JPH06160020A

JPH06160020A - 計測装置

Info

Publication number: JPH06160020A
Application number: JP4333746A
Authority: JP
Inventors: Tetsushi Nose; 哲志野瀬; Takahiro Matsumoto; 隆宏松本; Koichi Chitoku; 孝一千徳; Kenji Saito; 謙治斉藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-11-20
Filing date: 1992-11-20
Publication date: 1994-06-07

Abstract

(57)【要約】【目的】自動化が可能で計測時間が短縮でき、かつ安
定した高い計測精度が得られる計測装置を提供すること
にある。【構成】僅かに波長が異なり、偏光面が直交する２光
束を出射する光源１の光路上には、偏光ビームスプリッ
タ４が設けられ、偏光ビームスプリッタ４の透過方向に
はウエハ６上の回折格子７、８が形成され、反射方向に
は物体１０上の回折格子１１、１２が形成されている。
また、偏光ビームスプリッタ４の上方にはエッジミラー
１５が設けられ、エッジミラー１５の透過方向には光電
検出器１９、２０が設けられ、反射方向にはミラー３、
２５が設けられている。回折格子７、８から回折される
光束と、参照光発生手段である回折格子１１、１２から
回折される光束とを干渉させることにより、物体１０上
に設けられたパターンのずれ検出を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子製造
用の露光装置における計測装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】紫外光、Ｘ線等を用いてレチクルの回路
パターンをウエハの感光体上に露光転写する半導体製造
用の露光転写装置においては、レチクルとウエハの相対
的な位置合わせは、性能向上を図るための重要な要素と
なっている。特に、最近の露光装置における位置合わせ
においては、半導体素子の高集積化のために例えばサブ
ミクロン以下の位置合わせ精度が要求されている。

【０００３】多くの位置合わせ装置においては、レチク
ル及びウエハ面上に位置合わせ用の所謂アライメントパ
ターンを設け、これらより得られる位置情報を利用して
双方の位置合わせを行っている。このときの位置合わせ
方法としては、例えば双方のアライメントパターンのず
れ量を光学画像とし、画像処理を行うことにより検出し
ている。

【０００４】また、露光装置として組み上げられた装置
の位置合わせ性能を実際に計測評価するには、従来、レ
チクル上に形成された微細なパターンをウエハ上に重ね
合わせ焼き付けし、ウエハ上のパターンとのずれ量の測
定を顕微鏡を用いた目視或いは画像処理する等によって
なされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の方
法においては、光学画像によるアライメントの場合に
は、画像処理が複雑になることを防ぐため、パターンに
は比較的単純な田の字や十文字のマークを用いている。
このため、パターンのエッジ長が短くなり、ウエハプロ
セスによる部分的なパターン変動によって、アライメン
トの精度が低下するという問題がある。

【０００６】また、同一ウエハ上に重ね合わせ、複数の
焼き付けされたパターン相対のずれ量の測定方法につい
ては、顕微鏡を用いた目視による測定を行うと、測定者
の経験や熟練度に依存する点が多く、計測精度が安定し
ていない、自動計測ではないので時間と手間が掛かる、
高い計測精度が得られない、等の問題がある。

【０００７】本発明の目的は、自動化が可能で計測時間
が短縮でき、かつ安定した高い計測精度が得られる計測
装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明に係る計測装置は、１つ又は２つの被検物体
上に形成された少なくとも２つの回折格子パターンから
の回折光を、前記被検物体と別途に設けた少なくとも１
つの回折格子を含む参照光発生手段により発生した参照
波とを合成し干渉させ、かつ前記被検物体上に形成され
た各パターンからの光束を分離手段を経てそれぞれ得ら
れる干渉信号を基に位相差を検出する手段により、１物
体上に設けられたパターン間のずれ検出或いは２物体の
相互のずれ検出を行うことを特徴とする。

【０００９】

【作用】上述の構成を有する計測装置は、被検物体面上
に設けられた回折格子パターンに可干渉光を照射し、格
子パターンから回折される光束と、別途設けた回折格子
を含む参照光発生手段による光束を干渉させ、測定物体
上の格子パターンの位相を干渉信号の位相として検出す
ることにより、物体上に設けられたパターンのずれ検
出、或いは２物体の相互のずれ検出を高精度に行う。

【００１０】

【実施例】本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明
する。図１は本発明の実施例を示し、１物体上に設けら
れたパターン間のずれ検出についての構成図である。１
は可干渉の光源であり、この光源１は２つの僅かに周波
数が異なり更に偏光状態が異なる光束を出射する。これ
には、例えばゼーマンレーザー光源や音響光学素子変調
器を用いた２周波発生光源等があり、ゼーマンレーザー
光源は例えばヒューレットパッカード社等のレーザー干
渉測長器の光源として通常良く知られている。

【００１１】光源１の光路上にはレンズ２を介してミラ
ー３が設けられ、ミラー３の反射方向には偏光ビームス
プリッタ４、レンズ５、レンズ５の焦点位置に設けられ
たウエハ６が順次に配列されている。また、ウエハ６上
には回折格子７、回折格子８が図２に示すように形成さ
れ、回折格子７にはＮ番目のレイヤが焼き付けられ、回
折格子８にはＮ＋１番目のレイヤが焼き付けられてい
る。更に、偏光ビームスプリッタ４の反射方向にはレン
ズ９を介して物体１０が設けられ、物体１０上には回折
格子１１、１２が図３に示すように位置ずれなく形成さ
れている。

【００１２】また、ミラー３の上方には偏光板１３、レ
ンズ１４、エッジミラー１５、レンズ１６が順次に配列
され、エッジミラー１５は図４に示すように反射部１５
ａと透過部１５ｂから構成されている。なお、ウエハ６
とエッジミラー１５はレンズ５、１４に関して共役とな
るように配置され、物体１０とエッジミラー１５もレン
ズ５、１４に関して共役となるように配置されており、
図４に示すようにエッジミラー上に回折格子７、８、１
１、１２のそれぞれの像７’、８’、１１’、１２’が
形成される。更に、レンズ１６の透過方向にはレンズ１
７、レンズ１８が並設され、レンズ１７、１８の透過方
向にはそれぞれ光電検出器１９、光電検出器２０が設け
られている。

【００１３】エッジミラー１５の反射方向にはレンズ２
１が設けられ、レンズ２１の透過方向にはレンズ２２、
レンズ２３が並設されている。また、レンズ２２の透過
方向には光電検出器２４が設けられ、レンズ２３の透過
方向には光電検出器２５が設けられている。光電検出器
１９、２０の出力はロックインアンプ２６に接続され、
光電検出器２４、２５の出力はロックインアンプ２７に
接続されており、更にロックインアンプ２６、２７の出
力は演算器２８に接続されている。

【００１４】光源１は周波数が僅かに異なり、偏向面が
直交する光束を出射する。この光束はレンズ２、ミラー
３を介して偏光ビームスプリッタ４に入射し、Ｐ偏光の
光束L1とＳ偏光の光束L2とに分離される。Ｐ偏光の光束
L1は偏光ビームスプリッタ４を透過し、レンズ５を介し
てウエハ６上の回折格子７、８に入射して回折される。
図２(a) はこのような回折を示す説明図であり、−１次
回折光が光束L3、＋１次回折光が光束L4となって、再び
偏光ビームスプリッタ４に入射する。

【００１５】図５ｈａレンズ５の瞳位置における回折光
の配置を示す説明図であり、回折格子７、８から光束L3
₇ 、L3₈ 及び光束L4₇ 、L4₈ 及び０次光L_Nが下側に見え
る格子７、８に対して図のように得られる。

【００１６】また、Ｓ偏光の光束L2は偏光ビームスプリ
ッタ４で反射し、レンズ９を介して物体１０上の回折格
子１１、１２に入射して回折され、＋１次回折光が光束
L5、−１次回折光が光束L6となって再び偏光ビームスプ
リッタ４を反射する。光束L3と光束L5、及び光束L4と光
束L6はそれぞれ偏光ビームスプリッタ４によって合成さ
れ、偏光板１３によって偏光面を揃えられて干渉し、レ
ンズ１４により集光されてエッジミラー１５に入射す
る。エッジミラー１５に入射した光束のうち、回折格子
７、１１の回折光は透過して光束L7、L8となり、回折格
子８、１２の回折光は反射して光束L9、L10 となる。光
束L7、L8、L9、L10 はそれぞれレンズ１７、１８、２
２、２３を介して光電検出器１９、２０、２４、２５に
よって検出される。

【００１７】光源１からの２光束の周波数をf1、f2とす
ると、周波数Δｆ＝｜f1−f2｜のビート出力が光電検出
器１９、２０、２４、２５によって得られ、ロックイン
アンプ２６、２７を用いてビートの電気出力の位相ずれ
を検出し、ロックインアンプ２６の出力信号とロックイ
ンアンプ２７の出力信号とを演算器２８によって演算す
ることにより、ウエハ６上の回折格子７、８のｘ方向の
位置ずれ量Δｘを測定することができる。

【００１８】この原理について以下に詳細に説明する
と、回折格子７、８間には図２の(b)に示すようにｘ方
向に焼き付け時の位置ずれ量Δｘが生じている。先ず、
光電検出器１９に入射する光束L7は、回折格子７からの
−１次回折光である光束L3と回折格子１１からの＋１次
回折光である光束L5の干渉光である。このとき、ウエハ
６上の或る位置を基準とした場合の回折格子７の座標を
xa、物体１０上の或る位置を基準とした場合の回折格子
１１の座標をzcとすると、光束L1は（−２π／Ｐ)・xa、
光束L3は（２π／Ｐ)・zcの位相変化を受けるため、結果
として光束L7は（−２π／Ｐ)・xa＋（２π／Ｐ)・zcの位
相変化を受ける。同様に、光電検出器２０に入射する干
渉光束L8は回折格子７からの＋１次回折光L4、回折格子
１１からの−１次回折光L6の干渉光として（２π／Ｐ)・
xa−（２π／Ｐ)・zcの位相変化を受けるため、光束L7、
L8の位相差φ（ａ、ｃ）は次式のようになる。 φ（ａ，ｃ）＝｛−（２π／Ｐ)・xa ＋（２π／Ｐ)・zc｝−{(２π／Ｐ)・xa −（２π／Ｐ)・zc｝＝（４π／Ｐ)・（zc−xa) …(1)

【００１９】図６は光電検出器１９、２０の出力のグラ
フ図であり、例えば光電検出器１９からは信号Ａが得ら
れ、光電検出器２０からは信号Ｂが得られる。また同様
に、干渉光束L9、L10 については、回折格子８の座標を
xb、回折格子１２の座標をzdとすると、位相差φ（ｂ，
ｄ）は次式のようになる。 φ（ｂ，ｄ）＝（４π／Ｐ)・(zd −xb) …(2)

【００２０】なお、これらの位相差φ（ａ，ｃ）、φ
（ｂ，ｄ）はロックインアンプ２６、２７によって得ら
れる。更に、演算器２８により、式(1) と式(2) の差を
取ると次式のようになる。 φ＝φ（ｂ，ｄ）−φ（ａ，ｃ）＝（４π／Ｐ)・{(xa−xb）−（zc−zd)} …(3)

【００２１】ここで、回折格子１１、１２のＺ方向のず
れ量は０になるように形成されているため、式(3) は次
式のようになる。 φ＝（４π／Ｐ)・（xb−xa）＝（４π／Ｐ)・Δｘ …(4)

【００２２】φ（ｂ，ｄ）とφ（ａ，ｃ）とを演算器２
６に入力して得られた位相差φにより、所望の回折格子
７、８間のずれΔｘが式(4) から求められる。

【００２３】なお、図１ではロックインアンプ２６によ
り光電検出器１９、２０の信号の位相差出力を求め、ロ
ックインアンプ２７により光電検出器２４、２５の信号
の位相差出力を求めた後に演算器２６に入力している
が、図７に示すように各光電検出器１９、２０、２４、
２５から得られた信号とロックインアンプ及び演算の組
み合わせを変えることも可能である。即ち、この場合に
はロックインアンプ２６’の出力である位相差φ（１
９、２５）は次式のようになる。 φ（１９，２５）＝（２π／Ｐ)・{(xb−xa）−（zd−zc)} …(5)

【００２４】また、ロックインアンプ２７’の出力であ
る位相差φ（２０，２４）は次式のようになる。 φ（２０，２４）＝（２π／Ｐ)・｛−（xb−xa）＋( zd−zc)} …(6)

【００２５】演算器２８’において式(5) 、(6) から位
相差φを求めても、式(4) と同様の式となり、回折格子
７、８間のずれ量Δｘを求めることができる。

【００２６】例えば、Ｐ＝２μｍ、ラインアンドスペー
ス１μｍの格子パターンを設け、ロックインアンプの位
相検出精度を０．２°とすると、（４π／２μｍ)・Δｘ＝（３６０°・２)・Δｘ／２μｍ＝０．２° …(7) となり、式(7) から、 Δｘ＝（０．２・２）／（３６０°・２）μｍ＝０．０
００５５μｍ＝０．５５ｎｍの位置ずれ検出精度を得ることができる。

【００２７】また、図８は音響光学素子を用いた２周波
発生光源手段の詳細な説明図である。通常の１周波数の
レーザー光を発する，例えばＨｅ−Ｎｅレーザー光源で
あるレーザー光源３１の光路上には、λ／４板３２、偏
光ビームスプリッタ３３、音響光学素子３４、ミラー３
５が順次に配列されている。また、偏光ビームスプリッ
タ３３の反射方向には音響光学素子３６、ミラー３７が
配列され、ミラー３５、３７の反射方向には偏光ビーム
スプリッタ３８が設けられている。

【００２８】レーザー光源３１は直線偏光の光束L11 を
出射し、光束L11 はλ／４板３２によって円偏光L12 に
変換され、偏光ビームスプリッタ３３に入射する。円偏
光L12 は偏光ビームスプリッタ３３によってＰ偏光の光
束L13 とＳ偏光の光束L14 に分離され、光束L13 は偏光
ビームスプリッタ３３を透過し、光束L14 はこれを反射
する。この光束L13 、L14 は音響光学素子３４、３６に
よってそれぞれ周波数変調され、ミラー３５、３７を介
して偏光ビームスプリッタ３８で再び合成される。例え
ば、音響光学素子３４を８０ＭHz、音響光学素子３６が
８１ＭHzでドライブすると、合成光は１ＭHzの周波数の
２周波の光束L15 となる。

【００２９】更に、図１においては回折格子７、８のず
れはｘ方向のみの場合について示したが、ｘｙ２方向の
ずれパターンを計測する場合には、ウエハ６及び物体１
０上の回折格子をそれぞれ図９に示すように設定すれば
よい。このとき、光電検出器は図１０に示すように４個
必要となる。なお、この図１０に示す変形例では、図１
と同一の符号は同一の部材を示し、偏光板１３までの光
学系は全て省略してあるが、配置は図１と同様である。

【００３０】ウエハ６上の回折格子４１、４２及び部材
１０上の回折格子４３、４４からの回折光が新たに加わ
り、これらの回折光をそれぞれL21 、L22 及びL23 、L2
4 とする。光束L21 〜L24 の光路上にはエッジミラー４
５が設けられ、図１１はこのようなエッジミラー４５の
平面図であり、反対部４５ａと透過部４５ｂが成ってい
る。エッジミラー４５の透過方向にはそれぞれレンズ１
７、１８、４６、４７を介して光電検出器１９、２０、
４８、４９が設けられ、反射方向にはレンズ２２、２
３、５０、５１を介して光電検出器２４、２５、５２、
５３が設けられている。また、光電検出器１９、２０、
４８、４９の出力はロックインアンプ５４に接続され、
光電検出器２４、２５、５２、５３の出力はロックイン
アンプ５５に接続されている。更に、ロックインアンプ
５４、５５の出力は演算器５６に接続されている。

【００３１】光束L21 〜L24 のうち、回折格子４１、４
３からの回折光はエッジミラー４５を透過して光束L25
、L26 となり、回折格子４２、４４からの回折光は反
射して光束L27、L28 となる。光束L25 〜L28 は光電検出
器４８、４９、５２、５３によってそれぞれ検出され、
ロックインアンプ５４、５５に入力される。このとき、
ロックインアンプ５４、５５は光電検出器１９、２０、
２４、２５からの出力に対して入力停止状態にしてお
く。

【００３２】これまでは、１物体上に設けられた２つの
パターンの相互のずれを計測する場合について示した
が、次に２物体の相互の位置ずれを計測する場合につい
て説明する。図１２は第２の実施例のＸ線露光装置への
適用例であり、マスクとウエハを５μｍ〜１００μｍ程
度に近接して露光する場合の、マスクとウエハの相互の
位置合わせを行うずれ計測装置の構成図を示している。

【００３３】レンズ５の焦点距離にはマスク６１、ウエ
ハ６２が設けられ、マスク６１上には回折格子６３が形
成され、ウエハ６２上には回折格子６４が形成されてい
る。また、ウエハ６２上には図１３に示すように所謂ス
クライブライン６５が形成されている。ｘ方向のずれ信
号が演算器２６の出力として得られる。図１３は回折格
子６３、６４に光束L1が入射する状態を示す説明図であ
り、図１４は各回折格子６３、６４のｘｙ平面図であ
る。

【００３４】なお、図１３、図１４で示したマスク６１
及びウエハ６２の回折格子６３、６４の配置は、図１
５、図１６、図１７のようにしてもよい。即ち、ｘ方向
のずれを計測する場合において、ｘ方向にマスク６１及
びウエハ６２上の回折格子６６、６７を並べて行うこと
ができる。ただし、この場合には物体１０上の参照パタ
ーンもこれと同様に配置すればよい。即ち、図１８に示
すように回折格子６８、６９をｚ方向に直列状に配置
し、これに対応してエッジミラー１５は図１９に示すよ
うに透過部１５ｂに回折格子６６の投影像が設けられ、
反射部１５ａに回折格子６７の投影像が入射するように
すればよい。

【００３５】図２０は第３の実施例の構成図であり、光
源１の光路上には偏光ビームスプリッタ７１が設けられ
ている。偏光ビームスプリッタ７１の反射方向にはλ／
４板７２を介してレンズ５が設けられ、透過方向にはλ
／４板７３を介してレンズ９が設けられている。

【００３６】光源１から出射された光束は偏光ビームス
プリッタ７１により２光束に分離され、Ｐ偏光の光束は
偏光ビームスプリッタ７１を透過し、λ／４板７３によ
ってＳ偏光に変換され、物体１０上の回折格子１１、１
２で回折されて偏光ビームスプリッタ７１を反射する。
また、Ｓ偏光の光束は偏光ビームスプリッタ７１を反射
し、λ／４板７２によってＰ偏光に変換され、ウエハ６
上の回折格子７、８で回折されて偏光ビームスプリッタ
７１を透過する。以後、第１の実施例と同様の手順に従
って、ウエハ上の２つの回折格子の焼き付けずれを計測
することができる。

【００３７】なお、本実施例においても、ｘ方向だけで
なくｘ、ｙ両方向のずれを計測する場合には、ウエハ６
上の回折格子７、８及び部材１０上の回折格子１１、１
２を図９に示すように配置し、光電検出器及びロックイ
ンアンプ及び演算器の配置を図１０と同様にし、エッジ
ミラー１５も図１１のようにすればよい。更に、第３の
実施例が１物体上の回折格子７、８の相互のずれを検出
するのに対し、これを２物体の相互の位置ずれを検出す
る場合にも、第２の実施例と同様に容易に適用可能であ
る。

【００３８】図２１は第４の実施例を示し、対物レンズ
５の下方に偏光ビームスプリッタ４を配置し、このよう
にしても第１の実施例と同様の効果が得られる。光束を
集光した後に参照波発生用の物体１０上の回折格子１
１、１２に光束を照射する構成になっている。

【００３９】図２２は第５の実施例の構成図であり、光
源１の光路上にはレンズ２、ハーフミラー７６、ミラー
７７が順次に配列され、それぞれの反射光が偏光ビーム
スプリッタ４に入射するようになっている。

【００４０】光源１から出射された光束はハーフミラー
７６で２分割され、この２光束は共に偏光ビームスプリ
ッタ４に入射する。ハーフミラー７６を反射した光束は
偏光ビームスプリッタ４で分離され、Ｐ偏光は透過して
光束L31 となり、Ｓ偏光は反射して光束L32 となる。同
様に、ハーフミラー７６を透過しミラー７７を反射した
光束も偏光ビームスプリッタ４で分離され、Ｐ偏光は光
束L33 、Ｓ偏光は光束L34 となる。

【００４１】図２３は対物レンズ５を通過した光束が、
ウエハ６上の回折格子７、８からどのように回折される
かを詳細に示す説明図である。回折格子７、８への入射
角つまりウエハ６の法線と成す角をθin、回折角をθou
t 、入射光の波長をλ、回折格子７、８のピッチをＰと
すると、入射光L31 の回折光L3については、Ｎを整数と
すると、次の関係が成立する。Ｐ・sin(θin) ＋Ｐ・sin(θout)＝Ｎ・λ …(8)

【００４２】従って、１次の回折光を用い、λ＝０．６
３２８μｍ（Ｈｅ−Ｎｅレーザー光）の場合にθin＝１
２°、Ｐ＝２μｍとすると、θout ＝６．２２８°とな
る。従って、第１の実施例の場合には、θ＝sin ^-1（λ
／Ｐ）＝sin ^-1（０．６３２８／２）＝１８．４４８°
であるのに対し、本実施例の場合には対物レンズ５を通
る光の回折格子７、８と張る角度が図１の場合より小さ
くて済むことにより、対物レンズ５の所謂ＮＡ（Numeri
cal Aperture）が小さくて済むという効果がある。以
後、第１の実施例と同様にウエハ上の回折格子の焼付ず
れを高精度に計測することができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る計測装
置は、被検物体面上に設けられた回折格子パターンに干
渉光を照射し、格子パターンから回折される光束と、別
途に設けた少なくとも１つの回折格子を含む参照光発生
手段による光束を干渉させ、測定物体上の格子パターン
の位相を干渉信号の位相として検出することにより、１
物体上に設けられたパターン間のずれ検出、或いは２物
体の相互のずれ検出を高精度に行い、これにより参照光
と被検物の回折光の干渉光量のマッチングと干渉させる
空間位置のマッチング効率良く行うことが可能な手段が
実現する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の詳細な構成図である。

【図２】第１の実施例の回折格子の説明図である。

【図３】参照波発生用パターンの説明図である。

【図４】エッジミラーの説明図である。

【図５】第１の実施例の対物レンズの瞳とパターンから
の回折光の説明図である。

【図６】ヘテロダイン法の原理についての電気信号と位
相の説明図である。

【図７】電気処理回路の変形例の構成図である。

【図８】音響光学素子変調を用いた構成図である。

【図９】ｘｙ二次元方向の計測可能な実施例の格子パタ
ーンである。

【図１０】ｘｙ二次元方向の計測可能な変形例の構成図
である。

【図１１】エッジミラーの正面図である。

【図１２】第２の実施例の構成図である。

【図１３】マスク、ウエハの斜視図である。

【図１４】回折格子の説明図である。

【図１５】マスクとウエハ上の回折格子の配置の説明図
である。

【図１６】マスクとウエハの斜視図である。

【図１７】回折格子の配置の説明図である。

【図１８】回折格子の配置の説明図である。

【図１９】エッジミラーの正面図である。

【図２０】第３の実施例の構成図である。

【図２１】第４の実施例の構成図である。

【図２２】第５の実施例の構成図である。

【図２３】作用説明図である。

【符号の説明】

１光源４偏光ビームスプリッタ６、６２ウエハ７、８、１１、１２、４１、４２、４３、４４、６３、
６４、６６、６７、６８、６９回折格子１０物体１３偏光板１５、４５エッジミラー１９、２０、２４、２５、４８、４９、５２、５３光
電検出器２６、２７、５４、５５ロックインアンプ２８、５６演算器６１マスク７６ハーフミラー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斉藤謙治東京都大田区下丸子三丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１つ又は２つの被検物体上に形成された
少なくとも２つの回折格子パターンからの回折光を、前
記被検物体と別途に設けた少なくとも１つの回折格子を
含む参照光発生手段により発生した参照波とを合成し干
渉させ、かつ前記被検物体上に形成された各パターンか
らの光束を分離手段を経てそれぞれ得られる干渉信号を
基に位相差を検出する手段により、１物体上に設けられ
たパターン間のずれ検出或いは２物体の相互のずれ検出
を行うことを特徴とする計測装置。
【請求項２】前記回折格子のずれ検出はヘテロダイン
検出法とした請求項１に記載の計測装置。
【請求項３】前記ずれ検出をｘ、ｙ２方向に対して行
う請求項１に記載の計測装置。