JP3244769B2 - 測定方法及び測定装置 - Google Patents

測定方法及び測定装置

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JP3244769B2 JP14156292A JP14156292A JP3244769B2 JP 3244769 B2 JP3244769 B2 JP 3244769B2 JP 14156292 A JP14156292 A JP 14156292A JP 14156292 A JP14156292 A JP 14156292A JP 3244769 B2 JP3244769 B2 JP 3244769B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は測定方法、測定装置に関
する。本発明はとくに、光ヘテロダイン干渉計測法の応
用で光ヘテロダイン干渉法を用いた計測装置、例えば、
微小変位測定装置、位置合わせ装置焼き付け重ね合わせ
評価装置、測長器、回折格子等の回折手段を用いて物体
の微小な変位を測定する装置などに好適に利用できるも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来より、高精度な微小変位測定には、
位相検波により、変位と線形関係にある光の位相情報を
検波することが可能なヘテロダイン干渉法が広く用いら
れてきた。
【0003】ヘテロダイン干渉法では周波数がわずかに
異なる二光束によってできる時間的に変化する干渉縞を
光電検出し、干渉縞の位相を電気信号の位相に変換して
測定する。
【0004】例えば図20は従来の実施例で、光源に
は、ゼーマンレーザ301を用いて、周波数がわずかに
異なる互いに直交した直線偏光の光302,303を利
用し、干渉計を構成する微小変位測定装置である。光3
02はP偏光で電気ベクトルが紙面内の光で周波数
1,光303はS偏光で電気ベクトルが紙面と垂直な
光で周波数がf2である。ゼーマンレーザ301から発
っせられた光302,303のそれぞれの複素振幅表示
1,E2はφ1,φ2をそれぞれ初期位相とすると、次の
ように書ける。
【0005】 E1=A0exp{i(w1t+φ1)} (1) E2=B0exp{i(w2t+φ2)} (2) ここで、A0,B0は振幅、w1,w2は角周波数で、w1
=2πf1、w2=2πf2である。光302,303は
ビームスプリッタ304により、それぞれ振幅分割さ
れ、一方は(それぞれ光303,302に対応する)参
照光306,307となり、片方は干渉計に入る(それ
ぞれ光303,302に対応する)信号光315,31
6となる。
【0006】このとき参照光306,307を偏光板3
05(それぞれの偏光方向に45°傾いた偏光成分を取
りだす偏光子)によって偏光方向を揃え、光電検出器3
17で検出する。この時の2つの光の複素振幅表示E1R
(光307の複素振幅)、E2R(光306の複素振幅)
はそれぞれLs,L0を図13中に示す様にそれぞれ光源
301からビームスプリッタ304まで、ビームスプリ
ッタ304から検出器317までの光路長、A11をそ
れぞれの振幅とすると、 E1R=A1exp[i{w1t+φ−k1(Ls+L0)}] (3) E2R=B1exp[i{w2t+φ2−k2(Ls+L0)}] (4) ここで、k1,k2は波数で、Cを光束として、
【0007】
【外1】 である。2つの参照光は偏光板305によって偏光方向
を揃えられており、両者は干渉する。この干渉光を光電
検出器317で光電検出すると、検出信号IRは、 IR=A2 1+B2 1+2A11cos{(w1−w2)t+(φ1−φ2)+(k2− k1)(Ls+L0)} (5) となる。これはw1−w2の角周波数すなわちf1−f2
周波数で、位相がψR=(φ1−φ2)+(k2−k1
(Ls+L0)のビート信号である。他方ビームスプリッ
タ304を透過した光は、偏光ビームスプリッタ308
に入射する。S偏光の光315は反射され、ミラー31
0で反射し、再度偏光ビームスプリッタ308に向か
う。この時、光路中に配置されているλ/4板309を
2回通ることによって偏光方向はπ/2回転し、P偏光
の光になっているため透過する。また、P偏光の光31
6は、偏光ビームスプリッタ308を透過して、被測定
物312で反射し、再度偏光ビームスプリッタ308に
向かう。同様にこの光路中に配置されているλ/4,板
311を2回通るために、偏光方向がπ/2回転し、S
偏光の光となるため、偏光ビームスプリッタ308で反
射される。この後S偏光の信号光316,P偏光の信号
光315を偏光板305と同様の偏光板314により偏
光方向を揃え光電検出器318で検出する。A2,B2
それぞれの振幅、L1をビームスプリッタ304からミ
ラー310で反射して光電検出器318に至る光束31
5の光路長、L1+2ΔLをビームスプリッタ304か
ら被測定物312で反射して検出器318に至る光束3
16の光路長とすると、光電検出器318における、光
316,光315のそれぞれの複素振幅表示E1s,E2s
は、それぞれ次のように書ける。ただしΔLは被測定物
312の変位量である。
【0008】 E1s=A2・exp[i{w1t+φ1−k1(Ls+L1+2ΔL)}] (6) E2s=B2・exp[i{w2t+φ2−k2(Ls+L1)}] (7) 2つの信号光は偏光板314によって偏光方向を揃えら
れており、両者は干渉し、この干渉光を光電検出器31
8で検出した時の、検出信号Isは、 Is=A2 2+B2 2+2A22cos{(w1−w2)t+(φ1−φ2)+(k2− k1)(Ls+L1)−2k1ΔL} (8) である。これはw1−w2の各周波数すなわちf1−f2
周波数で、位相がψS=(φ1−φ2)+(k2−k1
(Ls+L1)−2k1ΔLのビート信号である。
(5),(8)式に示されるビート信号の位相の差Δψ
=ψR−ψSは同期検査波器としてのロックインアンプ3
19を用いて測定する。
【0009】(5)(8)式に示されるビート信号の位
相の差Δψを求めると次式のようになる。
【0010】 Δψ=(k2−k1)(L0−L1)+2k1ΔL 変形すると、次式のように書ける。
【0011】
【外2】 あらかじめ、ΔL=0のときのΔψ0を測定すると、 L0−L1=Δψ0/(k2−k1) であり、k1,k2は既知であるからL0−L1が求まる。
【0012】その後、2つのビート信号(5),(6)
式の位相の差Δψを測定すれば、(9)式より被測定物
の変位ΔLを求めることができる。
【0013】
【発明が解決しようとしている課題】ところが、このよ
うなヘテロダイン干渉計測の分解能は、2つのビート信
号間の位相差を測定する位相測定装置の分解能で決ま
り、計測の分解能を上げるには、位相測定装置の分解能
を上げる必要があり、技術的な限界が存在する。
【0014】又、従来より、物体の移動量や回転量を光
学スケールを用いて測定する、いわゆる光学式エンコー
ダが機械制御などの分野で用いられてきた。従来用いら
れてきた光学式エンコーダの一例としては、特開昭58
−191907号公報に示されるものがある。これは光
源からのコヒーレント光をミラー等を介して基準尺とな
る回折格子に入射し、この回折格子から出射される+N
次及び−N次の回折光をコーナーキューブでもとの方向
へ反射して再度回折格子に入射させ、ここで±N次の2
つの回折光を同一方向に回折させて相互に干渉させ、そ
の干渉光の強度を光センサによって検知するように構成
されていた。
【0015】この様な装置は小型構成で高分解能が達成
できる為、多様な目的で、色々な用途に使われていた。
【0016】加工、制御等において、更なる精密化、微
細化が進んでいる今日、この様な計測を行なう装置も、
今までよりさらに高分解能であることが求められてきて
いる。
【0017】本発明は、上述従来のヘテロダイン干渉計
測における上のような欠点を克服し、位相測定装置の分
解能が同じであっても、2倍の計測精度が得られるよう
になる計測方法あるいは装置を提供する事を第1の目的
とする。
【0018】
【課題を解決する為の手段】前記目的を達成する為本発
明の方法は、同じ周波数のビート信号を発生する第一の
異周波数光束対と第二の異周波数光束対を形成し、前記
第一および第二の光束対のうち一方の光束対の周波数の
小さい方の光束と他方の光束対の周波数の大きい方の光
束とに同方向位相変化付与の為の所定光路を経由させた
後、前記第一の光束対、第二の光束対それぞれで光束を
重ね合わせた時に発生するビート信号同士の比較より前
記位相変化の情報を測定している。
【0019】又、本発明の装置は、同じ周波数のビート
信号を発生する第一の異周波数光束対と第二の異周波数
光束対を形成する光束対形成手段と、前記第一および第
二の光束対のうち一方の光束対の周波数の小さい方の光
束と他方の光束対の周波数の大きい方の光束とに同方向
位相変化付与の為の所定光路を経由させた後、前記第一
の光束対、第二の光束対それぞれで光束を重ね合わせる
光学手段と、該光学手段によって重ね合わせた時に発生
するビート信号同士の比較より前記位相変化の情報を測
定する位相変化情報検出手段とを有する様にしている。
【0020】更に本発明の測定装置は、同じ周波数のビ
ート信号を発生する様に組み合わされた第一の異周波数
光束対と第二の異周波数光束対を形成するための光束形
成手段と、前記第一及び第二の光束対のうち一方の光束
対の周波数の小さい方の光束と他方の光束対の周波数の
大きい方の光束とを回折手段によって第一の次数で回折
させ、かつ前記一方の光束対の周波数の大きい方の光束
と前記他方の光束対の周波数の小さい方の光束とを前記
回折手段によって、前記第一の次数とは符号が異なる第
二の次数で回折させる様に前記各光束を前記回折手段に
照射する照射手段と、該回折を受けた前記第一の光束対
を干渉させて得られる第一のビート信号と、該回折を受
けた前記第二の光束対を干渉させて得られる第二のビー
ト信号とを比較することにより前記回折手段の相対的な
変位情報を得る変位情報検出手段とを設けている。
【0021】
【実施例】まず本発明の実施例の原理を説明する。
【0022】わずかに周波数の異なるf1,f2の光を発
する光源部からの光を被測定物体へ照射する。被測定物
体で反射、回折、散乱等された光f1と他の光路を通っ
てきた(被測定物体で反射、回折、散乱等されてもされ
なくても良い)光f2とを干渉させて第1のビート光を
形成する。同様に被測定物体で反射、回折、散乱等され
た光f2と他の光路を通ってきた(被測定物体で反射、
回折、散乱等されても、されなくても良い)光f1とを
干渉させて第2のビート光を形成する。その際、被測定
物体の測定量(例えば変位量)に対応したそれぞれのビ
ート光の位相の符号が異なるように計測装置を構成す
る。これら2つのビート光をそれぞれ別々の光電検出器
で検出する。
【0023】このようにして得られた2つのビート信号
を同期検出器を用いて同期検出することにより、検出さ
れた位相差から被測定物体を計測するものである。
【0024】ビート信号の時間的変化を図2に示す。
【0025】従来例の場合は、参照光の検出信号は、常
に一定であり、位相の変化は生じない。これを図2中で
参照信号13とする。一方、信号光の検出信号は、14
のように、測定量に応じ、Δψ0の位相変化が生じる。
この2つの信号の位相差を同期検出器を用いて測定すれ
ば、Δψ0の位相差として検出される。
【0026】本発明の後述する実施例によれば、図2
中、第1のビート光の検出信号は14,第2のビート光
の検出信号は、14′となり、測定量に応じそれぞれΔ
ψ1,Δψ2の位相変化が生じる。ここで位相変化Δ
ψ1,Δψ2の符号が異なるような2つのビート信号を得
るように計測装置を構成しており、今Δψ1=Δψ0,Δ
ψ2=−Δψ0となるように構成し、その2つの信号の位
相差を同期検出器を用いて測定すれば、Δψ=Δψ0
(−Δψ0)=2Δψ0となり、従来の方式の2倍の位相
差として検出することができる。
【0027】以下具体的に図面を用いて実施例を説明す
る。
【0028】図1は、本発明の第1の実施例で、微小変
位測定装置である。ゼーマンレーザ1より発っせられた
互いに直交する偏光状態の光2(P偏光、周波数f1
及び光3(S偏光、周波数f2)は、ビームスプリッタ
4で振幅分割される。ビームスプリッタ4で反射した光
2′、3′(それぞれ光2、3の反射光)は、λ/4板
5を透過し、ミラー6で反射後、再びλ/4板5を透過
し、ビームスプリッタ4に再入射する。このとき、λ/
4板5を2回通ることにより、偏光方向がπ/2回転
し、光2′はP偏光からS偏光に、また、光3′はS偏
光からP偏光になる。ビームスプリッタ4に再入射し、
透過した光(図1中ではこの時ビームスプリッタ4で反
射される光は省略している)のうち、P偏光である光
3′は、偏光ビームスプリッタ9を透過し、S偏光であ
る光2′は、反射する。
【0029】他方、ゼーマンレーザ1から発せられた
後、ビームスプリッタ4を透過した光2″,3″(それ
ぞれ光2,3の透過光)は、被測定物7で反射し、再度
ビームスプリッタ4に入射する。
【0030】ビームスプリッタ4に再入射し、反射され
た光(図1中ではこの時ビームスプリッタ4で透過する
光は省略している)のうち、P偏光である光2″は偏光
ビームスプリッタ9を透過し、S偏光である光3″は反
射する。
【0031】偏向ビームスプリッタ9で透過された光
2″と3′,及び反射された光2′と3″は、それぞれ
偏光方向が揃っているため干渉光となっている。この干
渉光を光電検出器10,11でそれぞれ光電検出して、
その時の得られる信号相互の位相差をロックインアンプ
12を用いて検出する。
【0032】ここで、ビームスプリッタ4からのミラー
6と被測定物7までの光路長が等しく、かつ偏光ビーム
スプリッタ9からの光電検出器10と11までの距離が
等しい時は、ゼーマンレーザ1から光電検出器10およ
び11までの光路長はすべて等しくなり、このときの光
路長をLとし、この状態から被測定物7がX方向にΔL
変位した時の検出信号は次のようになる。偏光ビームス
プリッタ9を透過した光の光電検出器10の受光部にお
ける複素振幅表示Ep(f1)、Ep(f2)はそれぞれ次
式で表わされる。
【0033】 Ep(f1)=Aexp[i{w1t+φ1−k1(L+2ΔL)}] (10) Ep(f2)=Bexp[i{w2t+φ2−k2L}] (11) ここで、A,Bは振幅、w1,w2は角周波数で、w1
2πf1,w2=2πf2である。また、φ1,φ2はゼー
マンレーザ1で発せられた光の初期位相である。k1
2は波数で、Cを光束として、
【0034】
【外3】 である。Ep(f1),Ep(f2)は、偏光方向が揃えて
あるため干渉する。この干渉光を光電検出器10で光電
検出した時の検出信号I1は、 I1=A2+B2+2ABcos{(w1−w2)t+(φ1−φ2)−2k1ΔL} (12) となる。
【0035】他方、偏光ビームスプリッタ9で反射した
光の光電検出器11の受光部における複素振幅表示Es
(f1)、Es(f2)は次式で表わされる。
【0036】 Es(f1)=Aexp[i{w1t+φ1−k1L}] (13) Es(f2)=Bexp[i{w2t+φ2−k2(L+2ΔL)}] (14) Es(f1),Es(f2)は、偏光方向が揃えてあるた
め、干渉し、その干渉光を光電検出器11で光電検出し
た時の検出信号I2は、 I2=A2+B2+2ABcos{(w1−w2)t+(φ1−φ2)+2k2ΔL} (15) となる。以上光電検出した信号I1及びI2をロックイン
アンプ12aの2つの入力信号として、I2の位相とI1
の位相の差Δψ′を求めると次のようになる。
【0037】Δψ′=2(k1+k2)ΔL (16) 被測定物7の変位ΔLに対し、Δψ′は2(k1+k2
ΔL変化する。
【0038】(16)式を変形すれば
【0039】
【外4】 となり、ビート信号の位相差Δψ′を測定することによ
り、変位ΔLを求めることができる。その際の、被測定
物の変位に対し、本方式は、従来例と比べ
【0040】
【外5】 倍、k1≒k2であるから約2倍の感度が得られたことに
なり、同じ精度のロックインアンプを用いた場合、従来
例と比べ約2倍の精度が得られる。ロックインアンプ1
2aの出力は演算器12bに入力され、演算器12bに
て(16)式の変形式よりΔLを計測する。
【0041】図3は本発明の第2の実施例を示す図で、
遠紫外光、X線等を用いるプロキシミティー露光方式半
導体製造装置の位置合わせ部を示す。マスク22上に設
けられた回折格子からなるアライメントマーク24とウ
エハ23上に設けられた回折格子からなるアライメント
マーク25を用いて、マスク22とウエハ23の位置合
わせを行う。ゼーマンレーザ15から発せられた互いに
直交する偏光状態の光16(P偏光、周波数f1)、お
よび光17(S偏光、周波数f2)は、ビームスプリッ
タ18で振幅分割される。ビームスプリッタ18で反射
した光16′,17′(それぞれ光16,17の反射
光)は、λ/2板19を透過する。このとき、偏光方向
がπ/2回転し、光16′はP偏光からS偏光の光1
6′′′(周波数f1)に、また光17′はS偏光から
P偏光の光17′′′(周波数f2)になる。λ/2板
19を透過した光16′′′,17′′′はミラー20
により、進路変更して、共にマスク22上に設けられた
回折格子24およびウエハ23上に設けられた回折格子
25の両方に照射される。
【0042】他方ビームスプリッタ18を透過した光1
6″,17″(それぞれ光16,17の透過光)は、ミ
ラー21により進路変更して共に回折格子24および回
折格子25の両方に照射される。
【0043】回折格子24,および25は反射型の等間
隔直線回折格子でピッチは等しく、その値はPである。
図4にマスク22およびウエハ23の法線方向から見た
アライメントマーク24,25及び照射光の配置を示
す。ここで回折格子で回折される光のうち0次回折光
(正反射光)の進行方向に向かって図面上X−Z面を+
y側から見て左側(−x側)に回折された回折光を+m
次回折光、右側(+x側)に回折された回折光を−m次
回折光とする。一般に回折格子の格子パターンと垂直な
方向(図3では+x軸方向)に回折格子が1ピッチ移動
すると回折光の位相は2mπ変化することが良く知られ
ており、回折格子24がxM,回折格子25がxWだけ基
準となる位置からx方向に移動すると、各々の回折格子
で回折された光にはそれぞれ±2mπXM/P±2mπ
XW/Pの位相変化が付加される。今、回折格子24,
25からの、測定に使用される+1次回折光が回折格子
24及び回折格子25の法線方向に回折するようにそれ
ぞれの入射角を設定し、法線方向へ回折される光を考え
る。
【0044】回折格子24による左側入射光1
6′′′,17′′′の+1次回折光EMS(f1),E
MP(f2)および右側入射光16′,17′の−1次回
折光EMP(f1),EMS(f2)の複素振幅表示は次式の
ようになる。
【0045】 EMS(f1)=Aexp{i(w1t+φ1+φM)} (17) EMP(f2)=Bexp{i(w2t+φ2+φM)} (18) EMP(f1)=Aexp{i(w1t+φ1−φM)} (19) EMS(f2)=Bexp{i(w2t+φ2−φM)} (20) ここで、A,Bは振幅、w1,w2は角周波数、φ1,φ2
はゼーマンレーザ15から発せらた光の初期位相、φM
=2πXM/Pである。同様に、回折格子25による左
側入射光16′′′、17′′′の+1次回折光E
WS(f1),EWP(f2)および右側入射光16″,1
7″の−1次回折光EWP(f1),EWS(f2)の複素振
幅表示は次式のようになる。
【0046】 EWS(f1)=Aexp{i(w1t+φ1+φw)} (21) EWP(f2)=Bexp{i(w2t+φ2+φw)} (22) EWP(f1)=Aexp{i(w1t+φ1−φw)} (23) EWS(f2)=Bexp{i(w2t+φ2−φw)} (24) ここで、φw=2πXW/Pである。
【0047】回折格子24、25に回折された光のうち
偏光面が揃っているもの同士が干渉し、4つの干渉光が
得られる。回折格子24で回折した光のうち、P偏光の
ものは(18)、(19)式で表され、その干渉光36
の強度変化IMPは IMP=A2+B2+2ABcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)+2φM}− (25) となる。以下同様にS偏光のものは、(17)、(2
0)式で表され、その干渉光37の強度変化IMS、ま
た、回折格子25で回折された光のうち、P偏光である
(22)、(23)式の干渉光38およびS偏光である
(21)、(24)式の干渉光39のそれぞれの強度変
化IWP、IWSを式で表すとそれぞれ次式のようになる。
【0048】 IMS=A2+B2+2ABcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)−2φM} (26) IWP=A2+B2+2ABcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)+2φw} (27) IWS=A2+B2+2ABcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)−2φw} (28) これら4つの干渉光をそれぞれ独立に光電検出器30、
33、31、32で検出する。
【0049】それぞれの干渉光の分離は、例えば以下の
ようにして行えばよい。
【0050】回折格子24、25で回折された光をミラ
ー26で方向を変え、偏光ビームスプリッタ27に導
く。これにより、P偏光の干渉光36、38は透過し、
S偏光の干渉光37、39は反射させることによって二
分する。
【0051】さらに、回折格子付近からの出射光が、回
折格子のある面上で見て図4で示されるような境界線4
0で空間的に分離されるように、エッジミラー28、2
9を配置することにより、回折格子24による回折光の
干渉光36と37および回折格子25による回折光の干
渉光28と29とをそれぞれ二分する。このようにして
分離されたそれぞれの干渉光は光電検出器30、31、
32、33(例えばアバランシェフォトダイオード)で
電気信号に変換されてロックインアンプ34、35に導
く。ロックインアンプ35を用いて(25)、(26)
式で示される回折格子24による回折光36と37によ
るw1−w2の周波数のビート信号間の位相ずれΔTM
検出すると、
【0052】
【外6】 となり、ロックインアンプ35で位相を検出することに
よりマスク22のx方向のずれ量XMが求まる。同様に
して(27)、(28)式で示される信号間の位相ずれ
ΔTWをロックインアンプ34を用いて検出すると
【0053】
【外7】 となり、ウエハ23のx方向のずれ量xwが求まる。マ
スク22およびウエハ23のx方向のずれ量が等しくな
るようにウエハを移動させることによりマスク22とウ
エハ23の位置合わせを行うことができる。
【0054】ここで回折格子24、25のピッチを2μ
m、ゼーマンレーザ15から発せられる光の中心波長λ
=0.6328μmとすると、回折格子24、25に垂
直に入射した時の±1次回折光の回折角をθ±1とする
と θ±m=sin(mλ/P)(mは回折次数) (29) の関係式より、θ±1=sin-1(0.6328/2)
=18.4°となる。したがって、回折格子24、25
に入射した光がマスク22、ウエハ23に対して垂直上
方に回折させるためには、左右の入射角もθ±1に等し
くなるようにミラー20、21を設定すればよい。
【0055】上述の原理に基づき、マスク22上の回折
格子24とウエハ23上の回折格子25のずれ量を求め
ることにより、半導体露光装置の位置合わせを、精度良
く検出することができる。この様にして本実施例ではビ
ート信号を形成する2つの異周波数(f1、f2)光を位
置ずれ検出すべき方向(x方向)に関してちょうど互い
に逆の配置になる様な形で入射させている。2組の光束
対それぞれが形成するビート信号同士の位相ずれから位
置検出している。したがって、この2組のうち、1組だ
けで形成されたビート信号と、位相が固定されているビ
ート信号との位相ずれから位置検出を行う場合と比較す
ると、同じ位置ずれに対する位相ずれ量は2倍になり、
したがって位置ずれ検出分解能も2倍向上する。
【0056】ロックインアンプ34、35の出力は中央
制御ユニットCPに送られ中央制御ユニットCPでマスク
とウエハとのずれ量(又はずれの存在とずれ方向)が検
出され、これに基づいて周知のマスクx方向駆動用のマ
スクアクチュエータ22Aとウエハx方向駆動用のウエ
ハアクチュエータ23Aの少なくとも一方に駆動指令信
号が出されて、マスクとウエハの位置合わせが行われ
る。説明では省略したがy方向にこれらを一式設け、y
方向の位置合わせも同様に行う。
【0057】図5は本発明の第3の実施例を示す図で、
2回の露光によりそれぞれ焼き付けられた2つの焼き付
け重ね合わせ評価パターン間の位置ずれを高精度に検出
し、評価する焼き付け重ね合わせ評価装置である。ゼー
マンレーザ41から発せられた互いに直交する偏光状態
の光42(P偏光、周波数f1)および光43(S偏
光、周波数f2)は、ビームスプリッタ44で振幅分割
される。ビームスプリッタ44で反射した光42′、4
3′(それぞれ光42、43の反射光)は、λ/2板4
5を透過する。このとき、偏光方向がπ/2回転し、光
42′はP偏光の光からS偏光の光42′′′に、また
光43′はS偏光の光からP偏光の光43′′′にな
る。λ/2板45を透過した光42′′′、43′′′
はミラー46により、進路偏向して、ウエハ50上に設
けられた回折格子48、49の全面に照射する。ウエハ
50上の回折格子48、49はウエハ上に別々の焼付プ
ロセスを経て形成された、図6に示すような隣接する2
つの等間隔直線回折格子であり、ピッチは等しく、Pで
ある。回折格子48および49間には、x方向に焼き付
け時の位置ずれΔxが生じている。
【0058】他方ビームスプリッタ44を透過した光4
2′′、43′′(それぞれ光42、43の透過光)は
ミラー47により、進路変更して、回折格子48、49
に照射する。
【0059】このとき、回折格子48による左側入射光
42′′′、43′′′のそれぞれの+1次回折光EAS
(f1)、EAP(f2)および右側入射光42′′、4
3′′のそれぞれの−1次回折光EAP(f1)、E
AS(f2)の複素振幅表示は次式のようになる。
【0060】 EAS(f1)=Aexp{i(w1t+φ1+φA)} (30) EAP(f2)=Bexp{i(w2t+φ2+φA)} (31) EAP(f1)=Aexp{i(w1t+φ1−φA)} (32) EAS(f2)=Bexp{i(w2t+φ2−φA)} (33) ここで、A、Bは振幅、w1、w2は角周波数、φ1、φ2
はゼーマンレーザ41から発せられた光の初期位相、φ
A=2πxA/Pである。また、回折格子49による左側
入射光42′′′、43′′′のそれぞれの−1次回折
光EBS(f1)、EBP(f2)および右側入射光4
2′′、43′′のそれぞれの+1次回折光E
BP(f1)、EBS(f2)の複素振幅表示は次式のように
なる。
【0061】 EBS(f1)=Aexp{i(w1t+φ1+φB)} (34) EBP(f2)=Bexp{i(w2t+φ2+φB)} (35) EBP(f1)=Aexp{i(w1t+φ1−φB)} (36) EBS(f2)=Bexp{i(w2t+φ2−φB)} (37) ここで、φB=2πxB/Pである。xA、xBは基準位置
からの回折格子48、49のx方向のずれ量を表す。
【0062】回折格子48、49によって回折された光
のうち偏光面が揃っているもの同士が干渉し、4つの干
渉光が得られる。回折格子48で回折した光のうちP偏
光の光は(31)、(32)式で表され、その干渉光6
1の強度変化IAPは IAP=A2+B2+2ABcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)+2φA} (38) となる。同様に、S偏光の光は、(30)、(33)式
で表され、その干渉光62の強度変化をIASとし、ま
た、回折格子49で回折した光のうち、P偏光である
(35)、(36)式の干渉光63、およびS偏光であ
る(39)、(37)式の干渉光64の強度変化をそれ
ぞれIBP、IBSとすると、それぞれ次式のようになる。
【0063】 IAS=A2+B2+2ABcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)−2φA} (39) IBP=A2+B2+2ABcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)+2φB} (40) IBS=A2+B2+2ABcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)−2φB} ( 41) これらの干渉光を分離して、それぞれ光電検出すること
により、w2−w1の角周波数のビート信号を検出する。
それぞれの干渉光の分離は、例えば以下のようにして行
えばよい。干渉光の分離の様子を図7に示す。回折格子
48、49で回折された光をミラー51で方向を変え、
偏光ビームスプリッタ52に導く。これにより、P偏光
の干渉光61、63は透過し、S偏光の干渉光62、6
4は反射させて二分する。
【0064】さらにエッジミラー53により、回折格子
48による回折光の干渉光61と62を、また、エッジ
ミラー54により回折格子49による回折光の干渉光6
3と64をそれぞれ二分する。それぞれの干渉光は光電
検出器55、56、57、58で電気信号に変換され
て、ロックインアンプ59、60に導く。ロックインア
ンプ60を用いて、(38)、(39)式で示される信
号間の位相ずれΔTAを検出すると、
【0065】
【外8】 となり、ロックインアンプ60出力の位相から回折格子
48のx方向のずれ量xAが求まる。同様にして、(4
0)、(41)式で示される信号間の位相ずれΔTB
検出すると、
【0066】
【外9】 となり、回折格子49のx方向のずれ量xBが求まる。
さらにロックインアンプ59、60の出力に基づき、演
算器65がxAとxBの差を求めることにより回折格子4
8と回折格子49の相対的ずれ量Δxを求めることがで
きる。この例においても所定のずれ量に対すビート信号
の位相ずれは位相の固定されたビート信号を基準として
位相差を求める場合の2倍になる。
【0067】上述の原理に基づき、第1回目に焼付けら
れた格子パターンと第2回目に焼付けられた格子パター
ンとのずれ量を求めることにより、半導体露光装置の焼
付け重ね合わせ評価を行うことができる。例えば所定量
のステージ移動をはさんだ2回の露光でそれぞれ格子パ
ターンを焼付け、その後上述の焼付け重ね合わせ評価を
行うことにより、露光装置のステージ評価ができ、また
1回目の焼付後、アライメントをして、2回の露光焼付
を行った後、上述重ね合わせ評価を行えばアライメント
評価ができる。
【0068】図8は本発明の第4の実施例を示す図であ
り、半導体露光装置の重ね合わせ計測装置である。第3
の実施例では、図5で示すようにゼーマンレーザ41か
ら発せられた光を、ビームスプリッタ44によって、振
幅分割してウエハ50上の回折格子48、49に照射す
る方法を示したが、本実施例では、図8に示すように、
レーザなどの光源70から発せられた光は、周波数シフ
ター71により、偏光面が互いに直交し、周波数fがわ
ずかに異なる2つの光u1(P偏光、周波数f1)、u2
(S偏光、周波数f2)としている。それぞれの光u1
2をφ1、φ2を初期位相、C10、C20を振幅、w1、w
2を角周波数、w1=2πf1、w2=2πf2として複素
振幅表示すると次式のようになる。
【0069】 u1=C10exp{i(w1t+φ1)} (42) u2=C20exp{i(w2t+φ2)} (43) 共通光路上にある2つの光u1、u2はビームエクスパン
ダ72によりビーム径が絞られ、ミラー73によりその
進行方向を変えて直線回折格子74(紙面左右方向に格
子が配列され紙面に垂直な方向へ格子パターンが伸びて
いる)に垂直に入射させる。透過型回折格子の場合、図
8の図面上x−z面を+y側から見て(紙面にむかっ
て)0次回折光(正反射光)の進行方向に対して右側の
(+x側)の回折光を+m次回折光、左側(−x側)の
回折光を−m次回折光とし、反射型の場合はその逆とす
る。一般に回折格子の格子パターンと垂直な方向(図8
ではx方向)に回折格子が1ピッチ移動すると、mを回
折次数として回折光の位相は2mπ変化するので、基準
となる位置に対し、回折格子74がx方向にxAだけ移
動すると、1次回折光76、77(それぞれu1、u2
回折光)、−1次回折光78、79(それぞれu1、u2
の回折光)にはそれぞれ、回折格子74のピッチをPと
して、−2πxA/P、2πxA/Pの位相が付加され
る。回折格子からの±1次回折光、76、77、78、
79の複素振幅u1(1)、u2(1)、u1(−1)、
2(−1)(かっこ内は回折次数を表す)は、C11
21を振幅とすると、 u1(1)=C11exp{i(w1t+φ1+φA)} (44) u2(1)=C21exp{i(w2t+φ2+φA)} (45) u1(−1)=C11exp{i(w1t+φ1−φA)} (46) u2(−1)=C21exp{i(w2t+φ2−φA)} (47) となる。ここでφA=2πxA/Pである。
【0070】0次回折光80は、例えば空間フィルター
81により、取り除き、ウエハ50上の回折格子48、
49へ入射しないようにしておく、1次回折光76、7
7は、1/2波長板75によって、それぞれ偏光面が9
0°回転した光76′、77′となる。回折光76′、
77′および78、79をそれぞれミラー91、92に
より進路変更して、ウエハ50上に設けられた回折格子
48、49の全面に照射する。
【0071】ウエハ50上の回折格子48、49は第3
の実施例と同様の図6に示すような、隣接する2つの等
間隔直線回折格子で、ピッチは等しく、Pであり、回折
格子48、49間には、x方向にずれΔxが生じてい
る。
【0072】このとき、回折格子48による76′、7
7′の光の1次回折光u1B(1、1)、u2B(1、1)
および、78、79の光の−1次回折光u1B(−1、−
1)、u2B(−1、−1)は次のようになる。
【0073】 u1B(1、1)=C1Bexp{i(w1t+φ1+φA+φB)} (48) u2B(1、1)=C2Bexp{i(w2t+φ2+φA+φB)} (49) u1B(−1、−1)=C1Bexp{i(w1t+φ1−φA−φB)} (50) u2B(−1、−1)=C2Bexp{i(w2t+φ2−φA−φB)} (51) ここで、C1B、C2Bは振幅、φB=2πXB/Pである。
また、回折格子49による76′、77′の光の1次回
折光u1C(1、1)、u2C(1、1)および、78、7
9の光の−1次回折光u1C(−1、−1)、u2C(−
1、−1)は次のようになる。
【0074】 u1C(1、1)=C1Cexp{i(w1t+φ1+φA+φC)} (52) u2C(1、1)=C2Cexp{i(w(2t+φ2+φA+φC)} (53) u1C(−1、−1)=C1Cexp{i(w1t+φ1−φA−φC)} (54) u2C(−1、−1)=C2Cexp{i(w2t+φ2−φA−φC)} (55) ここで、C1C、C2Cは振幅、φC=2πXC/Pである。
なお、XB、XCは、それぞれ回折格子48、49の同一
基準位置からのx方向のずれ量を表すものとする。
【0075】回折格子48、49に回折された光のう
ち、偏光面が揃っているもの同士が干渉し、4つの干渉
光が得られる。回折格子48で回折された光のうちP偏
光の光は、(49)(50)式で表され、その干渉光1
07の強度変化VBPは VBP=C2 1B+C2 2B+2C1B2Bcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)+2 (φB+φA)} (56) となる。同じくS偏光の光は(48),(51)式で表
され、その干渉光108の強度変化VBSと、また、回折
格子49で回折された光のうち、P偏光である(53)
(54)式の干渉光109およびS偏光である(5
2),(55)式の干渉光110のそれぞれの強度変化
CP、VCSとを式で表わすとそれぞれ次のようになる。
【0076】 VBS=C2 1B+C2 2B+2C1B2Bcos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)−2 (φB+φA)} (57) VCP=C2 1C+C2 2C+2C1C2Ccos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)+2 (φC+φA)} (58) VCS=C2 1C+C2 2C+2C1C2Ccos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)−2 (φC+φA) (59) それぞれの干渉光の分離は、例えば以下のようにして行
えばよい。
【0077】回折格子48、49で回折された光をミラ
ー96で方向を変え偏光ビームスプリッタ97に導く。
これにより、P偏光の干渉光107、109は透過し、
S偏光の干渉光108、110は反射させて二分する。
【0078】更に、エッジミラー98、99により、回
折格子48による回折光の干渉光107、108と回折
格子49による回折光の干渉光109、110とに二分
する。それぞれの干渉光は光電変換器(例えばアバラン
シェフォトダイオード)100、101、102、10
3で電気信号に変換されてロックインアンプ104、1
05に導く。
【0079】(56)、(57)、(58)、(59)
式において、C2 1B+C2 2B、C2 1C+C2 2Cは直流成分、
2C1B2B、2C1C2Cは、f2−f2の周波数の振幅で
ある。f2−f2のビート周波数成分をもつ信号が、初期
位相ずれφ2−φ1および、(56)、(57)式の場合
は、回折格子48の回折格子74に対するずれ量2(φ
B+φA)、−2(φB+φA)だけ、また(58)、
(59)式の場合は、回折格子49の回折格子74に対
するずれ量2(φC+φA)、−2(φC+φA)だけ時間
的に位相変調を受けた形となっている。よって(56)
式(57)式で示される信号のうちどちらかを参照信
号、もう一方を被測定信号として2つの信号の時間的ず
れを検出すれば光の初期位相が消去でき、所謂ヘテロダ
イン干渉計測として高精度な位相検出が可能となる。
【0080】ヘテロダイン干渉法は、前述したように、
2つの信号間の位相のずれを時間として検出するので、
信号間に直流成分の違いや、振幅の変化があっても影響
しない。ロックインアンプ105を用いて、(56)、
(57)式で示される信号間の位相ずれΔTBを検出す
ると、
【0081】
【外10】 の式より、回折格子74、48間のx方向の相対ずれ量
が求まる。
【0082】同様にして、(58)、(59)式で示さ
れる信号間の位相ずれ量ΔTCをロックインアンプ10
4を用いて検出すると、
【0083】
【外11】 の式より、回折格子74、49間のx方向の相対ずれ量
が求まる。更に、回折格子74、48間のずれ量と回折
格子74、49間のずれ量の差をとることにより、回折
格子48、49間の相対的ずれ量を求めることができ
る。以上は、ロックインアンプ104、105の出力を
受けて演算器111が行う。この例においても同じずれ
量に対応する位相ずれは、位相の固定されたビート信号
を基準にした場合の2倍である。ここで回折格子74、
48、49のピッチを2μm、光源70から発せられる
光の波長λ=0.6328μmとすると、回折格子74
に垂直に入射した時の、±1次回折光の回折角を
【0084】
【外12】 とすると、
【0085】
【外13】 の関係式より、
【0086】
【外14】 となる。したがって、回折格子48、49に入射した光
がウエハ50に対して垂直上方に回折させるためには、
76′、77′および78、79の回折格子48、49
に対する入射角も、
【0087】
【外15】 に等しくなるようにミラー91、92を設定すればよ
い。
【0088】本測定においては位相差をλ/500で検
知することができる。回折格子74と48あるいは、回
折格子74と49の位置ずれ量は0.0021μmに相
当する量を検出した。
【0089】図9に周波数シフター71の具体例を示
す。121、126は偏光ビームスプリッタ、122、
123は音響光学変調器、124、125はミラーであ
る。ここで例えば122を80MHz、123を81M
Hzの音響光学変調器とすれば、2つの光の間では、偏
光状態が互いに直交する1MHzの周波数差が生じる。
【0090】この様にして上述の原理に基づき、第1回
目に焼付けられた格子パターンと第2回目に焼付けられ
た格子パターンとのずれ量を求めることにより、半導体
露光装置の位置合わせ精度、第1回と第2回の焼付によ
り形成された実素子パターン間のずれ量を検出すること
ができる。
【0091】図10は本発明による第5の実施例を示す
図である。光源70から発せられた光は、周波数シフタ
ー71により、偏光面が互いに直交し、周波数fがわず
かに異なる2つの光u1(P偏光、周波数f1)、u
2(S偏光、周波数f2)としている。それぞれの光
1、u2をφ1、φ2を初期位相、C10、C20を振幅、w
1、w2を角周波数w1=2πf1、w2=2πf2として、
複素振幅表示すると次式の様になる。
【0092】 u1=C10・exp{i(w1t+φ1)} (61) u2=C20・exp{i(w2t+φ2)} (62) 共通光路上にある2つの光u1、u2はビームエクスパン
ダ72によりビーム径が絞られ、ミラー73により光の
進行方向を変えてウエハ50上の直線回折格子48、4
9に垂直に入射させる。
【0093】同図において、光路R1で示される回折格
子48からの+1次回折光u1B(1)、u2B(1)(そ
れぞれu1、u2の回折光)、回折格子49からの+1次
回折光u1C(1)、u2C(1)(それぞれu1、u2の回
折光)は、回折格子48、49の基準となる位置からの
ずれ量をそれぞれxB、xCとした時、Pを格子のピッチ
として
【0094】
【外16】 の位相が付加されて、その複素振幅は次のように表され
る。
【0095】 u1B(1)=C1Bexp{i(w1t+φ1+φB)} (63)−1 u2B(1)=C2Bexp{i(w2t+φ2+φB)} (63)−2 u1C(1)=C1Cexp{i(w1t+φ1+φC)} (63)−3 u2C(1)=C2Cexp{i(w2t+φ2+φC)} (63)−4 ここで、C1B、C2B、C1C、C2Cは振幅でφB=2πXB
/P、φC=2πXC/Pである。また、図10におい
て、光路R2で示される回折格子48からの−1次回折
光u1B(−1)、u2B(−1)(それぞれu1、u2の回
折光)および回折格子49からの−1次回折光u1C(−
1),u2C(−1)(それぞれu1、u2の回折光)の複
素振幅は次のように表される。
【0096】 u1B(−1)=C1Bexp{i(w1t+φ1−φB)} (64)−1 u2B(−1)=C2Bexp{i(w2t+φ2−φB)} (64)−2 u1C(−1)=C1Cexp{i(w1t+φ1−φC)} (64)−3 u2C(−1)=C2Cexp{i(w2t+φ2−φC)} (64)−4
【0097】1次回折光、−1次回折光はそれぞれミラ
ー91、92で偏向され偏光ビームスプリッタ134に
入射する。偏光ビームスプリッタ134でP偏光の光u
1B(1)、u1C(1)、u1B(−1)、u1C(−1)は
透過し、S偏光の光u2B(1)、u2C(1)、u2B(−
1)、u2C(−1)は反射する。その後、グラントムソ
ンプリズム135および136によって偏光面をそろえ
て干渉させる。グラントムソンプリズム135を通った
光のうち、回折格子48で回折された光の干渉光の強度
変化VBL回折格子49で回折された光の干渉光の強度変
化VCLはそれぞれ次のようになる。
【0098】 VBL=|u1B(−1)+u2B(1)|2=C2 1B+C2 2B+2C1B2Bcos{ w2−w1)t+(φ2−φ1)+2φB} (65) VCL=|u1C(−1)+u2C(1)|2=C2 1C+C2 2C+2C1C2Ccos{ (w2−w1)t+(φ2−φ1)+2φC} (66)
【0099】また、グラントムソンプリズム136を通
った光のうち、回折格子48で回折した光の干渉光の強
度変化VBR:および回折格子49で回折された光の干渉
光の強度変化VCRはそれぞれ次のようになる。
【0100】 VBR=|u1B(1)+u2B(−1)|2=C2 1B+C2 2B+2C1B2Bcos{ (w2−w1)t+(φ2−φ1)−2φB} (67) VCR=|u1C(1)+u2C(−1)|2=C2 1C+C2 2C+2C1C2Ccos{ (w2−w1)t+(φ2−φ1)−2φC} (68)
【0101】更にエッジミラー137、138により、
回折格子48からの回折光の干渉光145((65)式
で示される)、147((67)式で示される)と、回
折格子49からの回折光の干渉光146((66)式で
示される)、148((68)で示される)とに空間的
に分離する。そして、それぞれの干渉光の強度変化を光
電変換器140、143および141、142で検出
し、電気信号をロックインアンプ105と104に送
る。この時、ロックインアンプ105および104で検
出される位相ずれΔTB、ΔTCは光の初期位相は消去で
き、
【0102】
【外17】
【0103】この式より、前述第4実施例と同様に演算
器111でずれ計測する。
【0104】図11は本発明の第6、第7の実施例を示
すもので、第6の実施例においては、第4実施例、第5
実施例で、回折格子74、48、49からの±1次回折
光を利用して、ずれ量検出の例を示したのに対し、高次
の回折光(±m次;m=2,3,4…)を利用する。
【0105】図11において、回折格子74、48、4
9のピッチP=2μm、光源70の波長をλ=0.63
28μmとすると、回折格子74に垂直に入射した時の
+2次、−2次回折光の回折角θ1、θ2は、(60)式
より、θ1=θ2=sin(2×0.6328/2)=3
9.3°であるから、回折格子48、49に入射した光
がウエハ50に対して垂直上方に回折させるためには、
76′、77′および78、79の回折格子48、49
に対する入射角θ3、θ4をθ1(θ2)に等しくなるよう
にミラー91、92を設定すればよい。同様に、±3次
回折光の場合、θ±3=sin(3×0.6328/
2)=71.7°と入射角の設定を行えばよい。
【0106】また、±m次回折光を利用した時、(5
6)〜(59)式におけるφA、φB、φCに相当する位
相項φAm、φBm、φCmは、 φAm=2mπxA/P (69) φBm=2mπxB/P (70) φCm=2mπxC/P (71) となる。xA、xB、xCは回折格子74、48、49の
同一基準からのx方向へのずれ量である。
【0107】よって、回折格子48、49の回折格子7
4に対するずれ量を位相量で表すと、
【0108】
【外18】 となる。
【0109】したがって、高次の回折光を測定に利用す
れば、回折格子のx方向へのずれ量を表す位相量がさら
に高感度に求めることができる。例えば、±m次回折光
を測定に利用すれば、±1次回折光のときに比べ、m倍
感度が良くなる。
【0110】また、図11において、第4実施例、第6
実施例では、光76′、77′を左から、78、79の
光を右から同じ入射角(θ3=θ4)で回折格子48、4
9に全面照射し、次数の絶対値の等しい回折光(例え
ば、+m次と−m次、m=1,2,3…)同士を干渉さ
せ測定に利用していた。第7実施例では、光76′、7
7′と光78、79の回折格子48、49に対する入射
角を、ミラー91、92の角度を変えて調節し、次数の
絶対値が異なる回折光(例えば+m次と−n次、m=
1,2,3…、n=1,2,3…、|m|≠|n|)同
士を干渉させてずれ量を検出方法である。
【0111】図11において、76′、77′の光の回
折格子48、49に対する+m次回折光と、また、7
8、79の光の回折格子31、32に対する−n次回折
光がウエハ50に対して垂直上方に回折するようにミラ
ー91、92を調節し、回折格子48、49に対する入
射角θ3とθ4を決める。このとき、回折格子74の回折
光は±l次のものを利用するとすれば、(48)〜(5
5)式におけるφAに相当する位相項をここでφAlとし
て、 φAl=2lπxA/P (74) また、(48)、(49)式のφBをφBm、(50)、
(51)式のφBをφBnとすれば、 φBm=2mπxB/P (75) φBn=2nπxB/P (76) さらに、(52)、(53)式のφCをφCm、(5
4)、(55)式のφCをφCnとすれば、 φCm=2mπxC/P (77) φCn=2nπxC/P (78) となる。
【0112】このとき、図8中の干渉光107、10
8、109、110の強度変化、V′BP、V′BS、V′
CP、V′CSはそれぞれ次のようになる。
【0113】 V′BP=C2 1+C2 2+2C12cos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)+(φ Bm +φBn)+2φAl} (79) V′BS=C2 1+C2 2+2C12cos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)−(φ Bm +φBn)−2φAl} (80) V′CP=C2 1+C2 2+2C12cos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)+(φ Cm +φCn)+2φAl} (81) V′CS=C2 1+C2 2+2C12cos{(w2−w1)t+(φ2−φ1)−(φ Cm +φCn)−2φAl} (82) したがって、回折格子は48、49の回折格子74に対
するずれ量を位相量で表すと、次のようになる。
【0114】
【外19】 (83)式と(84)式の右辺の差をとると、
【0115】
【外20】 となるから、ロックインアンプ104、105により検
出した位相量の差から、式(85)に基づいて回折格子
48と49のx方向の相対ずれ量を求めることができ
る。
【0116】図12は本発明による第8の実施例を示す
ものである。第3実施例では、干渉光61、62、6
3、64の分離の方法は、図7に示されるように、まず
偏光ビームスプリック52に入射させ、P偏光の光6
1、63とS偏光の光62、64に二分した後、エッジ
ミラー53(54)により、回折格子48からの回折光
による干渉光61(62)回折格子49からの回折光に
よる干渉光63(64)に分離する仕方であったが、本
実施例は図12に示すように、まずエッジミラー150
で、回折格子48からの回折光による干渉光61、62
と回折格子49からの回折光による干渉光63、64に
二分した後、偏光ビームスプリッタ151(152)に
より、P偏光の光61(63)とS偏光の光62(6
4)に分離する方法である。
【0117】図13、図14は、本発明による第9、第
10の実施例を示す図である。第3実施例〜第8実施例
での測定に使用する回折格子48、49の相互間には、
位置ずれ検出方向のパターン中心位置のずれ(オフセッ
ト)はない。本実施例では予め、回折格子48、49の
既知のオフセットxを与えて配置し、そのオフセット量
を差し引いてパターンのずれ量Δxを測定する方法であ
る。ここで図13は、位置ずれ検出方向及び位置ずれ検
出方向と直交方向にオフセットを設定したものを示す。
図14は、オフセットを位置ずれ検出方向のみに設置し
たものである。
【0118】以上述べたように、上述実施例によれば位
相の固定されたビート信号を基準とするヘテロダイン干
渉法を用いた計測方法に比べ、約2倍の感度を得ること
ができる。
【0119】ここから以下の実施例を説明する前に、以
下の実施例の前提となる技術について、図15を用いて
説明する。図15は前提技術を用いた測長装置の概略図
である。
【0120】図15において、まず半導体レーザーLD
から発振された単色光を、偏光ビームスプリッターBS
1でL1、L2の2光線に分け、それぞれを音響光学変
調器AO1、AO2に入射し、出射される2つの偏光面
が互いに90°傾いた光線の周波数f1、f2がそのビー
ト信号が電気的に観測可能な程度に異なるようにそれぞ
れの周波数をシフトする。これをハーフミラーHMで合
波させる。
【0121】この合波した光の一部をビームスプリッタ
ーBS2で取り出し、受光素子PD1で光ヘテロダイン
信号を参照信号として得る。この際に2つの光の偏光面
を揃えて干渉させるため、偏光方位が45°傾いた偏光
板PP1をPD1の前に挿入してある。
【0122】BS2で分けられた残りの光は回折格子G
Sに垂直に入射し、回折をするが、この際に回折格子G
Sの位相δが回折波面に加算され、入射光の初期位相を
0とすると回折波の位相光はexp{i(wt+m
δ)}となる。ここでmは回折次数であり、例えば+1
次光と−1次光はそれぞれexp{i(wt+δ)}と
exp{i(wt−δ)}となる。+1次光L3として
は周波数f1の光のみを、−1次光L4としては周波数
2の光のみを取り出す為に、偏光フィルターPF1、
PF2を各光L3、L4の光路中に設置してある。光L
3、L4はコーナーキューブプリズムCC1、CC2に
入射し、それぞれ入射方向と平行方向逆向きに反射さ
れ、回折格子GS上の1点P2に戻され、それぞれ1回
目の回折と同じ次数で2度目の回折をして1本の光線と
なり、互いに干渉し合って受光素子PD2に入射する。
【0123】回折格子GSのx方向への1ピッチ相当の
変位に対して+1次光L3の位相には1波長の位相の進
みがあり、−1次光L4の位相には1波長の位相の遅れ
がある。これらの光はコーナーキューブプリズムCC
1、CC2によって反射され、もう一度それぞれが前と
同じ次数で回折するので、再び合波したときには2光線
の位相には4波長分の位相差が付加される。
【0124】今、周波数f1の光を u1=aexp{i(w1t)} 周波数f2の光を u2=bexp{i(w2t)} (ここでa、bは定数、tは時間、iは虚数単位)で表
すと、参照信号としてPD1で得られる光ヘテロダイン
信号は IREF=a2+b2+2abcos(w1−w2)t である。ここでw1=2πf1,w2=2πf2であるの
で、この信号はf1とf2の差を周波数とする信号とな
る。+1次光L3は1回の回折につき、回折格子GSの
位相δが加算され、最終的に2回+1次回折されるの
で、以下の様に表わされる。 u′1=a′exp{i(w1t+2δ)} (ここでa′は定数)−1次光L4は1回の回折につ
き、回折格子GSの位相δが引かれ、最終的に2回−1
次回折されるので、 u′2=b′exp{i(w2t+2δ)} (ここでb′は定数)が受光素子PD2に入射する光で
ある。従って、PD2で得られる光ヘテロダイン信号は ISIG=a′2+b′2+2a′b′cos{(w1−w2)t+4δ} となる。この信号の周波数は参照信号と同じで、位相は
参照信号に比べ回折格子GSの移動量に比例する量4δ
だけずれている。
【0125】PD1とPD2で得られる2つの光ヘテロ
ダイン信号を位相差検出器PDCに入力し、その位相差
を検出することによって、回折格子GSの移動量を測定
する。今、回折格子GSの格子定数を1.6μmとし
て、GSの移動量をxとすると
【0126】
【外21】 であるので、1周期、即ち2π[rad]の位相ずれが
検出された場合、GSが1.6÷4=0.4μm移動し
たことがわかる。最小検出位相差を1周期分より充分小
さくすることで、高分解能な移動量検出が可能になる。
例えば0.2°まで分解可能な位相差検出器を用いると
理論的には0.22[nm]の変位まで測定が可能とな
る。
【0127】以上の様な前提技術を基礎として、以下実
施例を図面を用いて説明する。
【0128】図16は本発明の第1実施例の測長装置の
概略図である。図15に示したのと同様の部材には同じ
符号を冠してある。
【0129】図16において、まず半導体レーザーLD
から発振された単色光を、偏光ビームスプリッターBS
1でL1、L2の2光線に分け、それぞれを音響光学変
調器AO1、AO2に入射し、出射される2つの偏光面
が互いに90°傾いた光線の周波数f1、f2がそのビー
ト信号が電気的に観測可能な程度に異なるようにそれぞ
れの周波数をシフトする。これをハーフミラーHMで合
波させる。
【0130】合波した光はビームスプリッターBS3で
2つに分けられ、透過光はミラーMR3で反射されて、
回折格子GSにそれぞれP5、P3の2点で垂直に入射
し回折する。P5で回折した+1次光L7としては周波
数f1の光のみを、−1次光L8としては周波数f2の光
のみを取り出すために、偏光フィルターPF5、PF6
を光L7、L8の光路中にそれぞれ設置してある。一
方、P3で回折した+1次光L5としては周波数f2
光のみを、−1次光L6としては周波数f1の光のみを
取り出すために、偏光フィルターPF3、PF4を光L
5、L6の光路中にそれぞれ設置してある。L7、L
8、L5、L6の光はそれぞれコーナーキューブプリズ
ムCC5、CC6、CC3、CC4に入射し、それぞれ
入射方向と平行方向逆向きに反射され、回折格子GS上
の点P6、P4にそれぞれ戻される。P6、P4でそれ
ぞれ1回目の回折と同じ次数で2度目の回折をして、こ
の2点でそれぞれ2本の光線が合波して1本の光線とな
って、それぞれ出射し、P6からの合波光は受光素子P
D3へ、P4からの合波光はPD4へ入射する。PD3
とPD4の前には、偏光面を揃えて干渉させるため、偏
光方位が45°傾いた偏光板PP3、PP4をそれぞれ
設置する。
【0131】回折格子GSのx方向への1ピッチ相当の
変位に対して+1次光L7、及びL5の位相には1波長
の位相の進みがあり、−1次光L8、L6の位相には1
波長の位相の遅れがある。これらの光はコーナーキュー
ブプリズムによって反射され、もう一度それぞれが前と
同次数で回折するので、再びP6で合波したときには合
波したL7とL8には4波長分の位相差が付加される。
また、P4で合波したL5、L6にも4波長分の位相差
が付加される。
【0132】今、w1=2πf1、w2=2πf2とすると
前述の如く光線L1は u1=a・exp{i(w1t)} 光線L2は u2=b・exp{i(w2t)} で表される。回折格子GSの格子定数をpとして、GS
の移動量xに対応する位相δは、
【0133】
【外22】 と表される。+1次光L7は1回の回折につき、回折格
子GSの位相δが加算され、合計2回+1次回折される
ので、受光素子PD3入射時では以下の式で表わされ
る。 u′′1=a′′exp{i(w1t+2δ)} (ここでa′′は定数)−1次光L8は1回の回折につ
き、回折格子GSの位相δが引かれ、最終的に2回−1
次回折されるので、 u′′2=b′′exp{i(w2t−2δ)} (ここでb′′は定数)が受光素子PD3に入射する光
である。従って、PD3で得られる光ヘテロダイン信号
は、 IPD3=a′′2+b′′2+21a′′b′′cos{(w1−w2)t+4δ} となる。この信号の周波数はf1とf2の差に等しく、位
相は回折によって回折格子GSの移動量に比例する量4
δだけ加算されている。+1次光L5は1回の回折につ
き、回折格子GSの位相δが加算され、合計2回+1次
回折されるので、受光素子PD4入射時では以下の式で
表わされる。 u′′′2=b′′′exp{i(w2t+2δ)} (ここでb′′′は定数)−1次光L6は1回の回折に
つき、回折格子GSの位相δが引かれ、最終的に2回−
1次回折されるので、 u′′′1=a′′′exp{i(w1t−2δ)} (ここでa′′′は定数)が受光素子PD4に入射する
光である。従って、PD4で得られる光ヘテロダイン信
号は IPD4=a′′′2+b′′′2+2a′′′b′′′cos{(w1−w2)t− 4δ} となる。この信号の周波数はPD3で得られる信号と同
じで、位相は回折によって回折格子GSの移動量に比例
する量4δだけ引かれている。
【0134】PD3とPD4で得られる2つの光ヘテロ
ダイン信号を位相差検出器PDCに入力し、その位相差
を検出することによって、回折格子GSの移動量を測定
する。今、回折格子GSの格子定数を1.6μmとし
て、GSの移動量をxとすると
【0135】
【外23】 であるので、1周期、即ち8δ=2π[rad]の位相
ずれが検出された場合、GSが1.6μm÷8=0.2
μm移動したことがわかる。これは前述の図15の装置
と比較して、1周期の位相差で検出できる変位量が1/
2になったことを意味する。従って同じ分解能の位相差
検出器を用いても、本実施例の装置の方が図15のもの
に対し、最小検出変位量が1/2となり、より高分解能
になっている。前述の0.2°まで分解可能な位相差検
出器を用いると、理論的には0.11[nm]の変位ま
で測定が可能になる。
【0136】図17に本発明の第2実施例を示す。本実
施例では、回折格子回りの光学系は前述第1実施例と同
じく取るが、参照信号を取り出し、位相差検出の方法を
変形している。以下、前述と同様の部材には同じ符号を
冠する。
【0137】図17において、まず半導体レーザーLD
から発振された単色光を偏光ビームスプリッターBS1
でL1、L2の2光線に分け、それぞれを音響光学変調
器AO1、AO2に入射し、出射される2つの偏光面が
互いに90°傾いた光線の周波数f1、f2がそのビート
信号が電気的に観測可能な程度に異なるように周波数を
シフトする。これをハーフミラーHMで合波させる。
【0138】この合波した光の一部をビームスプリッタ
ーBS2で取り出し、受光素子PD1で光ヘテロダイン
信号を参照信号として得る。この際に2つの光の偏光面
を揃えて干渉させるため、偏光方位が45°傾いた偏光
板PP1をPD1の前に挿入してある。
【0139】BS2で分けられた残りの光は更にビーム
スプリッターBS3で2つに分けられ、透過光はミラー
MR3で反射されて、回折格子GSにP5、P3の2点
でそれぞれ垂直に入射し回折する。P5で回折した+1
次光L7としては周波数f1の光のみを、−1次光L8
としては周波数f2のみを取り出すために、偏光フィル
ターPF5、PF6を光L7、L8の光路中に設置して
ある。一方、P3で回折した+1次光のL5としては周
波数f2の光のみを、−1次光L6としては周波数f1
光のみを取り出すために、偏光フィルターPF3、PF
4を光L5、L6の光路中に設置してある。L7、L
8、L5、L6の光はコーナーキューブプリズムCC
5、CC6、CC3、CC4に入射し、それぞれ入射方
向と平行方向逆向きに反射され、回折格子GS上の点P
6、P4に戻される。P6、P4でそれぞれ1回目の回
折と同じ次数で2度目の回折をして、この2点でそれぞ
れ2本の光線が合波して1本の光線となってそれぞれ出
射し、P2からの合波光は受光素子PD3へ、P4から
の合波光はPD4へ入射する。PD3とPD4の前に
は、合波した2つの光の偏光面を揃えて干渉させるた
め、偏光方位が45°傾いた偏光板PP3、PP4を設
置する。
【0140】回折格子GSのx方向への1ピッチ相当の
変位に対して+1次光L7、及びL5の位相には1波長
の位相の進みがあり、−1次光L8、L6の位相には1
波長の位相の遅れがある。これらの光はコーナーキュー
ブプリズムによって反射され、もう一度それぞれが前と
同次数で回折するので、再びP6で合波したときには合
波したL7とL8には4波長分の位相差が付加される。
また、P4で合波したL5、L6にも4波長分の位相差
が付加される。
【0141】今、前述の如く周波数f1の光を u1=a・exp{i(w1t)} 周波数f2の光を u2=b・exp{i(w2t)} で表すと、参照信号としてPD1で得られる光ヘテロダ
イン信号は IREF=a2+b2+2abcos(w1−w2)t である。ここでw1=2πf1、w2=2πf2であるの
で、この信号はf1とf2の差を周波数とする信号とな
る。回折格子GSの格子定数をpとして、GSの移動量
xに対応する位相δは前述の如く、
【0142】
【外24】 と表される。+1次光L7は1回の回折につき、回折格
子GSの位相δが加算され、最終的に2回+1次回折さ
れるので、受光素子PD3入射時では以下の様に表わせ
る。 u′′1=a′′exp{i(w1+2δ)} −1次光L8は1回の回折につき、回折格子GSの位相
δが引かれ、最終的に2回−1次回折されるので、 u′′2=b′′exp{i(w2t−2δ)} が受光素子PD3に入射する光である。従って、PD3
で得られる光ヘテロダイン信号は、 IPD3=a′′2+b′′2+2a′′b′′cos{(w1−w2)t+4δ} となる。この信号の周波数は参照信号と同じで、位相は
参照信号に比べ回折格子GSの移動量に比例する量4δ
だけ進んであり。+1次光L5は1回の回折につき、回
折格子GSの位相δが加算され、最終的に2回+1次回
折されるので、受光素子PD4に入射時には以下の様に
表わせる。 u′′′2=b′′′exp{i(w2t+2δ)} −1次光L6は1回の回折につき、回折格子GSの位相
δが引かれ、最終的に2回−1次回折されるので u′′′1=a′′′exp{i(w1t−2δ)} が受光素子PD4に入射する光である。従って、PD4
で得られる光ヘテロダイン信号は IPD4=a′′′2+b′′′2+2a′′′b′′′cos{(w1−w2)t− 4δ} となる。この信号の周波数は参照信号と同じで、位相は
参照信号に比べ回折格子GSの移動量に比例する量4δ
だけ遅れている。PD3とPD4で得られる2つの光ヘ
テロダイン信号を位相差検出器PDCAに入力し、その
位相差を検出することによって、回折格子GSの移動量
を測定する。今、回折格子GSの格子定数を1.6μm
として、GSの移動量をxとすると
【0143】
【外25】 であるので、1周期、即ち8δ=2π[rad]の位相
ずれが検出された場合、GSが1.6μm÷8=0.2
μm移動したことがわかる。これは第1実施例と同様で
ある。前述の0.2°まで分解可能な位相差検出器を用
いると、理論的には0.11[nm]の変位まで測定可
能となる。本実施例では検出器PDCAの出力を中央処
理ユニット(CPU)Cに入力し、ここで信号処理して
変位量を算出する。
【0144】PD1とPD3も同様に位相差検出器PD
CBで位相差を検出し、PD1とPD4から位相差検出
器PDCCで得られる位相差と比べる。この際に、2つ
の位相差の絶対値は両方4δで等しいはずであるが、例
えば空気の擾乱などにより、2つの光路間に温度差があ
った場合、この2つの位相差が等しくならない。従っ
て、この位相差に差が発生したことをCPUで検知して
測定値が誤りであることが感知される。2つの位相差の
差がある許容値より大きくなった場合、また許容値に戻
るまでCPUが、(1)指令信号を不図示のアクチュエ
ーターに送り、回折格子の微動を止め、即ち測定を一時
中止する。または、(2)その時点での、位相差検出器
Aからの信号を消去することによって、誤った測定値の
入力を防ぐことができる。
【0145】図18に示す装置は、これまでの実施例で
2つの同様な光路があったのに対し、これらを1つにす
ることによって、構成の簡略化を図った第13実施例で
ある。
【0146】図18において、まず半導体レーザーLD
から発振された単色光を偏光ビームスプリッターBS1
でL1、L2の2光線に分け、それぞれを音響光学変調
器AO1、AO2に入射し、出射される2つの偏光面が
互いに90°傾いた光線の周波数f1、f2がそのビート
信号が電気的に観測可能な程度に異なるようにそれぞれ
周波数をシフトし、偏光を分離する。これをハーフミラ
ーHM1で合波させる。
【0147】この合波した光をハーフミラーHM2で2
光線に分け、この1光線を回折格子GSに点P1で入射
する。+1次回折光は図19に示すような互いに偏光方
向が直交する偏光板1P、2Pの2枚とλ/2板3Pで
構成された光学系を通過し、S偏光になっている周波数
1の回折光だけがP偏光に変換されてコーナーキュー
ブプリズムCC1に入射し、反射されてGS上の点P2
に入射する。一方、−1次回折光は図19の光学系を軸
周りに90°傾けた光学系(即ち偏光板1P′、2P′
とλ/2板3P′より成る光学系)に入射し、P偏光に
なっている周波数f2の回折光のみがS偏光に変換され
てコーナーキューブプリズムCC2に入射し、反射され
てGS上の点P2に入射する。点P2に入射した2光線
はそれぞれ1回目と同じ次数で2回目の回折をして互い
に合波して1本の光線としてハーフミラーHM3を透過
して光電変換素子PD2に入射する。偏光面を揃え干渉
するように偏光方位が45°傾いた偏光板PP2をPD
2の前に挿入してある。回折格子GSのx方向への1ピ
ッチ相当の変位に対して+1次光の位相には1波長の位
相の進みがあり、−1次光の位相には1波長の位相の遅
れがある。これらの光はコーナーキューブプリズムによ
って反射され、もう一度それぞれ同じ次数で回折するの
で、P2で合波したときには合波した周波数f1の光と
周波数f2の光には4波長分の位相差が付加される。
【0148】一方、ハーフミラーHM2を透過した残り
の光はハーフミラーHM3によって反射され、点P2で
GSに入射する。+1次回折光はコーナーキューブプリ
ズムCC1に入射後、図19に示す光学系を軸周りに9
0°傾けた光学系を先程の場合とは逆向きに通過し、P
偏光になっている周波数f2の回折光だけがS偏光に変
換されて点P1でGSに入射する。一方、−1次回折光
は図19の光学系に先程の場合とは逆向きに入射し、S
偏光になっている周波数f1の回折光のみがP偏光に変
換されてGSに点P1で入射する。点P1に入射した2
光線は再び回折をして互いに合波して1本の光線として
ハーフミラーHM2を透過して光電変換素子PD1に入
射する。偏光面を揃えて干渉するように偏光方位が45
°傾いた偏光板PP1をPD1の前に挿入してある。
【0149】回折格子GSのx方向への1ピッチ相当の
変位に対して+1次光の位相には1波長の位相の進みが
あり、−1次光の位相には1波長の位相の遅れがある。
これらの光はコーナーキューブプリズムによって反射さ
れ、もう一度それぞれ同じ次数で回折するので、P1で
合波したときには合波した周波数f1の光と周波数f2
光には4波長分の位相差が付加される。
【0150】今、前述の如く周波数f1の光を u1=a・exp{i(w1t)} 周波数f2の光を u2=b・exp{i(w2t)} で表す。ここでw1=2πf1、w2=2πf2であるの
で、合波した光はf1とf2の差を周波数とするビートを
なす。回折格子GSの格子定数をpとして、GSの移動
量xに対応する位相δは、
【0151】
【外26】 と表される。GSの点P1で回折される周波数f1の+
1次回折光の位相には、1回の回折につきGSの位相δ
が加算され、最終的に2回+1次回折されるので受光素
子PD2入射時には以下の様に表わせる。 u′′1=a′′exp{i(w1t+2δ)} 点P1で回折される周波数f2の−1次回折光の位相か
らは、1回の回折につきGSの位相δが引かれ、最終的
に2回−1次回折されるので u′′2=b′′exp{i(w2t−2δ)} が受光素子PD2に入射する光である。従って、PD2
で得られる光ヘテロダイン信号は IPD2=a′′2+b′′2+2a′′b′′cos{(w1−w2)t+4δ} となる。この信号の周波数はf1とf2の差で、位相はG
S入射前に比べ、GSの移動量に比例する量4δだけ進
んでいる。点P2で回折される周波数f2の+1次回折
光の位相にも、1回の回折につき回折格子GSの位相δ
が加算され、最終的に2回+1次回折されるので受光素
子PD1入射時には以下の様に表わせる。 u′′′2=b′′′exp{i(w2t+2δ)} 点P2で回折される周波数f1の−1次回折光の位相か
らは、1回の回折につき回折格子GSの位相δが引か
れ、最終的に2回−1次回折されるので u′′′1=a′′′exp{i(w1t−2δ)} が受光素子PD1に入射する光である。従って、PD1
で得られる光ヘテロダイン信号は IPD1=a′′′2+b′′′2+2a′′′b′′′cos{(w1−w2)t− 4δ} となる。この信号の周波数もf1とf2の差に等しく、位
相はGS入射前に比べ、GSの移動量に比例する量4δ
だけ遅れている。PD1とPD2で得られる2つの光ヘ
テロダイン信号を位相差検出器PDCに入力し、その位
相差を検出することによって、回折格子GSの移動量を
測定する。
【0152】今、回折格子GSの格子定数を1.6μm
として、GSの移動量をxとすると
【0153】
【外27】 であるので、1周期、即ち8δ=2π[rad]の位相
ずれが検出された場合、GSが1.6μm÷8=0.2
μm移動したことがわかる。位相ずれを、1周期より充
分小さい値を最小検出値として検出できる位相差検出器
を用いることにより、高分解能な変位量検出ができる。
0.2°の位相差を検出可能な位相差検出器を用いる
と、理論的には0.11[nm]の変位まで測定が可能
である。
【0154】上述各実施例は単位時間あたりの変位量と
しての速度測定装置としても用いることができる。
【0155】
【発明の効果】以上の本発明各実施例により、ヘテロダ
イン干渉計測、光学式の変位情報検出において従来より
高分解能な測定装置が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を説明する図である。
【図2】本発明の原理を説明する図である。
【図3】第2実施例を説明する図である。
【図4】第2実施例における回折格子の上面図である。
【図5】第3実施例を説明する図である。
【図6】第3実施例における検出パターン(回折格子)
の配置図である。
【図7】第3実施例における干渉系拡大図である。
【図8】第4実施例を説明する図である。
【図9】第4実施例の周波数シフタの構成図である。
【図10】第5実施例を説明する図である。
【図11】第6、第7実施例を説明する図である。
【図12】第8実施例を説明する図である。
【図13】第9実施例を説明する図である。
【図14】第10実施例を説明する図である。
【図15】本発明の以後の実施例の前提となる技術を用
いた装置の概略図である。
【図16】本発明の第11実施例の測長装置の概略図で
ある。
【図17】本発明の第12実施例の測長装置の概略図で
ある。
【図18】本発明の第13実施例の測長装置の概略図で
ある。
【図19】第13実施例の一部の光学系の説明図であ
る。
【図20】従来例を説明する微小変位測定装置である。
【符号の説明】
1,15,41,301 ゼーマンレーザ 4,18,44 ビームスプリッタ 5,309,311 1/4波長板 6 ミラー1 7 被測定物 9,27,52,97,121,126,134,15
1,152,308偏光ビームスプリッタ 10,11,30,31,32,33,55,56,5
7,58,317,318 光電検出器 12a,34,35,59,60,104,105,3
19 ロックインアンプ 19,45,75 1/2波長板 20,21,26,46,47,51,73,91,9
6 ミラー 22 マスク 23,50 ウエハ 24,25,48,49,74 回折格子 28,29,53,54,98,99,124,12
5,137,138,150 エッジミラー 70 光源 71 周波数シフタ 72 ビームエクスパンダ 90 空間フィルタ 100,101,102,103,140,141,1
42,143 光電変換器 122,123 音響光学変調器 135,136 グラントムソンプリズム LD 半導体レーザー BS 偏光ビームスプリッター MR1〜MR3 反射鏡 AO1、AO2 音響光学変調器 HM ハーフミラー GS 回折格子 PF 偏光フィルター CC コーナーキューブ PP 偏光板 PD 受光素子 L1〜L8 光線 P1〜P6 回折格子上の点 PDC、PDCA、PDCB、PDCC 位相差検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 誠二 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 吉井 実 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 能瀬 博康 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−190701(JP,A) 特開 昭62−250302(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 9/00 - 11/30 102

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同じ周波数のビート信号を発生する第一
    の異周波数光束対と第二の異周波数光束対を形成し、前
    記第一および第二の光束対のうち一方の光束対の周波数
    の小さい方の光束と他方の光束対の周波数の大きい方の
    光束とに同方向位相変化付与の為の所定光路を経由させ
    た後、前記第一の光束対、第二の光束対それぞれで光束
    を重ね合わせた時に発生するビート信号同士の比較より
    前記位相変化の情報を測定することを特徴とする測定方
    法。
  2. 【請求項2】 前記一方の光束対の周波数の小さい方の
    光束と前記他方の光束対の周波数の大きい方の光束とを
    前記所定光路としての干渉計の光路長情報検出側の光路
    を経由させ、前記一方の光束対の周波数の大きい方の光
    束と前記他方の光束対の周波数の小さい方の光束とを前
    記干渉計の参照光路を経由させることを特徴とする請求
    項1の測定方法。
  3. 【請求項3】 前記一方の光束対の周波数の小さい方の
    光束と前記他方の光束対の周波数の大きい方の光束とを
    前記所定光路内の第一の回折格子で回折させ、前記一方
    の光束対の周波数の大きい方の光束と前記他方の光束対
    の周波数の小さい方の光束とを第二の回折格子で回折さ
    せ、該回折されたそれぞれの光束を前記それぞれの組で
    重ね合わせ、位相変化情報として前記第一及び第二の回
    折格子間の位相差を検出することを特徴とする請求項1
    の測定方法。
  4. 【請求項4】 前記第一および第二の光束対は、一組の
    異周波数光束対を分離して形成されることを特徴とする
    請求項1の測定方法。
  5. 【請求項5】 同じ周波数のビート信号を発生する第一
    の異周波数光束対と第二の異周波数光束対を形成する光
    束対形成手段と、前記第一および第二の光束対のうち一
    方の光束対の周波数の小さい方の光束と他方の光束対の
    周波数の大きい方の光束とに同方向位相変化付与の為の
    所定光路を経由させた後、前記第一の光束対、第二の光
    束対それぞれで光束を重ね合わせる光学手段と、該光学
    手段によって重ね合わせた時に発生するビート信号同士
    の比較より前記位相変化の情報を測定する位相変化情報
    検出手段とを有することを特徴とする測定装置。
  6. 【請求項6】 同じ周波数のビート信号を発生する様に
    組み合わされた第一の異周波数光束対と第二の異周波数
    光束対を形成するための光束形成手段と、前記第一及び
    第二の光束対のうち一方の光束対の周波数の小さい方の
    光束と他方の光束対の周波数の大きい方の光束とを回折
    手段によって第一の次数で回折させ、かつ前記一方の光
    束対周波数の大きい方の光束と前記他方の光束対の周波
    数の小さい方の光束とを前記回折手段によって、前記第
    一の次数とは符号が異なる第二の次数で回折させる様に
    前記各光束を前記回折手段に照射する照射手段と、該回
    折を受けた前記第一の光束対を干渉させて得られる第一
    のビート信号と、該回折を受けた前記第二の光束対を干
    渉させて得られる第二のビート信号とを比較することに
    より前記回折手段の相対的な変位情報を得る変位情報検
    出手段とを有することを特徴とする測定装置。
  7. 【請求項7】 前記第一の次数は+1次であり、前記第
    二の次数は−1次であることを特徴とする請求項1に記
    載の測定装置。
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