KR970067861A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 유전체막을 통과하는 누설전류를 줄이고 실제 유전체막의 두께를 감소시켜 정전용량을 증대시킨 반도체 장치 및 그 제조방법이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치의 구성은, 반도체 기판과, 상기 기판 상에 형성되고 상기 기판과 반응하여 기판표면에 실리사이드막을 형성하는 제1 도전막과 제2 도전막으로 이루어진 하부전극과, 상기 하부전극 상에 형성된 유전막과, 상기 유전막 상에 형성된 생성된 질화막 및, 상기 질화막 상에 형성된 제3 도전막을 상부전극으로 이루어지고 그 제조방법의 구성은, 반도체 기판 상에 제1 도전막과 제2 도전막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제2 도전막 상에 유전막을 형성하는 단계와, 상기 유전막 상에 질화막을 형성하는 단계 및, 상기 질화막 상에 제3 도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타낸 단면도.
Claims (9)
- 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 반도체 기판 상에 제1 도전막과 제2 도전막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제2 도전막 상에 유전막을 형성하는 단계; 상기 유전막 상에 질화막을 형성하는 단계;및 상기 질화막 상에 제3 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 도전막은 상기 기판과 반응하여 실리사이드 (silicide)막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 도전막을 Ti를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막은 RTNP공정으로 실시하고 공정조건은 700∼950℃에서 30분간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제2 도전막과 제3 도전막은 TiN을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유전막은 Ta2O5를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 반도체 기판;상기 기판 상에 형성되고 상기 기판과 반응하여 기판표면에 실리사이드막을 형성하는 제1 도전막과 제2 도전막으로 이루어진 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성된 유전막; 상기 유전막 상에 형성된 생성된 질화막;및, 상기 질화막 상에 형성된 제3 도전막을 상부전극으로 하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 도전막은 티타늄(Ti)을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 상기 제7항에 있어서, 상기 제2 및 제3 도전막은 TiN을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005970A KR970067861A (ko) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005970A KR970067861A (ko) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970067861A true KR970067861A (ko) | 1997-10-13 |
Family
ID=66221919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960005970A KR970067861A (ko) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970067861A (ko) |
-
1996
- 1996-03-07 KR KR1019960005970A patent/KR970067861A/ko not_active Application Discontinuation
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