KR970063739A - 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치의 커패시터 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 커패시터의 제조 방법은 반도체 기판상에 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 하부 전극을 질소 및 산소를 함유하는 가스에 의한 플라즈마를 이용하여 전처리하는 단계와, 상기 전처리된 하부 전극상에 유전체막을 형성하는 단계와, 상기 유전체막상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 비교적 작은 두께의 등가 산화막에서도 우수한 전기적 특성을 가지는 커패시터를 제조할 수 있다.

Description

반도체 장치의 커패시터 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치의 커패시터 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판상에 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 하부 전극을 질소 및 산소를 함유하는 가스에 의한 플라즈마를 이용하여 전처리하는 단계와, 상기 전처리된 하부 전극상에 유전체막을 형성하는 단계와, 상기 유전체막상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부 전극을 플라즈마를 이용하여 전처리하는 단계는 질소를 함유하는 가스 및 산소를 함유하는 가스를 순차로 또는 동시에 연속적으로 공급하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산소를 함유하는 가스는 NH3, N2O 또는 N2인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 산소를 함유하는 가스는 N2O, O2또는 -OH기 함유 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 NO, Ta2O5, 또는 TiO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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