JPS618606A - 位置検知方法 - Google Patents
位置検知方法Info
- Publication number
- JPS618606A JPS618606A JP59129807A JP12980784A JPS618606A JP S618606 A JPS618606 A JP S618606A JP 59129807 A JP59129807 A JP 59129807A JP 12980784 A JP12980784 A JP 12980784A JP S618606 A JPS618606 A JP S618606A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grating
- light
- wafer
- mask
- incident
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、精度の高い位置合わせ装置、特に高密な半導
体装置（以下ＬＳＩとよぶ）の位置合わせ装置に適用で
きる位置合わせ方法に関する。
体装置（以下ＬＳＩとよぶ）の位置合わせ装置に適用で
きる位置合わせ方法に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体装置は最近ますます高密度化され、各々の素子の
微細パターンの寸法は１ミクロン以下に及んでいる。従
来からのＬＳＩ製造時のフォトマスクとＬＳＩ’ウェハ
の位置合わせは、ウエノ・に設けた位置合せマークを用
いて、ウェハを着装したステージの回転と２軸子行移動
し、フォトマスク上のマークとウェハ上のマークを重ね
合わせることによって行なっていだが、その位置合わせ
精度は±０．３ミクロン程度であり、サブミクロンの素
子を形成する場合には、合わせ精度が悪く実用にならな
い。また、Ｓ、オースチン（Ａｐｐ ｌ ｌ ｅｄＰｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ＋ Ｖｏｌ ３１ ＡγＰ
、 ４２８．１９７７）らが示した干渉法を用いた位置
合わせ方法では、第１図で示しだように、入射レーザビ
ーム１をフォトマスク２に入射させ、フォトマスク２上
に形成した格子３で回折し、この回折した光をもう一度
、ウェハ４上に形成した格子５によって回折することに
より、回折光６，７．８・・・・・・を得る。この回折
光は、フォトマスクでの回折次数とウェハでの回折次数
の二値表示で表わすと、回折光６は（０，１）、回折光
７は（１，１）、回折光８は（’＋２）・・・・・・で
表わすことができる。この回折光をレンズにより一点に
集め光強度を測定する。
微細パターンの寸法は１ミクロン以下に及んでいる。従
来からのＬＳＩ製造時のフォトマスクとＬＳＩ’ウェハ
の位置合わせは、ウエノ・に設けた位置合せマークを用
いて、ウェハを着装したステージの回転と２軸子行移動
し、フォトマスク上のマークとウェハ上のマークを重ね
合わせることによって行なっていだが、その位置合わせ
精度は±０．３ミクロン程度であり、サブミクロンの素
子を形成する場合には、合わせ精度が悪く実用にならな
い。また、Ｓ、オースチン（Ａｐｐ ｌ ｌ ｅｄＰｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ＋ Ｖｏｌ ３１ ＡγＰ
、 ４２８．１９７７）らが示した干渉法を用いた位置
合わせ方法では、第１図で示しだように、入射レーザビ
ーム１をフォトマスク２に入射させ、フォトマスク２上
に形成した格子３で回折し、この回折した光をもう一度
、ウェハ４上に形成した格子５によって回折することに
より、回折光６，７．８・・・・・・を得る。この回折
光は、フォトマスクでの回折次数とウェハでの回折次数
の二値表示で表わすと、回折光６は（０，１）、回折光
７は（１，１）、回折光８は（’＋２）・・・・・・で
表わすことができる。この回折光をレンズにより一点に
集め光強度を測定する。
回折光は入射レーザビーム１に対して左右対称な位置に
光強度を持ち、フォトマスク２とウェハ４との位置合わ
せには、左右に観察された回折光の強度を一致させるこ
とにより行なえる。この方法では位置合わせ精度は、数
１００八とされている。
光強度を持ち、フォトマスク２とウェハ４との位置合わ
せには、左右に観察された回折光の強度を一致させるこ
とにより行なえる。この方法では位置合わせ精度は、数
１００八とされている。
しかし、この方法においては、フォトマスク２とウェハ
４との位置合わせは、フォトマスク２とウェハ４との間
隔りに大きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク２とウェハ４を接近させ、間隔り
の精度を保持した状態で位置合わせする必要があり装置
が複雑となるため、実用に問題があった。
４との位置合わせは、フォトマスク２とウェハ４との間
隔りに大きく影響されるため、間隔りの精度を要求する
。また、フォトマスク２とウェハ４を接近させ、間隔り
の精度を保持した状態で位置合わせする必要があり装置
が複雑となるため、実用に問題があった。
また、サブミクロン線巾を持つ素子の位置合わせには、
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、ＬＳＩを製造す
る上でのスループットが小さくなり実用上問題があった
。
素子からの二次電子放出による観察による方法があるが
、大気中での取り扱いができないため、ＬＳＩを製造す
る上でのスループットが小さくなり実用上問題があった
。
発明の目的
本発明はこのような従来からの問題に鑑み、微細パター
ンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で行なえ
る、ＬＳＩのフォトマスク、ウェハの正確かつ容易な位
置合わせが可能な位置検知方法を提供することを目的と
している。
ンの位置合わせを大気中で、かつ、簡単な構成で行なえ
る、ＬＳＩのフォトマスク、ウェハの正確かつ容易な位
置合わせが可能な位置検知方法を提供することを目的と
している。
発明の構成
本発明は、コヒーレントな光を二方向から入射させ、こ
の光の二光束の干渉により得られる干渉縞に対して略平
行に配置された第１の格子を前記二光束の光路中に持ち
、この第１の格子を反射または透過した二光束の光路中
に第２の格子を有し、第１及び第２の格子によって反射
又は透過した光を再度干渉させて光検知手段に導ひいて
光強度を測定することにより、前記二光束の干渉縞と格
子との相対位置を検知する方法により、マスクとウェハ
上の半導体微細素子との間の位置合わせを高精度に行な
うことを実現するものである。
の光の二光束の干渉により得られる干渉縞に対して略平
行に配置された第１の格子を前記二光束の光路中に持ち
、この第１の格子を反射または透過した二光束の光路中
に第２の格子を有し、第１及び第２の格子によって反射
又は透過した光を再度干渉させて光検知手段に導ひいて
光強度を測定することにより、前記二光束の干渉縞と格
子との相対位置を検知する方法により、マスクとウェハ
上の半導体微細素子との間の位置合わせを高精度に行な
うことを実現するものである。
実施例の説明
第２図に本発明による位置検知方法を実施できるホログ
ラフインク露光装置および光検知器を具備した位置検知
装置を示した。コヒーレントな光１ｏをレーザー発生装
置からビームスプリッタ（ＢＳ）に入射させ、はぼ同一
強度の反射光１１と透過光１２とに振幅分割し、各々反
射鏡Ｍ１と反射鏡Ｍ２に入射し、マスクＭａの表面に対
して双方の反射光がほぼ等しい角度θで入射するように
、Ｂ、Ｓ、 Ｍ １ 、 Ｍ ２ 、 Ｍａを配置する
。マスクＭａ上には格子Ｇ１が形成されており、さらに
格子Ｇ１を通過した光がウェハＷ上に入射するように配
置する。ウェハＷ上には格子Ｇ２が形成されており格子
Ｇ２によって回折した反射光が光検知器Ｄ１．Ｄ２およ
びＤ３に入射する。なお格子Ｇ１．Ｇ２は各々マスクＭ
ａ、ウェハＷの所定領域に規則的に形成した繰返しパタ
ーンを用いればよい。
ラフインク露光装置および光検知器を具備した位置検知
装置を示した。コヒーレントな光１ｏをレーザー発生装
置からビームスプリッタ（ＢＳ）に入射させ、はぼ同一
強度の反射光１１と透過光１２とに振幅分割し、各々反
射鏡Ｍ１と反射鏡Ｍ２に入射し、マスクＭａの表面に対
して双方の反射光がほぼ等しい角度θで入射するように
、Ｂ、Ｓ、 Ｍ １ 、 Ｍ ２ 、 Ｍａを配置する
。マスクＭａ上には格子Ｇ１が形成されており、さらに
格子Ｇ１を通過した光がウェハＷ上に入射するように配
置する。ウェハＷ上には格子Ｇ２が形成されており格子
Ｇ２によって回折した反射光が光検知器Ｄ１．Ｄ２およ
びＤ３に入射する。なお格子Ｇ１．Ｇ２は各々マスクＭ
ａ、ウェハＷの所定領域に規則的に形成した繰返しパタ
ーンを用いればよい。
レーザの波長をλ、Ｍ１．Ｍ２からの反射光１１．１２
が干渉して作る干渉縞のピッチをＡとすると、ウェハ上
にできる干渉縞は Ａ−λ／ ２ ｓｉｎθ で表わせる。
が干渉して作る干渉縞のピッチをＡとすると、ウェハ上
にできる干渉縞は Ａ−λ／ ２ ｓｉｎθ で表わせる。
この干渉縞のピッチＡにほぼ等しいピッチを持つ格子Ｇ
からは、２光束１１と１２の干渉した光を波面分割する
格子Ｇによって回折された光が得られ、さらにレンズＬ
１．Ｌ２を通して波面分割された光を集束して干渉させ
ると２光束の干渉縞と格子Ｇとの間の位置関係を示す光
強度情報が得られる。光検知器Ｄ１およびＤ２上での観
測される光強度工は ２２ ＊ Ｉ ＝ ｕＡ＋ｕＢ ＋ ｕＡ１１ｕＢ＋ ｕＡ’ｕＢ
＊＝＝・−−（１）ただし、ｕ Ａ、 ｕ Ｂは各々光
束１１．１１の振幅強度ｕＡ＊、ｕＢ＊は、共役複素振
幅である。
からは、２光束１１と１２の干渉した光を波面分割する
格子Ｇによって回折された光が得られ、さらにレンズＬ
１．Ｌ２を通して波面分割された光を集束して干渉させ
ると２光束の干渉縞と格子Ｇとの間の位置関係を示す光
強度情報が得られる。光検知器Ｄ１およびＤ２上での観
測される光強度工は ２２ ＊ Ｉ ＝ ｕＡ＋ｕＢ ＋ ｕＡ１１ｕＢ＋ ｕＡ’ｕＢ
＊＝＝・−−（１）ただし、ｕ Ａ、 ｕ Ｂは各々光
束１１．１１の振幅強度ｕＡ＊、ｕＢ＊は、共役複素振
幅である。
以 下 余 白
＋Ｋｘ（ｓｉｎθＡ−５ＩＩＩθＢ）１（ただし、Ａ、
Ｂは定数、Ｎ：格子の数、δＡ。
Ｂは定数、Ｎ：格子の数、δＡ。
δＢは隣接した２格子によって回折された光の間の光路
差、Ｉは光束１１と光束１２との干渉縞と格子との間の
相対的位置関係、θＡ、θＢは光束１１及び１２とウェ
ハの垂線とのなす角）として示される。
差、Ｉは光束１１と光束１２との干渉縞と格子との間の
相対的位置関係、θＡ、θＢは光束１１及び１２とウェ
ハの垂線とのなす角）として示される。
この光強度の変化は、二光束で生成された干渉縞のピッ
チで変化し、干渉縞と格子が重ね合ゎさったとき光強度
が最大値を示す。このように、マスク上に形成された格
子Ｇ１と干渉縞Ｆ１とは位置合わせされる。
チで変化し、干渉縞と格子が重ね合ゎさったとき光強度
が最大値を示す。このように、マスク上に形成された格
子Ｇ１と干渉縞Ｆ１とは位置合わせされる。
さらに、第３図に示すようにマスクＭａ上の格子Ｇ１と
ウェハ（半導体基板）Ｗ上の格子Ｇ２との間の位置合わ
せは、前述と同様の原理を用いる。
ウェハ（半導体基板）Ｗ上の格子Ｇ２との間の位置合わ
せは、前述と同様の原理を用いる。
干渉縞Ｆ１を生成（−た二光束は、マスクＭａ上の格子
Ｇ１を通過した後にも干渉縞Ｆ２を生成しくブラッグの
条件を満しているため）、干渉縞Ｆ１と格子Ｇ１と同様
の関係を干渉縞Ｆ２と格子Ｇ２との間に生じる。干渉縞
Ｆ２は格子Ｇ１と格子Ｃ２との間にあって、格子Ｇ２の
位置合わせに用いることができる。
Ｇ１を通過した後にも干渉縞Ｆ２を生成しくブラッグの
条件を満しているため）、干渉縞Ｆ１と格子Ｇ１と同様
の関係を干渉縞Ｆ２と格子Ｇ２との間に生じる。干渉縞
Ｆ２は格子Ｇ１と格子Ｃ２との間にあって、格子Ｇ２の
位置合わせに用いることができる。
二光束の入射光１１．１２の経路を第４図に示す。入射
光１１．１２は格子Ｇ１を通過した後１１′及び１２′
となり、第２の格子Ｇ２に至るまで直進する。回折光１
イ、１２′は格子Ｇ２によって回折されて、格子Ｇ１か
ら回折光１３．１４及び１５゜１６を回折する。回折光
１３．１４は格子Ｇ１゜Ｇ２による回折の次数で互いに
重なる光が検出でき、干渉縞Ｆ２を媒介として格子Ｇ１
と格子Ｇ２を高精度に位置合わせできる。ウェハの面内
方向の回転については、前記の重なる光の波面の相互回
転によるモアレ縞の光強度を測定することにより、高精
度にウェハ面内の回転位置合わせは制御できる。
光１１．１２は格子Ｇ１を通過した後１１′及び１２′
となり、第２の格子Ｇ２に至るまで直進する。回折光１
イ、１２′は格子Ｇ２によって回折されて、格子Ｇ１か
ら回折光１３．１４及び１５゜１６を回折する。回折光
１３．１４は格子Ｇ１゜Ｇ２による回折の次数で互いに
重なる光が検出でき、干渉縞Ｆ２を媒介として格子Ｇ１
と格子Ｇ２を高精度に位置合わせできる。ウェハの面内
方向の回転については、前記の重なる光の波面の相互回
転によるモアレ縞の光強度を測定することにより、高精
度にウェハ面内の回転位置合わせは制御できる。
ウェハのあおり角αについては、回折光１５゜１６の波
面が位相ずれを生じるためにディテクタＤ３に受ける光
にモアレ縞を発生し、モアレ縞の光強度を測定すること
によって、あおり角αについても高精度の位置合わせが
できる。
面が位相ずれを生じるためにディテクタＤ３に受ける光
にモアレ縞を発生し、モアレ縞の光強度を測定すること
によって、あおり角αについても高精度の位置合わせが
できる。
また、ギャップＧについては、Ｇ１と０２がちょうどブ
ラッグ格子の節又は腹に位置するときに（第４図、第６
図との比較）ディクタＤ３で受けるモアレ縞の光強度が
異るため、高い位置精度でギャップＧの位置が決定でき
る。
ラッグ格子の節又は腹に位置するときに（第４図、第６
図との比較）ディクタＤ３で受けるモアレ縞の光強度が
異るため、高い位置精度でギャップＧの位置が決定でき
る。
以上のように、マスク上に形成された格子Ｇ１の面内回
転と格子Ｇ１と干渉縞との位置合わせを行なった後、ウ
ェハ上に形成された格子とマスク上に形成された格子と
の間のあおシ回転２面内平行度合わせ、ギャップ位置合
わせを行なった後、マスク上の格子Ｇ１とウェハ上の格
子Ｇ２を干渉縞Ｆ２を媒介として位置合わせすると、回
折光１３．１４のモアレ縞光強度の変位量依存性は、第
６４図に示すように干渉縞のピッチと等しい光強度変化
を示し、高い位置合わせ精度が得られる。
転と格子Ｇ１と干渉縞との位置合わせを行なった後、ウ
ェハ上に形成された格子とマスク上に形成された格子と
の間のあおシ回転２面内平行度合わせ、ギャップ位置合
わせを行なった後、マスク上の格子Ｇ１とウェハ上の格
子Ｇ２を干渉縞Ｆ２を媒介として位置合わせすると、回
折光１３．１４のモアレ縞光強度の変位量依存性は、第
６４図に示すように干渉縞のピッチと等しい光強度変化
を示し、高い位置合わせ精度が得られる。
また、前述の格子は干渉縞のピッチに対して、整数倍で
あるとき、ディテクタで受ける光強度工は第１式で示さ
れているように格子のピッチが干渉縞のピッチに対して
等しい場合と同様に取り扱える。よって、格子を従来露
光法によって形成することが可能となり、効率の良いパ
ターン形成が出来る従来光露光技術とＸ線露光等のハイ
ブリッドな使用が可能となる。
あるとき、ディテクタで受ける光強度工は第１式で示さ
れているように格子のピッチが干渉縞のピッチに対して
等しい場合と同様に取り扱える。よって、格子を従来露
光法によって形成することが可能となり、効率の良いパ
ターン形成が出来る従来光露光技術とＸ線露光等のハイ
ブリッドな使用が可能となる。
発明の効果
以上のように、本発明では、互いに共役な光束を干渉さ
せ、その結果得られた干渉縞とマスク上に形成された格
子との間の位置合わせを行ない、さらに、マスクとウェ
ハとの間の空間に生成された第２の干渉縞によって、ウ
ェハ上に形成された格子と第２の干渉縞との間の高精度
な位置合わせを行ない、結果、マスク上に形成された格
子′とウェハ上に形成された格子を高精度に位置合わせ
することができる。さらに、光検知手段をマスクに対し
て垂直方向に設置して、マスクとウェハとの間の高精度
なギャップ制御を行なうことができる。
せ、その結果得られた干渉縞とマスク上に形成された格
子との間の位置合わせを行ない、さらに、マスクとウェ
ハとの間の空間に生成された第２の干渉縞によって、ウ
ェハ上に形成された格子と第２の干渉縞との間の高精度
な位置合わせを行ない、結果、マスク上に形成された格
子′とウェハ上に形成された格子を高精度に位置合わせ
することができる。さらに、光検知手段をマスクに対し
て垂直方向に設置して、マスクとウェハとの間の高精度
なギャップ制御を行なうことができる。
第１図は従来例による二重格子を用いた位置合わせの断
面説明図、第２図は本発明による位置合わせの概略構成
図、第３図は本発明によるマスク−ウェハ及び干渉縞を
中心とした位置合わせの説明図、第４図は入射′光、回
折光を中心とした説明図、第６図はギャップ距離を第４
図の場合と違えた場合の入射光９回折光を中心とした説
明図、第６図は本発明によるモアレ縞光強度と格子位置
依存性との関係を示す図である。 Ｍａ・・・・・・マスク、Ｗ・・・・・・ウェハ、Ｇ１
．Ｇ２・・・・・・格子、Ｆｌ、Ｆ２・・・・・・干渉
縞、１１．１２・・・・・・入射光、１３，１４，１５
．１６・・・・・・回折光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ＃１か１名第
１図 第２図 第３図 第５図 第６図
面説明図、第２図は本発明による位置合わせの概略構成
図、第３図は本発明によるマスク−ウェハ及び干渉縞を
中心とした位置合わせの説明図、第４図は入射′光、回
折光を中心とした説明図、第６図はギャップ距離を第４
図の場合と違えた場合の入射光９回折光を中心とした説
明図、第６図は本発明によるモアレ縞光強度と格子位置
依存性との関係を示す図である。 Ｍａ・・・・・・マスク、Ｗ・・・・・・ウェハ、Ｇ１
．Ｇ２・・・・・・格子、Ｆｌ、Ｆ２・・・・・・干渉
縞、１１．１２・・・・・・入射光、１３，１４，１５
．１６・・・・・・回折光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ＃１か１名第
１図 第２図 第３図 第５図 第６図
Claims (3)
- （１）コヒーレントな光を二方向から入射させ、前記光
の二光束の干渉により得られる干渉縞に対して略平行に
配置された第１の格子を前記二光束の光路中に有し、さ
らに、第１の格子を透過又は反射した二光束の光路中に
第２の格子を有し、前記第１及び第２の格子によって反
射又は透過した光を再度干渉させて光検知手段に導びき
、この手段によって光強度を測定し、前記二光束の干渉
縞と、前記第１及び第２の格子との相対的な位置を検知
することを特徴とする位置検知方法。 - （２）光検知手段を少なくとも二個設け、その中の一個
は格子の形成された平面の法線方向に設けることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の位置検知方法。 - （３）第１の格子と第２の格子のピッチが二光束の干渉
縞のピッチの整数倍であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の位置検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129807A JPS618606A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 位置検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129807A JPS618606A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 位置検知方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618606A true JPS618606A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15018706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59129807A Pending JPS618606A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 位置検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618606A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102789137A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-11-21 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于莫尔条纹的反射式光刻对准装置 |
| CZ304207B6 (cs) * | 2013-03-05 | 2014-01-02 | Univerzita PalackĂ©ho | Způsob bezkontaktní detekce absolutní polohy pohybujícího se předmětu s využitím jevu koherenční zrnitosti a zařízení k provádění tohoto způsobu |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59129807A patent/JPS618606A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102789137A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-11-21 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于莫尔条纹的反射式光刻对准装置 |
| CZ304207B6 (cs) * | 2013-03-05 | 2014-01-02 | Univerzita PalackĂ©ho | Způsob bezkontaktní detekce absolutní polohy pohybujícího se předmětu s využitím jevu koherenční zrnitosti a zařízení k provádění tohoto způsobu |
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