JPS61160931A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPS61160931A
JPS61160931A JP60001068A JP106885A JPS61160931A JP S61160931 A JPS61160931 A JP S61160931A JP 60001068 A JP60001068 A JP 60001068A JP 106885 A JP106885 A JP 106885A JP S61160931 A JPS61160931 A JP S61160931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grating
light
reticle
lens system
interference fringes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60001068A
Other languages
English (en)
Inventor
Noboru Nomura
登 野村
Ryukichi Matsumura
松村 隆吉
Midori Yamaguchi
緑 山口
Makoto Kato
誠 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60001068A priority Critical patent/JPS61160931A/ja
Publication of JPS61160931A publication Critical patent/JPS61160931A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、微細パターンを持つ装置特に1ミクでの回折
次数の二値表示で表わすと、回折光6は(0,1)、回
折光7は(1,1)、回折光8は(−1,2)・・・・
・・で表わすことができる。この回折光をレンズにより
一点に集め光強度を測定する。
回折光は入射レーザビーム1に対して左右対称な位置に
光強度を持ち、フォトマスク2とウェハ4との位置合わ
せには、左右に観察された回折光の強度を一致させるこ
とにより行なえる。この方法では位置合わせ精度は、数
100人とされている。
しかし、この方法においては、フォトマスク2とウェハ
4との位置合わせは、フォトマスク2とウェハ4との間
隔りに大きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク2とウェハ4を接近させ、間隔り
の精度を保持した状態で位置合わせする必要があり、装
置が複雑となるため、実用に問題があった。
また、サブミクロン線幅を持つ素子の位置合わせには、
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、LSIを製造す
る上でのスループットが小半導体装置は最近ますます高
密度化され、各々の素子の微細パターンの寸法は1ミク
ロン以下に及んでいる。従来からのLSI製造時のフォ
トマスクとLIIウェハの位置合わせは、ウェハに設け
た位置合せマークを用いて、ウェハを装着したステージ
の回転と2軸子行移動し、フォトマスク上のマークとウ
ェハ上のマークを重ね合わせることによって行なってい
たが、その位置合わせ精度は±0.3ミクロン程度であ
り、サブミクロンの素子を形成する場合には、合わせ精
度が悪く実用にならない。また、S、オースチy (A
ppliedPhysics Letters Vol
 31A7P、 42B、 1977)もが示した干渉
法を用いた位置合わせ方法では、第9図で示したように
、入射レーザビーム1を7オトマスク2に入射させ、フ
ォトマスク2上に形成した格子3で回折し、この回折し
た光をもう一度、ウェハ4上に形成した格子6によって
回折することにより、回折光6. 7. 8・・・・・
・を得る。この回折光は、フォトマスクでの回折次数と
ウェハさくなり実用上問題があった。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の位置合わせ方法では、フォトマスクと
ウェハとの間隔の大きな露光装置に応用できなかったシ
、簡易に大気中で位置合わせができなく、また、数10
0Aの高い位置合わせ精度を得ることが困難であった。
本発明はこのような従来からの問題に鑑み、微細パター
ンの位置合わせを大気中で、がっ、簡単な構成で行なえ
るLSIのレチクルとウェハの正確かつ容易な位置合わ
せ方法を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明は、高精度な位置合わせを投影露光装置において
実現するために、レチクル面上に形成された格子によっ
て波面分割された光束のうち、第ルンズ系のスペクトル
面で二つの回折光の対をミラーよりなる空間フィルター
によって前記第1のレンズ系を通過した光束の一部分A
をミラーによって反射して位置合わせ光路系に導びき、
適描な2光束のみを得、前記2光束を前記第2のレンズ
系に導びき、前記第2のレンズ系を通過した前記2光束
を用いて生成した干渉縞を前記基板上に投影し、さらに
基板上に形成した干渉縞の偶数倍のピッチを持つ格子に
よって回折された光束Bを第2のレンズ系を通過後、前
記第1のレンズ系のスペクトル面に配置したミラーによ
って位置合わせ光路系に導びき、前記光束Aと光束Bと
の相対位置によってレチクル上の第1の格子と基板上の
第2の格子との概略の位置合わせを行ない、さらに光束
Bの光強度を光検出器で測定することによって、高精度
な位置合わせを実現する露光装置を与えるものである。
作  用 本発明は上記した構成により、レチクルと基板の相対位
置をレチクルから00次の回折光と基板からの回折光の
相対位置を合わせることによって概略の位置合わせを行
ないさらに光束Bとの相対位置と高精度に行なえるもの
である。
実施例 パターンの像をウエノ・18上に投影する。第1の7−
リエ変換レンズと第2のフーリエ変換レンズの焦点距離
を等しくするとレチクル上のパターンが等倍に投影され
る。第1及び第2のフーリエ変換レンズの焦点距離を変
化させると縮小投影が可能となる。第1の7−リエ変換
レンズの後側焦点面には、レチクル上のパターンの回折
光(フーリエスペクトル)が空間的に分布しており、本
発明の構成例においては、このフーリエ変換面に、空間
フィルター16を配置してスペクトル面でフィルタリン
グし、レチクル上に形成されたパターンをスペクトル面
でフィルタリングすることによってウェハ18面上に干
渉縞を形成する。
第2図は本発明の露光装置に用いられるレチクルである
。第2図aはレチクル14の平面図であり、第2図すは
その断面図である。レチクル14中には、回路パターン
部42とその周辺部43か本発明に用いる基本構成を第
1図に示した。光源11から出た光(この図ではよシ鮮
明な干渉性とより深い焦点深度を得るために、レーザ光
を想定した構成になっているが、全体の光学系は白色干
渉光学系であり、水銀灯などのスペクトル光源でもよい
。)をビームエクスパンダ12によす拡大し、この光を
平行光又は収束光に変換するためのコリメータレンズ又
はコンデンサレンズで構成された照明光学系13によっ
て第1のレンズ系15の入射瞳に対して入射する。
以下の説明では、本発明の原理を簡潔に述べるためにレ
チクルは平行光束によって照明され、第1及び第2のレ
ンズ系は、フーリエ変換レンズとするが、必らずしも7
−リエ変換レンズでなくてもよい。
光源光学系13と第1のフーリエ変換レンズ16ソリエ
変換レンズによ・て−且集光し、さらに第2のフーリエ
変換レンズ17を通してレチクル上の入射し、第2図す
に示すように1パタ一ン41内部では位相格子41によ
って、0次、±1次1士2次・・・・・・のように複数
の回折光が回折される。パターン41を取り巻くしゃ断
部43はクロムや酸化クロム等の膜で形成されており、
入射光44を、パターンの内部のみ通過させている。
第2図の例においては、回折光を得るために位相格子を
用いているが、この格子は振幅格子でもよく、入射光が
ななめから入射する場合にはエシェレット格子でもよい
第3図はさらに本発明の露光装置の原理説明図である。
光源11から出た波長λの光は、ビームエクスパンダ2
oによって拡大され、さらにコリメータレンズ21で所
定の広がりを持つ平行光にされる。第1フーリエ変換レ
ンズ61(第1図の14に相当)の前側焦点f の位置
x1 にレチクル上の位相格子を配置する。位相格子の
ピッチP1と回折光の回折角θ1は P1SIIIθ11λ(n−o、  ±1.±2 、 
 ・−・−)の関係がある。このように複数の光束に回
折された光はフーリエ変換レンズに入射し、さらに後側
焦点面に各々の回折光に相当するフーリエスペクトル像
を結ぶ。−次の回折光のフーリエスペクトルに対応する
座標ξ6.は ξ6.−f、Sinθ。
P1s+nθ1■λ で示され、0次の回折光のフーリエスペクトルξ60 ξ6O−f1SIll θ0 冨隊 0とは完全に分離
された状態でフーリエ変換面にフーリエスペクトル像を
結ぶ。第1図に示したようにこのフーリエ変換面上に空
間フィルタ16となるミラーMを配置し、第3図に示し
たように格子の0次および±2次以上の回折光を遮断し
、±1次回折光と開ロバターンのスペクトル(0次光成
分を除く)を通過させる。この回折光は第2フーリエ変
換レンズ62(第1図の17に相当)を通過し、さらに
ウェハW18上に投影される。ウニ・W上に投影された
像は、レチクル上の開口部の像を大略結ぶとともに、格
子の±1次光成分同志が干渉して新らたなピッチの干渉
縞が形成される。
ここで干渉縞のピッチP2は、 λ P2”’ zsinθ2 で与えられる。このとき、第2フーリエ変換レンズ52
の前側焦点面に前記第17−リエ変換レンズ61の7一
リエ変換面を設定するのでf 1sinθ1Lf 25
111θ2;ξ61の関係がある。
第1及び第27−リエ変換レンズ51.52を通した像
の間には の関係がある。よって、ウェハ上に生成される干渉縞の
ピッチP は、f1=f2のときはレチクル上の格子の
ピッチの半分となる。
この干渉縞のピッチP2にほぼ等しいピッチを持つ格子
Gからは、2光束111と112の光を波面分割する格
子Gによって回折された光が得られる。さらに2光束は
ウェハ上に投影され干渉縞を生成し、ウェハW上の格子
によって回折される光を各々干渉させることにより、干
渉縞と格子との間の位置関係を示す光強度情報が得られ
る。
干渉縞を生成した2光束はウェハW上の格子によって回
折され、その一部分の回折光は第2のレンズ62を通過
してフーリエ変換面において、フーリエスペクトル像を
結ぶ。ウェハWからほぼ垂直に回折された光は、0次の
回折光と同じように振舞い ξ60=f2””θo′=0 で示される。
今、ウェハをセットした面上に、基準ターゲットとなる
回折格子が形成されており、第3図に示した光学系にレ
チクル41をセットする。レチクル41は、単にセット
しただけでは位置ずれがあり、この位置ずれは、フーリ
エ変換面においてフーリエスペクトル像の結像座標 ξ6.−=f1S1nθ1 及び ξ60” fI S
”θ。\0の値が設定値と異なり、さらに基準ターゲッ
トから回折された光は、7一リエ変換面においてξeo
=f2s+nθ0′\0 となる。この様子を第3図のレチクル側のフーリエスペ
クトル像をミラーMで反射し位置合わせ光路系に導びき
、フーリエ変換面の像Rとウェハ側のフーリエ変換面の
像W′で示した。
レチクルの位置ずれを修正してゆくと、像只のフーリエ
像は視野の中心に向うとともに、基準ターゲットから回
折された光も像W′の中心に向いレチクルの設定が完了
する。
次に、このレチクルに対して、フェノ1Wがセットされ
るが、このウェハWは基準ターゲットとの相対的な位置
ずれがある。クエハW上には、位置合わせ用の回折格子
が形成されており、基準ターゲットと同様に2光束を回
折して ξ80 ” f 2 Sln l ozのフーリエ変換
面にフーリエスペクトル像を結像する。フーリエスペク
トル像の位置はやはり、位置ずれに比例して中心位置か
らずれているので、視野の中心に合うようにウェハWの
位置ずれを修正する。7 さらに、フェノ・Wからの回折した光は、光検知器り、
で受光する。
光検知器D1上での観測される光強度Iは””A ”B
 +uA 11uB+uA”B*ただし、uA、uB 
は各々光束111,112の振幅強度ux 、usは、
共役複素振幅である。
*   * δA−δB uAeuB+uAIIuB*−2@A*BcO5l (
N−1) −+Kx (sinθA−”’θB)1 (ただし、A、Bは定数、N:格子の数、δA。
δBは隣接した2格子によって回折された光の間の光路
差、Iは光束111と光束112との干渉縞と格子との
間の相対的位置関係、θA、θBは光束111及び11
2とウェハの垂線とのなす角)として示される。
第4図に光強度Iの観測角度依存性を示した。
干渉縞のピッチを1μm、格子のピッチを2μmとした
場合の図である。光強度の鋭いピークが現われるのは光
強度Iで示されているように、干渉縞のピッチに対して
格子のピッチが整数倍のときに限られている。そして、
第4図において、観測角度を0〜π/2と変化させると
6つのピークがあられれ、θ2のピークには、入射光1
11,112の0次の回折光が重なる。θ4のピークは
干渉縞と格子のピッチが等しい場合の1次の回折光のピ
ークに相当する。01〜θ5の各々のピークに干渉縞と
ウェハ上の格子との間の位置情報が含まれている。
第6図に、光検出器の位置を第4図のピークを示す位置
に固定し、光束111と光束112の作る干渉縞とウェ
ハ上の格子との間の相対位置Iを変化させたときの光強
度工の変化を示した。相対位置Iの変化は、格子のピッ
チl毎に光強度を周期的に変化させ、光強度を観測する
ことによって、干渉縞と格子との間の相対位置を示すこ
とができる。
実際のLSIのパターンを形成するときの位置合わせは
、ウェハ上に形成された回路素子部分のパターンと露光
しようとする2光束の干渉縞との間の位置合わせである
第6図に従来からの位置合わせマークmと格子Gとを組
み合わせた場合の位置合わせパターンを示した。図に示
されているように、十字の位置合わせマークmが格子G
のパターンの中に形成されている。この格子に十字の位
置合わせマークの入ったパターンに2光束を照射すると
、第8図のパターンからの回折光は四辺形の明パターン
の中に十字の暗パターンが組み合わさったもので、位置
合わせが不十分であると第7図aのように十字の暗パタ
ーンが二実に見える状態となり、第7図すのように十字
のパターンを合わせるべく位置合せを行う。すなわち、
この十字のパターンに合わせて光検知手段を設けると従
来と同様のパターン位置合わせを行なうことができる。
こうした従来と同様の位置合わせ方法によって0.3ミ
クロン程度の概略の位置合わせができる。こうした位置
合せが終ると、第7図すに示したように、四辺形の明パ
ターンの中にモアレ状縞が観測されるようになり、この
縞を用いて本発明の位置合わせ方法により短時間に高精
度の位置合わせを行なうことができる。
第8図は、本発明による第2の実施例を示す。
この図においては、レチクルを通過したフーリエスペク
トル像のうち0次光をミラーMによって位置合わせ光路
系αに導くとともに、±1次の回折光はピンホールpに
よって第1のレンズ系の光軸Z方向に通過させるフーリ
エスペクトル面の構造について示している。前記ミラー
Mの反射方向はせ光路系αが重ならないように配置され
ている。
これは、位置合わせ用のレチクルの格子のピッチが充分
小さく、0次、±1次の回折光がレンズの画角に入り、
±2次の回折光が瞳によって遮ぎられる場合には考慮す
る必要はないが、±2次の回折光が画角に入る場合には
、上述のようにピンホールの支持体によってミラーから
の反射光が遮ぎられないようにする必要がある。
なお、本発明の以上の機構は、通常の縮少投影露光装置
等に組み込むことができ、半導体装置の製造における通
常のウェハへの露光と、レチクルとウェハの位置合せを
高精度に行うことが可能となる。さらに、位置合せでな
く、干渉縞パターンをウェハに露光することも可能であ
る。
発明の効果 本発明により、干渉縞を媒介としてレチクル上のパター
ンをウェハ上に高い精度で位置合わせできる。また、本
発明によるレチクルとウェハとの間の光路の合わせ方法
により、ターゲットに対してレチクルを高精度に位置合
わせでき、レチクルとウェハの位置合わせが一定した条
件のもとて可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による位置合わせの基本的な構想図、第
2図aは本発明によるレチクルの構成図、第2図すは位
置合わせ用格子の断面図、第3図は本発明による再回折
光学系の原理説明図、第4図は本発明によるウェハ上の
格子からの回折光強度を示す図、第6図は本発明による
ウェハ上の格子からの回折光強度のステージ位置依存性
を示す図、第6図は本発明による位置合わせ用格子のパ
ターン図、第7図a、  bは本発明による位置合わせ
用格子からの回折像のパターン図、第8図は本発明によ
る第2の実施例でレチクルからの回折光のフーリエ変換
面における空間フィルタとミラーMとの相対位置を示す
図、第9図は従来からの2重格子法による位置合わせの
原理図である。 11・・・・・・光源、14.41・・・・・・レチク
ル、16゜7.51.52・・・・・・フーリエ変換レ
ンス、16・・・・・・空間フィルター、M・・・・・
・ミラー、18.W・・・・・・ウェハ、Dl ・・・
・・・光検知器、111,112・・・・・・光束。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが1名第1
図 第21!1 (α) (幻 第 4 図 θ、 θt θ3 θ4  θ57/2第5図 0  り21   慢  21 第6図 Lb 第8図 7)      Z

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源、光源光学系、レチクル、第1のレンズ系、
    空間フィルター位置合わせ光路系、第2のレンズ系、基
    板を有し、前記レチクル面上に第1の格子また基板上に
    第2の格子が形成されており、前記光源から出た光束を
    前記光源光学系を通して前記レチクル面上に入射し、前
    記光束を前記レチクル上の第1の格子により波面分割し
    て前記第1のレンズ系に入射し、前記第1のレンズ系の
    スペクトル面付近に設けた前記ミラーよりなる空間フィ
    ルターによって前記第1のレンズ系を通過した光束の一
    部分Aをミラーによって反射して位置合わせ光路系に導
    びき適当な2光束のみを得、前記2光束を前記第2のレ
    ンズ系に導びき、前記第2のレンズ系を通過した前記2
    光束を用いて生成した干渉縞を前記基板上に投影し、さ
    らに、前記基板上に形成した干渉縞の偶数倍のピッチを
    持つ格子によって回折された光束Bを前記第2のレンズ
    系を通過後前記第1のレンズ系のスペクトル面に配置し
    たミラーによって前記位置合わせ光路系に導びき、前記
    光束Aと光束Bとの相対位置と光強度によって、前記レ
    チクル上の第1の格子と基板上の格子との相対的な位置
    合わせを行なう事を特徴とする露光装置。
  2. (2)空間フィルターの一部分がミラーよりなり、第1
    のレンズ系を通過した0次光をミラーによって位置合わ
    せ光路系に導くとともに、±1次の回折光のみを通過さ
    せるピンホールを持ち、かつ、前記ミラーによって反射
    する位置合わせ光路系とピンホールの位置が前記第1の
    レンズ系の光軸面内において角度を持つことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の露光装置。
JP60001068A 1985-01-08 1985-01-08 露光装置 Pending JPS61160931A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60001068A JPS61160931A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60001068A JPS61160931A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61160931A true JPS61160931A (ja) 1986-07-21

Family

ID=11491207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60001068A Pending JPS61160931A (ja) 1985-01-08 1985-01-08 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61160931A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100306471B1 (ko) 마스크패턴투영장치
US4828392A (en) Exposure apparatus
JP2658051B2 (ja) 位置合わせ装置,該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法
KR930002513B1 (ko) 조명방법 및 그 장치와 투영식 노출방법 및 그 장치
KR100547437B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 이에 따라 제조된디바이스
US5062705A (en) Apparatus for evaluating a lens
US4771180A (en) Exposure apparatus including an optical system for aligning a reticle and a wafer
JPS61160931A (ja) 露光装置
JPS6165251A (ja) 露光装置
JPH0476489B2 (ja)
JPS6378004A (ja) 位置合せ方法および露光装置
JPH0441485B2 (ja)
JPS61208220A (ja) 露光装置及び位置合わせ方法
JPH07101665B2 (ja) 露光装置
JP2578742B2 (ja) 位置合わせ方法
JPS63185024A (ja) 露光装置
JPH0441484B2 (ja)
JP2546356B2 (ja) 位置合わせ装置
JP3339591B2 (ja) 位置検出装置
JPS61290306A (ja) 位置検知方法及びこの方法を用いた露光装置
JPS6184019A (ja) 露光装置
JPS6173958A (ja) 露光装置
JPH07122565B2 (ja) 露光装置
JPS62128120A (ja) 露光装置
JPS6318624A (ja) 露光装置