs tl2π−)
−・・42)w ここで、fl(t)、 f雪(tlはアライメント光
f、、 f。
の電界強度を表し、A、、 A、は電界振幅である。
また、△Xはウェハ2の紙面に平行な方向の変位である
。
。
次に、ビート信号b (t)はアライメント光f1とr
lの干渉の結果生じ、 1) (tl= K l f 1(tl+ f t(t
)ビ=K I A、’+A:+ 2AtAtcos (
2yc (fl−ft) tで表すことができる。ここ
でKは比例定数である。
lの干渉の結果生じ、 1) (tl= K l f 1(tl+ f t(t
)ビ=K I A、’+A:+ 2AtAtcos (
2yc (fl−ft) tで表すことができる。ここ
でKは比例定数である。
このように、ビート信号b (tlは正弦波の位相の中
にウェハ2の位置ずれ△Xの情報を持っていることがわ
かる。そこで、ウェハ2の変位△Xの情報を含まないビ
ート信号を検出するもう1つの光検出器(図示せず)を
用い、2つの光検出器の出力を位相差検出用測定器(た
とえば位相計)により。
にウェハ2の位置ずれ△Xの情報を持っていることがわ
かる。そこで、ウェハ2の変位△Xの情報を含まないビ
ート信号を検出するもう1つの光検出器(図示せず)を
用い、2つの光検出器の出力を位相差検出用測定器(た
とえば位相計)により。
測定すれば、ウェハ2のレチクル1に対する変位△Xを
正確に知ることができる。
正確に知ることができる。
以下、第4図を参照して本発明の第2実施例について説
明する。第4図は本発明の露光装置の構成図である。第
4図において、1は露光用の原版であるレチクル、2は
パターン露光するウェハ4は光源、5はレチクル1上に
設けられた位置合わせ用マーク、9は色収差を補正する
ための補正光学系、7,7′は空間フィルタリング用光
学系、3は投影レンズ、10はアライメント光、6はウ
ェハ2上に設けられた位置合わせマーク、11は位置合
わせマーク6により回折されたアライメント光である。
明する。第4図は本発明の露光装置の構成図である。第
4図において、1は露光用の原版であるレチクル、2は
パターン露光するウェハ4は光源、5はレチクル1上に
設けられた位置合わせ用マーク、9は色収差を補正する
ための補正光学系、7,7′は空間フィルタリング用光
学系、3は投影レンズ、10はアライメント光、6はウ
ェハ2上に設けられた位置合わせマーク、11は位置合
わせマーク6により回折されたアライメント光である。
以上のような構成において、以下その動作について説明
する。
する。
まず、前記光源、4から出射したコヒーレントな2周波
のアライメント光10はレチクル1上の位置合わせマー
ク5の回折格子で波面分割された後、0次回折光は全反
射ミラー12によって遮光され、±1次回折光のみが前
記偏光光学素子13.13’に入射する。偏光光学素子
13.13’で2周波酸分f、、 f。
のアライメント光10はレチクル1上の位置合わせマー
ク5の回折格子で波面分割された後、0次回折光は全反
射ミラー12によって遮光され、±1次回折光のみが前
記偏光光学素子13.13’に入射する。偏光光学素子
13.13’で2周波酸分f、、 f。
のどちらか一方のみを透過し、補正光学系9と投影レン
ズ3により、ウェハ2上に結像する。ウェハ2上の位置
合わせマーク6で回折されたアライメント光11は、投
影レンズ3、補正光学系9、全反射ミラー12を通過し
、空間フィルタリング用光学系7,7′および空間フィ
ルタ8に入射する。ここで、ウェハ2の表面状態に起因
するスペックルノイズなどを空間フィルタ8によりカッ
トした後光検出器14上に回折光11を結像する。光検
出器14では本発明の第一実施例と同様の理由から、ウ
ェハ2の変位ΔXを位相情報として持つビート信号が得
られ、これよりウェハ2の変位△Xを正確に測定するこ
とができる。
ズ3により、ウェハ2上に結像する。ウェハ2上の位置
合わせマーク6で回折されたアライメント光11は、投
影レンズ3、補正光学系9、全反射ミラー12を通過し
、空間フィルタリング用光学系7,7′および空間フィ
ルタ8に入射する。ここで、ウェハ2の表面状態に起因
するスペックルノイズなどを空間フィルタ8によりカッ
トした後光検出器14上に回折光11を結像する。光検
出器14では本発明の第一実施例と同様の理由から、ウ
ェハ2の変位ΔXを位相情報として持つビート信号が得
られ、これよりウェハ2の変位△Xを正確に測定するこ
とができる。
以上、本発明につき実施例を用いて説明したが本発明の
第1実施例においては、補正光学系9と空間フィルタリ
ング用光学系7,7′の投影レンズ3に対する取付位置
精度はきわめて重要である。
第1実施例においては、補正光学系9と空間フィルタリ
ング用光学系7,7′の投影レンズ3に対する取付位置
精度はきわめて重要である。
仮に、補正光学系9か空間フィルタリング用光学系7,
7′が何らかの原因で位置ずれしたとするとレチクル1
上の位置合わせマーク5とウェハ2上の位置合わせマー
ク6との共役関係がずれてしまう。従って、補正光学系
9と空間フィルタリング用光学系7,7′は投影レンズ
3に対して長時間安定性を持って強固に固定されなけれ
ばならない。
7′が何らかの原因で位置ずれしたとするとレチクル1
上の位置合わせマーク5とウェハ2上の位置合わせマー
ク6との共役関係がずれてしまう。従って、補正光学系
9と空間フィルタリング用光学系7,7′は投影レンズ
3に対して長時間安定性を持って強固に固定されなけれ
ばならない。
また、本発明の第2実施例においては、補正光学系9の
投影レンズ3に対する取付位置精度が重要である。よっ
て、補正光学系9を投影レンズ3と一体に作る等の工夫
が必要である。
投影レンズ3に対する取付位置精度が重要である。よっ
て、補正光学系9を投影レンズ3と一体に作る等の工夫
が必要である。
このように本発明では、特定位置に置かれたレチクル上
の位置合わせマークを、露光波長とは異なるコヒーレン
トな2周波のアライメント光を用い゛〔照明し、位置合
わせマークで回折された+1次=1次回折光に対し、ア
ライメント光の2周波成分子、、 f、のうち一方の
みを通過させ、補正光学系と投影レンズによって、ウエ
ノ・上の位置合わせマーク上に投影し、再回折した光を
空間フィルタリングした後に、光検出器上に導き、ビー
ト信号を検出し、その位相情報を調べることでウニ・・
のレチクルに対する位置ずれを知ることができ、この位
置ずれ検出量にもとづいてウエノ・とレチクルを操作し
て位置ずれをなくし、正確なアライメントを行うことが
できる。
の位置合わせマークを、露光波長とは異なるコヒーレン
トな2周波のアライメント光を用い゛〔照明し、位置合
わせマークで回折された+1次=1次回折光に対し、ア
ライメント光の2周波成分子、、 f、のうち一方の
みを通過させ、補正光学系と投影レンズによって、ウエ
ノ・上の位置合わせマーク上に投影し、再回折した光を
空間フィルタリングした後に、光検出器上に導き、ビー
ト信号を検出し、その位相情報を調べることでウニ・・
のレチクルに対する位置ずれを知ることができ、この位
置ずれ検出量にもとづいてウエノ・とレチクルを操作し
て位置ずれをなくし、正確なアライメントを行うことが
できる。
発明の効果
以上のように本発明は、位置合わせマークの存在領域に
対する色収差を十分に補正する補正光学系を用い、レチ
クル上の回折格子からなる位置合わせマークをウェハ上
の回折格子からなる位置合わせマーク上に、露光波長と
異なるコヒーレント光を用いて投影し、空間フィルタリ
ングを行った後に光検出器で受光することで、高精度な
TTLアライメント系を構成することができる。
対する色収差を十分に補正する補正光学系を用い、レチ
クル上の回折格子からなる位置合わせマークをウェハ上
の回折格子からなる位置合わせマーク上に、露光波長と
異なるコヒーレント光を用いて投影し、空間フィルタリ
ングを行った後に光検出器で受光することで、高精度な
TTLアライメント系を構成することができる。
第1図は本発明の第1実施例における露光装置の構成図
、第2図は本発明に用いられる色補正を行う投影レンズ
の画角内の特定領域を示すレチクルの平面図、第3図は
本発明に用いられるレーザ光源から出射されるレーザ光
の偏光状態を示す偏光方向図、第4図は本発明の第2実
施例における露光装置の構成図、第5図は従来の露光装
置の構成図である。 1・・・レチクル、2・・・ウェハ 3・・・投影レン
ズ、4・・・光源、5・・・位置合わせマーク、6・・
・位置合わせマーク、7・・・空間フィルタリング光学
系、8・・・空間フィルタ、9・・・補正光学系、10
・・・アライメント光、11・・・回折光、12・・・
全反射ミラー、偏向光学素子、14・・・光検出器。 13゜ 13′・・・
、第2図は本発明に用いられる色補正を行う投影レンズ
の画角内の特定領域を示すレチクルの平面図、第3図は
本発明に用いられるレーザ光源から出射されるレーザ光
の偏光状態を示す偏光方向図、第4図は本発明の第2実
施例における露光装置の構成図、第5図は従来の露光装
置の構成図である。 1・・・レチクル、2・・・ウェハ 3・・・投影レン
ズ、4・・・光源、5・・・位置合わせマーク、6・・
・位置合わせマーク、7・・・空間フィルタリング光学
系、8・・・空間フィルタ、9・・・補正光学系、10
・・・アライメント光、11・・・回折光、12・・・
全反射ミラー、偏向光学素子、14・・・光検出器。 13゜ 13′・・・
Claims (6)
- (1)第1の物体と第2の物体の位置合わせ、並びに露
光する際、少なくとも露光波長と異なる波長を持つコヒ
ーレントな光を出射する光源と、投影光学系の特定領域
の色収差をほぼ完全に補正することを目的とした色収差
補正光学系と、空間フィルタリング用光学系と、光検出
手段からなる投影光学系を通して位置合わせを行う系と
を具備してなることを特徴とする露光装置。 - (2)第1の物体、及び第2の物体上には回折格子から
なる両者の位置合わせ用マークが設けられていることを
特徴とする請求項1記載の露光装置。 - (3)少なくとも第1の物体上に位置合わせ用の回折格
子が設けられ、これをコヒーレントな光によって照明し
、色収差補正光学系、空間フィルタリング光学系、及び
投影レンズの少なくとも一部を用いて前記第2の物体上
に投影することを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - (4)コヒーレント光の通過する経路には、第1の物体
、空間フィルタリング用光学系、色収差補正光学系、第
2の物体、投影レンズ、色収差補正光学系、空間フィル
タリング用光学系、及び光検出手段が順番に設けられて
いることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - (5)コヒーレント光の通過する経路には、第1の物体
、色収差補正光学系、投影レンズ、第2の物体、投影レ
ンズ、色収差補正光学系、空間フィルタリング用光学系
、及び光検出手段が順番に設けられていることを特徴と
する露光装置。 - (6)コヒーレント光を出射する光源は、2周波のコヒ
ーレント光を発生する光源を用い、第1の物体の位置合
わせ用マークを透過する光の光路上に、少なくとも1個
の偏光光学素子を設けたことを特徴とする請求項1記載
の露光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181046A JPH0732116B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 露光装置 |
US07/550,925 US5053628A (en) | 1989-07-13 | 1990-07-11 | Position signal producing apparatus for water alignment |
EP90307679A EP0408381B1 (en) | 1989-07-13 | 1990-07-13 | Position signal producing apparatus |
DE69015717T DE69015717T2 (de) | 1989-07-13 | 1990-07-13 | Lagesignalgeber. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181046A JPH0732116B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0344914A true JPH0344914A (ja) | 1991-02-26 |
JPH0732116B2 JPH0732116B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=16093825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1181046A Expired - Fee Related JPH0732116B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0732116B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6286722A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
JPS6327703A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Nikon Corp | 位置検出用光源装置 |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP1181046A patent/JPH0732116B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6286722A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
JPS6327703A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Nikon Corp | 位置検出用光源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0732116B2 (ja) | 1995-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5849103B2 (ja) | 干渉ヘテロダイン光学エンコーダシステム | |
JP2963722B2 (ja) | マスクパターンを基板上に投影する装置 | |
US5214489A (en) | Aligning device for exposure apparatus | |
EP0658813B1 (en) | Radiation-source unit for generating a beam having two directions of polarisation and two frequencies | |
JP4023695B2 (ja) | アラインメント装置及びこの装置が設けられているリソグラフィ装置 | |
JP3352249B2 (ja) | 位置ずれ検出装置 | |
JP2015111157A (ja) | ダブルパス干渉方式エンコーダシステム | |
JP2003527564A (ja) | 角度および距離を測定するための動的ビーム・ステアリング・アセンブリを有する干渉計システム | |
KR20090093892A (ko) | 표면 형상 계측 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
EP0408381B1 (en) | Position signal producing apparatus | |
EP0477026B1 (en) | Position signal producing apparatus | |
EP0510641B1 (en) | Alignment apparatus for use in exposure system for optically transferring pattern onto object | |
US6294296B1 (en) | Method and device for mutually aligning a mask pattern formed in a mask and a substrate | |
JPH04361103A (ja) | 相対位置検出方法及び装置 | |
JPH07161611A (ja) | 位置検出装置 | |
JPH0344914A (ja) | 露光装置 | |
JP2931082B2 (ja) | 微小変位測定方法およびその装置 | |
JP3095036B2 (ja) | 回折格子を用いた位置ずれ量測定方法及びその装置 | |
JPH06160020A (ja) | 計測装置 | |
JP3339591B2 (ja) | 位置検出装置 | |
JPH06137814A (ja) | 微小変位測定方法およびその装置 | |
JPH07123105B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
JPH09293663A (ja) | 位置検出装置及び該装置を備えた露光装置 | |
JP3323609B2 (ja) | 測定方法及びそれを用いた測定装置 | |
JPH0566108A (ja) | 位置合わせ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |