KR101966572B1 - 오버레이 에러를 검출하는 방법 및 디바이스 - Google Patents

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Abstract

오버레이 에러를 검출하기 위한 방법 및 디바이스. 상기 디바이스는 포함한다: 광원(41), 조명 시스템(42, 43, 44, 46, 48, 49, 412), 대물 렌즈(410), 및 검출기(413); 광원(41)은 측정 광선들을 생산하기 위해 사용되고; 조명 시스템(42, 43, 44, 46, 48, 49, 412)은 대물 렌즈(410)로 측정 광선들이 향하도록 하기 위해 사용되고; 대물 렌즈(410)는 오버레이 마커(411) 상으로 측정 광선들이 향하도록 하고, 오버레이 마커(411)로부터 회절된 회절 광선의 주 최대값들을 수집하고, 회절 광선의 주 최대값들을 대물 렌즈(410)의 퓨필 평면 상에 포커싱 하기 위해 사용되고; 검출기(413)는 대물 렌즈(410)의 퓨필 평면에 위치하고, 상기 오버레이 마커(411)의 오버레이 에러를 획득하기 위해 검출기(413) 상의 각각의 회절 광선의 주 최대값들의 위치들을 검출하기 위해 사용된다. 상기 방법에 있어서, 회절-광 위치 정보는 오버레이 에러를 측정하는데 사용되고, 측정 신호들은 조명 균일성, 투과율 균일성 등에 의해 영향을 받지 않는다; 오버레이 마커(411)의 크기는 더 작고, 관련된 사이클들의 수는 20 보다 적으며, 유효 노출 영역의 점유는 적어, 오버레이 마커(411)의 비용을 감소시킨다; 및, 측정들은 노출 필드 내에서 수행될 수 있으며, 각 노드들이 오버레이 에러 측정 정밀도에 대한 높은 요구를 충족시킬 수 있다.

Description

오버레이 에러를 검출하는 방법 및 디바이스
본 발명은 포토리소그래피(photolithography)의 분야에 관한 것으로, 특히, 오버레이 에러 검출(overlay error detection)을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
포토리소그래피 패턴들의 임계 치수(CDs; critical dimensions)가 22nm 이하로 축소되면서, 특히, 더블 패터닝 기술(double patterning techniques)의 사용이 증가함에 따라, 포토리소그래피 처리들의 성능을 측정하는 하나의 메트릭(metric)으로서 오버레이 측정 정확도는 서브나노미터(sub-nanometers)의 차수(order)가 요구된다. 이미징 분해능(imaging resolution) 제한들로 인해, 새로운 기술적 노드들(nodes)의 오버레이 측정 요건들을 충족시키기 위해 이미징(imaging) 및 이미지 인식에 기초한 전통적인 오버레이 측정 기술(즉, 이미징-기반 오버레이(IBO; imaging-based overlay) 기술)이 점차 중요해지고 있다. 현재, 회절 광 검출(diffracted light detection)에 기초한 오버레이 측정 기술(즉, 회절-기반 오버레이(DB);) 기술)은 오버레이 측정 분야에서 점차 보급화되고 있다. 기존의 DBO 기술에 의해 직면된 가장 큰 문제점은 큰 마크가 유효 노출 영역의 과도하게 큰 부분을 차지하여 마크들의 과도한 비용이 발생한다는 것이다. 또한, 새로운 기술 노드들의 오버레이 측정 요건들과 일치하기 위하여, 노출 필드(exposure field)에서 오버레이 측정을 수행할 필요가 있다. 그러나, 큰 마크들은 인-필드 측정(in-field measurement)에 적합하지 않다. 따라서, 오버레이 마크들(overlay marks)을 축소하는 것은 DBO 기술의 개발에서 불가피한 추세이다.
종래 기술에서 제안된 DBO 기술은 오버레이 마크에 대한 각도 해상도 스펙트럼에서 회절의 동일한 차수의 회절된 광 요소들 사이의 비대칭을 측정함으로써 오버레이 에러를 획득하는 것이다. 입사광이 회절되는 각도는 입사광에 따라 다르며, 회절된 광의 이른바 각도 분해능 스펙트럼은 광이 상이한 각도에서 마크에 입사될 때 상이한 각도들에서 마크에 의해 회절되는 광의 강도 분포를 지칭한다. 도 1a는 고리 모양 조명 조건 하에서 CCD 검출기 상에 형성된 회절의 상이한 차수들(-2, -1, 0, 1, 2)에 대한 각도 분해능 스펙트럼을 도시한다. 도 1b는 기술적 해결책을 위한 장치의 구조적 개략도를 도시한다. 광원(2)으로부터 방사된 광은 렌즈(L2)에 의해 포커싱되고 간섭 필터(30)에 의해 협대역폭의 입사 광선으로 정형화된다. 그 다음 대물 렌즈(objective)(L1)는 입사광을 기판(6)의 오버레이 마크 상에 집중시키며(condenses), 오버레이 마크는 전형적으로 두 적층된 선형 격자들(two stacked linear gratings)로 구성된다. 도면에서, F는 대물 렌즈의 초점 거리를 나타낸다. 오버레이 마크 검출기(32)는 대물 렌즈(L1)의 후방 초점 평면(40)에 배열되고, 오버레이 마크로부터의 회절 광은 대물 렌즈(L1)에서 수집된 다음 반사기 표면(34)에 의해 반사되고 오버레이 마크 검출기(32)에 의해 수신된다. 오버레이 마크 검출기(32)는 상이한 각도들에서 오버레이 마크로부터 회절 광의 각도 분해능 스펙트럼을 측정한다. 큰 범위에 걸쳐 각도 분해능 스펙트럼을 획득하기 위하여, 큰 개구수(numerical aperture)(NA)를 갖는 대물 렌즈가 해결책에 채택된다. 상기 설명으로부터 알 수 있듯이, 우선, 그 측정 원리에 따라, 오버레이 마크는 큰 크기를 가져야만 한다. 또한, 격자들의 피치들(pitches)의 수 또는 크기를 감소시킴으로써 마크 크기를 줄이는 것은 실현 가능하지 않다. 그 이유는 격자들의 피치들이 작을수록, 더 높은 차수들의 회절 광이 소멸되어 수집될 수 없으므로, 대응하는 오버레이 신호들을 검출하지 못하게 되고, 오버레이 마크의 피치들의 수가 특정 값으로 줄어들면, 상이한 차수들의 회절 광 요소들은 더 이상 격자 회절 방정식을 엄격하게 따르지 않아서, 검출된 회절 광 신호들에 기초한 오버레이 에러 계산을 불가능하게 할 것이다. 따라서, 이 해결책은 작은 마크들을 사용하여 인-필드 측정(in-field measurement)을 할 수 없다. 또한, 이 해결책에서, 오버레이 정보는 회절 광에 대한 광 강도 신호들의 검출에 기초하여 획득되며, 오버레이 측정 정확도가 시스템 조명 균일성 및 투과 균일성에 영향을 받기 쉽다.
본 발명의 일 목적은 회절 광의 위치 정보에 기초하여 오버레이 에러 측정이 가능한 오버레이 에러 검출을 위한 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 오버레이 에러 검출을 위한 장치는 광원(light source), 조명 시스템(illumination system), 대물 렌즈(objective lens) 및 검출기(detector)를 포함한다. 광원은 측정 광을 생산하도록 구성된다. 조명 시스템은 대물 렌즈에 측정 광이 입사되도록 구성된다. 대물 렌즈는 오버레이 마크 상으로 측정 광이 향하도록 하고, 오버레이 마크로부터 회절된 회절 광 요소들의 주 최대값들을 수집하고 회절 광 요소들의 주 최대값들을 대물 렌즈의 퓨필 평면(pupil plane) 상에 집중시키도록 구성된다. 검출기는 대물 렌즈의 퓨필 평면에 배열되고 오버레이 마크의 오버레이 에러를 획득하기 위해 검출기 상의 회절 광 요소들의 주 최대값들의 위치들을 검출하도록 구성된다.
바람직하게는, 조명 시스템은 측정 광의 전파의 방향으로 순차적으로 배치되는, 시준 렌즈(collimator lens), 필터(filter), 제1 렌즈(first lens), 시야 조리개(field stop), 제2 렌즈(second lens) 및 스플리터(splitter)를 포함한다.
바람직하게는, 조명 시스템은 제1 렌즈와 필터 사이에 배치되는 편광기(polarizer)를 더 포함한다.
바람직하게는, 오버레이 마크에서의 피치들의 수는 20 보다 적고 오버레이 마크는 10 μm * 10 μm보다 더 적거나 같은 크기를 갖는다.
바람직하게는, 조명 시스템은 제1 렌즈와 필터 사이에 배치되는 구경 조리개(aperture stop)를 포함하고 원형 구멍(circular hole) 또는 슬릿(slit)으로서 구현된다.
바람직하게는, 두 개의 원형 구멍들 또는 두 개의 슬릿들이 제공되고, 두 개의 원형 구멍들 또는 슬릿들은 상기 구경 조리개의 중심에 대해 서로 대칭이다.
바람직하게는, 적어도 세 개의 원형 구멍들 또는 슬릿들이 제공된다.
바람직하게는, 회절 광 요소들의 주 최대값들은 플러스 및 마이너스 제1 차수들의 것(of plus and minus first orders)이다.
바람직하게는, 오버레이 마크는 기판에 형성되는 두 개의 적층된 격자들(two stacked gratings)로 구성된다.
또한 본 발명은 오버레이 에러 검출을 위한 방법을 제공한다, 광원은 측정 광을 생산하고; 조명 시스템은 대물 렌즈에 측정 광이 입사되도록 하고; 대물 렌즈는 오버레이 마크 상으로 측정 광이 향하도록 하고, 오버레이 마크로부터 회절된 회절 광 요소들의 주 최대값들을 수집하고 회절 광 요소들의 주 최대값들을 대물 렌즈의 퓨필 평면 상에 수렴시키고; 및 대물 렌즈의 퓨필 평면에 배열되는 검출기는 오버레이 마크의 오버레이 에러를 획득하기 위해 검출기 상의 회절 광 요소들의 주 최대값들의 위치들을 검출한다.
바람직하게는, 오버레이 마크에서의 피치들의 수는 20 보다 적고 오버레이 마크는 10 μm * 10 μm보다 더 적거나 같은 크기를 갖는다.
바람직하게는, 조명 시스템은 원형 구멍 또는 슬릿으로서 구현되는 구경 조리개를 포함한다.
바람직하게는, 두 개의 원형 구멍들 또는 두 개의 슬릿들이 제공되고, 두 개의 원형 구멍들 또는 슬릿들은 구경 조리개의 중심에 대해 서로 대칭이다.
바람직하게는, 적어도 세 개의 원형 구멍들 또는 슬릿들이 제공된다.
바람직하게는, 회절 광 요소들의 주 최대값들은 플러스 및 마이너스 제1 차수들의 것이다.
바람직하게는, 오버레이 에러는 검출기 상에서 회절 광 요소들의 주 최대값들의 위치들에 선형 피팅(linear fitting)을 수행함으로써 획득된다.
종래 기술에 비해, 본 발명은 다음의 이점들을 제공한다:
1. 이것은 회절 광의 위치 정보에 기초한 오버레이 에러 측정이 가능하여, 조명 균일성, 투과 균일성 등으로부터의 영향을 배제할 수 있다.
2. 더 작은 측정 마크들(Smaller measuring marks)은 유효 노출 영역의 더 작은 부분을 차지하여 사용되는 것이 허용된다. 결과적으로, 오버레이 마크들의 비용 및 그것의 칩 제조에 대한 악영향이 감소된다.
3. 더 작은 마크들의 사용은 노출 필드(exposure field) 내 측정을 허용하고, 이는 오버레이 에러 측정 정확도에 대한 새로운 기술 노드들의 더 높은 요건들을 충족시키며, 선행 기술에서는 불가능하다.
도 1a는 고리 모양 조명 조건 하에서 CCD 검출기 상에서의 회절의 상이한 차수들에 대한 분해능 스펙트럼의 분포를 도시한다.
도 1b는 전통적인 DBO 기술을 위한 장치의 구조적 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 오버레이 에러 검출을 위한 장치의 구조적 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 오버레이 마크의 구조적 개략도이다.
도 4 및 5는 본 발명의 제1 실시예에 따라 발생하는 회절을 개략적으로 도시한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 오버레이 에러에 의한 플러스 및 마이너스 주 최대값들 사이의 차이를 나타내는 신호의 변화를 개략적으로 도시한다.
도 7a 및 7b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 구경 조리개를 도시하는 구조적 개략도들이다.
도 8a 및 8b는 도 7a 및 7b의 각각의 구경 조리개들로부터 발생된 회절 광 신호들을 개략적으로 도시한다.
도 9a 및 9b는 본 발명의 제1 실시예에 따라 구경 조리개들을 도시하는 구조적 개략도들이다.
도 10a 및 10b는 도 9a 및 9b의 각각의 구경 조리개들로부터 발생된 회절 광 신호들을 개략적으로 도시한다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 오버레이 에러 검출을 위한 장치의 구조적 개략도이다.
본 발명의 상기 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면들과 함께 읽혀질 본 발명의 몇몇 특정 실시예들의 다음의 상세한 설명으로부터 더 명백해지고 쉽게 이해될 것이다. 도면들은 실시예들을 설명할 때 편의성 및 명료성을 용이하게 하기 위한 의도로, 반드시 규모에 맞게 제시되는 것이 아니라 매우 단순화된 형태로 제공된다는 점에 유의해야한다.
실시예 1
도 2에 도시된 바와 같이, 오버레이 에러 검출을 위한 장치는 아래 설명되는 바와 같은 요소들을 포함한다.
광원(41)은 측정 광을 생산하도록 구성된다. 특히, 광원(41)은 백색 광원, 광대역 광원 또는 다수의 개별 스펙트럼 라인들로 구성된 합성 광원일 수 있다. 백색 광원은 Xe 광원 등으로 구현될 수 있다. 용어 "광대역 광(wide-band light)"은 자외선, 가시 또는 적외선 대역, 또는 이들의 조합의 요소들을 포함하는 광을 지칭한다. 합성 광원은 다수의 레이저 디바이스들로부터 방사된 상이한 파장의 광을 혼합함으로써 획득될 수 있다.
조명 시스템은 대물 렌즈(410) 상에 측정 광을 입사시키도록 구성된다. 구체적으로, 조명 시스템은, 광의 전파의 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 측정 광을 시준하도록 구성된 시준 렌즈(collimator lens)(42), 단색 광을 생산하기 위한 필터(filter)(43), 편광을 생성하기 위한 편광기(polarizer)(44), 광 집중(light concentration)을 위한 제1 및 제2 렌즈들(first and second lenses)(46, 48) 및 대물 렌즈(410)로 측정 광을 향하게 하기 위한 스플리터(splitter)(49)를 포함한다. 또한, 조명 시스템은 대물 렌즈(410)와 검출기(detector)(413) 사이에 배치된 렌즈 그룹(lens group)(412)을 더 포함할 수 있다.
조리개들(Stops)는 측정 광을 대물 렌즈(410)의 광축에 대해 중심대칭인 입사 광선으로 변조하도록 구성된다. 특히, 조리개들은 입사광의 크기에 대물 렌즈(410)의 요건을 충족시키는 광 스폿(light spot)을 형성하도록 구성된 구경 조리개(aperture stop)(45) 및 시야 조리개(field stop)(47)을 포함한다. 구경 조리개(45)는 제1 렌즈(46)의 전방에 배치되고, 시야 조리개(47)는 제1 렌즈(46)와 제2 렌즈(38) 사이에 배열된다. 도 7a에 도시된 원형 구멍(circular hole)(451) 또는 도 7b에 도시된 슬릿(slit)(452)와 같은, 구경 조리개(45)는 입사광의 형상에 대물 렌즈(410)의 요건을 충족시키는 광 스폿을 정형화하도록 구성된다. 대안적으로, 도 9a에 도시된 바와 같은 두 원형 구멍(451) 또는 도 9b에 도시된 바와 같은 두 슬릿들(452)이 제공될 수 있고, 이는 구경 조리개(45)의 중심에 대해 대칭이다.
대물 렌즈(410)는 측정 광이 오버레이 마크(411) 상에 향하도록 구성되어, 측정 광은 오버레이 마크에 의해 회절된다. 또한, 대물 렌즈(410)는 오버레이 마크(411)로부터 회절된 광 요소들, 특히 상이한 차수들의 주 최대값들(main maximums)을 수집하고, 대물 렌즈(410)의 퓨필 평면 상에 그것들을 수렴시킨다(converges).
검출기(413)는 오버레이 마크로부터 회절 광 요소들에 대한 신호들을 검출하기 위해, 대물 렌즈(41)의 후방 초점 평면이기도 한, 대물 렌즈(410)의 퓨필 평면에 배열된다.
광원(41)으로부터의 측정 광은 시준 렌즈(42)에 의해 시준되고 그 다음 협대역 필터(narrow-band filter)(43)에 의해 단일 파장의 광으로 정형화된다. 이어서, 편광기(44)에 의해 선형적으로 편광된 광으로 변환된다. 이 편광된 광은 구경 조리개(45)를 통과한 다음 제1 렌즈(46)에 의해 집중된다. 그 후, 이는 오버레이 마크(411)에 바람직한-크기의 광 스폿이 형성되도록 시야 조리개(47)에 의해 제한된다. 그런 다음, 그것은 제2 렌즈(48)을 투과하여 스플리터(49)에 입사된다. 스플리터(49)로부터 나오는 광은 대물 렌즈(410)를 집중적으로(concentrically) 통과한 다음 오버레이 마크(411)에 의해 회절된다. 회절된 광 요소들은 대물 렌즈(410), 렌즈 그룹(412), 마지막으로 검출기(413)를 통과한다.
제 ±1 차수들(±1st orders)의 회절 광 요소들을 나타내는 검출기(413)에 의해 검출된 신호들은 각각 도 8a 및 8b 및 도 10a 및 10b에 도시된다. 도 8a의 신호는 도 7a의 구경 조리개(45)에 대응하고 도 8b의 신호는 도 7b의 구경 조리개(45)에 대응한다. 도 10a의 신호는 도 9a의 구경 조리개(45)에 대응하고 도 10b의 신호는 도 9b의 구경 조리개(45)에 대응한다. 도면들에서, L1 및 L2는 서로 상이하고, 오버레이 마크(411)의 오버레이 에러는 그들 사이의 상관 관계에 기초하여 계산될 수 있다. 계산은 아래에 더 상세히 설명될 것이다. 제 ±1 차수들의 그것들을 제외하고, 다른 더 높은 차수들의 회절 광 요소들의 주 최대값들은 유사하게 계산될 수 있고 오버레이 에러 계산을 위한 기초로서 작용할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 오버레이 마크(411)는 실리콘 기판에 형성된 두 개의 적층된 격자로 구성된다. 전면(하부) 격자는 개발, 현상, 에칭, 증착 및 다른 반도체 프로세스들에 앞서 노출된 패턴을 실시함으로써 형성되고, 후방(상부) 격자는 노출 및 개발 프로세스들 이후에 의해 형성된 포토레지스트 패턴(photoresist pattern)이다. 오버레이 에러는 두 노출 프로세스들 사이에 위치적 에러를 지칭한다. 격자들에 적절한 수의 피치들이 있을 때, 회절 광은 보통 격자 회절 방정식을 따를 것이다.
현재 산란 광 측정에서 사용된 제 ±1 차수들의 회절 광 요소들에 대해, 다음이 있다:
Figure 112017071316910-pct00001
방정식 (1)에서, d는 격자 피치를 나타내고, λ는 입사광의 파장을 나타내며, θ는 회절의 각도이다. 회절 광 요소들은 회절의 대응하는 각도 θ에서 대물 렌즈(410)에 입사된다.
따라서, 아베 이미징 이론(Abbe imaging theory)에 준거한 대물 렌즈(410)에 있어서, 퓨필 평면의 반경 ρ 및 회절의 각도 θ는 충족시킨다:
Figure 112017071316910-pct00002
방정식(2)에서, f는 대물 렌즈의 초점 길이이고, θ는 회절의 각도이며 또한 회절 광이 퓨필 평면에 입사되는 각도이다. 따라서, 퓨필 평면의 반경은 최대 입사 각의 사인(즉, 대물 렌즈의 구경 수(numeral aperture))에 비례한다.
대물 렌즈(410)에 의해 수집된 후에, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제 ±1 차수들의 회절 광 요소들은 퓨필 평면에 그들의 위치로부터 퓨필 평면의 중심으로의 동일한 거리를 가질 것이며, 거리는 다음과 같이 설명될 수 있다
Figure 112017071316910-pct00003
따라서, 대응하는 회절의 각도를 갖는 상이한 차수들의 광 요소들은 퓨필 평면에 충실하게 반사되어 CCD 검출기에 의해 수집될 수 있다.
격자들에서의 피치들의 수가 부적당할 때, 회절 광 요소들의 주 최대값들의 회절의 각도들은 격자 회절 방정식을 더 이상 엄격하게 따를 수 없다. 이 경우, 오버레이 마크(411)에 있어서, 바람직하게는, 격자들에서의 피치들의 수가 20 보다 적거나 같을 때, 다양한 주 최대값들의 회절의 각도(퓨필 평면에 상이한 주 최대값들의 위치들에 대응하는)는 오버레이 에러에 따라 변할 것이다. 도 8a, 8b, 10a 및 10b에 도시된 바와 같이, L1은 L2와 같지 않다. 즉, 오버레이 에러의 존재로 인해, 퓨필 평면(검출기)에서의 제 ±1 차수들의 회절 광 요소의 주 최대값들의 위치는 퓨필 평면의 중심으로부터 등거리(equidistant)가 아니다. 이 실시예에 따르면, 이러한 의존성에 기초하여 오버레이 에러 측정이 가능해진다. 특히, 특정 다이어프램 시스템(diaphragm system)에서, 오버레이 에러가 특정 범위에 걸쳐 변할 때, 플러스 및 마이너스 주 최대값들(피크 값들)의 회절의 각도들은 그에 따라 변한다. 피팅(예컨대, 선형 피팅(linear fitting), 삼각 피팅(trigonometric fitting) 등)을 함으로써 획득될 수 있는 오버레이 에러 또는 그 사이의 다른 상관 관계들에 대한 주 최대값들의 회절의 각도들(또한 그 위치들)의 선형 의존성에 기초하여, 오버레이 에러는 측정 가능하다. 격자들에서의 피치들의 수가 감소함에 따라, 예를 들어, 10 μm * 10 μm 보다 더 크지 않은 범위의 크기로, 오버레이 마크는 더 작아질 수 있다.
다른 요인들의 영향을 제거하기 위하여, 플러스 및 마이너스 주 최대값들과 오버레이 에러 간의 차이 사이의 관계가 사용될 수 있다. 오버레이 에러 검출에 사용된 선형 피팅 방법은 예시로서 아래에서 설명된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 오버레이 에러가 약 ±0.05 * 피치(즉, 격자들의 인접한 슬릿들 사이의 거리)일 때, 주 최대값들의 회절의 각도는 오버레이 에러에 따라 선형적으로 변하고, 오버레이 에러는 이 관계에 선형 피팅(linear fitting)을 수행함으로써 계산될 수 있다. 특히, 오버레이 에러 측정은 각각 미리 결정된 편차를 갖는 세 개의 오버레이 마크들을 사용하여 달성될 수 있다. 세 개의 오버레이 마크들은 제2와 제3 오버레이 마크들 사이에 제1 오버레이 마크가 위치되도록 배열된다. 제1 오버레이 마크의 미리 정의된 편차 d는 d =0.05 * 피치이고, 제2 오버레이 마크와 제3 오버레이 마크 사이의 차이는 d 0 =0.01 * 피치이고 제3 오버레이 마크의 미리 정의된 편차는 반대 방향이지만 제1 오버레이 마크의 규모(magnitude)와 동일한 규모, 즉, - d이다. 실제로 측정되는 오버레이 에러가 ε 이라고 가정하면, 오버레이 마크들의 각각의 상부 및 하부 격자들 사이의 실제 편차들은 d+ε-d 0 , d+ε 및 -d+ ε이다. 이 세 점들을 기초로 오버레이 에러를 측정하는데 사용된 선형 방정식은 다음과 같다:
Figure 112017071316910-pct00004
세 개의 오버레이 마크들의 데이터를 방정식(4)에 대입하면, 다음을 획득할 수 있다:
Figure 112017071316910-pct00005
방정식(5)로부터, 오버레이 에러 ε를 다음과 같이 계산하는 것이 용이하다:
Figure 112017071316910-pct00006
실시예 2
도 11에 도시된 바와 같이, 이 실시예는 편광기(44)가 포함되지 않는다는 것을 제외하고 본질적으로 실시예 1과 동일하다. 즉, 편광기는 반드시 요구되지 않으며, 두 개의 상이한 구경 조리개들(45)에 대한 오버레이 신호들은 여전히 획득될 수 있고, 편광기가 없는 경우에도 오버레이 에러 계산을 위한 기초로서 작용할 수 있다.
종래 기술에 비해, 본 발명은 다음의 이점들을 제공한다:
1. 이것은 회절 광의 위치 정보에 기초한 오버레이 에러 측정을 수반하여, 조명 균일성, 투과 균일성 등으로부터의 영향을 배제할 수 있다.
2. 더 작은 측정 마크들(Smaller measuring marks)은 유효 노출 영역의 더 작은 부분을 차지하여 사용되는 것이 허용된다. 결과적으로, 오버레이 마크들의 비용 및 그것의 칩 제조에 대한 악영향이 감소된다.
3. 더 작은 마크들의 사용은 노출 필드(exposure field) 내 측정을 허용하고, 이는 오버레이 에러 측정 정확도에 대한 새로운 기술 노드들의 더 높은 요건들을 충족시키며, 선행 기술에서는 불가능하다.
명백하게는, 당업자라면 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 발명에 다양한 변화 및 수정을 가할 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구 범위 및 그 등가물의 범위 내에 있는 경우에 이러한 변경 및 수정을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (16)

  1. 오버레이 검출을 위한 장치에 있어서,
    광원, 조명 시스템, 대물 렌즈 및 검출기를 포함하고,
    상기 광원은 측정 광을 생산하도록 구성되고;
    상기 조명 시스템은 상기 대물 렌즈에 상기 측정 광이 입사되도록 구성되고;
    상기 대물 렌즈는 미리 정의된 편차를 각각 갖는 세 개의 오버레이 마크들을 포함하는 오버레이 마크 상으로 상기 측정 광이 향하도록 하고, 각각의 오버레이 마크들로부터 회절된 회절 광 요소들의 주 최대값들을 수집하고 상기 회절 광 요소들의 주 최대값들을 상기 대물 렌즈의 퓨필 평면 상에 수렴시키도록 구성되고; 및
    상기 검출기는 상기 대물 렌즈의 퓨필 평면에 배열되고, 피팅에 의해 획득될 수 있는, 오버레이 에러 및 상기 검출기 상의 각각의 오버레이 마크들로부터 회절된 회절 광 요소들의 주 최대값들의 위치들 사이의 상관 관계들에 기초하여 상기 오버레이 마크의 오버레이 에러를 획득하도록 상기 검출기 상의 각각의 오버레이 마크들로부터 회절된 상기 회절 광 요소들의 상기 주 최대값들의 위치들을 검출하도록 구성되는
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조명 시스템은 상기 측정 광의 전파의 방향으로 순차적으로 배치되는, 시준 렌즈, 필터, 제1 렌즈, 시야 조리개, 제2 렌즈 및 스플리터를 포함하는
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 조명 시스템은 상기 제1 렌즈와 상기 필터 사이에 배치되는 편광기를 더 포함하는
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 오버레이 마크에서의 피치들의 수는 20 보다 적고, 상기 오버레이 마크는 10 μm * 10 μm보다 더 적거나 같은 크기를 갖는
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 조명 시스템은,
    상기 제1 렌즈와 상기 필터 사이에 배치되는 구경 조리개를 포함하고, 구경 조리개는 원형 구멍 또는 슬릿으로서 구현되는
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    두 개의 원형 구멍들 또는 두 개의 슬릿들이 제공되고, 상기 두 개의 원형 구멍들 또는 슬릿들은 상기 구경 조리개의 중심에 대해 서로 대칭인
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    적어도 세 개의 원형 구멍들 또는 슬릿들이 제공되는
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 회절 광 요소들의 주 최대값들은 플러스 및 마이너스 제1 차수들의 것인
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 오버레이 마크는 기판에 형성되는 두 개의 적층된 격자들로 구성되는
    오버레이 에러 검출을 위한 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 임의의 한 항에 정의되는 바와 같은 상기 오버레이 에러 검출을 위한 장치를 사용하는 오버레이 에러 검출을 위한 방법에 있어서,
    광원은 측정 광을 생산하고;
    조명 시스템은 대물 렌즈에 상기 측정 광이 입사되도록 하고;
    상기 대물 렌즈는 미리 정의된 편차를 각각 갖는 세 개의 오버레이 마크들을 포함하는 오버레이 마크 상으로 상기 측정 광이 향하도록 하고, 제1 오버레이 마크가 제2 오버레이 마크 및 제3 오버레이 마크 사이에 위치되도록 상기 세 개의 오버레이 마크들이 배열되고, 상기 대물 렌즈는 각각의 오버레이 마크들로부터 회절된 회절 광 요소들의 주 최대값들을 수집하고 상기 회절 광 요소들의 주 최대값들을 상기 대물 렌즈의 퓨필 평면 상에 수렴시키고; 및
    상기 대물 렌즈의 퓨필 평면에 배열되는 검출기는, 피팅에 의해 획득될 수 있는, 오버레이 에러 및 상기 검출기 상의 각각의 오버레이 마크들로부터 회절된 상기 회절 광 요소들의 주 최대값들의 위치들 사이의 상관 관계들에 기초하여 상기 오버레이 마크의 오버레이 에러를 획득하도록 상기 검출기 상의 각각의 오버레이 마크들로부터 회절된 회절 광 요소들의 주 최대값들의 위치들을 검출하는
    오버레이 에러 검출을 위한 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 오버레이 마크에서의 피치들의 수는 20 보다 적고, 상기 오버레이 마크는 10 μm * 10 μm보다 더 적거나 같은 크기를 갖는
    오버레이 에러 검출을 위한 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 조명 시스템은 원형 구멍 또는 슬릿으로서 구현되는 구경 조리개를 포함하는
    오버레이 에러 검출을 위한 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    두 개의 원형 구멍들 또는 두 개의 슬릿들이 제공되고, 상기 두 개의 원형 구멍들 또는 슬릿들은 상기 구경 조리개의 중심에 대해 서로 대칭인
    오버레이 에러 검출을 위한 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    적어도 세 개의 원형 구멍들 또는 슬릿들이 제공되는
    오버레이 에러 검출을 위한 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 회절 광 요소들의 주 최대값들은 플러스 및 마이너스 제1 차수들의 것인
    오버레이 에러 검출을 위한 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 오버레이 에러는 상기 검출기 상에서 상기 회절 광 요소들의 주 최대값들의 위치들에 선형 피팅을 수행함으로써 획득되는
    오버레이 에러 검출을 위한 방법.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106198568B (zh) * 2015-05-24 2019-03-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种具有透明基底的薄膜的测量装置及测量方法
TWI649635B (zh) * 2017-01-24 2019-02-01 台灣積體電路製造股份有限公司 層疊誤差測量裝置及方法
CN108345177B (zh) * 2017-01-24 2020-06-30 台湾积体电路制造股份有限公司 层迭误差测量装置及方法
EP3528047A1 (en) * 2018-02-14 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques
KR102120551B1 (ko) 2018-09-14 2020-06-09 (주)오로스 테크놀로지 오버레이 측정장치
CN112147851B (zh) * 2019-06-28 2022-03-11 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光刻设备及光刻设备的瞳面透过率的检测方法
KR102273278B1 (ko) * 2019-09-10 2021-07-07 (주)오로스 테크놀로지 오버레이 측정장치
CN111025854B (zh) * 2019-12-23 2021-05-14 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种混和式投影物镜、投影曝光设备及成像系统
US11346657B2 (en) * 2020-05-22 2022-05-31 Kla Corporation Measurement modes for overlay
US11300405B2 (en) * 2020-08-03 2022-04-12 Kla Corporation Grey-mode scanning scatterometry overlay metrology
US11796925B2 (en) 2022-01-03 2023-10-24 Kla Corporation Scanning overlay metrology using overlay targets having multiple spatial frequencies
US20230314344A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 Kla Corporation System and method for isolation of specific fourier pupil frequency in overlay metrology

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004279405A (ja) * 2002-09-20 2004-10-07 Asml Netherlands Bv デバイス検査
JP2010271186A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Nikon Corp 欠陥検査装置
WO2015009739A1 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Kla-Tencor Corporation Illumination configurations for scatterometry measurements

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58200104A (ja) 1982-05-18 1983-11-21 Sony Corp 光学式位置検出装置
JPH03257303A (ja) * 1990-03-08 1991-11-15 Nec Corp 重ね合せ精度測定方法
JPH09189520A (ja) * 1996-01-12 1997-07-22 Nikon Corp 位置検出装置
JP2005140743A (ja) 2003-11-10 2005-06-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd 加工手段の性能評価方法及びこれを用いた加工性能評価システム
CN100468213C (zh) 2006-10-18 2009-03-11 上海微电子装备有限公司 用于光刻装置的对准系统及其级结合光栅系统
CN101435997B (zh) 2007-11-15 2012-06-27 上海华虹Nec电子有限公司 光刻套刻精度的测试图形及测量方法
US8537461B2 (en) * 2007-11-26 2013-09-17 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Method and configuration for the optical detection of an illuminated specimen
NL1036245A1 (nl) * 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036857A1 (nl) * 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
JP2010271188A (ja) 2009-05-21 2010-12-02 Denso Corp センサ較正装置及びセンサ較正方法
KR101976152B1 (ko) * 2011-02-10 2019-05-09 케이엘에이-텐코 코포레이션 오버레이 계측의 콘트라스트 증강을 위한 구조화 조명
JP5713961B2 (ja) * 2011-06-21 2015-05-07 キヤノン株式会社 位置検出装置、インプリント装置及び位置検出方法
NL2009508A (en) * 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
US10107621B2 (en) * 2012-02-15 2018-10-23 Nanometrics Incorporated Image based overlay measurement with finite gratings
CN103293884B (zh) * 2012-02-24 2014-12-17 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的离轴对准系统及对准方法
CN103777467B (zh) * 2012-10-19 2016-07-06 上海微电子装备有限公司 一种套刻误差测量装置及方法
CN103076724B (zh) 2013-02-01 2014-10-29 中国科学院光电研究院 基于双光束干涉的投影物镜波像差在线检测装置和方法
CN103969960B (zh) * 2013-02-04 2016-07-06 上海微电子装备有限公司 一种套刻测量的装置和方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004279405A (ja) * 2002-09-20 2004-10-07 Asml Netherlands Bv デバイス検査
JP2010271186A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Nikon Corp 欠陥検査装置
WO2015009739A1 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Kla-Tencor Corporation Illumination configurations for scatterometry measurements

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Publication number Publication date
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